CN220310401U - 一种精馏三硅杂质含量控制系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种精馏三硅杂质含量控制系统，精馏系统的塔底出口与除碳装置的进口相连，除碳装置的出口和精馏系统的塔顶出口均与精细分离塔的进口相连，精细分离塔的塔底出口与水解系统的进口相连，精细分离塔的塔顶出口和塔下侧出口均与反歧化器的进口相连，反歧化器的出口与精馏系统的进口相连。对精馏系统采出的重组分四氯化硅通过精细分离塔二次精馏提纯回收其中的四氯化硅，每次循环均通过精细分离塔进行除杂，使得每次循环均实现杂质外排，减少生产系统中杂质富集量，避免杂质循环富集，且能够防止大量四氯化硅被水解而造成资源浪费，还能够有效减少通入到水解系统中进行水解处理物质的量，减少水解过程水资源的消耗，降低污染环境程度。

Description

一种精馏三硅杂质含量控制系统

技术领域

本申请涉及多晶硅生产技术领域，特别是涉及一种精馏三硅杂质含量控制系统。

背景技术

三氯氢硅（TCS）是生产多晶硅的重要原料，全世界多晶硅生产总量的80％以上采用改良西门子法，利用高纯三氯氢硅与氢气在还原炉内进行化学气相沉积反应生成多晶硅，多晶硅的质量优劣很大程度上取决于三氯氢硅的纯度。光伏产业对三氯氢硅的纯度要求一般为6N以上，半导体行业则要求三氯氢硅的纯度达到9N甚至更高，杂质达到PPb级别。但是，通过氢化反应合成的三氯氢硅中杂质含量很高，杂质尤其是碳、磷和硼杂质，对多晶硅的电学性能影响极大。如何有效去除三氯氢硅中碳、磷、硼等杂质，是提高多晶硅产品质量的最有效的途径，也是引领该行业技术创新的主要问题之一。

三氯氢硅作为生产多晶硅的原料，在进入还原炉与氢气反应制得多晶硅之前要经过多级严格的除杂过程。目前，通常釆用五塔串联精馏提纯来自氢化得到的三氯氢硅，多次脱除轻重组分，得到高纯度三氯氢硅产品，同时也得到大量杂质聚集的重组分四氯化硅（STC），现有技术中，将含有大量杂质的四氯化硅又重新输送至氢化车间，继续用于合成三氯氢硅，再通入到精馏车间进行精馏提纯，依次循环，重组分四氯化硅所携带的大量杂质在三氯氢硅的氢化合成、精馏提纯过程中循环富集，导致杂质含量越来越高，影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质。

为解决该问题，在四氯化硅不断循环过程中，大多数生产厂家通常会检测四氯化硅中杂质含量，当超过一定标准时，将四氯化硅通入到水解车间进行水解处理，虽然能够实现杂质外排，减少整个生产系统中杂质富集量，避免杂质循环富集，但是，这样会导致大量四氯化硅被水解，造成资源浪费，且水解过程需要消耗大量水资源，还会在一定程度污染环境。

实用新型内容

基于此，有必要针对现有技术中，重组分四氯化硅所携带的大量杂质在三氯氢硅的氢化合成、精馏提纯过程中循环富集，导致杂质含量越来越高，影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质，以及为避免杂质循环富集，导致大量四氯化硅被水解而造成资源浪费，且水解过程需要消耗大量水资源，还会在一定程度污染环境的问题。提供一种精馏三硅杂质含量控制系统，能够解决现有技术中的上述问题。

一种精馏三硅杂质含量控制系统，包括氢化系统、精馏系统、除碳装置、精细分离塔、反歧化器和水解系统，所述氢化系统的出口与所述精馏系统的进口相连，所述精馏系统的塔侧出口得到第一三氯氢硅，所述精馏系统的塔底出口与所述除碳装置的进口相连，所述除碳装置的出口和所述精馏系统的塔顶出口均与所述精细分离塔的进口相连，所述精细分离塔的塔上侧出口得到第二三氯氢硅，所述精细分离塔的塔底出口与所述水解系统的进口相连，所述精细分离塔的塔顶出口和塔下侧出口均与所述反歧化器的进口相连，所述反歧化器的出口与所述精馏系统的进口相连。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，所述除碳装置内部设置有歧化树脂。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，所述精馏系统的塔顶出口设置有第一除硼装置。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，所述精馏系统的进口设置有第二除硼装置。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，所述精细分离塔的塔下侧出口还与所述氢化系统的进口相连。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，所述精细分离塔的塔上侧出口与所述精馏系统的进口相连。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，还包括还原炉，所述精馏系统的塔侧出口与所述还原炉的原料进口相连，和/或，所述精细分离塔的塔上侧出口与所述还原炉的原料进口相连。

优选地，上述一种精馏三硅杂质含量控制系统中，所述精馏系统的塔顶出口还与所述还原炉的原料进口相连，和/或，所述精细分离塔的塔顶出口还与所述还原炉的原料进口相连。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开的一种精馏三硅杂质含量控制系统中，通过除碳装置对重组分四氯化硅（精馏系统塔底出口采出）中的一甲基二氯转化为一甲基三氯，再通过精馏系统对重组分四氯化硅精馏分离，第一，从精细分离塔的塔下侧出口采出得到的四氯化硅进行了分离提纯，因而这部分四氯化硅相较于从精馏系统的塔底出口采出的四氯化硅杂质含量少、纯度较高，在这里精细分离塔起到对从精馏系统塔底出口采出的重组分四氯化硅除杂效果，在生产过程中，重组分四氯化硅每次循环均需要通过精细分离塔进行除杂，因而使得每次循环均能够实现杂质外排，减少整个生产系统中杂质富集量，避免杂质循环富集，避免重组分四氯化硅所携带的大量杂质在三氯氢硅的氢化合成、精馏提纯过程中循环富集而导致杂质含量越来越高，进而避免影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质；第二，对精馏系统的塔底出口采出的重组分四氯化硅通过精细分离塔二次回收其中的四氯化硅，既能够防止大量四氯化硅被水解而造成资源浪费，还能够有效减少通入到水解系统中进行水解处理物质的量，减少水解过程水资源的消耗，降低污染环境程度。可见，精细分离塔能够起到一物三用的效果。

附图说明

图1为本申请实施例中公开的一种精馏三硅杂质含量控制系统的示意图。

附图说明：氢化系统100、精馏系统200、除碳装置300、精细分离塔400、反歧化器500、水解系统600、第一除硼装置710、第二除硼装置720。

实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关实施例对本申请进行更全面的描述。实施例中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“底端”、“顶端”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参考图1，本申请实施例公开一种精馏三硅杂质含量控制系统，包括氢化系统100、精馏系统200、除碳装置300、精细分离塔400、反歧化器500和水解系统600，其中：

在多晶硅生产过程中，氢化系统100用于合成氯硅烷，氯硅烷在后续工艺分离得到可供还原反应用的三氯氢硅。由于氢化系统100合成得到的是氯硅烷，且其中杂质含量较高，因此需要对这部分氯硅烷进行分离提纯，故需要将这部分氯硅烷通入到精馏系统200中，氢化系统100的出口与精馏系统200的进口相连，以将氢化系统100合成的氯硅烷通入到精馏系统200中，精馏系统200釆用多塔串联多次脱除氯硅烷中的轻重组分，这部分氯硅烷中，包括三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅（DCS）、碳杂质、磷杂质和硼杂质，且碳杂质主要以一甲基二氯和一甲基三氯的形式存在，其中，四氯化硅、碳杂质、磷杂质为重组分，二氯二氢硅、硼杂质为轻组分，三氯氢硅为中组分，经精馏系统200多塔串联多次脱除氯硅烷中的轻重组分后，从精馏系统200的塔侧出口能够采出得到第一三氯氢硅，第一三氯氢硅的纯度高、品质优，基本没有其他杂质，为高纯三氯氢硅，可以用于生产太阳能级和电子级的多晶硅。含有大量碳杂质、磷杂质的重组分通过精馏系统200的塔底出口排出，且含有硼杂质的轻组分通过精馏系统200的塔顶出口排出。

精馏系统200的塔底出口与除碳装置300的进口相连，以将精馏系统200分离后的重组分四氯化硅通入到除碳装置300，除碳装置300能够将一甲基二氯转化为一甲基三氯，除碳装置300的出口与精细分离塔400的进口相连，以将碳杂质转化后的重组分通入到精细分离塔400中进一步精馏分离提纯，由于一甲基三氯的沸点高于一甲基二氯，且高于四氯化硅，因此，碳杂质聚集在精细分离塔400的塔底。为什么将一甲基二氯转化为一甲基三氯，这是因为一甲基三氯的沸点高于一甲基二氯和四氯化硅，但一甲基二氯的沸点高于四氯化硅，若不将一甲基二氯转化为沸点高于四氯化硅的一甲基三氯，则一甲基二氯会在精细分离塔400的塔下侧出口（四氯化硅出口）处聚集，导致精细分离塔400分离后的四氯化硅中还是存在大量碳杂质，因此，将一甲基二氯转化为一甲基三氯是为了使通入到精细分离塔400中的碳杂质以沸点高于四氯化硅的一甲基三氯形式存在，由于一甲基三氯的沸点高于四氯化硅，一甲基三氯聚集在精细分离塔400的塔底，不会在精细分离塔400的塔下侧出口处聚集，使得精细分离塔400能够更好、高效地分离一甲基三氯与四氯化硅，且分离效率高、分离干净，以除去四氯化硅中的碳杂质，分离后的四氯化硅中碳杂质含量少。

同时，精馏系统200的塔顶出口均与精细分离塔400的进口相连，结合上段描述，因此，通入到精细分离塔400中的物质主要有四氯化硅、碳杂质（一甲基三氯）、磷杂质、二氯二氢硅、硼杂质、高沸物和少量三氯氢硅，在精细分离塔400中，高沸物、碳杂质（一甲基三氯）、磷杂质的沸点高于四氯化硅，在精细分离塔400的塔底聚集，四氯化硅的的沸点高于三氯氢硅，在精细分离塔400的塔下侧出口处聚集，三氯氢硅在精细分离塔400的塔上侧出口处聚集，而硼杂质和二氯二氢硅在精细分离塔400的塔顶聚集。因此，通过精细分离塔400的塔上侧出口能够采出得到第二三氯氢硅，相较于第一三氯氢硅，第二三氯氢硅的纯度高及品质较差一点，这是由于第二三氯氢硅从杂质聚集的轻重组分中分离出来的，相对而言，分离得到的第二三氯氢硅杂质含量较高一些。

精细分离塔400的塔底出口与水解系统600的进口相连，由于碳杂质（一甲基三氯）、磷杂质在精细分离塔400的塔底聚集，因此，通过精细分离塔400的塔底出口采出得到大量高沸物、碳杂质（一甲基三氯）、磷杂质，将这部分物质通入到水解系统600中进行水解处理。由于从精细分离塔400的塔底出口采出的这些物质，来自于精馏系统200的塔底出口，且又通过精细分离塔400对这些物质进行分离，将其中的四氯化硅从精细分离塔400的塔下侧出口分离采出，因此，从精细分离塔400的塔底出口采出的这些物质中只含有少量的四氯化硅，相较于现有技术中直接将精馏系统200的塔底出口采出的物质进行水解，本申请中的此种方式能够对精馏系统200的塔底出口采出的物质二次回收其中的四氯化硅，一是能够使得被水解的物质中四氯化硅含量较少，因而能够避免大量四氯化硅被水解，从而防止造成资源浪费，二是相较于从精馏系统200的塔底出口采出物质的量（重量），从精细分离塔400的塔底出口采出物质的量（重量）较少（这是由于将精馏系统200塔底出口采出物质中的四氯化硅分离出去，剩余物质进行水解，毫无疑问被水解物质的量减少），因此，能够减少水解过程水资源的消耗，降低污染环境程度。总的来说，就是对精馏系统200的塔底出口采出的物质通过精细分离塔400二次回收其中的四氯化硅，既能够防止大量四氯化硅被水解而造成资源浪费，还能够有效减少通入到水解系统600中进行水解处理物质的量，减少水解过程水资源的消耗，降低污染环境程度。

精细分离塔400的塔顶出口和塔下侧出口均与反歧化器500的进口相连，以将在精细分离塔400的塔顶聚集的二氯二氢硅和在精细分离塔400的塔下侧出口处聚集四氯化硅通入到反歧化器500中进行反歧化反应，由于从精馏系统200的塔底出口采出的重组分经过精细分离塔400分离，从精细分离塔400的塔下侧出口采出得到的四氯化硅进行了分离提纯，因而这部分四氯化硅相较于从精馏系统200的塔底出口采出的四氯化硅杂质含量少、纯度较高，在这里精细分离塔400起到对从精馏系统200塔底出口采出的重组分四氯化硅除杂效果，在生产过程中，重组分四氯化硅每次循环均需要通过精细分离塔400进行除杂，因而使得每次循环均能够实现杂质外排，减少整个生产系统中杂质富集量，避免杂质循环富集，避免重组分四氯化硅所携带的大量杂质在三氯氢硅的氢化合成、精馏提纯过程中循环富集而导致杂质含量越来越高，进而避免影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质。

在反歧化器500中，二氯二氢硅和四氯化硅反歧化反应生成三氯氢硅，反歧化器500的出口与精馏系统200的进口相连，由于二氯二氢硅和四氯化硅反歧化反应并不能完全反应，因此，反歧化器500的产物为氯硅烷，将反歧化器500生成的氯硅烷通入到精馏系统200中进行分离提纯其中的三氯氢硅，实现二氯二氢硅的转化回用，避免浪费。

本申请实施例公开的一种精馏三硅杂质含量控制系统中，通过除碳装置300对重组分四氯化硅（精馏系统200塔底出口采出）中的一甲基二氯转化为一甲基三氯，再通过精馏系统200对重组分四氯化硅精馏分离，第一，从精细分离塔400的塔下侧出口采出得到的四氯化硅进行了分离提纯，因而这部分四氯化硅相较于从精馏系统200的塔底出口采出的四氯化硅杂质含量少、纯度较高，在这里精细分离塔400起到对从精馏系统200塔底出口采出的重组分四氯化硅除杂效果，在生产过程中，重组分四氯化硅每次循环均需要通过精细分离塔400进行除杂，因而使得每次循环均能够实现杂质外排，减少整个生产系统中杂质富集量，避免杂质循环富集，避免重组分四氯化硅所携带的大量杂质在三氯氢硅的氢化合成、精馏提纯过程中循环富集而导致杂质含量越来越高，进而避免影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质；第二，对精馏系统200的塔底出口采出的重组分四氯化硅通过精细分离塔400二次精馏提纯回收其中的四氯化硅，既能够防止大量四氯化硅被水解而造成资源浪费，还能够有效减少通入到水解系统600中进行水解处理物质的量，减少水解过程水资源的消耗，降低污染环境程度。可见，精细分离塔400能够起到一物三用的效果。

如上文所述，除碳装置300能够将一甲基二氯转化为一甲基三氯，具体地，除碳装置300内部设置有歧化树脂（歧化树脂采用弱碱性阴离子树脂），三氯氢硅、一甲基二氯硅烷在歧化树脂催化作用下并保持在一定温度，硅氢键和硅氯断裂并重组，反应生成二氯二氢硅、四氯化硅、一甲基三氯，歧化树脂实现此种效果的原理以及歧化树脂的构成均为已知技术，为了文本简洁，在此不再赘述，从而实现将一甲基二氯转化为一甲基三氯，这样就使一甲基二氯反应生成一甲基三氯，一甲基三氯硅烷更容易分离排出，从而将碳杂质从整个生产系统中排出，防止一甲基二氯在整个生产系统中富集。同时歧化树脂也有吸附硼磷杂质功能，一部分金属杂质被歧化树脂吸附，影响产品质量，对三氯氢硅纯度品质的稳定和提升有益。

在本申请中，含有硼杂质的轻组分通过精馏系统200的塔顶出口排出，又通入到精细分离塔400中，从精细分离塔400的塔顶出口通入到反歧化器500，又回到精馏系统200，这些硼杂质在整个生产系统中循环富集，导致硼杂质含量越来越高，影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质。基于此，可选地，精馏系统200的塔顶出口可以设置有第一除硼装置710，通过第一除硼装置710吸附除硼，减少轻组分中的硼杂质，实现硼杂质外排，减少整个生产系统中硼杂质富集量，避免硼杂质循环富集，防止硼杂质含量越来越高，进而避免影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质。同时，减少硼杂质含量能够提高二氯二氢硅和四氯化硅在反歧化器500中的转化率，还能够减少反歧化器500中歧化树脂的消耗，降低生产成本，并能够缓解反歧化器500中歧化树脂污染程度。

当然，精馏系统200的进口可以设置有第二除硼装置720，通过第二除硼装置720吸附除硼，第二除硼装置720还能够减少从精馏系统200他顶出口采出轻组分中的硼杂质，实现硼杂质外排，减少整个生产系统中硼杂质富集量，避免硼杂质循环富集，防止硼杂质含量越来越高，进而避免影响精馏提纯所得到的三氯氢硅纯度品质。同时，减少硼杂质含量能够提高二氯二氢硅和四氯化硅在反歧化器500中的转化率，还能够减少反歧化器500中歧化树脂的消耗，降低生产成本，并能够缓解反歧化器500中歧化树脂污染程度。

与第一除硼装置710不同的是，在精馏系统200的进口设置第二除硼装置720，直接的效果是能够减少硼杂质通入到精馏系统200中，从而能够使得精馏系统200塔侧出口采出的三氯氢硅纯度品质更优。因此，在精馏系统200的进口设置第二除硼装置720为优选实施例。

由于在反歧化器500中，二氯二氢硅和四氯化硅的配比（摩尔质量）为1∶1，而在生产过程中，四氯化硅的量远远大于二氯二氢硅的量，也就是说，从精细分离塔400塔下侧出口采出的四氯化硅，远远多余从精细分离塔400的塔顶出口采出的二氯二氢硅，基于此，可选地，精细分离塔400的塔下侧出口还与氢化系统100的进口相连，以将多余的四氯化硅通入到氢化系统100中，用于在氢化系统100中通过氢化流化床合成三氯氢硅，实现四氯化硅的利用，从而实现多晶硅生产过程中二氯二氢硅和四氯化硅的回收利用，实现多晶硅生产过程中物尽其用，避免浪费。

如上文所述，从精馏系统200的塔侧出口能够采出得到第一三氯氢硅，通过精细分离塔400的塔上侧出口能够采出得到第二三氯氢硅，相较于第一三氯氢硅，第二三氯氢硅的纯度高及品质较差一点，这是由于第二三氯氢硅从杂质聚集的轻重组分中分离出来的，相对而言，分离得到的第二三氯氢硅杂质含量较高一些。可选地，精细分离塔400的塔上侧出口与精馏系统200的进口相连，以将纯度较低的第二三氯氢硅通入到精馏系统200进行精馏提纯，以得到纯度品质更优的第一三氯氢硅，避免将第二三氯氢硅用于生产多晶硅而造成产品品质较差。

作为优选，本申请公开的一种精馏三硅杂质含量控制系统还可以包括还原炉，精馏系统200的塔侧出口与还原炉的原料进口相连，和/或，精细分离塔400的塔上侧出口与还原炉的原料进口相连，也就是说，通过精馏系统200的塔侧出口、精细分离塔400的塔上侧出口得到的三氯氢硅能够通入到还原炉用于生产太阳能级的多晶硅，通过精馏系统200的塔侧出口得到的三氯氢硅甚至能够用于生产电子级多晶硅（相较于第一三氯氢硅，第二三氯氢硅的纯度高及品质较差一点，这是由于第二三氯氢硅从杂质聚集的轻重组分中分离出来的，相对而言，分离得到的第二三氯氢硅杂质含量较高一些，因此，精细分离塔400的塔上侧出口得到的三氯氢硅较难用于生产电子级多晶硅），为多晶硅生产供给三氯氢硅，且供给的三氯氢硅纯度高。品质优。至于冶金级多晶硅的生产，本申请不做限制。

进一步地，精馏系统200的塔顶出口还与还原炉的原料进口相连，和/或，精细分离塔400的塔顶出口还与还原炉的原料进口相连，也就是说，通过精馏系统200的塔顶出口、精细分离塔400的塔顶出口得到的二氯二氢硅部分通入到还原炉用于生产多晶硅，通过实践证明，为还原炉通入少量二氯二氢硅，有利于抑制副反应的进行，提高三氯氢硅的一次转化率，提高多晶硅在还原炉内的沉积速率，本申请中，直接利用多晶硅生产过程中产生的二氯二氢硅，无需外购二氯二氢硅，降低生产成本。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，包括氢化系统（100）、精馏系统（200）、除碳装置（300）、精细分离塔（400）、反歧化器（500）和水解系统（600），所述氢化系统（100）的出口与所述精馏系统（200）的进口相连，所述精馏系统（200）的塔侧出口得到第一三氯氢硅，所述精馏系统（200）的塔底出口与所述除碳装置（300）的进口相连，所述除碳装置（300）的出口和所述精馏系统（200）的塔顶出口均与所述精细分离塔（400）的进口相连，所述精细分离塔（400）的塔上侧出口得到第二三氯氢硅，所述精细分离塔（400）的塔底出口与所述水解系统（600）的进口相连，所述精细分离塔（400）的塔顶出口和塔下侧出口均与所述反歧化器（500）的进口相连，所述反歧化器（500）的出口与所述精馏系统（200）的进口相连。

2.根据权利要求1所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，所述除碳装置（300）内部设置有歧化树脂。

3.根据权利要求1所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，所述精馏系统（200）的塔顶出口设置有第一除硼装置（710）。

4.根据权利要求1所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，所述精馏系统（200）的进口设置有第二除硼装置（720）。

5.根据权利要求1所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，所述精细分离塔（400）的塔下侧出口还与所述氢化系统（100）的进口相连。

6.根据权利要求1所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，所述精细分离塔（400）的塔上侧出口与所述精馏系统（200）的进口相连。

7.根据权利要求1所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，还包括还原炉，所述精馏系统（200）的塔侧出口与所述还原炉的原料进口相连，和/或，所述精细分离塔（400）的塔上侧出口与所述还原炉的原料进口相连。

8.根据权利要求7所述的一种精馏三硅杂质含量控制系统，其特征在于，所述精馏系统（200）的塔顶出口还与所述还原炉的原料进口相连，和/或，所述精细分离塔（400）的塔顶出口还与所述还原炉的原料进口相连。