CN220872976U - 一种改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭示了一种改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构，走线结构位于玻璃上，所述走线结构由玻璃向外依次设有第一层钼层、第二层铝层、第三层氧化钼层。本实用新型通过优化膜层厚度设计，并将第三层膜层由钼改为氧化钼，使得整个生产过程中，无需延长钼铝钼蚀段工序后烘烤时间，钼铝钼刻蚀后无侧蚀，涂布OC后无走线缺失，产能无影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及触控sensor走线领域。
背景技术
行业内触控sensor走线设计主要有钼铝钼与钼铜钼两种，因钼铝钼成本低与易蚀刻成线条，故广泛应用于触摸屏触控Sensor走线设计
现有走线采用钼铝钼设计，如图2所示，即第一层与第三层均为钼，第二层为铝，走线缺失不良较高，表现为钼铝钼刻蚀后出现侧蚀，呈现倒T型，即第二层铝出现过刻，涂布OC后出现走线缺失，现有解决方案是延长钼铝钼刻蚀工序的后烘烤时间，由16min延长至40min，但对产能影响大。
因此需要一种能够改善触控sensor走线缺失的结构设计，并且不影响产能和成本。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是实现一种通过改变行业内触控sensor走线结构，改善触控sensor走线缺失的问题。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构，走线结构位于玻璃上，所述走线结构由玻璃向外依次设有第一层钼层、第二层金属层、第三层氧化钼层。
所述第二层金属层为铝层。
所述第二层金属层铜层。
所述氧化钼层的膜厚为400±50埃。
所述铝层的膜厚为2100±150埃。
所述钼层的膜厚为300±50埃。
所述第一层钼层、第二层金属层、第三层氧化钼层依次通过磁控溅射方式渡制形成。
本实用新型通过优化膜层厚度设计，并将第三层膜层由钼改为氧化钼，使得整个生产过程中，无需延长钼铝钼蚀段工序后烘烤时间，钼铝钼刻蚀后无侧蚀，涂布OC后无走线缺失，产能无影响。
附图说明
下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容作简要说明：
图1为改善后触摸屏触控传感走线结构示意图；
图2为改善前触摸屏触控传感走线结构示意图；
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本实用新型的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构如图1所示，是针对现有走线结构进行改进，走线结构设置在基板上，基板通常为玻璃，走线结构由玻璃向外依次设有第一层钼层、第二层金属层、第三层氧化钼层。第二层金属层可以是铝层或铜层，因此钼铝钼成本低，因此，优选第二层金属层采用铝层。
因为氧化钼比钼更容易与蚀刻液反应，因此将现有第三层由钼改为氧化钼，同时降低氧化钼膜厚，膜厚设计由500±50埃改为400±50埃，目的是增加第三层(氧化钼)的蚀刻速率，缩短氧化钼的刻蚀时间。
铝为两性物质，化学活泼性较强，容易与酸性物质、碱性物质与水发生化学反应。现通过增加第二层铝的膜厚，延长铝的刻蚀时间，使与第三层氧化钼的刻蚀时间接近，最终第二层铝与第三层氧化钼被刻蚀的宽度一致，无侧蚀。
具体制作时，先在基板表面通过磁控溅射方式镀上一层钼，膜厚300±50埃，与之前一致，然后通过磁控溅射方式镀上铝，膜厚要求为2100±150埃，最后通过磁控溅射方式镀上氧化钼，膜厚为400±50埃。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构，走线结构位于玻璃上，其特征在于：所述走线结构由玻璃向外依次设有第一层钼层、第二层金属层、第三层氧化钼层；
所述氧化钼层的膜厚为400±50埃；
所述第二层金属层为铝层，所述铝层的膜厚为2100±150埃；
所述钼层的膜厚为300±50埃。
2.根据权利要求1所述改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构，其特征在于：所述第二层金属层铜层。
3.根据权利要求1所述改善走线缺失的触摸屏触控传感走线结构，其特征在于：所述第一层钼层、第二层金属层、第三层氧化钼层依次通过磁控溅射方式渡制形成。
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