CS201148B1 - Process for removing melt from semiconductive material at epitaxtal growth from liquid phase - Google Patents
Process for removing melt from semiconductive material at epitaxtal growth from liquid phase Download PDFInfo
- Publication number
- CS201148B1 CS201148B1 CS574577A CS574577A CS201148B1 CS 201148 B1 CS201148 B1 CS 201148B1 CS 574577 A CS574577 A CS 574577A CS 574577 A CS574577 A CS 574577A CS 201148 B1 CS201148 B1 CS 201148B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- melt
- semiconductor material
- liquid phase
- epitaxtal
- growth
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
201 148 (11) (Bl) ČESKOSLOVENSKÁSOCIALISTICKÁREPUBLIKA( 19 )
POPIS VYNÁLEZU
K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU (6)) (23) Výstavná priorita(22) Přihlášené 05 09 77(21) PV 5745-77 (51) Int.Cl.3 C 30 B 19/00
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zverejnené(45) Vydané 29 02 8001 03 83 (75)
Autor vynálezu
KRÁL MILOSLAV, BRATISLAVA (54) Sp6sob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu při epitaxii z kvapalnej fázy 1
Vynález sa týká spdsobu odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu pri epitaxiiz kvapalnej fézy.
Odstraňovanie taveniny z povrchu polovodičového materiálu sa doteraz robilo týmito postup-mi: 1. Vlastnou váhou taveniny pri vysávaní polovodičového materiálu. V tomto případe sa odstra-ňuje tavenina nedoatatočne, lebo okrem vlastnej váhy nepdsobí na ňu žiadna iná sila. 2. Mechanicky, keá tekuté tavenina sa odstraňuje grafitovou doátičkou, ktoré sa posúva po po-vrchu alebo tesne nad povrchom polovodičovej doštičky. Tento postup má nedostatok v tom, že přimechanickom odstraňovaní taveniny z povrchu polovodičového materiálu sa nedostává hrana doštič-ky odstraňujúcej taveninu do dostatočného styku s jej povrchom, lebo povrch polovodičového ma-teriálu bývá niekedy nerovný, a preto na nej zanechává zbytky taveniny. Okrem toho dochádzapri ich tesnom styku k mechanickému poškodeniu polovodičového materiálu. 3. Odstředivou silou.Pri tomto postupe sa polovodičový materiál aj s taveninou uvedie do rotačného pohybu a vznik-nutá odstředivá sila vytláča taveninu z povrchu polovodičového materiálu. Nedostatkom tohtopostupu je, že zariadenie je konstrukčně komplikované, tavenina sa odstraňuje hlavně pri čle-nitejšom povrchu polovodičového materiálu po častiach a malé kvapóčky taveniny sa odstraňujúťažko.
Vyššie uvedené nedostatky sa odstraňujú spósobom podl’a vynálezu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na vyaúvajúci sa polovodičový materiál z taveniny sa 201 148
Claims (1)
- 201 148 pčsobí vibráciami o frekvenci! 10 až 150 000 Hz. Spdsobom podlá vynálezu sa dosahuje dokonalejšie oddel’ovanie taveniny z povrchu polo-vodičového materiálu ako u doteraz používaných postupov a súčasne je jednoduchá! ako odstře-divý spčsob. Na pripojenom výkrese je znázorněné epitaxné zariadenie využívajúce spdsob podl’a vyná-lezu. Zariadenie na prevádzanie tohto spósobu se skládá z kremennej ampule 1, z výhřevnéhovinutia 2, z grafitovej nádobky 3, z taveniny 4, z nosnej tyčky 5, z vibrátore 6, z vibrujú-cej nosnej tyčky 7, z držiaka polovodičového materiálu 8 a z polovodičového materiálu v tva-re okrúhlej doštičky 9. Příklad 1 V ampule z křemenného skla 1, okolo ktorej je navinutá výhřevná ápirála 2, je umieatnenágrafitová nádoba 3 o priemere 60 mm, v ktorej je tavenina o obsahu 90 % váh. india a 10 % vóhindium-antimonidu. Doteraz popísané časti sú nepohyblivé. Pomocou nosnej tyčky £, na ktorejje upevněný vibrátov 6, sa do taveniny vsúvajú a z nej vysúvajú vibrujúce časti: vibrujúcanosná tyčka 7, držiak polovodičovej doštičky 8 a polovodičová doštička 9. Pracovný priestorje preplachlovaný čistým vodíkom. Po vyhriatí taveniny na teplotu 270 °C sa pohyblivý siel,skladajúci sa z nosnej tyčky 5, z vibrujúcej nosnej tyčky 7, z vibrátore 6, z držiaka polovo-dičového materiálu 8 a z polovodičového materiálu 9, vsunie do taveniny tak, aby sa polovodi-čový materiál o priemere 20 mm úplné ponořil do taveniny 4. Počas chladnutia taveniny 4z 270 °C na 260 °C nařastá na polovodičovom materiáli 9 indium-antimonidová epitaxná vrstvao hrúbke asi 30 um. Po dosiahnutí teploty 260 °C sa zapne vibrátor 6, ktorý cez vibrujúcunosná tyčku 7 a držiak polovodičového materiálu 8 uvedie do kmitavého pohybu polovodičovýmateriál 9. Při vysávaní polovodičového materiálu 9 z taveniny, uvedený kmitavý pohyb spdso-buje lepšie oddeTovania taveniny 4 od polovodičovej doštičky 9. Použitá vibračná frekvenciabéla 450 Hz. Příkon privádzaný na elektromagnetický^vibrátor 6 bol 30 W. Příklad 2 Podobné ako v příklade 1 bolo použité to isté zariadenie na vytvorenie vrstiev gália-arzénu pri použití taveniny o zložení 3,6 g gália a 0,13 g gália-aržfcnu pri použitéj teplote750 °C s ochladením na 740 °C a pri použití vibračných frekvencií 8500 Hz a 90 000 Hz. , Spdsob podlá vynálezu je možno použit vo všetkých prípadoch, v ktorých sa vyskytujúproblémy s odstraňováním kvapalnej taveniny z povrchu polovodičového materiálu. PBEDMET VYNÁLEZU Spdsob odstraňovania taveniny z polovodičového materiálu pri epitaxii z kvapalnej fázyvyznačujáci sa tým, že na vysúvajúci sa polovodičový materiál z taveniny sa pdsobí vibráciamio frekvenci! 10 až 150 000 Hz. 1 výkres
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574577A CS201148B1 (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Process for removing melt from semiconductive material at epitaxtal growth from liquid phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS574577A CS201148B1 (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Process for removing melt from semiconductive material at epitaxtal growth from liquid phase |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS201148B1 true CS201148B1 (en) | 1980-10-31 |
Family
ID=5402925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS574577A CS201148B1 (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Process for removing melt from semiconductive material at epitaxtal growth from liquid phase |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS201148B1 (cs) |
-
1977
- 1977-09-05 CS CS574577A patent/CS201148B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB829422A (en) | Method and apparatus for producing semi-conductor materials of high purity | |
| GB827466A (en) | Improvements in or relating to methods of and apparatus for manufacturing single crystals | |
| US4606037A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal | |
| CS201148B1 (en) | Process for removing melt from semiconductive material at epitaxtal growth from liquid phase | |
| JPS551114A (en) | Method and device for washing wafer | |
| US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
| US2950219A (en) | Method of manufacturing semiconductor crystals | |
| JP7782016B2 (ja) | 単結晶シリコンロッドの製造デバイスおよび製造方法 | |
| US2835614A (en) | Method of manufacturing crystalline material | |
| Bhalla et al. | Crystal growth of antimony sulphur iodide | |
| JP4436363B2 (ja) | 単結晶の育成方法及び繊維成形体 | |
| US4662982A (en) | Method of producing crystals of materials for use in the electronic industry | |
| JP2504550Y2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| BE880839A (fr) | Dispositif et procede pour faire croitre des cristaux de silicium sous vide, a partir de matiere fondue | |
| CN110528078A (zh) | 一种晶体取出装置 | |
| CS199892B1 (en) | Method of epithax layer growth on semiconductor material at epithaxis from liquid phase | |
| JPS56149399A (en) | Liquid phase epitaxial growing method | |
| US4465545A (en) | Method of growing single crystal cadmium telluride | |
| KR102680683B1 (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
| SU130185A1 (ru) | Устройство дл замера уровн расплава в тигле | |
| JPS5538039A (en) | Device for liquid-phase growth of semiconductor | |
| JP2751333B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| SU146049A1 (ru) | Способ создани электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида инди | |
| JPS55104998A (en) | Production of silicon carbide crystal layer | |
| JP2599306B2 (ja) | 結晶の製法および製造装置 |