CN220235339U - 太阳能电池 - Google Patents

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王学雷
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Abstract

本实用新型提供了一种太阳能电池,本实用新型的太阳能电池包括电池基底,以及设于所述电池基底上的复合电极层;所述复合电极层包括层叠布置的第一导电材料层和第二导电材料层,第一导电材料层用于阻挡第二导电材料层向电池基底扩散。本实用新型的太阳能电池,通过设置的复合电极层,使得在第二导电材料层前增加第一导电材料层,可阻隔第二导电材料层中金属的渗透,从而可提升太阳能电池的稳定性及光转换效率。

Description

太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及新能源电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是众多类别太阳能电池中的一种,也是近几年发展起来的第三代太阳能电池,具有转换效率高、制造成本低等特点。钙钛矿型太阳能电池(perovskitesolar cells),是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池。
根据钙钛矿太阳能电池中功能薄膜的沉积制备顺序,钙钛矿太阳能电池的基本结构包括透明电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和导电电极层,共五个功能层。其中,导电电极主要起到收集电荷并传入电池负载电路的作用。目前,常规的钙钛矿太阳能电池中所用的导电电极层绝大部分为金属电极如金、银、铜等强导电材料,金属电极具有导电性好的优点,利用真空环境下的蒸镀、溅射等物理气相沉积工艺制备。
但是,钛矿太阳电池在长期老化过程中易出现上述金属的渗透现象,导致上述金属与钙钛矿发生反应产生分解,且上述金属在热蒸发过程中具有较高的能量可能会导致钙钛矿相的峰值强度降低,最终导致钙钛矿器件失效。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型旨在提出一种太阳能电池,以能够阻隔第二导电材料层中金属的渗透,提升太阳能电池的稳定性及光转换效率。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种太阳能电池,其包括电池基底,以及设于所述电池基底上的复合电极层;
所述复合电极层包括层叠布置的第一导电材料层和第二导电材料层,所述第一导电材料层用于阻挡所述第二导电材料层向所述电池基底扩散。
进一步的,所述第一导电材料层包括透明导电氧化物层、金属层(502)中的至少一种。
进一步的,所述第一导电材料层包括所述透明导电氧化物层和所述金属层;所述透明导电氧化物层包括设置在所述电池基底和所述金属层之间的第一透明导电氧化物层;或者,所述透明导电氧化物层包括设置在所述金属层两侧的第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层。
进一步的,所述第一透明导电氧化物层的厚度在5nm~20nm之间。
进一步的,所述第二透明导电氧化物层的厚度在5nm~20nm之间。
进一步的,所述第一导电材料层的厚度在5nm~20nm之间。
进一步的,所述第二导电材料层的厚度在30nm~80nm之间。
进一步的,所述第一透明导电氧化物层的材料采用掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺钨氧化铟(IWO)、掺锌氧化铟(IZO)中的任意一种;和/或,所述第二透明导电氧化物层的材料采用掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺钨氧化铟(IWO)、掺锌氧化铟(IZO)中的任意一种。
进一步的,所述电池基底包括依次层叠的导电玻璃、空穴传输薄膜层、钙钛矿吸收层和电子传输层;所述复合电极层设于所述电子传输层上。
进一步的,所述金属层的材料采用镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、钼(Mo)和铬(Cr)中的任意一种;和/或,所述第二导电材料层(504)的材料采用金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)中的任意一种。
相对于现有技术,本实用新型具有以下优势:
本实用新型所述的太阳能电池,通过设置的复合电极层,使得在第二导电材料层前增加第一导电材料层,可阻隔第二导电材料层中金属的渗透,从而可提升太阳能电池的稳定性及光转换效率,特别是应用在钙钛矿太阳能电池中时,能够提高钙钛矿器件的稳定性,提升钙钛矿太阳能电池的光转换效率。
此外,第一导电材料层采用透明导电氧化物层、金属层中的至少一种,均能够阻隔第二导电材料层中金属向电池基底渗透。透明导电氧化物层包括设置在电池基底和金属层之间的第一透明导电氧化物层,该第一透明导电氧化物层有利于保护电池基底,防止金属层在制备过程中,对电池基底产生损伤。并且,金属层直接和电池基底接触,一般会存在能级匹配的问题,能级匹配失配会降低电池效率,通过第一透明导电氧化物层的设置,也可以缓解能级失配问题,利于提升电池效率。
其次,透明导电氧化物层包括设置在金属层两侧的第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层,使得在第二导电材料层前增加第二透明导电氧化物层与金属层的组合,可更好地阻隔第二导电材料层中金属的渗透,提升太阳能电池的稳定性。
另外,第一透明导电氧化物层的厚度设置,第二透明导电氧化物层的厚度设置,金属层厚度的设置及第二导电材料层厚度的设置,均有利于保证太阳能的性能。并且在第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层之间设置金属层,也可减少透明导电氧化物的使用率,在增加导电性的同时,能够降低生产成本,且应用在钙钛矿太阳能电池中时,能够减少由激光划刻导致的钙钛矿器件的不良,提升生产良品率。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型实施例所述的太阳能电池的结构示意图;
图2为本实用新型实施例所述太阳能电池与现有技术中太阳能电池的高热高稳定性对比图;
附图标记说明:
1、导电玻璃;2、空穴传输层;3、钙钛矿吸收层;4、电子传输层;5、复合电极层;
501、第一透明导电氧化物层;502、金属层;503、第二透明导电氧化物层;504、第二导电材料层。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,若出现“上”、“下”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的术语,其为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,若出现“第一”、“第二”等术语,其也仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外,在本实用新型的描述中,除非另有明确的限定,术语“安装”、“相连”、“连接”“连接件”应做广义理解。例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以结合具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
本实施例涉及一种太阳能电池,其能够阻隔第二导电材料层中金属向电池基底的渗透,提升太阳能电池的稳定性及光转换效率。
在整体结构上,本实施例的太阳能电池如图1所示,该太阳能电池包括电池基底10,以及设于电池基底10上的复合电极层5。其中,复合电极层5包括层叠布置的第一导电材料层和第二导电材料层504。
如上结构中,通过设置的复合电极层5,使得在第二导电材料层504前增加第一导电材料层,可有效阻隔第二导电材料层中金属的渗透,从而可提升太阳能电池的稳定性及光转换效率。
需说明的是,本实施例所述的电池基底可以是能够与太阳能电池电极构成完整太阳能电池的结构,一般情况下,其可以作为制备太阳能电池电极的基底。
本实施例中,作为一种优选的实施方式,继续参看图1所示,电池基底包括依次层次的导电玻璃1、空穴传输薄膜层2、钙钛矿吸收层3和电子传输层4。复合电极层5设置在电子传输层4上。该结构中,通过采用的钙钛矿吸收层,以及设置在电子传输层4上复合电极层5,可有效阻隔第二导电材料层中金属的渗透,从而可提升钙钛矿器件的稳定性,并也可提升钙钛矿太阳能电池的光转换效率。
作为进一步优选实施方式,本实施例中,第一导电材料层包括透明导电氧化物层、金属层502中的至少一种,也即是,第一导电材料层可以是单独的透明导电氧化物层,或者可以是单独的金属层502,或者也可以是同时具有透明导电氧化物层和金属层502。
并且,作为进一步优选实施方式,第一导电材料层包括透明导电氧化物层和金属层502。其中,透明导电氧化物层包括设置在电池基底10和金属层502之间的第一透明导电氧化物层501。该第一透明导电氧化物层501有利于保护电池基底10,防止金属层502在制备过程中,对电池基底10产生损伤。并且,金属层502直接和电池基底10接触,一般会存在能级匹配的问题,能级匹配失配会降低电池效率,通过第一透明导电氧化物层501的设置,也可以缓解能级失配问题,利于提升电池效率。
同样,作为进一步优选实施方式,第一导电材料层包括透明导电氧化物层和金属层502。其中,透明导电氧化物层包括设置在金属层502两侧的第一透明导电氧化物层501和第二透明导电氧化物层503。也即图1中所示的,复合电极层5具体包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层501、第一导电材料层502、第二透明导电氧化物层503、第二导电材料层504。第一透明导电氧化物层501设于电子传输层4上。
通过在金属层502和第二导电材料层504之间的第二透明导电氧化物层503,使得在第二导电材料层504前增加第二透明导电氧化物层503与金属层502的组合,可更好地阻隔第二导电材料层中金属的渗透,提升钙钛矿器件的稳定性。
本实施例中,在电子传输层4上设置的第一透明导电氧化物层501,其可作为缓冲层,避免不活泼金属的直接溅射造成的膜层损伤。在第一透明导电氧化物层501上镀上一层弱导电性能的金属,如此可阻隔活泼金属的渗透。在第二导电材料层504与金属层502之间增加第二透明导电氧化物层503,能够更好地阻隔第二导电材料层中金属的渗透。
作为本实施例的一种优选实施方式,本实施例中,第一透明导电氧化物层501的厚度5nm~20nm之间,第二透明导电氧化物层503的厚度在5nm~20nm之间,金属层502的厚度在5nm~20nm之间,第二导电材料层504的厚度在30nm~80nm之间。具体实施时,第一透明导电氧化物层501的厚度例如可为5nm、10nm、15nm、或20nm。第二透明导电氧化物层503的厚度例如可为5nm、10nm、15nm、或20nm。金属层502的厚度例如可为5nm、10nm、15nm、或20nm。第二导电材料层504的厚度例如可为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm或80nm。
另外,本实施例中,电子传输层4的厚度在5nm-50nm之间。在具体实施时,电子传输层4的厚度例如可为5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm或50nm。此外,本实施例中,空穴传输层2的厚度在15nm-45nm之间。具体实施时,空穴传输层2的厚度例如可为15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、或40nm。
本实施例中,作为优选实施方式,第一透明导电氧化物层501的材料采用掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺钨氧化铟(IWO)、掺锌氧化铟(IZO)中的任意一种。并且,第二透明导电氧化物层503的材料,其也可采用掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺钨氧化铟(IWO)、掺锌氧化铟(IZO)中的任意一种。
需要说明的是,第一透明导电氧化物层501和第二透明导电氧化物层503的材料包括但不限于上述所说材料。另外,还需要说明的是,本实施例中的导电玻璃1优选采用FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。
本实施例中,钙钛矿吸收层3的材质采用FAPbI3、MAPbI3、FAxCs(1-x)PbI3、FAxCs(1-x)PbI yBr(3-y)、FACsMAPbIy Br(3-y)、CsPbI3中的任意一种。并且作为优选的,本实施例的钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸收层3的材质优选FAx Cs(1-x)PbI3钙钛矿材料,其中,x的取值范围为0.05-0.2,例如可以为0.05、0.1、0.13、0.15、0.18、0.2。
本实施例中,第二导电材料层504的材料包括但不限于银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)中的至少一种。金属层502的材料采用镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、钼(Mo)和铬(Cr)中的任意一种,或者镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、钼(Mo)和铬(Cr)中的至少一种。此处需说明的是,第一导电材料层可以采用上述中的一种材料,也可采用多种材料进行配比,当采用多种材料进行配置时,该弱导电材料应和采用钼(Mo)具有同等的技术效果。
本实施例中,电子传输层4的材料包括但不限于二氧化钛(TiO2)、二氧化锡(SnO2)、掺锌氧化锡(ZTO)、硫化镉(CdS)、富勒烯(C60)、掺镁氧化锌(ZMO)、氧化锌(ZnO)、富勒烯衍生物(PCBM)。
本实施例中,空穴传输层2的材料包括但不限于氧化钨(WO2)、氧化镁(MgO)、硫氰酸亚铜(CuSCN)、碘化亚铜(CuI)、氧化铜(CuO)、氧化亚铜(Cu2O)、氧化镍(NiO)、五氧化二钒(V2O5)、三氧化钼(MoO3)、Spiro OMeTAD、P3HT、PTAA、PEDOT:PSS等。
此外,本实施例也涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,该制备方法包括如下步骤:清洗导电玻璃1→镀制空穴传输层2→制备钙钛矿吸收层3→在钙钛矿吸收层3上制备电子传输层4→在电子传输层4上制备复合电极层5。
另外,本实施例中,在制备钙钛矿太阳能电池时,钙钛矿吸收层的刮涂的速率优选为10-15mm/s,例如可以为10mm/s、11mm/s、12mm/s、13mm/s、14mm/s、15mm/s。本实施例中,空穴传输层2和电子传输层4的制备方法包括但不限于磁控溅射法、真空蒸镀法、溶液法、ALD法(即原子层沉积法)、RPD法(即反应等离子体沉积法)等。
下面以多个实施例与对比例为例,进一步说明本实施例的太阳能电池的性能。
实施例1
本实施例的太阳能电池包括FTO导电玻璃层、氧化镍空穴传输层、钙钛矿吸收层3、电子传输层4和复合电极层5,其中,该复合电极层5依次包括第一透明金属氧化物层501、第一导电材料层502、第二透明金属氧化物层503和第二导电材料层504。另外,第一透明金属氧化物层和第二透明金属氧化物层的材料采用掺锡氧化铟(ITO),第一导电材料层的材料采用钼,第二导电材料层采用铜。
其制备方法如下:
(1)清洗FTO导电玻璃:对FTO导电玻璃依次分别用玻璃清洗剂、去离子水进行超声清洗,并在100℃的烘箱中充分干燥,重复此过程3遍,得到FTO导电玻璃层,并在氧化镍镀膜前对FTO导电玻璃进行紫外-臭氧处理30min;
(2)镀制空穴传输层:在本底真空低于1×10-3Pa时,设置高纯氩与氩氧混合气量,使用射频电源进行磁控溅射,完成空穴传输层镀制;
(3)制备钙钛矿吸收层:将镀过氧化镍的FTO导电玻璃,取适量钙钛矿前驱体溶液进行刮涂,利用氮气吹去多余溶剂,先在加热台上70℃退火2min,然后在100℃~120℃退火40min。最终形成2D的钙钛矿薄膜;
(4)在钙钛矿吸收层上制备电子传输层:在步骤(3)中的钙钛矿吸收层表面上,使用蒸镀设备直接制备电子传输层薄膜;
(5)制备复合电极层:使用直流磁控溅射在电子传输层表面依次分别镀制5~20nmITO+5~20nmMo+5~20nmITO+30~80nmCu,完成复合电极层制备。
实施例2
本实施例的太阳能电池包括FTO导电玻璃层、氧化镍空穴传输层、钙钛矿吸收层3、电子传输层4和复合电极层5,其中,该复合电极层5依次包括第一透明金属氧化物层501、第一导电材料层502和第二导电材料层504。另外,第一透明金属氧化物层的材料采用掺锡氧化铟(ITO),第一导电材料层的材料采用钼,第二导电材料层采用铜。
其制备方法如下:
(1)清洗FTO导电玻璃:对FTO导电玻璃依次分别用玻璃清洗剂、去离子水进行超声清洗,并在100℃的烘箱中充分干燥,重复此过程3遍,得到FTO导电玻璃层,并在氧化镍镀膜前对FTO导电玻璃进行紫外-臭氧处理30min;
(2)镀制空穴传输层:在本底真空低于1×10-3Pa时,设置高纯氩与氩氧混合气量,使用射频电源进行磁控溅射,完成空穴传输层镀制;
(3)制备钙钛矿吸收层:将镀过氧化镍的FTO导电玻璃,取适量钙钛矿前驱体溶液进行刮涂,利用氮气吹去多余溶剂,先在加热台上70℃退火2min,然后在100℃~120℃退火40min。最终形成2D的钙钛矿薄膜;
(4)在钙钛矿吸收层上制备电子传输层:在步骤(3)中的钙钛矿吸收层表面上,使用蒸镀设备直接制备电子传输层薄膜;
(5)制备复合电极层:使用直流磁控溅射在电子传输层表面依次分别镀制5~20nmITO+5~20nmMo+30~80nmCu,完成复合电极层制备。
实施例3
本实施例的太阳能电池包括FTO导电玻璃层、氧化镍空穴传输层、钙钛矿吸收层3、电子传输层4和复合电极层5,其中,该复合电极层5依次包括第一透明金属氧化物层501和第二导电材料层504。另外,第一透明金属氧化物层的材料采用掺锡氧化铟(ITO),第二导电材料层采用铜。
其制备方法如下:
(1)清洗FTO导电玻璃:对FTO导电玻璃依次分别用玻璃清洗剂、去离子水进行超声清洗,并在100℃的烘箱中充分干燥,重复此过程3遍,得到FTO导电玻璃层,并在氧化镍镀膜前对FTO导电玻璃进行紫外-臭氧处理30min;
(2)镀制空穴传输层:在本底真空低于1×10-3Pa时,设置高纯氩与氩氧混合气量,使用射频电源进行磁控溅射,完成空穴传输层镀制;
(3)制备钙钛矿吸收层:将镀过氧化镍的FTO导电玻璃,取适量钙钛矿前驱体溶液进行刮涂,利用氮气吹去多余溶剂,先在加热台上70℃退火2min,然后在100℃-120℃退火40min。最终形成2D的钙钛矿薄膜;
(4)在钙钛矿吸收层上制备电子传输层:在步骤(3)中的钙钛矿吸收层表面上,使用蒸镀设备直接制备电子传输层薄膜;
(5)制备复合电极层:使用直流磁控溅射在电子传输层表面依次分别镀制5~20nmITO+30~80nmCu,完成复合电极层制备。
实施例4
本实施例的太阳能电池包括FTO导电玻璃层、氧化镍空穴传输层、钙钛矿吸收层3、电子传输层4和复合电极层5,其中,该复合电极层5依次包括第一导电材料层502和第二导电材料层504。另外,第一导电材料层的材料采用钼,第二导电材料层采用铜。
其制备方法如下:
(1)清洗FTO导电玻璃:对FTO导电玻璃依次分别用玻璃清洗剂、去离子水进行超声清洗,并在100℃的烘箱中充分干燥,重复此过程3遍,得到FTO导电玻璃层,并在氧化镍镀膜前对FTO导电玻璃进行紫外-臭氧处理30min;
(2)镀制空穴传输层:在本底真空低于1×10-3Pa时,设置高纯氩与氩氧混合气量,使用射频电源进行磁控溅射,完成空穴传输层镀制;
(3)制备钙钛矿吸收层:将镀过氧化镍的FTO导电玻璃,取适量钙钛矿前驱体溶液进行刮涂,利用氮气吹去多余溶剂,先在加热台上70℃退火2min,然后在100℃~120℃退火40min。最终形成2D的钙钛矿薄膜;
(4)在钙钛矿吸收层上制备电子传输层:在步骤(3)中的钙钛矿吸收层表面上,使用蒸镀设备直接制备电子传输层薄膜;
(5)制备复合电极层:使用直流磁控溅射在电子传输层表面依次分别镀制20~40nmMo+30~80nmCu,完成复合电极层制备。
对比例1
本实施例的太阳能电池包括FTO导电玻璃层、氧化镍空穴传输层、钙钛矿吸收层3、电子传输层4和电极层,其中,电极层的材料层采用铜。
其制备方法如下:
(1)清洗FTO导电玻璃:对FTO导电玻璃依次分别用玻璃清洗剂、去离子水进行超声清洗,并在100℃的烘箱中充分干燥,重复此过程3遍,得到FTO导电玻璃层,并在氧化镍镀膜前对FTO导电玻璃进行紫外-臭氧处理30min;
(2)镀制空穴传输层:在本底真空低于1×10-3Pa时,设置高纯氩与氩氧混合气量,使用射频电源进行磁控溅射,完成空穴传输层镀制;
(3)制备钙钛矿吸收层:将镀过氧化镍的FTO导电玻璃,取适量钙钛矿前驱体溶液进行刮涂,利用氮气吹去多余溶剂,先在加热台上70℃退火2min,然后在100℃~120℃退火40min。最终形成2D的钙钛矿薄膜;
(4)在钙钛矿吸收层上制备电子传输层:在步骤(3)中的钙钛矿吸收层表面上,使用蒸镀设备直接制备电子传输层薄膜;
(5)制备电极层:使用直流磁控溅射在电子传输层表面镀制60~120nmCu,完成复电极层制备。
将实施例1-4和对比例1的太阳能电池进行光电转化效率(PCE)和稳定性测试,测试结果如下表1和图2所示。其中,光电转化效率(PCE)是指测试老化过程中,太阳能电池的光电转化效率。
表1
根据上表数据和图2所示可知,实施例1和实施例2的太阳能电池与对比例1的太阳能电池相比,无论在初始状态的光转化效率、在85℃/85%RH(RH表示湿度)条件下老化1000h后的光转化效率,还是光转化效率变化率上,均具有优异的电性能和稳定性。实施例3和实施例4的太阳能电池与对比例的太阳能电池相比,虽然在初始状态的光转化效率上略低于对比例,但是在85℃/85%RH条件下老化1000h后的光转化效率及光转化效率变化率上,均明显优于对比例1。而且,实施例1相比于实施例2,增加的透明金属氧化物层,在老化后甚至实现了光转化效率的正增长。
另外,由上表数据和图2可以看出,实施例1-4所述的太阳能电池的光转化效率随着老化时间的延长,光转化效率变化幅度较小,稳定性较高。而对比例1电池的光转化效率随着老化时间的延长,光转化效率变化幅度较大,稳定性较差。可见,第一导电材料层作为第二导电材料层前的阻挡层,对钙矿钛电池性能增益明显。
本实施例的太阳能电池,在第二导电材料层504前增加第一导电材料层502,可有效阻隔活泼金属的渗透。而且,在第二导电材料层504与第一导电材料层之间增加第二透明导电氧化物层503,能够更好地阻隔活泼金属的渗透,从而可提升太阳能电池的稳定性,同时,使得太阳能电池具有优异的电性能和稳定性,且也具有较好的光转化效率。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种太阳能电池,其特征在于:
包括电池基底(10),以及设于所述电池基底(10)上的复合电极层(5);
所述复合电极层(5)包括层叠布置的第一导电材料层和第二导电材料层(504),所述第一导电材料层用于阻挡所述第二导电材料层(504)向所述电池基底(10)扩散。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:
所述第一导电材料层包括透明导电氧化物层、金属层(502)中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于:
所述第一导电材料层包括所述透明导电氧化物层和所述金属层(502);
所述透明导电氧化物层包括设置在所述电池基底(10)和所述金属层(502)之间的第一透明导电氧化物层(501);或者,所述透明导电氧化物层包括设置在所述金属层(502)两侧的第一透明导电氧化物层(501)和第二透明导电氧化物层(503)。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于:
所述第一透明导电氧化物层(501)的厚度在5nm~20nm之间。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于:
所述第二透明导电氧化物层(503)的厚度在5nm~20nm之间。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于:
所述金属层(502)的厚度在5nm~20nm之间。
7.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于:
所述第二导电材料层(504)的厚度在30nm~80nm之间。
8.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于:
所述第一透明导电氧化物层(501)的材料采用掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺锌氧化铟中的任意一种;和/或,
所述第二透明导电氧化物层(503)的材料采用掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺锌氧化铟中的任意一种。
9.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于:
所述电池基底(10)包括依次层叠的导电玻璃(1)、空穴传输薄膜层(2)、钙钛矿吸收层(3)和电子传输层(4);
所述复合电极层(5)设于所述电子传输层(4)上。
10.根据权利要求2-9中任一项所述的太阳能电池,其特征在于:
所述金属层(502)的材料采用镍、钴、铝、钼和铬中的任意一种;和/或,
所述第二导电材料层(504)的材料采用金、银和铜中的任意一种。
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