CS197656B1

CS197656B1 - Method of making the high-tension rectifiers

Info

Publication number: CS197656B1
Application number: CS650377A
Authority: CS
Inventors: Miroslav Dudik
Original assignee: Miroslav Dudik
Priority date: 1977-10-07
Filing date: 1977-10-07
Publication date: 1980-05-30

Description

(54) Sposob výroby vysokonapáťových usmerňovačov(54) Method of production of high-voltage rectifiers

Vynález sa týká spósobu výroby vysokonapáťových usmerňovačov, u ktorých sa rieši pevné spojenie N východzích polovodičových dosiek do stlpca, pričom každá z dosiek má v sebe vytvořený PN přechod a došky sú paralelné a orientované uložené,The present invention relates to a method for manufacturing high voltage rectifiers in which a rigid connection of N starting semiconductor plates to a column is provided, each of the plates having a PN junction formed therein, and that the stacks are parallel and oriented,

Podía doteraz známého spósobu výroby vysokonapáťových usmerňovačov sa spojenie N východzích polovodičových dosiek do stípca prevádza pomocou N-l očištěných spájkovacích fólií z mákkej alebo tvrdej spájky. Naložené polovodičové došky so spájkovacími fóliami sa zospájkujú pri zvýšenej teplote v ochrannej atmosféře (napr. H2). Po opatřeni stlpca spájkovatelnými kontaktnými vrstvami sa táto rozreže na systémy so štvorcovým prierezom, zvoleným podía maximálneho elektrického prúdu, ktorý má vysokonapáťový usměrňovač usměrňovat. Systémy sa po oleptaní spájkujú s axiálnymi prívodmi a púzdria do umelej; hmoty.According to the hitherto known method of manufacturing high voltage rectifiers, the connection of N starting semiconductor plates to the column is carried out by means of N-1 cleaned solder foils from soft or hard solder. The loaded semiconductor boards with solder foils are soldered at elevated temperature in a protective atmosphere (e.g. H2). After providing the column with solderable contact layers, it is cut into square cross-section systems selected according to the maximum electrical current to be rectified by the high-voltage rectifier. After etching, the systems are soldered with axial leads and encapsulated in an artificial; mass.

U tohto spósobu sa dosahuje nerovnomérnej pevnosti spojov medzi polovodičovými doskami, čoho dósledkom je poměrně nízká výťažnosť mechanicky pevných systémov. Pevnost naspájkovania závisí na ďobe skladovania očištěných polovodičových dosiek a spájkovacích fólií před spájkovaním, na kvalitě ochrannej atmosféry pri spájkovaní, na čistotě spájkovacích fólií. Pri válcování fólií sa však nemožno vyhnúť určitému znečisteniu a toto negativné vplýva na pevnost prispájkovania. Ďalej pri čistění a ukládání spájkovacích fólií dochádza k ich ňeformácii, čo znesnadňuje prácu. Nedokonalé naspájkovanie, i ked sa javí mechanicky dobré, spósobuje, že po oleptaní nařezaného systému dochádza k lunkrovitému podleptávaniu spojov polovodič — spájka. Toto nepriaznivo ovplyvňuje závěrné napátie usmerňovača a tiež spósobuje jeho nízku odolnost’ voči preťaženiu,In this method, uneven strength of the joints between the semiconductor plates is achieved, which results in a relatively low yield of mechanically strong systems. The soldering strength depends on the storage time of the cleaned semiconductor plates and solder films before soldering, the quality of the protective atmosphere during soldering, the cleanliness of the solder films. However, some contamination cannot be avoided when rolling films and this has a negative effect on the brazing strength. Furthermore, when cleaning and storing solder foils, they do not deform, which makes work difficult. Imperfect soldering, even if it appears to be mechanically good, causes the semiconductor-solder joint to become lunker-like after etching the cut system. This adversely affects the reverse voltage of the rectifier and also causes its low overload resistance,

Horeuvedené nedostatky sú odstránené spósobom výroby podía vynálezu, ktorého podstatou je obojstranné naparepie hliníkovej vrstvy na N-2 východzích polovodičových doškách a jednostranné naparenie hliníkovej vrstvy na dvoch krajných východzích polovodičových doškách, uloženie dosiek paralelné a orientované do stlpca a zliatie vo vákuu najmenej 1,5.10^-z Pa pri teplote od 650 do 750 °C.The above-mentioned drawbacks are eliminated by the production method according to the invention, which consists in bilateral steaming of the aluminum layer on the N-2 exits of semiconductor thatch and unilateral steaming of the aluminum layer on the two extreme exits of the semiconductor thats. ^-z Pa at a temperature of from 650 to 750 ° C.

Štipec polovodičových dosiek zhotovený týmto spósobom je dokonale mechanicky pevný, pri jeho rozřezávaní na systémy nedochádza k mechanickému lomu a taktiež pri oleptávaní systémov sa dosahuje rovnoměrného úberu polovodiČa. Konečným dósledkom je dosiahnutie rovnoměrných závěrných napatí na hotových vysokonapáťových usmerňovačoch, blízkých teoretickým hodnotám. Ak sa například použije pre štipec 25 polovodičových dosiek s PN prechodom, z ktorých každá je vyrobená na 1000 V závěrného napatia, minimálně 80 % vysokonapáťových usmerňovačov zhotovených zo systémov tohto étlpca má závěrné napátie nad 25 000 V. Vysokonápáťové usměrňovače vyrobené podlá vynálezu vykazujú vysokú odolnost voči elektrickému preťaženiu.The chip of semiconductor boards made in this way is perfectly mechanically strong, there is no mechanical fracture when cutting it into systems and even when the systems are etched, even semiconductor removal is achieved. The ultimate consequence is to achieve uniform closing voltages on the finished high voltage rectifiers close to the theoretical values. For example, when a 25 PN junction semiconductor board is used, each of which is made at 1000V back-up voltage, at least 80% of the high-voltage rectifiers made of this AC system have a back-up voltage above 25,000V. against electric overload.

Spósob výroby podlá vynálezu je zvlášť vhodný pre vysokonapáťové usměrňovače určené pre zdroje vysokého napatia v televíznych prijímačoch, kde sa vyžadujú závěrné napatia 10—35 kV a středné usměrněné prúdy 0,4-50 mA,The production method according to the invention is particularly suitable for high-voltage rectifiers intended for high-voltage sources in television sets, where a back-up voltage of 10-35 kV and medium rectified currents of 0.4-50 mA are required,

Na pripojenom výkrese je znázorněný příklad prevedenia paralelné a orientované uložených N východzích polovodičových dosiek s PN prechodom 4 do stlpca před operáciou zlievania podlá vynálezu. N-2 dosiek 3 je napařených obojstranné hliníkovou vrstvou 5.In the accompanying drawing, an example of an embodiment of parallel and oriented embedded N starting semiconductor plates with a PN junction 4 into a column prior to the casting operation according to the invention is shown. The N-2 plates 3 are vapor-coated on both sides with an aluminum layer 5.

Krajné došky 1 a 2 sú napařené jednostranné hliníkovou vrstvou 5. Hrúbka hliníkové] vrstvy je napr. 7 7jm.The edge seals 1 and 2 are steamed with a one-sided aluminum layer 5. The thickness of the aluminum layer is e.g. 7 7jm.

Claims

produced per 1000 V stop voltage, at least 80% of high voltage rectifiers made of the systems of this type of shut-off voltage above 25,000 V. The high-voltage rectifiers made in accordance with the invention exhibit high resistance to electrical overload. The production method according to the invention is particularly suitable for high voltage rectifiers intended for high voltage sources in television receivers where 10-35 kV closing voltages and a medium rectified current of 0.4-50 mA are required. and orienting the deposited N starting semiconductor plates PN by passing 4 into the column prior to the operation of the invention according to the invention. The N-2 plates 3 are coated on both sides with an aluminum layer 5. The side panels 1 and 2 are vapor-coated on one side with an aluminum layer 5. The thickness of the aluminum layer is e.g. SUMMARY OF THE INVENTION A method for producing high-voltage baffles assembled in series from PN semiconductor sockets having a parallel and orientated, semiconductor, axial inlet and encapsulated plastic, characterized in that the N-2 starting semiconductors 2-sided semiconductor dock after one-sided vapor deposition of the aluminum layer is placed parallel and oriented into the column and left out at least 1.5. 10 2 Pa at a temperature of 650 ° C to 750 ° C.