CN220246252U - 一种用于半导体生产的气相沉积炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公布了一种用于半导体生产的气相沉积炉，包括外沉积炉，所述外沉积炉的内壁固定连接有环形间隔板，所述外沉积炉通过环形间隔板分为冷却腔与加热腔，所述冷却腔内壁固定连接有多个导流板，所述外沉积炉的内部嵌入连接有内金属沉积炉，所述内金属沉积炉的内壁固定连接有多个金属板，本实用新型的有益效果是，本装置在工作的过程中，通过多个导流板外表面交错开设有导流孔，从而能够使冷却水在外沉积炉与内金属沉积炉之间曲线流动，冷却水能够对内金属沉积炉进行吸热制冷，内金属沉积炉内壁通过固定的多个金属板能够更好的内金属沉积炉内部进行吸热，从而能够达到更好的制冷效果。

Description

一种用于半导体生产的气相沉积炉

技术领域

本实用新型涉及气相沉积炉技术领域，具体涉及一种用于半导体生产的气相沉积炉。

背景技术

化学气相沉积技术是应用气态物质在固体表面发生化学反应并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：一形成挥发性物质；二把上述物质转移至沉积区域；三在固体上产生化学反应并产生固态物质；现有的用于半导体生产的气相沉积炉。

公开号为CN214142533U的实用新型公开了一种用于半导体生产的高效气相沉积炉，包括气相沉积冷却外炉，所述气相沉积冷却外炉的底部焊接安装有散热炉底，所述散热炉底的顶部焊接安装有位于气相沉积冷却外炉一侧的注水管，所述注水管的底部焊接安装有出水管，所述出水管的顶部焊接安装有位于气相沉积冷却外炉外表面的第一搭扣，在气相沉积冷却外炉和气相沉积内炉放置室中间设置水流导向杆，将水从注水管注入，经过水流导向杆最终从出水管流出，使其扇热均匀，且可以通过调节水流的流速提高工作效率，气相沉积内炉放置到气相沉积内炉放置室内部，搭扣和固定凹块进行固定，沉积炉盖通过卡接杆和卡接槽旋转卡接，通过以上设计安装非常的简单；

此装置外炉、内炉、炉盖之间通过卡接方式连接，其连接不具有更好密封效果，同时冷却仅仅对内炉外侧进行冷却，内炉的内腔空间无法更好的制冷，从而有一定的影响。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种用于半导体生产的气相沉积炉，本实用新型是通过以下技术方案来实现的。

一种用于半导体生产的气相沉积炉，包括外沉积炉，所述外沉积炉的内壁固定连接有环形间隔板，所述外沉积炉通过环形间隔板分为冷却腔与加热腔，所述冷却腔内壁固定连接有多个导流板，所述外沉积炉的内部嵌入连接有内金属沉积炉，所述内金属沉积炉的内壁固定连接有多个金属板，所述内金属沉积炉的内部固定连接有两个手提杆，且手提杆位于金属板上方，所述内金属沉积炉的顶部固定连接有固定环，所述外沉积炉的顶部螺纹连接有密封盖，所述外沉积炉内壁固定安装有固定座，所述固定座的顶部固定连接有电加热器，且电加热器贴合在内金属沉积炉底部，所述外沉积炉的外表面贯穿连接有进水管与排水管，多个导流板位于进水管与排水管之间。

进一步地，所述环形间隔板的顶部固定连接有密封座，所述内金属沉积炉架设在密封座顶部。

进一步地，所述固定环的顶部开设有环形槽，所述环形槽的内部嵌入连接有第二环形密封垫，所述外沉积炉的顶部固定连接有第一环形密封垫，所述密封盖挤压固定环与外沉积炉之间密封连接。

进一步地，所述外沉积炉的顶部固定连接有四个定位杆，所述固定环的底部开设有四个定位槽，且定位杆与定位槽嵌入连接。

进一步地，所述导流板的外表面开设有导流孔，多个所述导流孔交错开设，所述导流板的内壁套设有环形密封套，所述内金属沉积炉通过环形密封套与导流板密封连接。

进一步地，所述密封盖的外表面固定连接有四个把手，所述密封盖的顶部贯穿连接有透明观察管。

本实用新型的有益效果是，本装置在工作的过程中，首先通过设置的多个导流板外表面交错开设有导流孔，从而能够使冷却水在外沉积炉与内金属沉积炉之间曲线流动，冷却水能够对内金属沉积炉进行吸热制冷，内金属沉积炉内壁通过固定的多个金属板能够更好的内金属沉积炉内部进行吸热，从而能够达到更好的制冷效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对具体实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1：本实用新型所述一种用于半导体生产的气相沉积炉的结构示意图；

图2：图1所示A处的局部放大图；

图3：图1所示B处的局部放大图；

图4：本实用新型所述内金属沉积炉的结构示意图。

附图标记如下：

1、外沉积炉；101、环形间隔板；102、排水管；103、进水管；104、定位杆；105、第一环形密封垫；106、密封座；

2、内金属沉积炉；201、金属板；202、手提杆；

3、固定座；301、电加热器；

4、导流板；401、环形密封套；402、导流孔；

5、密封盖；501、把手；502、透明观察管；

6、固定环；601、定位槽；602、环形槽；603、第二环形密封垫。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1-4所示，本实用新型具有以下具体实施例。

实施例：

一种用于半导体生产的气相沉积炉，包括外沉积炉1，外沉积炉1的内壁固定连接有环形间隔板101，外沉积炉1通过环形间隔板101分为冷却腔与加热腔，冷却腔内壁固定连接有多个导流板4，外沉积炉1的内部嵌入连接有内金属沉积炉2，内金属沉积炉2的内壁固定连接有多个金属板201，内金属沉积炉2的内部固定连接有两个手提杆202，且手提杆202位于金属板201上方，内金属沉积炉2的顶部固定连接有固定环6，外沉积炉1的顶部螺纹连接有密封盖5，外沉积炉1内壁固定安装有固定座3，固定座3的顶部固定连接有电加热器301，且电加热器301贴合在内金属沉积炉2底部，外沉积炉1的外表面贯穿连接有进水管103与排水管102，多个导流板4位于进水管103与排水管102之间。

通过采用上述技术方案，在使用装置时，将冷却水通过进水管103输入到外沉积炉1内部，外沉积炉1与内金属沉积炉2之间固定的多个导流板4，多个导流板4外表面交错开设有导流孔402，从而能够使冷却水在外沉积炉1与内金属沉积炉2之间曲线流动，冷却水能够对内金属沉积炉2进行吸热制冷，内金属沉积炉2内壁通过固定的多个金属板201能够更好的内金属沉积炉2内部进行吸热，从而能够达到更好的制冷效果。

作为此实施例进一步的说明，内金属沉积炉2能够插入到外沉积炉1的内部，同时外沉积炉1内壁固定的导流板4套接在内金属沉积炉2外部，通过环形密封套401与内金属沉积炉2之间进行密封，内金属沉积炉2通过固定的固定环6架设在外沉积炉1顶部，再将密封盖5螺纹盖合在外沉积炉1顶部，固定环6顶部设置的第二环形密封垫603和底部设置的第一环形密封垫105能够使外沉积炉1、固定环6、密封盖5之间进行密封连接，同时内金属沉积炉2底部通过密封座106挤压在环形间隔板101顶部，能够使内金属沉积炉2与环形间隔板101之间进行密封对接，从而便于装置的拆装对接，操作简单。

具体的，环形间隔板101的顶部固定连接有密封座106，内金属沉积炉2架设在密封座106顶部。

通过采用上述技术方案，内金属沉积炉2能够架设在设置的密封座106顶部，从而能够使内金属沉积炉2与环形间隔板101之间密封对接，防止冷却水进入到加热腔内部。

具体的，固定环6的顶部开设有环形槽602，环形槽602的内部嵌入连接有第二环形密封垫603，外沉积炉1的顶部固定连接有第一环形密封垫105，密封盖5挤压固定环6与外沉积炉1之间密封连接。

通过采用上述技术方案，设置的环形槽602和第一环形密封垫105能够加压在固定环6上下两侧位置，从而能够使密封盖5挤压固定环6与外沉积炉1之间进行密封对接。

具体的，外沉积炉1的顶部固定连接有四个定位杆104，固定环6的底部开设有四个定位槽601，且定位杆104与定位槽601嵌入连接。

通过采用上述技术方案，设置的定位杆104能够嵌入到定位槽601内部进行限位，便于固定环6与外沉积炉1之间快速对接。

具体的，导流板4的外表面开设有导流孔402，多个导流孔402交错开设，导流板4的内壁套设有环形密封套401，内金属沉积炉2通过环形密封套401与导流板4密封连接。

通过采用上述技术方案，设置的导流板4能够对进入的冷却水进行导流，冷却水能够通过交错设置的导流孔402进行曲线流动，同时导流板4内壁套接的环形密封套401能够与内金属沉积炉2外表面密封连接，便于冷却水进行导流。

具体的，密封盖5的外表面固定连接有四个把手501，密封盖5的顶部贯穿连接有透明观察管502。

通过采用上述技术方案，密封盖5外表面固定的四个把手501，能够便于手动推动密封盖5进行旋转，从而能够便于密封盖5与外沉积炉1之间进行闭合和打开，同时，密封盖5顶部贯穿连接的透明观察管502，能够便于贯穿内金属沉积炉2内部的反应状况。

以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (6)

1.一种用于半导体生产的气相沉积炉，包括外沉积炉(1)，其特征在于：所述外沉积炉(1)的内壁固定连接有环形间隔板(101)，所述外沉积炉(1)通过环形间隔板(101)分为冷却腔与加热腔，所述冷却腔内壁固定连接有多个导流板(4)，所述外沉积炉(1)的内部嵌入连接有内金属沉积炉(2)，所述内金属沉积炉(2)的内壁固定连接有多个金属板(201)，所述内金属沉积炉(2)的内部固定连接有两个手提杆(202)，且手提杆(202)位于金属板(201)上方，所述内金属沉积炉(2)的顶部固定连接有固定环(6)，所述外沉积炉(1)的顶部螺纹连接有密封盖(5)，所述外沉积炉(1)内壁固定安装有固定座(3)，所述固定座(3)的顶部固定连接有电加热器(301)，且电加热器(301)贴合在内金属沉积炉(2)底部，所述外沉积炉(1)的外表面贯穿连接有进水管(103)与排水管(102)，多个导流板(4)位于进水管(103)与排水管(102)之间。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的气相沉积炉，其特征在于：所述环形间隔板(101)的顶部固定连接有密封座(106)，所述内金属沉积炉(2)架设在密封座(106)顶部。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的气相沉积炉，其特征在于：所述固定环(6)的顶部开设有环形槽(602)，所述环形槽(602)的内部嵌入连接有第二环形密封垫(603)，所述外沉积炉(1)的顶部固定连接有第一环形密封垫(105)，所述密封盖(5)挤压固定环(6)与外沉积炉(1)之间密封连接。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的气相沉积炉，其特征在于：所述外沉积炉(1)的顶部固定连接有四个定位杆(104)，所述固定环(6)的底部开设有四个定位槽(601)，且定位杆(104)与定位槽(601)嵌入连接。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的气相沉积炉，其特征在于：所述导流板(4)的外表面开设有导流孔(402)，多个所述导流孔(402)交错开设，所述导流板(4)的内壁套设有环形密封套(401)，所述内金属沉积炉(2)通过环形密封套(401)与导流板(4)密封连接。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的气相沉积炉，其特征在于：所述密封盖(5)的外表面固定连接有四个把手(501)，所述密封盖(5)的顶部贯穿连接有透明观察管(502)。