CN2228916Y - 磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备 - Google Patents

磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备 Download PDF

Info

Publication number
CN2228916Y
CN2228916Y CN 95224085 CN95224085U CN2228916Y CN 2228916 Y CN2228916 Y CN 2228916Y CN 95224085 CN95224085 CN 95224085 CN 95224085 U CN95224085 U CN 95224085U CN 2228916 Y CN2228916 Y CN 2228916Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum
equipment
multi sphere
controlled sputtering
magneto
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 95224085
Other languages
English (en)
Inventor
程广河
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Meikeya General Technology Co., Ltd.
Original Assignee
Meikeya General Tech Co Ltd Beijing
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meikeya General Tech Co Ltd Beijing filed Critical Meikeya General Tech Co Ltd Beijing
Priority to CN 95224085 priority Critical patent/CN2228916Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN2228916Y publication Critical patent/CN2228916Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,在真空镀膜室壁的密封法兰盘上,装有数个、不同种类金属靶材的平面磁控溅射靶;在镀膜室底面,装有加热器。其优点在于:可以制造大型的同类设备,拓宽了磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备的应用范围;增加了镀磁控溅射多层单质膜和合金膜的功能;靶材加工容易、成本低、装卸方便;靶材局部溅射残蚀后,重新加工损耗小;加工少量镀件,只要启动相应位置的磁控溅射靶。

Description

磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备
本实用新型属于在真空条件下,对可镀覆的不同材料进行多弧离子镀膜、磁控溅射镀膜、磁控溅射和多弧复合镀膜的设备及技术。它可以在工具、模具、刀具表面镀超硬薄膜提高其性能,也可以在各种建筑五金、钟表首饰、工艺美术、钢木家具、卫生洁具、制笔、餐具等物品上镀制仿金、黄金、白银等单质或合金膜。
现有技术,如航空航天工业部第五研究院五一一研究所的多弧-磁控溅射多功能镀膜设备ZL90226142.8,是把原多弧镀膜设备,真空镀膜室轴线上的固定加热器,改为在镀膜室轴线上或装加热器、或装一根同轴磁控溅射靶。该设备在磁控溅射镀膜时,一次只能镀制一种单质膜;同轴磁控溅射靶的靶材加工困难、成本高;靶材轴向不宜过长,限制了该设备在大型镀件方面的使用;使用中靶材局部溅射残蚀后,需要重新加工整个靶材,造成浪费;只加工几个镀件时,也要启动整个磁控溅射靶;靶材装卸不便;在镀膜室中没有固定、专用的加热器。
本实用新型的目的,是要提供一种成本低、损耗小,镀件质量高,使用方便、用途广泛的磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备。
磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,包括真空镀膜室、连接真空描气机的法兰盘、充气孔、自转和公转机构、被镀工件挂架、多弧离化蒸发源等,本实用新型的目的是这样实现的:在镀膜室壁的密封法兰盘上,装有至少一个平面磁控溅射靶,在镀膜室内,装有专用的加热器。
磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备的平面磁控溅射靶,为圆形、矩形或多边形。
磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,沿真空镀膜室轴线,在镀膜室的底面,装有加热器;或者在真空镀膜室底面,靠近内壁的同一圆周上,装有至少二个加热器。
磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备的真空镀膜室壁的密封法兰盘上,装有不同种类金属靶材的平面磁控溅射靶。
本实用新型的优点:由于在真空镀膜室壁上,装有平面磁控溅射靶,镀膜室的大小,不受加工同轴磁控溅射靶的限制,可以制造大型的同类设备,拓宽了磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备的使用范围;平面磁控溅射靶加工容易、成本低;靶材局部溅射残蚀后,重新加工时,损耗小;加工少量镀件时,可以根据需要启动相应空间位置的磁控溅射靶,降低了镀膜费用;磁控溅射靶装卸方便;由于在镀膜室内,装有专用的加热器,提高了镀件的质量。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的说明。
图1是磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备的示意图
被镀工件装入真空镀膜室13,密封后,连接于法兰盘1的真空描气机组,将镀膜室13内描成高真空;同时,根据工艺需要决定是否启动加热器3,对被镀工件进行预加热;充气孔12向镀膜室13内输入所需气体;传动轮5带动装于顶6上的自转和公转传动机构4,通过挂架8带动被镀工件,不断自转、公转;启动轰偏电源、多弧离化蒸发源电源和、或平面磁控溅射电源,从多弧离化蒸发源2和、或平面磁控溅射靶9上,不断蒸发出金属离子和、或溅射出金属原子,使其不断沉积在被镀工件上,实现镀膜。
真空镀膜室壁7、底10的内侧装有内衬11,镀膜时为镀膜室保温;内衬11由片状体拼成,拆卸清洗方便。
平面磁控溅射靶在真空镀膜室壁上的布置方案,要由磁控溅射镀膜的具体要求决定。
在真空镀膜室壁上装有不同种类金属靶材的平面磁控溅射靶时,磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,比原多弧-磁控溅射多功能镀膜设备ZL90226142.8,增加了镀磁控溅射多层单质膜和合金膜的功能。
本实用新型的具体结构和参数为通用的或该领域技术人员能自行实施的技术,在此不作具体描述。

Claims (6)

1.磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,包括真空镀膜室(13)、连接真空抽气机的法兰盘(1)、充气孔(12)、自转和公转机构(4)、被镀工件挂架(8)、多弧离化蒸发源(2)等,其特征在于:在真空镀膜室壁(7)的密封法兰盘上,装有至少一个平面磁控溅射靶(9),在真空镀膜室(13)内,装有专用的加热器。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,其特征在于:该设备的平面磁控溅射靶(9)为圆形、矩形或多边形。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,其特征在于:沿该设备真空镀膜室(13)的轴线,在镀膜室(13)的底面,装有加热器(3)。
4.根据权利要求2所述的磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,其特征在于:在该设备真空镀膜室底面,靠近内壁的同一圆周上,装有至少二个加热器。
5.根据权利要求3或4所述的磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,其特征在于:在该设备真空镀膜室壁(7)的密封法兰盘上,装有不同种类金属靶材的平面磁控溅射靶(9)。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备,其特征在于:在该设备真空镀膜室壁(7)、底(10)的内侧,装有内衬(11),内衬(11)由片状体拼成。
CN 95224085 1995-10-23 1995-10-23 磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备 Expired - Fee Related CN2228916Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 95224085 CN2228916Y (zh) 1995-10-23 1995-10-23 磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 95224085 CN2228916Y (zh) 1995-10-23 1995-10-23 磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN2228916Y true CN2228916Y (zh) 1996-06-12

Family

ID=33870972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 95224085 Expired - Fee Related CN2228916Y (zh) 1995-10-23 1995-10-23 磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN2228916Y (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949000A (zh) * 2010-09-17 2011-01-19 温州市佳能真空电镀设备科技有限公司 真空磁控溅射多弧离子复合镀膜机
CN110284119A (zh) * 2019-07-23 2019-09-27 沈阳拓荆科技有限公司 一套防止加热盘边缘热量损失的保温罩
CN115354300A (zh) * 2022-08-25 2022-11-18 拓荆科技(上海)有限公司 薄膜沉积设备

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949000A (zh) * 2010-09-17 2011-01-19 温州市佳能真空电镀设备科技有限公司 真空磁控溅射多弧离子复合镀膜机
CN110284119A (zh) * 2019-07-23 2019-09-27 沈阳拓荆科技有限公司 一套防止加热盘边缘热量损失的保温罩
CN110284119B (zh) * 2019-07-23 2021-08-10 拓荆科技股份有限公司 一套防止加热盘边缘热量损失的保温罩
CN115354300A (zh) * 2022-08-25 2022-11-18 拓荆科技(上海)有限公司 薄膜沉积设备
CN115354300B (zh) * 2022-08-25 2023-11-21 拓荆科技(上海)有限公司 薄膜沉积设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1406509A (en) Coating of workpieces
MY116794A (en) Dual chamber ion beam sputter deposition system
EP0878825A3 (en) Use of variable impedance to control coil sputter distribution
CN2228916Y (zh) 磁控溅射-多弧多功能真空镀膜设备
CN107267945A (zh) 一种高致密度高纯度溅射旋转银靶材的制备方法
CA2202430A1 (en) Oxide film, laminate and methods for their production
ES485671A1 (es) Procedimiento de metalizacion a partir de puentes de vapor por bombardeo de los depositos con particulas energeticas.
JP3091326B2 (ja) 成膜方法
CN2254448Y (zh) 多弧—磁控溅射真空离子镀金设备
CN102560319A (zh) 一种树脂基碳纤维复合材料金属转移方法
CN218146906U (zh) 一种高脉冲在钛管内壁沉积纳米氮化钛薄膜装置结构
AU2826089A (en) Method of sputtering
CN216337923U (zh) 溅镀辅料
Kukla et al. The metallising of moulded components in a short-cycle plant
De Bosscher et al. Advances in cylindrical magnetrons
RU2114931C1 (ru) Устройство нанесения тонких пленок
Penfold A Post-Magnetron Sputtering System--72 In. Chambers.--I
Zaka et al. Thin Film Deposition by Magnetron Sputtering
Thornton Sputter deposition
JPS57137462A (en) Vacuum depositing method
JPS5620033A (en) Production of synthetic resin molding having metallic mirror surface layer
CN2818494Y (zh) 真空镀膜机用成型镀膜靶材
Kukla et al. Sputter metallization of plastic parts in a just-in-time coater
CN2305408Y (zh) 一种多用途真空镀膜机
JP2738263B2 (ja) マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット材

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C53 Correction of patent for invention or patent application
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: PATENTEE ADDRESS; FROM: NO. 1, DEWAIBEISHATAN, BEIJING CITY, 100083 TO: YARD 1, DESHENGMENWAIQIJIAHUOZIHUAYANBEILI, BEIJING CITY, 100029

CP03 Change of name, title or address

Address after: 100029 Beijing Deshengmen Qi Jia Huo Zi North Kegon Hospital No. 1 Cheng Guanghe turn

Designer after: Liu Jigao

Patentee after: Beijing Meikeya General Technology Co., Ltd.

Address before: 100083 Beijing City, North Beach No. 1

Designer before: Liu Jigao

Patentee before: Beijing Meikeya General Technology Co., Ltd.

Designer before: Lu Fang

C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee