CN2447867Y - 记忆卡结合改进结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型是一记忆卡结合改进结构，其至少包括：一上盖、一边框及一下盖等所组成：其中，上盖于适当位置，设多个接合凸缘及钩合槽；边框于与接合凸缘相对位置设多个接合槽孔；下盖与钩合槽相对位置设有多个扣钩；组合时，上盖的接合凸缘插入边框的接合槽孔中，下盖以扣钩钩合于上盖的钩合槽处，使记忆卡整体外壳的结合紧密、组装方便迅速，且整体以金属作交叠式的结合，有效防止EMI漏出而造成干扰，且可配合设计需要作适当延伸。

Description

记忆卡结合改进结构

本实用新型是有关于一种记忆卡结合改进结构，特别是指一种于上盖设置接合凸缘与钩合槽，边框设置接合槽孔与上盖的接合凸缘相配合接合，下盖设置扣钩，钩合于上盖的钩合槽，使记忆卡整体外壳形成一由金属构件相交叠严密接合、可有效防止EMI漏出而造成干扰，且组装容易、结合紧密的记忆卡结合。

常见的记忆卡结合结构，有多种方式，一般采用热熔胶粘合、超声波接合，激光焊接或机械扣合等，但其在使用时不免有下列缺点：

1、热熔胶粘合式，其加工时间较长、成本较高，同时其成品有缝隙，电磁干扰(EMI)会漏出而造成干扰，且受热时容易挠曲翘开。

2、超声波接合式，其于加工时容易造成损坏，且成品有缝隙，EMI会漏出而造成干扰。

3、激光焊接式，其加工时间较长、成本较高，且设备费用相当昂贵。

4、机械扣合式，如附图1所示，由上盖100的侧边延伸设置一钩持部1001，钩于边框200侧边的凸缘2001，下盖300以侧端的弯折3001嵌入边框200底部的接合槽2002中，使其结合为一整体，其在使用时加工方便、成本降低，但因结合强度差，容易造成松脱。

鉴于常见的记忆卡结合结构有上述的缺陷，本实用新型是针对该些缺陷加以研究改进后提出的改进结构的技术方案。

本实用新型所提供的一种记忆卡结合改进结构，其于上盖适当位置设置多个接合凸缘，与边框设置的接合槽孔相接合，并设置多个钩合槽，与下盖的扣钩相结合，该结构在组装时仅须将各部件对正、扣合，即构成结合紧密、稳固，且组装方便简单的结构，这是本实用新型的主要目的。

依照本实用新型的此种记忆卡结合改进结构，其上、下盖采交叠式的接合，使周边整体均有效阻隔、包覆，确实阻绝EMI外漏，防止干扰，这是本实用新型的另一目的。

参照下列依附图所示的说明，即可完全了解本实用新型的详细构造，运用原理与产生的功效：

附图的简单说明如下：

图1是常见的机械式记忆卡结合结构剖示图；

图2是本实用新型一较佳具体实施例的立体组合图；

图3是本实用新型一较佳具体实施例的立体分解图；

图4是本实用新型一较佳具体实施例的平面正视图；

图5是本实用新型一较佳具体实施例的上盖与边框接合状况剖示图；

图6是本实用新型一较佳具体实施例的上、下盖接合位置剖示图；

图7是本实用新型另一较佳具体实施例的立体分解图；

附图中各元件与符号的对照说明：

1、100……………………上盖

11……………………接合凸缘

111、311…………………钩持槽

12……………………钩合缘

1001……………………钩持部

2、200……………………边框

21……………………接合槽孔

211……………………抵持缘

22……………………斜边

2001……………………凸缘

2002……………………接合槽

3、300……………………下盖

31……………………扣钩

3001……………………弯折

4……………………导电片

41、42……………………接触片

本实用新型较佳具体实施例的描述如下：

图1是常见的机械式记忆卡结合结构剖示图，其具体结构以及其缺陷，已如前所述，在此不再重复叙述。

图2是本实用新型一较佳具体实施例的立体组合图，结合图3的立体分解图，可明显看出，本实用新型的记忆卡结合改进结构，其至少包括：一上盖1、一边框2及一下盖3等所组成；其中，上盖1于适当位置设有多个接合凸缘11及钩合槽12；边框2于与接合凸缘11相对应位置设有多个接合槽孔21；下盖3与钩合槽12相对应位置设有多个扣钩31；当组合时，边框2自上盖1的中间向侧边嵌合，使接合凸缘11插入接合槽孔21中，接合槽孔例为矩形孔，供接合凸缘11的钩持缘111抵于接合槽孔21的抵掣缘211处，如图5、图6所示，此结构能方便、迅速且有效地实现稳固组合，并在各方向皆形成牢固结合。

图4是本实用新型一较佳具体实施例的平面正视图，结合图4中A-A部份的剖示图，图5、图4中B-B的剖示图，图6可看出本实用新型的各部件间的相对应位置，其中接合凸缘11的钩持缘111、扣钩31的钩持缘311，是将冲压成形的盖体于近端部适当位置作穿透的加工，并使其一部分向一侧凸出呈倒钩状所构成的组合后的记忆卡其周边的上盖1、下盖3部份，均为交叠状组合，形成有效的包覆，可确实阻绝EMI的泄漏、防止干扰。

图7是本实用新型另一较佳具体实施例的立体分解图，由图中可看出，于边框2的二侧适当位置各设置一导电片4，该导电片4设有二接触片41、42，其中一片与上盖1金属相接触，另一片与置放于记忆卡内的电路板相接触，以构成电路使上盖成为屏蔽体而减少EMI漏出，该接触片41为左、右侧各设一片，自中间固定部延伸而呈蝴蝶状形。

综上所述，本实用新型的记忆卡结合改良结构，具有结合紧密、组装简便、降低成本，且有效阻绝EMI的泄漏、防止干扰等功效，改进了先有技术结构，克服了其组装费时、成本较高且有缝隙使EMI漏出而造成干扰的缺陷。

Claims (7)

1、一种记忆卡结合改进结构，其特征在于：其至少包括：一上盖(1)、一边框(2)及一下盖(3)等所组成，其中，上盖于适当位置，设有多个接合凸缘(11)及钩合槽(12)；边框于与接合凸缘相对应位置设有多个接合槽孔(21)；下盖与钩合槽相对应位置设有多个扣钩(31)；当组合时，接合凸缘嵌入接合槽孔中，使上盖与边框相结合，扣钩钩合于钩合槽，使下盖与上盖结合，形成整体稳固的结合，且周边为交叠设置有效防止EMI漏出而造成干扰的结构。

2、如权利要求1所述的记忆卡结合改进结构，其特征在于：所述上盖为金属板一体冲压成型，接合凸缘为上盖边侧倒折部分延伸而成型，并于近端部适当位置加以穿透，且使其一部分向一侧凸出形成倒钩状。

3、如权利要求1所述的记忆卡结合改进结构，其特征在于：所述上盖的钩合槽，是于上盖边缘适当位置预先设置多个缺口，再经弯摺冲压而一体成型。

4、如权利要求1所述的记忆卡结合改进结构，其特征在于：所述边框设置于上盖的弯折部分内侧，其接合槽孔为矩形，与上盖的接合凸缘相配合结合，使边框牢固附著于上盖。

5、如权利要求1所述的记忆卡结合改进结构，其特征在于：所述上盖与边框结合后，于底部形成一适当间隙，且上盖的钩合槽部分形成与上述间隙相连通的较深的间隙，并于间隙的内侧于边框部分底部设一斜边，使下盖组装时易于导引嵌入，将下盖的折边及凸起的扣钩容置于前述间隙中，上、下盖稳固交叠结合。

6、如权利要求1所述的记忆卡结合改良结构，其特征在于：所述边框的二侧适当位置各设置一导电片，该导电片设有二接触片，其中一片与上盖金属相接触，另一片与置放于记忆卡内的电路板相接触，以构成电路使上盖成为屏蔽体而减少EMI漏出。

7、如权利要求1或6所述的记忆卡结合改进结构，其特征在于：所述导电片设置的接触片为左、右侧各设一片，自中间固定部延伸而呈蝴蝶状。

Images