CN220352231U - 清洁装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：基座，设置于所述操作机台的制程腔内；伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；清洁部，开设于所述挡板上。本申请实施例所提供的清洁装置，可以提高物理气相沉积的操作机台的维护效率。

Description

清洁装置

技术领域

本实用新型设计半导体制造技术领域，尤其涉及一种清洁装置。

背景技术

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

PVD的操作机台就是完成这一技术的重要设备，为了延长操作机台的使用寿命，需要定期进行预防性维护(Preventive Maintenance，PM)，PM完成后如果有颗粒或者脱落物质(peeling)掉落在基座上需要对基座进行清洁，而对基座的清洁需要打开制程腔，并更换护板才能够顺利进行，这样会浪费大量的时间，增加预防性维护的成本。

因此，如何提高物理气相沉积的操作机台的维护效率，就成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是如何提高物理气相沉积的操作机台的维护效率。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：

基座，设置于所述操作机台的制程腔内；

伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；

挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；

清洁部，开设于所述挡板上。

可选地，所述挡板包括有伸缩部和与伸缩部连接的基座遮挡部，所述伸缩部固定安装于所述伸缩控制单元，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述伸缩部的对称中心和所述基座遮挡部的对称中心对齐，在所述伸缩控制单元的控制下，所述伸缩部带动所述基座遮挡部伸入至所述制程腔内覆盖基座，或所述伸缩部带动所述基座遮挡部缩回至所述存储腔内。

可选地，所述清洁部包括开设于所述挡板的内部的通风隧道，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述通风隧道的两端分别开设有第一通风口和第二通风口，其中，所述第一通风口开设于所述伸缩部的对称中心，所述第二通风口开设于所述基座遮挡部的对称中心。

可选地，所述清洁部包括开设于所述挡板的通风凹槽，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，连通所述基座遮挡部的对称中心和所述伸缩部的对称中心；

所述清洁装置还包括：

通风管，设置于所述通风凹槽内，所述通风管的直径小于所述通风凹槽的凹槽最底部到所述挡板的上表面的距离。

可选地，所述通风管包括波纹软管。

可选地，所述存储腔的侧壁开设有连接通孔，所述清洁装置还包括：

清洁控制部件，包括有控制管道，所述控制管道与所述连接通孔连通，且与所述清洁部连接，在所述挡板伸入至所述制程腔内时，控制向所述清洁部注入的清洁气体。

可选地，所述清洁装置，还包括：

焊接过腔，穿过所述连接通孔，连接所述通风部和所述控制部件。

可选地，所述清洁气体包括氩气。

可选地，所述基座遮挡部为圆形，所述伸缩部为矩形。

可选地，所述挡板为挡板套件。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：

本实用新型实施提供的清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：基座，设置于所述操作机台的制程腔内；伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；清洁部，开设于所述挡板上。

可以看出，本实用新型实施例所提供的清洁装置，在对基座进行清洁时，通过借助由伸缩控制单元控制的挡板，在挡板伸入到制程腔内时，通过开设于挡板上的清洁部，来清洁设置于制程腔内的基座，从而可以通过所述清洁部直接对基座进行清洁，不需要打开制程腔对基座清洁，简化清洁基座的步骤，提高清洁基座的效率，进而可以减少预防性维护所需要停止操作机台工作的时间，提高物理气相沉积的操作机台的维护效率，进一步地，提高物理气相沉积的操作机台的工作效率。

附图说明

图1是本实用新型实施例所提供的物理气相沉积的操作机台的部分结构示意图；

图2是图1所示的操作机台中挡板的一工作状态示意图；

图3是图2所示的挡板的一结构示意图；

图4是图1所示的操作机台中伸缩控制单元的操作界面示意图；

图5是本申请实施例所提供的清洁装置的一结构示意图；

图6是图5所示的清洁装置的挡板的一结构示意图。

1	基座	2	制程腔
				3	伸缩控制单元	4	存储腔
5	挡板	6	清洁部
				8	清洁控制部件	7	通风管
9	焊接过腔	51	伸缩部
				52	基座遮挡部	61	通风隧道
611	第一通风口	612	第二通风口

具体实施方式

由背景技术可知，物理气相沉积的操作机台在预防性维护时，操作机台的停工时间长，维护效率低，影响操作机台的工作效率。

为了解决所述技术问题，本实用新型实施例提供一种清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：

基座，设置于所述操作机台的制程腔内；

伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；

挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；

清洁部，开设于所述挡板上。

可以看出，本实用新型实施例所提供的清洁装置，在对基座进行清洁时，通过借助由伸缩控制单元控制的挡板，在挡板伸入到制程腔内时，通过开设于挡板上的清洁部，来清洁设置于制程腔内的基座，从而可以通过所述清洁部直接对基座进行清洁，不需要打开制程腔对基座清洁，简化清洁基座的步骤，提高清洁基座的效率，进而可以减少预防性维护所需要停止操作机台工作的时间，提高物理气相沉积的操作机台的维护效率，进一步地，提高物理气相沉积的操作机台的工作效率。

为使本实用新型实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施例做详细的说明。

请参考图1-图4，图1是本实用新型实施例所提供的物理气相沉积的操作机台的部分结构示意图，图2是图1所示的操作机台中挡板的一工作状态示意图，图3是图2所示的挡板的一结构示意图，图4是图1所示的操作机台中伸缩控制单元的操作界面示意图。

如图1所示，物理气相沉积的操作机台包括有用于进行晶片镀膜的制程腔2，制程腔2内设置有放置晶片的基座1，为了在使用操作机台对晶片进行镀膜时，镀膜效果更好，通常会在进行晶片镀膜之前，对沉积物质(即向晶片上镀膜的物质)进行预热处理，将沉积物质上的杂质如氧化物等预先清理掉，使得沉积物质能够暴露出更多的镀膜材料，提高镀膜的效果。

在进行沉积物质预热处理时，此时基座1上是没有放置晶片的，因此为了保护基座1，在进行预热处理时，会将与制程腔2连通的存储腔4中存储的挡板5，通过伸缩控制单元3将挡板5伸入至制程腔2内，位于基座1的正上方，从而可以保护基座1不被损坏，具体可以参考图2和图3所示。

其中，伸缩控制单元3可以通过操作机台的控制面板进行设置，如图4所示，通过控制面板的操作界面向伸缩控制单元3发出伸缩信号，根据操作需要将挡板5伸入至制程腔2内，或缩回至存储腔4内。

基于上述内容，可以知道，挡板5是可以通过伸缩控制单元3控制，实现随时伸入至制程腔2内部的，因此，发明人提出，可以利用挡板5方便伸缩控制的特性，实现对基座1的清洁。

具体的，请参考图5和图6，图5是本申请实施例所提供的清洁装置的一结构示意图，图6是图5所示的清洁装置的挡板的一结构示意图。

如图中所示，本实用新型实施例所提供的清洁装置，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：

基座1，设置于所述操作机台的制程腔2内；

伸缩控制单元3，安装于与所述制程腔2相连通的存储腔4内；

挡板5，安装于所述伸缩控制单元3，其中，通过所述伸缩控制单元3控制所述挡板5伸入至所述制程腔2内覆盖所述基座1，或从所述制程腔2内缩回至所述存储腔4内；

清洁部6，开设于所述挡板5上。

如图5所示，本申请实施例所提供的清洁装置，在挡板5上开设有清洁部6，从而在进行预防性维护时，可以借助挡板5能够伸入到制程腔2内部的特性，利用挡板5辅助清洁部6伸入到制程腔3内，进而通过清洁部6对基座1完成清洁。

可以看出，本实用新型实施例所提供的清洁装置，在对基座1进行清洁时，通过借助由伸缩控制单元3控制的挡板5，在挡板5伸入到制程腔2内时，通过开设于挡板5上的清洁部6，来清洁设置于制程腔2内的基座1，从而可以通过所述清洁部6直接对基座1进行清洁，不需要打开制程腔2对基座1清洁，简化清洁基座1的步骤，提高清洁基座1的效率，进而可以减少预防性维护所需要停止操作机台工作的时间，提高物理气相沉积的操作机台的维护效率，进一步地，提高物理气相沉积的操作机台的工作效率。

为了能够方便将清洁基座1的清洁气体注入至清洁部6，在一种实施方式中，所述存储腔4的侧壁开设有连接通孔，所述清洁装置还包括：

清洁控制部件8，包括有控制管道，所述控制管道与所述连接通孔连通，且与所述清洁部6连接，在所述挡板5伸入至所述制程腔2内时，控制向所述清洁部6注入的清洁气体。

通过清洁控制部件8，可以灵活控制注入到清洁部6中的清洁气体的含量以及注入时间。

为了方便控制，在一种实施方式中，所述清洁控制部件8可以为控制阀。

控制阀方便操作，易于控制。

为了保证清洁控制部件8与清洁部6的连接质量，在一种实施方式，所述清洁装置，还可以包括：

焊接过腔9，穿过所述连接通孔，连接所述清洁部6和所述清洁控制部件8。

通过焊接过腔9，保证清洁部6和清洁控制部件8的连接，使得清洁部6和清洁控制部件8的连接不易发生断裂。

在一种实施方式中，所述清洁气体可以包括氩气。

氩气是一种惰性气体，电离后产生的离子体不会与基座1发生化学反应，使得在对基座1进行清洗时，不会造成氧化。

在一种实施方式中，所述挡板5可以为挡板套件。

挡板套件(shutter assembly)可以适用于特定的物理气相沉积的操作机台，提高本申请实施例所提供的清洁装置的适用性。

基于前述对挡板5的描述，可以知道，挡板5在从存储腔4内伸入到制程腔2内，或从制程腔2内缩回至存储腔4内时，是通过伸缩控制单元3实现的，因此为了方便伸缩控制单元3带动挡板5移动，在一种实施方式中，可以在所述挡板5上设置有与伸缩控制单元3固定的连接部位。具体的，请继续参考图5和图6。

如图中所示，所述挡板5包括有伸缩部51和与伸缩部51连接的基座遮挡部52，所述伸缩部51固定安装于所述伸缩控制单元3，在沿所述伸缩控制单元3的伸缩方向上，所述伸缩部51的对称中心和所述基座遮挡部52的对称中心对齐，在所述伸缩控制单元3的控制下，所述伸缩部51带动所述基座遮挡部52伸入至所述制程腔2内覆盖基座1，或所述伸缩部51带动所述基座遮挡部52缩回至所述存储腔4内。

所述伸缩部51的身长可以保证基座遮挡部52完全覆盖所述基座1即可，当然，所述基座遮挡部52的遮挡面的大小需要大于或等于所述基座1的表面大小，使得基座遮挡部52能够完全覆盖基座1，从而在对沉积物质进行预热处理时能够保护基座1。

所述伸缩控制单元3的伸缩方向可以参考图1和图2所示的箭头A所指方向。

所述伸缩部51的对称中心和所述基座遮挡部52的对称中心对齐，使得挡板5整体为中心对称结构，这样，当基座遮挡板52在沿伸缩控制单元3的伸缩方向A上移动时，可以保证基座遮挡板52移动的稳定性，从而当基座遮挡板52覆盖基座1时，是平行于基座1的表面的，当对沉积物质进行预热处理时，掉落指基座遮挡部52上的杂质不会造成基座遮挡部52倾斜，确保基座1的防护效果。

为了能够方便基座遮挡部52能够完全覆盖基座1，在一种实施方式中，所述基座遮挡部52可以为圆形，所述伸缩部51可以为矩形。

这样，可以根据基座1的具体形状，合理设置挡板5的整体结构，提高挡板5的使用效果。

为了方便清洁部6的设置，在一种实施方式中，所述清洁部6可以包括开设于所述挡板5的内部的通风隧道61，在沿所述伸缩控制单元3的伸缩方向A上，所述通风隧道61的两端分别开设有第一通风口611和第二通风口612，其中，所述第一通风口611开设于所述伸缩部51的对称中心，所述第二通风口612开设于所述基座遮挡部52的对称中心。

具体结构可以参考图6所示，将所述第一通风口开设于所述伸缩部51的对称中心，第二通风口612开设于基座遮挡部52的对称中心，由于伸缩部51的对称中心和基座遮挡部52的对称中心是对齐的，因此所述通风隧道61的延伸方向是与所述伸缩方向A平行的，当基座遮挡部51伸入至制程腔2内时，方便通过清洁隧道61将清洁基座1的清洁气体快速注入到制程腔2内，对基座1进行清洁。

这样，在所述挡板5上直接开设通风隧道61，利用挡板5本身的材质，从而降低设置清洁部6的成本，且能够保证清洁部6的清洁效果。

为了能够提高清洁部6的使用灵活性，在另一种实施方式中，所述清洁部6可以包括开设于所述挡板5的通风凹槽，在沿所述伸缩控制单元3的伸缩方向A上，连通所述基座遮挡部52的对称中心和所述伸缩部51的对称中心；

所述清洁装置还可以包括：

通风管7，设置于所述通风凹槽内，所述通风管7的直径小于所述通风凹槽的凹槽最底部到所述挡板5的上表面的距离。

需要说明的是，通风凹槽(图中未示出)是呈U型结构开设于挡板5上，从而可以将独立于挡板5的，用于注入清洁气体的通风管7嵌入至通风凹槽内部，在伸缩控制单元3的带动下，伸入至制程腔2内，清洁基座1。

将所述通分管7的直径设置为小于所述通风凹槽的凹槽最底部到所述挡板5的上表面的距离，从而在将通风管7嵌入到通风凹槽时，通风管7不会高于挡板5的表面，在挡板5伸入至所述制程腔2内时，不会对挡板5的移动产生阻力。

由于通风凹槽连通基座遮挡部52的对称中心和所述伸缩部51的对称中心，这样，在将通分管7嵌入至通风凹槽内部时，可以保证通风管7的延伸方向与移动方向A平行，使得通风管7不会发生弯折。

通过使用通风管7和通风凹槽相互配合的清洁方式，能够灵活改变通风管7的长度以及通风管7的更换，从而提高清洁部6的使用灵活性。

为了提高通风管7的使用便捷性，在一种实施方式中，所述通风管7可以包括波纹软管。

波纹软管材质不易折，移动灵活，不影响挡板5的往复移动。

虽然本说明书实施例披露如上，但本说明书实施例并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本说明书实施例的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本说明书实施例的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种清洁装置，其特征在于，适用于物理气相沉积的操作机台，包括：

基座，设置于所述操作机台的制程腔内；

伸缩控制单元，安装于与所述制程腔相连通的存储腔内；

挡板，安装于所述伸缩控制单元，其中，通过所述伸缩控制单元控制所述挡板伸入至所述制程腔内覆盖所述基座，或从所述制程腔内缩回至所述存储腔内；

清洁部，开设于所述挡板上。

2.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述挡板包括有伸缩部和与伸缩部连接的基座遮挡部，所述伸缩部固定安装于所述伸缩控制单元，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述伸缩部的对称中心和所述基座遮挡部的对称中心对齐，在所述伸缩控制单元的控制下，所述伸缩部带动所述基座遮挡部伸入至所述制程腔内覆盖基座，或所述伸缩部带动所述基座遮挡部缩回至所述存储腔内。

3.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁部包括开设于所述挡板的内部的通风隧道，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，所述通风隧道的两端分别开设有第一通风口和第二通风口，其中，所述第一通风口开设于所述伸缩部的对称中心，所述第二通风口开设于所述基座遮挡部的对称中心。

4.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁部包括开设于所述挡板的通风凹槽，在沿所述伸缩控制单元的伸缩方向上，连通所述基座遮挡部的对称中心和所述伸缩部的对称中心；

所述清洁装置还包括：

通风管，设置于所述通风凹槽内，所述通风管的直径小于所述通风凹槽的凹槽最底部到所述挡板的上表面的距离。

5.如权利要求4所述的清洁装置，其特征在于，所述通风管包括波纹软管。

6.如权利要求1-4任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述存储腔的侧壁开设有连接通孔，所述清洁装置还包括：

清洁控制部件，包括有控制管道，所述控制管道与所述连接通孔连通，且与所述清洁部连接，在所述挡板伸入至所述制程腔内时，控制向所述清洁部注入的清洁气体。

7.如权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，还包括：

焊接过腔，穿过所述连接通孔，连接所述清洁部和所述清洁控制部件。

8.如权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁气体包括氩气。

9.如权利要求2-4任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述基座遮挡部为圆形，所述伸缩部为矩形。

10.如权利要求1-4任一项所述的清洁装置，其特征在于，所述挡板为挡板套件。