CS197656B1 - Method of making the high-tension rectifiers - Google Patents
Method of making the high-tension rectifiers Download PDFInfo
- Publication number
- CS197656B1 CS197656B1 CS650377A CS650377A CS197656B1 CS 197656 B1 CS197656 B1 CS 197656B1 CS 650377 A CS650377 A CS 650377A CS 650377 A CS650377 A CS 650377A CS 197656 B1 CS197656 B1 CS 197656B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- voltage
- semiconductor
- aluminum layer
- rectifiers
- plates
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
československá socialistická REPUBLIKA (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVEDĚENIU (áí) (22) Přihlášené 07 10 77 rafej (21) (PV 6503-77) (40) Zverejnené 31 08 79 197656 (11) (Bl) (5.1) Int. Cl3H 01 L 21/04 (45) Vydané 07. 12. 81
ÓŘAD PRO VYNÁLEZYA OBJEVY
(75) Autor vynálezu DUDÍK MIROSLAV, ing., PIEŠŤANY (54) Spósob výroby vysokonapáťových usmerňovačov
Vynález sa týká sposobu výroby vysokona-páťových usmerňovačov, u ktorých sa riešipevné spojenie N východzích polovodičovýchdosiek do stlpca, pričom každá z dosiek máv sebe vytvořený PN přechod a došky súparalelné a orientované uložené,
Podía doteraz známého sposobu výroby vy-sokonapáťových usmerňovačov sa spojenie Nvýchodzích polovodičových dosiek do stípcaprevádza pomocou N-l očištěných spájkova-cích fólií z mákkej alebo tvrdej spájky. Na-ložené polovodičové došky so spájkovacímifóliami sa zospájkujú pri zvýšenej teplote vochrannej atmosféře (napr. H2). Po opatřenistlpca spájkovatelnými kontaktnými vrstva-mi sa táto rozreže na systémy so štvorcovýmprierezom, zvoleným podía maximálneho e-lektrického prúdu, ktorý má vysokonapáťovýusměrňovač usměrňovat. Systémy sa po olep-taní spájkujú s axiálnymi prívodmi a púzdriado umelej; hmoty. U tohto sposobu sa dosahuje nerovnomérnejpevnosti spojov medzi polovodičovými dos-kami, čoho dósledkom je poměrně nízká vý-ťažnosť mechanicky pevných systémov. Pev-nosť naspájkovania závisí na ďobe skladova-nia očištěných polovodičových dosiek a spáj-kovacích fólií před spájkovaním, na kvalitěochrannej atmosféry pri spájkovaní, na čis-totě spájkovacích fólií. Pri válcování fólií savšak nemožno vyhnúť určitému znečisteniu a toto negativné vplýva na pevnosť prispáj-kovania. Ďalej pri čistění a ukládání spájko-vacích fólií dochádza k ich .deformácii, čoznesnadňuje prácu. Nedokonalé naspájkova-nie, i keď sa javí mechanicky dobré, spóso-buje, že po oleptaní nařezaného systému do-chádza k lunkrovitému podleptávaniu spojovpolovodič — spájka. Toto nepriaznivo ovplyv-ňuje závěrné napatie usměrňovače a tiež spó-sobuje jeho nízku odolnost’ voči preťaženiu,
Horeuvedené nedostatky εύ odstraněné spó-sobom výroby podía vynálezu, ktorého pod-statou je obojstranné naparenie hliníkovejvrstvy na N-2 východzích polovodičovýchdoškách a jednostranné naparenie hliníkovejvrstvy na dvoch krajných východzích polo-vodičových doškách, uloženie dosiek paralel-né a orientované do stlpca a zliatie vo vákuunajmenej 1,5.10-z Pa pri teplote od 650 do750 °C. Štipec polovodičových dosiek zhotovený tým-to spósobom je dokonale mechanicky pevný,pri jeho rozřezávaní na systémy neďochádzak mechanickému lomu a taktiež pri oleptá-vaní systémov sa dosahuje rovnoměrného ú-beru polovodiČa. Konečným dósledkom je do-siahnutie rovnoměrných závěrných napatí nahotových vysokonapáťových usmerňovačoch,blízkých teoretickým hodnotám. Ak sa na-příklad použije pre štipec 25 polovodičovýchdosiek s PN prechodom, z ktorých každá je
Claims (1)
- vyrobená na 1000 V závěrného napátia, mi-nimálně 80 % vysokonapáťových usmerňo-vačov zhotovených zo systémov tohto étlpcamá závěrné napátie nad 25 000 V. Vysoko-nápáťové usměrňovače vyrobené podlá vyná- ·lezu vykazujú vysokú odolnost voči elektric-kému preťaženiu. Spósob výroby podlá vynálezu je zvlášť vhod-ný pre vysokonapáťové usměrňovače určenépre zdroje vysokého napátia v televíznychprijímačoch, kde sa vyžadujú závěrné napá-tia 10—35 kV a středné usměrněné prúdy0,4-50 mA, Na pripojenom výkrese je znázorněný pří-klad prevedenia paralelné a orientované ulo-žených N východzích polovodičových dosieks PN prechodom 4 do stlpca před operáciouzlievania podlá vynálezu. N-2 dosiek 3 je na- pařených obojstranne hliníkovou vrstvou 5.Krajné došky 1 a 2 sú napařené jednostran-né hliníkovou vrstvou 5. Hrubka hliníkovejvrstvy je napr. 7 7jm. PREDMET· VÝNALEZU Spósob výroby vysokonapátových usmerňo-vačov zložených v sérii z polovodičových do-siek s PN prechodom paralelné a orientova-né řáděných, opatřených axiálnými prívod-mi a zapúzdrených do umelej hmoty, vyzna-čujúci sa tým, že N-2 východzích polovodi-čových dosiek po obojstrannom a 2 krajnévýchodzie polovodičové došky po jednostran-nom napaření hliníkovej vrstvy sa paralel-né a orientované uložia do stlpca a zlejú vovákuu najmenej 1,5 . 10'2 Pa při teplotě od650° C do 750° C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS650377A CS197656B1 (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Method of making the high-tension rectifiers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS650377A CS197656B1 (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Method of making the high-tension rectifiers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS197656B1 true CS197656B1 (en) | 1980-05-30 |
Family
ID=5412225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS650377A CS197656B1 (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Method of making the high-tension rectifiers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS197656B1 (cs) |
-
1977
- 1977-10-07 CS CS650377A patent/CS197656B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69229489T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Halbleiterpackung mit Drähten und eine Oberfläche mit planarisierter Dünnfilmdecke | |
| DE3134922C2 (cs) | ||
| CA1210520A (en) | Process for manufacturing printed circuits with an individual rigid conductive metallic support | |
| EP0069901A2 (de) | Stromrichtermodul | |
| DE19723590A1 (de) | Kühlkörper | |
| EP0009806A1 (de) | Elektrischer Schichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| US6563214B2 (en) | Electronic component and method of manufacturing the same | |
| JPH0317166B2 (cs) | ||
| US5414224A (en) | Multilayer printed circuit board and method of manufacturing same | |
| CS197656B1 (en) | Method of making the high-tension rectifiers | |
| CA1143806A (en) | Laminated bus bar and method of manufacture | |
| US2375181A (en) | Rectifier forming | |
| US4719443A (en) | Low capacitance power resistor using beryllia dielectric heat sink layer and low toxicity method for its manufacture | |
| JPS6477916A (en) | Manufacture of capacitor | |
| EP0481308B1 (en) | Method of manufacturing ceramics circuit board | |
| DE2136201B2 (de) | Verfahren zum anbringen metallischer zuleitungen an einem elektrischen festkoerper-bauelement | |
| DE102021003748A1 (de) | Anordnung zur Kühlung eines Hochvoltbauteils | |
| US5248902A (en) | Surface mounting diode | |
| JPH0969406A (ja) | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH04162410A (ja) | 積層フィルムコンデンサの製造方法 | |
| JP2936834B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0217619A (ja) | チップ状電子部品 | |
| DE3837618A1 (de) | Elektrische oder elektronische anordnung | |
| CN119340094A (zh) | 变压器连接电感及其制备方法 | |
| DE3303081A1 (de) | Verfahren zum herstellen von chip-widerstaenden mit um den rand gehenden anschluessen |