CN220691253U - 光刻机测试掩模版 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
本实用新型公开了一种光刻机测试掩模版,涉及光刻机检修校准技术领域,其包括用于固定的边框,述边框内设置有图形区2,用于生成曝光后的图案。在边框上或者图形区的外边缘设置有四个对准标记集合3,对准标记集合用于测试掩模版与承掩模版台之间的对准。此外,在掩模版上还可以设置对准标记用于实现掩模版与晶圆之间的对准。本发明的测试掩膜共设置有8个对准标记,可以实现掩模版90°、180°的旋转。通过分析比较测试掩模版在0°,90°或者180°曝光的图案,可以判断测试掩模版本身是否发生扭曲,从而排除干扰因素,实现对光刻机缺陷的检修与校准。
Description
技术领域
本实用新型涉及光刻机技术领域,具体涉及一种光刻机检修以及校准技术。
背景技术
光刻机是一种用于制造集成电路和其他微纳米器件的关键设备。它利用光学技术将芯片设计图案转移到光刻胶或光刻膜上,然后通过化学或物理方法将图案转移到芯片表面,形成微细的电路结构。
光刻机通常包括光源、掩模版、掩模版承载台、晶圆台以及透镜系统。现有的步进式重复光刻机大多采用扫描光源,扫描光源在工作一段时间后会出现偏差,需要定期进行检查校准。此外,透镜系统也可能出现扭曲,从而导致成像出现扭曲,也需要进行检查校准。现有的校准方法都是利用测试掩模版对晶圆曝光,通过分析曝光后的图案异常数据来判断透镜系统的扭曲和扫描光源的移动偏差,然而当测试掩模版本身出现问题时,则可能会影响分析结果。
现有的测试掩模版如图1所示,其上只设置两组对准标记,对准标记与掩模版承载台两侧的对准标记对应,该结构的测试掩模版旋转后再进行对准。因此,其检修校准功能会受到较大影响。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种可旋转的测试掩模版,通旋转多次曝光,排除测试掩模版本身的扭曲打扰。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种光刻机测试掩模版,包括用于固定的边框,所述边框内设置有图形区,其特征在于:所述图形区外边缘设置有四个对准标记集合,所述对准标记集合用于测试掩模版与承掩模版台之间的对准,每个对准标记集合内的对准标记为镜像对称结构,对称轴经过测试掩模版中心,相邻的对准标记集合绕掩模版中心旋转90°、180°或者270°后重合。
进一步的,每个对准标记集合内设置有两组对准标记,两组对准标记之间为镜像对称结构,对称轴经过测试掩模版中心;每组对准标记均与掩模版安装台上的对准标记匹配。
进一步的,所述边框以及图形区均呈矩形。
进一步的,所述对准标记为若干矩形、圆形、T字形、十字形以及条形组成的组合图案。
从上述技术方案可以看出本实用新型具有以下有点:本发明的测试掩膜共设置有8个对准标记,可以实现掩模版90°、180°的旋转。通过分析比较测试掩模版在0°、90°或者180°曝光的图案,可以判断测试掩模版本身是否发生扭曲,从而排除干扰因素,实现对光刻机缺陷的检修与校准。
附图说明
图1为现有技术的测试掩模版的示意图;
图2为本实用新型的测试掩模版的示意图;
具体实施方式
如图2所示,本实用新型的测试掩模版光刻机测试掩模版,包括用于固定的边框1,边框主要起支撑固定作用,述边框内设置有图形区2,用于生成曝光后的图案。在边框上或者图形区的外边缘设置有四个对准标记集合3,对准标记集合用于测试掩模版与承掩模版台之间的对准。此外,在掩模版上还可以设置对准标记用于实现掩模版与晶圆之间的对准。
边框以及图形区均呈矩形。光刻机掩模版的对准标记通常采用以下几种形状的组合:
十字形对准标记:十字形对准标记是最常见的形状,由两条垂直交叉的线组成。
T字形对准标记:T字形对准标记也是常见的形状,由一条垂直线和一条水平线组成。
圆形对准标记:圆形对准标记是一个圆形的形状。
每个对准标记集合包括两组对准标记,对准标记集合内的两组对准标记之间为镜像对称结构,对称轴经过测试掩模版中心;每组对准标记均与承掩模版台上的对准标记匹配。相邻的对准标记集合绕掩模版中心旋转90°或270°后重合。本发明的测试掩膜共设置有8个对准标记,可以实现掩模版90°、180°的旋转。
通过分析比较测试掩模版在0°,90°或者180°曝光的图案,可以判断测试掩模版本身是否发生扭曲,从而排除干扰因素,实现对光刻机缺陷的检修与校准。
Claims (4)
1.一种光刻机测试掩模版,包括用于固定的边框,所述边框内设置有图形区,其特征在于:所述图形区外边缘设置有四个对准标记集合,所述对准标记集合用于测试掩模版与承掩模版台之间的对准,每个对准标记集合内的对准标记为镜像对称结构,对称轴经过测试掩模版中心,相邻的对准标记集合绕掩模版中心旋转90°、180°或者270°后重合。
2.根据权利要求1所述的光刻机测试掩模版,其特征在于:每个对准标记集合内设置有两组对准标记,两组对准标记之间为镜像对称结构,对称轴经过测试掩模版中心;每组对准标记均与掩模版安装台上的对准标记匹配。
3.根据权利要求1或者2所述的光刻机测试掩模版,其特征在于:所述边框以及图形区均呈矩形。
4.根据权利要求1或者2所述的光刻机测试掩模版,其特征在于:所述对准标记为若干矩形、圆形、T字形、十字形以及条形组成的组合图案。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321751306.1U CN220691253U (zh) | 2023-07-05 | 2023-07-05 | 光刻机测试掩模版 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321751306.1U CN220691253U (zh) | 2023-07-05 | 2023-07-05 | 光刻机测试掩模版 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220691253U true CN220691253U (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=90373672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321751306.1U Active CN220691253U (zh) | 2023-07-05 | 2023-07-05 | 光刻机测试掩模版 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220691253U (zh) |
-
2023
- 2023-07-05 CN CN202321751306.1U patent/CN220691253U/zh active Active
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