CN2570787Y - 一种试片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种试片,其涉及生物、化学以及生化反应测试领域,其包括:基片,基片上设有被测物承载面;其特征在于:基片内设有温度探测元件,还设有导电体和信号传递装置;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。本实用新型可提高测量的准确性。
Description
技术领域
本实用新型涉及生物、化学以及生化反应测量领域,具体的讲其涉及一种试片。
背景技术
在生物、化学或生化领域的测量中,使被测物质产生一种可以测量的,且与被测物质有定量关系的信号(通常是电信号),并通过该信号生成相关参数的测量方法已经被广泛应用。例如,有创血糖计的测量方法就是采用酶电极与血液接触后的生物反应产生的电信号(电压或电流)的变化量,以及该信号与血糖浓度的关系来完成血糖浓度测量的方法。然而在生物、化学或生化反应中,反应进行的程度、强度,以及可测信号与待测参数的定量关系很大程度上取决于反应系统的温度,而且温度的影响在有些情况下是非常大的,因此反应系统的温度是产生反应系统测量误差的一个不容忽视的因素,所以对反应系统进行温度的控制,或说对反应系统进行温度的测量及补偿便是生化反应测量中必不可少的环节。
除上述生化反应过程外,在生物、化学或者生化领域中,还需有对生化物质的自身温度进行监控的情况,如DNA的保存过程中的温度监控,以及其它生化物质的在使用过程或者保藏过程中的温度监控,等等。因此,在本领域中在上述类似的情况下,温度的测量同样是必不可少的环节。
目前,在生物、化学以及生化领域的温度测量中,采用试片进行相关测量已被广泛应用,然而现有技术中的试片由于均不能直接对反应温度进行处理,所以往往影响测量的准确性。例如:中国专利,申请号为98807506.7的实用新型专利申请公开了一种浓度测量装置用试片,其利用电极的端子对被测物进行测量,然而该试片不能测量被测物的温度,更不能由试片直接进行温度补偿,这便影响了测量的准确性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种试片和一种可控温的试片,其中所述的一种试片是指可对被测物的温度进行直接测量的试片,使得通过试片进行的生化测量结果更加准确。
所述的一种可控温的试片是指可对被测物的温度进行直接测量并且可进行温度调节的试片,将被测物温度控制在所要的温度范围,使目标物或反应过程的温度保持恒定,保证目标物保存条件的稳定或所进行的生化测量结果的准确。
本实用新型的技术方案为:
一种试片,包括:一片状基体,该片状基体上设有被测物承载面;其特征在于:片状基体内设有温度探测元件、导电体和信号传递装置;
被测物承载面位于被测物与温度探测元件之间,温度探测元件与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经导电体传送给信号传递装置,信号传递装置能够与外部进行信号的双向传递。
所述的一种试片,其特征在于,所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶和半导体温度传感器。
所述的一种试片,其特征在于,所述的反应物承载面为由与被测物不发生反应的材料制成的承载面。
所述的一种试片,其特征在于,所述的信号传递装置可为接口;
其中所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理。
所述的一种试片,其特征在于,所述的由与被测物不发生反应的材料制成的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的一种试片,其特征在于,所述的片状基体上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面。
所述的一种试片,其特征在于,所述的片状基体中还设有测量电极;所述的导电体可包括温度探测导电体和测量电极导电体,温度探测导电体的一端与温度探测元件连接,另一端与接口连接;测量电极导电体的一端与测量电极连接,另一端与接口连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经温度探测导电体传送给接口,接口能够与外部进行信号的双向传递;测量电极将测得的信号通过所述的测量电极导电体和接口与外部进行信号传递。
所述的一种试片,其特征在于,所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
所述的一种试片,其特征在于,所述的片状基体至少可为:矩形状硅基体。
所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
本实用新型还提供了一种可控温的试片,包括:一片状基体,该片状基体上设有被测物承载面;其特征在于:片状基体内设有温度探测元件、导电体和信号传递装置,还设有温度调节元件;
被测物承载面位于被测物与温度探测元件之间,温度探测元件与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度调节元件设置在被测物承载面的周边,并与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经导电体传送给信号传递装置,信号传递装置能够与外部进行信号的传递;
温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶和半导体温度传感器。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的反应物承载面为由与被测物不发生反应的材料制成的承载面。
一种可控温的试片,其特征在于,所述的信号传递装置可为接口;
其中所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的由与被测物不发生反应的材料制成的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的片状基体上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的片状基体中还设有测量电极,所述的导电体可包括温度探测导电体、测量电极导电体、温度调节导电体,温度探测导电体的一端与温度探测元件连接,另一端与接口连接;测量电极导电体的一端与测量电极连接,另一端与接口连接;温度调节导电体的一端与温度调节元件连接,另一端与接口连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经温度探测导电体传送给接口,接口能够与外部进行信号的双向传递;测量电极将测得的信号通过所述的测量电极导电体和接口与外部进行信号传递;温度调节元件接收外部经接口、温度调节导电体传来的信号,并进行加热或制冷的温度调节。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温控元件可为加热元件。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温控元件可为制冷元件。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温控元件可为加热和制冷元件。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的加热元件可为电阻、多晶硅。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的制冷元件可为Peltier元件。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的加热和制冷元件可为Peltier元件。
所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的片状基体至少可为:矩形状硅基体。
所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
本实用新型的有益效果为:通过在试片中设置测温元件,能够直接测量被测物的温度,可以直接确定在试片上进行的反应的温度,也可以对通过试片进行的测量进行更精确的温度补偿,使测量结果更准确。
通过在试片中设置测控温元件,可以对试片上的被测物进行温度控制,使其在所需的恒定温度下保存,有利于保持其性质、性能的稳定。
通过在试片中设置测控温元件,可以使在试片上进行的反应在所需的稳定温度下进行,避免温度变化对反应或测量结果的影响。
附图说明
图1为本实用新型所述一种试片的结构示意图;
图2为本实用新型所述一种试片的反应凹槽的示意图;
图3为本实用新型所述一种可控温的试片的结构示意图;
图4为本实用新型所述一种可控温的试片的反应凹槽的示意图。
具体实施方式
如图1,图2所示,为一种试片,包括:一片状基体6,该片状基体上设有被测物承载面2;其特征在于:片状基体内设有温度探测元件1、导电体3、导电体4和信号传递装置5;
被测物承载面位于被测物与温度探测元件之间,温度探测元件与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经导电体传送给信号传递装置,信号传递装置能够与外部进行信号的双向传递。
其中所述的温度探测元件可为红外传感元件热敏电阻、热电阻、热电偶和半导体温度传感器。
所述的信号传递装置可为接口;所述的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的片状基体上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面7。
所述的片状基体中还设有测量电极;所述的导电体可包括温度探测导电体和测量电极导电体,温度探测导电体的一端与温度探测元件连接,另一端与接口连接;测量电极导电体的一端与测量电极连接,另一端与接口连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经温度探测导电体传送给接口,接口能够与外部进行信号的双向传递;测量电极将测得的信号通过所述的测量电极导电体和接口与外部进行信号传递。
所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
所述的片状基体至少可为:矩形片状硅基体。
在制作所述的一种试片时,可在硅基片上设有反应物承载面;
在反应物承载面上腐蚀出承载温度探测器的凹槽;
采用金属淀积的方法将金属淀积到所述的凹槽中,形成温度探测器;
在基片中设有导电体和接口,导电体的一端与接口连接,导电体的另一端与凹槽中淀积的金属连接;
所述的接口,可以与外部控制装置联接。
当需要被测物承载面与被测物发生反应时,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面,或者可在被测物承载面上涂有反应酶等能与被测物发生反应的物质。
如图3、图4所示,一种可控温的试片,包括:一片状基体6,该片状基体上设有被测物承载面2;其特征在于:片状基体内设有温度探测元件1、导电体3、导电体4和信号传递装置5,还设有温度调节元件8、温度调节元件9;
被测物承载面位于被测物与温度探测元件之间,温度探测元件与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度调节元件设置在被测物承载面的周边,并与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经导电体传送给信号传递装置,信号传递装置能够与外部进行信号的传递;
温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶和半导体温度传感器。
所述的信号传递装置可为接口;
所述的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的片状基体上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面7。
所述的片状基体中还设有测量电极,所述的导电体可包括温度探测导电体、测量电极导电体、温度调节导电体,温度探测导电体的一端与温度探测元件连接,另一端与接口连接;测量电极导电体的一端与测量电极连接,另一端与接口连接;温度调节导电体的一端与温度调节元件连接,另一端与接口连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经温度探测导电体传送给接口,接口能够与外部进行信号的双向传递;测量电极将测得的信号通过所述的测量电极导电体和接口与外部进行信号传递;温度调节元件接收外部经接口、温度调节导电体传来的信号,并进行加热或制冷的温度调节。
所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
所述的温控元件可为加热元件,所述的加热元件可为电阻、多晶硅。
所述的温控元件可为制冷元件,所述的制冷元件可为Peltier元件。
所述的温控元件可为加热和制冷元件,所述的加热和制冷元件可为Peltier元件。
所述的加热和制冷元件Peltier元件,可为点状对称的设置在凹槽的周围,也可为圆环状包围在凹槽的周围。
所述的片状基体至少可为:矩形片状硅基体。
在制作所述的一种可控温的试片时,在基片上设有反应物承载面;
在反应物承载面上刻蚀出承载温度探测器的凹槽;
采用金属淀积的方法将金属淀积到所述的凹槽中,形成温度探测器;
在反应物承载面周围,设有电控调温元件;
在反应物承载面上还设有电极;
在基片中设有温度探测导电体、温度调节导电体、测量电极导电体和接口,温度探测导电体的一端与接口连接,温度探测导电体的另一端与凹槽中淀积的金属连接;温度调节导电体的一端与接口连接,温度调节导电体的另一端与电控调温元件连接;测量电极导电体的一端与接口连接,测量电极导电体的另一端与电极连接;所述的接口,可以与外部控制装置联接。
当需要被测物承载面与被测物发生反应时,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面,或者可在被测物承载面上涂有反应酶等能与被测物发生反应的物质。
本实用新型有效地解决了现有技术中试片不能测量被测物的温度,更不能由试片直接进行温度补偿的问题。通过在试片中设置测温元件,能够直接测量被测物的温度,可以直接确定在试片上进行的反应的温度,也可以对通过试片进行的测量进行更精确的温度补偿,使测量结果更准确。通过在试片中设置测控温元件,可以对试片上的被测物进行温度控制,使其在所需的恒定温度下保存,有利于保持其性质、性能的稳定。通过在试片中设置测控温元件,可以使在试片上进行的反应在所需的稳定温度下进行,避免温度变化对反应或测量结果的影响。使得通过试片便能够直接测量反应温度,并通过试片直接对反应温度进行控制,提高了测量的准确性。
以上具体实施方式仅用于说明本实用新型,而非用于限定本实用新型。
Claims (26)
1.一种试片,包括:一片状基体,该片状基体上设有被测物承载面;其特征在于:片状基体内设有温度探测元件、导电体和信号传递装置;
被测物承载面位于被测物与温度探测元件之间,温度探测元件与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经导电体传送给信号传递装置,信号传递装置能够与外部进行信号的双向传递。
2.根据权利要求1所述的一种试片,其特征在于,所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
3.根据权利要求1所述的一种试片,其特征在于,所述的被测物承载面为与被测物不发生反应的材料制成的承载面。
4.根据权利要求1所述的一种试片,其特征在于,所述的信号传递装置可为接口;其中,所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理。
5.根据权利要求4所述的一种试片,其特征在于,所述的由与被测物不发生反应的材料制成的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
6.根据权利要求4所述的一种试片,其特征在于,所述的片状基体上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面。
7.根据权利要求4所述的一种试片,其特征在于,所述的片状基体中还设有测量电极;所述的导电体可包括温度探测导电体和测量电极导电体,温度探测导电体的一端与温度探测元件连接,另一端与接口连接;测量电极导电体的一端与测量电极连接,另一端与接口连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经温度探测导电体传送给接口,接口能够与外部进行信号的双向传递;测量电极将测得的信号通过所述的测量电极导电体和接口与外部进行信号传递。
8.根据权利要求7所述的一种试片,其特征在于,所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
9.根据权利要求1至8任意一项所述的一种试片,其特征在于,所述的片状基体至少可为:矩形状硅基体。
10.根据权利要求1所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
11.一种可控温的试片,包括:一片状基体,该片状基体上设有被测物承载面;其特征在于:片状基体内设有温度探测元件、导电体和信号传递装置,还设有温度调节元件;
被测物承载面位于被测物与温度探测元件之间,温度探测元件与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度调节元件设置在被测物承载面的周边,并与导电体连接,导电体与信号传递装置连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经导电体传送给信号传递装置,信号传递装置能够与外部进行信号的传递;
温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
12.根据权利要求11所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
13.根据权利要求11所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的被测物承载面为与被测物不发生反应的材料制成的承载面。
14.根据权利要求11所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的信号传递装置可为接口;其中,所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
15.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的由与被测物不发生反应的材料制成的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
16.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的片状基体上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面。
17.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的片状基体中还设有测量电极,所述的导电体可包括温度探测导电体、测量电极导电体、温度调节导电体,温度探测导电体的一端与温度探测元件连接,另一端与接口连接;测量电极导电体的一端与测量电极连接,另一端与接口连接;温度调节导电体的一端与温度调节元件连接,另一端与接口连接;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,将该温度信号对应的电信号经温度探测导电体传送给接口,接口能够与外部进行信号的双向传递;测量电极将测得的信号通过所述的测量电极导电体和接口与外部进行信号传递;温度调节元件接收外部经接口、温度调节导电体传来的信号,并进行加热或制冷的温度调节。
18.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
19.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温控元件可为加热元件。
20.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温控元件可为制冷元件。
21.根据权利要求14所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的温控元件可为加热和制冷元件。
22.根据权利要求19所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的加热元件可为电阻、多晶硅。
23.根据权利要求20所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的制冷元件可为Peltier元件。
24.根据权利要求21所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的加热和制冷元件可为Peltier元件。
25.根据权利要求11至24任意一项所述的一种可控温的试片,其特征在于,所述的片状基体至少可为:矩形状硅基体。
26.根据权利要求11所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
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