CN220796696U - 一种晶圆测试承载台 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种晶圆测试承载台，盘体，所述盘体包括吸附面，所述吸附面用于吸附晶圆；位于所述吸附面的若干负压气槽，所述负压气槽的深度小于0.2mm；位于所述负压气槽的若干负压气孔；通过将负压气槽的深度设计成小于0.2mm，有效避免了杂质嵌入负压气槽内部难以清理的问题，避免了负压气槽因杂质的存在导致晶圆被吸附时受力不均容易破片的问题。

Description

一种晶圆测试承载台

技术领域

本实用新型涉及晶圆测试技术领域，尤其涉及一种晶圆测试承载台。

背景技术

晶圆(wafer)在切割之前通常需要进行晶圆测试(Chip Probing)，以挑出不良品，对良品进行封装，使得产品质量得到保证。

现有半导体加工工艺中，固定晶圆的方式主要由以下三种：第一，通过夹持头对晶圆进行夹持，从而固定晶圆；第二，通过静电吸附作用将晶圆固定于加工装置上；第三，采用真空吸附的方式来固定晶圆。其中，真空吸附的方式能够使晶圆受力均匀，不容易损伤晶圆，且真空吸附对环境的要求低。因此，通过真空吸附固定晶圆的方式应用较广泛。

现有技术在对晶圆真空吸附过程中，容易造成晶圆破裂，即易破片，降低封装良率的问题。

因此需要设计一种晶圆测试承载台以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆测试承载台，用于解决背景技术中所提及的技术问题。

为解决上述问题，本实用新型提供以下技术方案：包括：

盘体，所述盘体包括吸附面，所述吸附面用于吸附晶圆；

位于所述吸附面的若干负压气槽，所述负压气槽的深度小于0.2mm；

位于所述负压气槽的若干负压气孔。

进一步的，所述负压气槽是以盘体的中心为圆心的环形结构。

进一步的，所述负压气槽的深度不大于0.1mm。

进一步的，所述负压气孔的孔径不大于0.15mm。

进一步的，所述盘体还包括底盘，所述底盘连接负压产生装置，所述底盘位于所述吸附面的下方，所述底盘与所述吸附面之间形成一腔体。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下有益效果：

通过将负压气槽的深度设计成小于0.2mm，有效避免了杂质嵌入负压气槽内部难以清理的问题，避免了负压气槽因杂质的存在导致晶圆被吸附时受力不均容易破片的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例中的整体结构示意图；

图2是图1中A处的放大图；

图3是图1的示意简图；

图4是图3的局部剖视图；

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。可以理解的是，附图仅仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。附图中显示的连接关系仅仅是为了便于清晰描述，并不限定连接方式。

需要说明的是，当一个组件被认为是“连接”另一个组件时，它可以是直接连接到另一个组件，或者可能同时存在居中组件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

还需要说明的是，本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在现有的晶圆测试过程中，对晶圆吸附固定的场景下，晶圆易破片。经实用新型人研究发现，这是因为现有的气槽深度较深，一般在0.5mm左右，在对晶圆吸附过程中，晶圆测试承载台的吸附面上的杂质难以清理，使得晶圆在被吸附时，杂质与晶圆的背面相抵触，使晶圆的受力不均匀，再通过施加压力的情形之下，由于晶圆较薄，即容易发生晶圆破裂。

为解决上述问题，本实用新型实施例中，晶圆测试承载台，包括：

如图1至图4所示，盘体100，所述盘体100包括吸附面101，所述吸附面101用于吸附晶圆；

位于吸附面101的若干负压气槽102，其中负压气槽102的深度小于0.2mm；0.2mm深度的负压气槽102，当杂质落入到该负压气槽102内时，通过吹尘枪简单的清理，即可将杂质清楚，不会出现杂质嵌入到气槽内难以清理的问题。

如图1所示，所述负压气槽102是以盘体100的中心为圆心的环形结构。

在其它实施例中，所述负压气槽102的深度不大于0.1mm，0.1mm深度的负压气槽102，其凹陷程度非常微小，能够使整块吸附面101看起来接近于一个平面，当吸附面存在杂质时，只需吹尘枪吹动几遍，即可完成对杂质的清理，去除杂质后的吸附面与晶圆接触时，能够受力均匀，保证了晶圆不会由于杂质导致受力不均而破裂。

如图2和图3所示，还包括位于负压气槽102的若干负压气孔103。

在本实施例中，所述负压气孔103的孔径不大于0.15mm。

具体的，每一圈负压气槽102上的负压气孔103的数量为5-8个。

本方案中的吸附面101由于负压气槽102的深度以及负压气孔103的孔径都较为微小，在晶圆的背面与吸附面101接触时，受力均匀力度平衡，且由于负压气槽102内部空间的减小，能够降低晶圆背面受氧化的程度，减小在吸附过程中对晶圆背面电特性的影响。

如图4所示，在本实施例中，盘体100还包括底盘200，所述底盘200连接负压产生装置(图中未示出)，所述底盘200位于所述吸附面101的下方，所述底盘200与所述吸附面101之间形成一腔体300；工作时，负压产生装置对腔体300进行抽真空，以将晶圆吸附于吸附面上。

本实用新型实施例具体的工作方式，包括以下步骤：

步骤一，提供如上所述的晶圆测试承载台；

步骤二，清理晶圆测试承载台的吸附面上的杂质；

步骤三，提供晶圆，并将晶圆放置在吸附面的预设位置；

步骤四，吸附面工作将晶圆吸附固定。

在本实施例中，在步骤二中，通过吹尘枪清理吸附面上的杂质。

吸附面101通过负压产生装置对腔体抽真空，吸附面产生吸力将晶圆吸附于其表面；当完成对晶圆吸附后，可关闭负压产生装置，此时腔体是密封状态，并且维持腔体的气压小于大气压，使晶圆能够保持被吸附在吸附面上。

在腔体的侧边设有泄压阀(图中未示出)，完成晶圆测试工作后，打开泄压阀，对腔体进行真空释放，以解除吸附面对晶圆的吸附。

本申请的说明书和权利要求书中，词语“包括/包含”和词语“具有/包括”及其变形，用于指定所陈述的特征、数值、步骤或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、数值、步骤、部件或它们的组合。

本实用新型的一些特征，为阐述清晰，分别在不同的实施例中描述，然而，这些特征也可以结合于单一实施例中描述。相反，本实用新型的一些特征，为简要起见，仅在单一实施例中描述，然而，这些特征也可以单独或以任何合适的组合于不同的实施例中描述。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包括在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种晶圆测试承载台，其特征在于，包括：

盘体，所述盘体包括吸附面，所述吸附面用于吸附晶圆；

位于所述吸附面的若干负压气槽，所述负压气槽的深度小于0.2mm；

位于所述负压气槽的若干负压气孔。

2.根据权利要求1所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述负压气槽是以盘体的中心为圆心的环形结构。

3.根据权利要求2所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述负压气槽的深度不大于0.1mm。

4.根据权利要求1至3任一所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述负压气孔的孔径不大于0.15mm。

5.根据权利要求4所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述盘体还包括底盘，所述底盘连接负压产生装置，所述底盘位于所述吸附面的下方，所述底盘与所述吸附面之间形成一腔体。