CN114695674A - 一种钙钛矿太阳能器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种提高钙钛矿太阳能器件稳定性的制备方法。本发明的钙钛矿太阳能器件采用透明导电氧化物作为背电极层与钙钛矿层之间在P2凹槽处的隔离层、以及背电极层与第二电荷传输层之间的隔离层，不仅阻隔了背电极和钙钛矿层，使二者不直接接触，还能有效避免背电极金属扩散至钙钛矿层中破坏钙钛矿晶格结构；并且每个组件中的钙钛矿层均不暴露在空气中，使得钙钛矿能够免受空气中水氧的侵蚀，从而提高了钙钛矿太阳能器件的稳定性。

Description

一种钙钛矿太阳能器件及其制备方法

技术领域

本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种可提高钙钛矿太阳能器件稳定性的制备方法。

背景技术

钙钛矿太阳能电池作为一种新型的第三代太阳能电池，经过十几年的快速发展，其电池的认证光电转化效率已达到25.7％，电池组件的认证光电转化效率达到了21.4％，已和目前市场上主流的晶硅太阳能电池技术不相上下。并且，钙钛矿太阳能电池的材料成本低，制备工艺简单、能耗低，带隙可调，可与市场上的其他光伏技术进行叠层制备更高性能的光伏器件，因此吸引了越来越多的科研工作者和厂商加入到钙钛矿电池的研发和商业化进程中来。

钙钛矿太阳能电池主要有透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、背电极等五部分组成。与传统的晶硅电池采用汇流条将各个子电池进行串并联所形成的组件不同，钙钛矿太阳能电池组件是一体成膜，只需要用激光在不同膜层之间进行P1、P2、P3划刻，便可使各个子电池之间形成串联。具体的制备方法主要是：先在透明导电玻璃上用激光划刻P1，使透明导电层形成若干个子单元；然后在透明电极上依次制备第一电荷传输层、钙钛矿吸光层和第二电荷传输层，再使用激光在P1一侧划刻P2，使第一电荷传输层、钙钛矿吸光层和第二电荷传输层形成各个子单元；接着在第二电荷传输层上制备背电极层，最后用激光在P2一侧划刻P3，使背电极层形成各个子单元，并使各个子电池之间串联连接，从而形成钙钛矿太阳能电池组件。在该太阳能电池组件的P2凹槽处，背电极直接与钙钛矿层接触，由于背电极常采用铜、银、金等导电性好的金属材料，因此钙钛矿层中的卤素离子会对背电极产生腐蚀，不利于钙钛矿电池组件的稳定性。

为此，现有技术通过在P2凹槽处沉积化学稳定性好的金属层，达到保护背电极的目的，从而在一定程度提高了钙钛矿电池组件的稳定性。但金属都具有扩散性，该金属层中的金属离子会迁移到钙钛矿层中破坏钙钛矿晶格结构，导致依然无法有效解决组件的稳定性问题。另外，现有技术在划刻P3时，激光作用于钙钛矿层，通过钙钛矿层吸收能量来冲破金属背电极层，这样不仅刻蚀了背电极，还一并刻蚀了第二电荷传输层和钙钛矿层，由此导致钙钛矿层在P3凹槽处暴露于空气中，同样不利于钙钛矿电池组件的稳定性。

发明内容

鉴于此，本发明要解决的技术问题在于克服现有的钙钛矿太阳能器件稳定性差的问题，进而提供一种稳定性好的钙钛矿太阳能器件及其制备方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一方面，本发明提供了一种钙钛矿太阳能组件，包括依次层叠设置的透明电极层、第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层和背电极层，所述背电极层具有朝向所述透明电极层延伸的延伸段，所述延伸段的末端靠近所述透明电极层，在所述延伸段与所述钙钛矿层之间设置有隔离层，所述隔离层的材质为透明导电氧化物。隔离层的存在，不仅阻隔了背电极和钙钛矿层，使二者在P2凹槽处不直接接触，还能有效阻隔金属扩散至钙钛矿层中破坏钙钛矿晶格结构，提高了钙钛矿太阳能组件的稳定性。

可选地，所述隔离层还设置在所述背电极层与所述第二电荷传输层之间，以进一步避免背电极中的金属扩散至钙钛矿层中。

可选地，所述隔离层的厚度为10～40nm。

可选地，所述隔离层的材质包括但不限于FTO(氟掺氧化锡)、ITO(铟掺氧化锡)、AZO(铝掺氧化锌)、BZO(硼掺氧化锌)、ATO(铝掺氧化锡)中的任意一种或多种。

可选地，所述延伸段位于所述第二电荷传输层、所述钙钛矿层和所述第一电荷传输层的一侧；或者，所述延伸段贯穿所述第二电荷传输层、所述钙钛矿层和所述第一电荷传输层。

可选地，所述第一电荷传输层为空穴传输层，且所述第二电荷传输层为电子传输层；或者，所述第一电荷传输层为电子传输层，且所述第二电荷传输层为空穴传输层。

可选地，空穴传输层可以是NiO_x(镍氧化物)、MoS、MoO、CuS、CuSCN、PTAA(聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺])、PEDOT(聚3,4-乙烯二氧噻吩)、Spiro-MeOTAD(2,2',7,7'-四(N,N-对甲氧苯胺基)-9,9'-螺二芴)中的任意一种或多种。

可选地，电子传输层可以是SnO₂、TiO₂、WO₃、Nb₂O₅、富勒烯C₆₀、PCBM([6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯，或[6,6]-苯基-C71-丁酸异甲酯)中的任意一种或多种。

可选地，钙钛矿吸光层可以是CsFAPbX₃、CsMAPbX₃、CsFAMAPbX₃、CsPbX₃、MAPbX₃、FAPbX₃中的任意一种或多种，其中X为Cl、Br、I中的任意一种或多种，FA为甲脒，MA为甲胺。

可选地，背电极层可以是FTO(氟掺氧化锡)、ITO(铟掺氧化锡)、AZO(铝掺氧化锌)、BZO(硼掺氧化锌)、ATO(铝掺氧化锡)、Au、Ag、Cu、Al、Cr、碳材料中的一种或多种。

可选地，透明电极层可以是FTO(氟掺氧化锡)、ITO(铟掺氧化锡)、AZO(铝掺氧化锌)、BZO(硼掺氧化锌)、ATO(铝掺氧化锡)中的一种或多种。

可选地，透明电极层设置在基底上，基底和第一电荷传输层分别位于透明电极层的两侧。基底可以是超白玻璃、钢化玻璃、不锈钢板、钛箔、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)中的任意一种或多种。

另一方面，本发明提供了一种钙钛矿太阳能器件，其包括若干个串联的如上所述的钙钛矿太阳能电池组件。

可选地，所述钙钛矿太阳能组件中P3处的钙钛矿层不与空气接触。

第三方面，本发明还提供了一种制备上述钙钛矿太阳能器件的方法，包括如下步骤：

S1、在基底上制备透明电极层，并对所述透明电极层进行P1刻蚀；

S2、在完成P1刻蚀的所述透明电极层上依次制备所述第一电荷传输层、所述钙钛矿层和所述第二电荷传输层，并对所述第一电荷传输层、所述钙钛矿层和所述第二电荷传输层进行P2刻蚀，从而形成若干个凹槽；

S3、在所述第二电荷传输层上以及所述凹槽的表面制备所述隔离层；

S4、在所述隔离层的表面制备所述背电极；

S5、对所述背电极层进行P3刻蚀直至露出所述透明电极层，封装。

可选地，采用磁控溅射法制备透明电极层，厚度为300～500nm。

可选地，采用激光刻蚀法分别进行P1刻蚀、P2刻蚀、P3刻蚀。

可选地，空穴传输层的制备方法可以是化学浴沉积、旋涂、磁控溅射、真空蒸镀、刮涂、狭缝涂布中的任意一种或多种，厚度为10～50nm。

可选地，钙钛矿吸光层的制备方法可以是旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷墨打印、真空蒸镀中的任意一种或多种。

可选地，电子传输层的制备方法可以是化学浴沉积、旋涂、刮涂、喷涂、狭缝涂布、真空蒸镀、电子束蒸发中的任意一种或多种，厚度为20～50nm。

可选地，隔离层的制备方法可以是真空蒸镀、电子束蒸发中的任意一种或两种，厚度为10～40nm。

可选地，背电极层的制备方法可以是蒸镀法、磁控溅射法中的任意一种或两种，厚度为60～100nm。

可选地，步骤S5中，仅对所述背电极层和所述隔离层进行P3刻蚀。这样就不会使钙钛矿层暴露，从而有利于提高器件的稳定性。

可选地，仅对所述背电极层和所述隔离层进行P3刻蚀的工艺条件为:激光器功率0.1～10W，频率0.1～500kHz，速率100～2000mm/s。

可选地，仅对所述背电极层和所述隔离层进行P3刻蚀的工艺条件为:激光器功率1.9W，频率145kHz，速率1000mm/s。

可选地，在步骤S1之前，还包括基底的清洗步骤，具体为，采用清洗剂和去离子水分别对基底进行清洗，而后用压缩空气吹干。

可选地，步骤S5中，在完成P3刻蚀之后，在组件四周贴敷封装胶，背电极层中间铺设封装胶膜，而后覆盖钢化玻璃，进行层压封装。封装胶膜可以是EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛酯)、POE(乙烯-辛烯高聚物)、丁基胶中的任意一种或多种。

现有技术中的钙钛矿太阳能电池组件常用的背电极材料为铜、银、金等导电性好的金属，其中金的稳定性好，但价格昂贵，铜、银价格便宜，但迁移率高并且会与钙钛矿发生反应，影响组件的稳定性。虽然第二电荷传输层会对铜、银的迁移起到阻碍作用，但是在P2刻槽处钙钛矿会直接与金属电极直接接触，这是影响稳定性的一个重要隐患。即便有技术公开了在钙钛矿与金属电极之间设置金属层，可以阻隔钙钛矿与金属电极的直接接触，但却忽略了金属层中的金属也会扩散至钙钛矿层中破坏钙钛矿晶格结构，因此仍无法有效解决组件的稳定性问题。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有如下优点：

1、本发明实施例提供的钙钛矿太阳能组件，采用透明导电氧化物作为背电极层与钙钛矿层之间的隔离层，不仅阻隔了背电极和钙钛矿层，使二者在P2凹槽处不直接接触，还能有效阻隔金属扩散至钙钛矿层中破坏钙钛矿晶格结构，提高了钙钛矿太阳能组件的稳定性。

2、本发明实施例提供的钙钛矿太阳能电池器件，一方面每个组件均采用透明导电氧化物作为背电极层与钙钛矿层之间的隔离层，不仅阻隔了背电极和钙钛矿层，使二者在P2凹槽处不直接接触，还能有效阻隔金属扩散至钙钛矿层中破坏钙钛矿晶格结构；另一方面每个P3处的钙钛矿层均不与空气接触，这样即使器件密封不好，也不会使钙钛矿遭受空气中水氧的侵蚀，从而提高了钙钛矿太阳能电池器件的稳定性。

3、本发明实施例提供的制备钙钛矿太阳能器件的方法，通过引入隔离层，使激光作用于隔离层，让隔离层吸收能量来冲破背电极层，从而达到P3刻蚀的目的，这样仅刻蚀了背电极层和隔离层，而使钙钛矿层不与空气接触，如此一来即使器件密封不好，也不会使钙钛矿遭受空气中水氧的侵蚀，提高了钙钛矿太阳能器件的稳定性。

另外，隔离层的引入可使背电极的制备方法的可选择性更多，在使用磁控溅射制备背电极时，厚度为10～40nm的隔离层不仅可以减少磁控溅射给钙钛矿带来的溅射损伤，还能保证器件的光电转化效率不受影响。

附图说明

图1为本发明的钙钛矿太阳能器件的结构示意图；

其中，1-透明电极层，2-第一电荷传输层，3-钙钛矿层，4-第二电荷传输层，5-背电极层，51-延伸段，6-隔离层。

图2为本发明实施例1-2、对比例1-2的钙钛矿太阳能器件的光老化(光照1000h)稳定性测试效果图。

图3为本发明实施例1-2、对比例1-2的钙钛矿太阳能器件的双85(相对湿度85％，85℃)稳定性测试效果图。

具体实施方式

提供下述实施例是为了更好地进一步理解本发明，并不局限于所述最佳实施方式，不对本发明的内容和保护范围构成限制，任何人在本发明的启示下或是将本发明与其他现有技术的特征进行组合而得出的任何与本发明相同或相近似的产品，均落在本发明的保护范围之内。

实施例中未注明具体实验步骤或条件者，按照本领域内的文献所描述的常规实验步骤的操作或条件即可进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规试剂产品。

如图1所示，本发明提供的钙钛矿太阳能器件包括若干个串联的钙钛矿太阳能组件，每个钙钛矿太阳能组件均包括依次层叠设置的透明电极层1、第一电荷传输层2、钙钛矿层3、第二电荷传输层4和背电极层5，其中，背电极层5具有朝向透明电极层1延伸的延伸段51，延伸段51的末端靠近透明电极层1，在延伸段51与钙钛矿层3之间、以及背电极层5和第二电荷传输层4之间设置有隔离层6，隔离层6的材质为透明导电氧化物，并且钙钛矿层3不与空气接触。一方面每个组件均采用透明导电氧化物例如ITO、FTO等作为背电极层与钙钛矿层在P2凹槽处的隔离层，不仅阻隔了背电极和钙钛矿层，使二者不直接接触，还能有效阻隔金属扩散至钙钛矿层中破坏钙钛矿的晶格结构；另一方面每个组件中的钙钛矿层均不与空气接触，这样即使器件密封不好，也不会使钙钛矿遭受空气中的水氧侵蚀，从而提高了钙钛矿太阳能器件的稳定性。

在一实施例中，延伸段51位于第二电荷传输层4、钙钛矿层3和第一电荷传输层2的一侧。在另一实施例中，延伸段51贯穿第二电荷传输层4、钙钛矿层3和第一电荷传输层2。

在一实施例中，第一电荷传输层2为空穴传输层，且第二电荷传输层4为电子传输层。在另一实施例中，第一电荷传输层2为电子传输层，且第二电荷传输层4为空穴传输层。

作为可选择的实施方式，空穴传输层可以是NiO_x(镍氧化物)、MoS、MoO、CuS、CuSCN、PTAA(聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺])、PEDOT(聚3,4-乙烯二氧噻吩)、Spiro-MeOTAD(2,2',7,7'-四(N,N-对甲氧苯胺基)-9,9'-螺二芴)中的任意一种或多种。电子传输层可以是SnO₂、TiO₂、WO₃、Nb₂O₅、富勒烯C₆₀、PCBM([6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯，或[6,6]-苯基-C71-丁酸异甲酯)中的任意一种或多种。钙钛矿吸光层可以是CsFAPbX₃、CsMAPbX₃、CsFAMAPbX₃、CsPbX₃、MAPbX₃、FAPbX₃中的任意一种或多种，其中X为Cl、Br、I中的任意一种或多种，FA为甲脒，MA为甲胺。背电极层可以是FTO(氟掺氧化锡)、ITO(铟掺氧化锡)、AZO(铝掺氧化锌)、BZO(硼掺氧化锌)、ATO(铝掺氧化锡)、Au、Ag、Cu、Al、Cr、碳材料中的一种或多种。透明电极层可以是FTO(氟掺氧化锡)、ITO(铟掺氧化锡)、AZO(铝掺氧化锌)、BZO(硼掺氧化锌)、ATO(铝掺氧化锡)中的一种或多种。

在一实施例中，每个钙钛矿太阳能组件还包括基底(图1中未示出)，透明电极层1设置在基底上，基底和第一电荷传输层2分别位于透明电极层1的两侧。基底可以是超白玻璃、钢化玻璃、不锈钢板、钛箔、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)中的任意一种或多种。

如图1所示的钙钛矿太阳能器件的制备方法包括如下步骤：

1)采用清洗剂和去离子水分别对基底进行清洗，用压缩空气吹干，然后在基底上磁控溅射制备透明电极层，厚度300～500nm；

2)用激光刻蚀法在制备了透明电极层的基底上进行P1刻蚀，将透明电极层分割成若干子单元；

3)采用磁控溅射在透明电极层上制备第一电荷传输层，厚度10～50nm；

4)在第一电荷传输层上制备钙钛矿层：准确称取钙钛矿前驱体药品，并溶于溶剂中得到前驱液，然后采用刮涂法在第一电荷传输层上制备钙钛矿层；

5)采用蒸镀法在钙钛矿层上制备第二电荷传输层，厚度20～50nm；

6)用激光刻蚀仪对第二电荷传输层进行P2刻蚀，P2刻槽贯穿第二电荷传输层和钙钛矿层和第一电荷传输层，但不伤及透明电极层；

7)用电子束在第二电荷传输层上及P2刻槽的表面制备隔离层，厚度10～40nm；

8)采用蒸镀法在隔离层上制备背电极层，厚度60～100nm；

9)用激光刻蚀仪仅对背电极层和隔离层进行P3刻蚀，不伤及第二传输层；具体工艺条件为：激光器功率0.1～10W，频率0.1～500kHz，速率100～2000mm/s。

10)在组件四周贴敷封装胶，背电极层中间铺设封装胶膜，而后覆盖钢化玻璃，进行层压封装。

封装胶可以是EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛酯)、POE(乙烯-辛烯高聚物)、丁基胶中的任意一种或多种。

在一实施例中，第一电荷传输层为空穴传输层，且第二电荷传输层为电子传输层。在另一实施例中，第一电荷传输层为电子传输层，且第二电荷传输层为空穴传输层。作为可选择的实施方式，空穴传输层的制备方法可以是化学浴沉积、旋涂、磁控溅射、真空蒸镀、刮涂、狭缝涂布中的任意一种或多种，电子传输层的制备方法可以是化学浴沉积、旋涂、刮涂、喷涂、狭缝涂布、真空蒸镀、电子束蒸发中的任意一种或多种。

在另一实施例中，钙钛矿吸光层的制备方法可以是旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷墨打印、真空蒸镀中的任意一种或多种。隔离层的制备方法可以是真空蒸镀、电子束蒸发中的任意一种或两种。背电极层的制备方法可以是蒸镀法、磁控溅射法中的任意一种或两种。

为更好地说明本发明的技术效果，在上述实施方式的基础上提供如下具体实施例。

实施例1

一种钙钛矿太阳能器件的制备方法，包括如下步骤：

1)采用清洗剂和去离子水分别对超白玻璃基底进行清洗，用压缩空气吹干，然后在基底上磁控溅射制备透明电极层ITO，厚度500nm；

2)用激光刻蚀法在制备了ITO的基底上进行P1刻蚀，将ITO分割成若干子单元；

3)采用磁控溅射在ITO上制备空穴传输层，其材质是镍氧化物，厚度20nm；

4)在空穴传输层上制备钙钛矿层：准确称取钙钛矿前驱体药品，并溶于DMF和NMP中得到CsFA前驱液，然后采用刮涂法在空穴传输层上制备钙钛矿层CsFAPbI₃，厚度500nm；

5)采用蒸镀法在钙钛矿层上制备电子传输层，其材质为C₆₀，厚度30nm；

6)用激光刻蚀仪对电子传输层进行P2刻蚀，P2刻槽贯穿电子传输层、钙钛矿层和空穴传输层，但不伤及透明电极层；

7)用电子束在电子传输层上以及P2刻槽的表面制备隔离层ITO，厚度30nm；

8)采用磁控溅射法在隔离层上制备背电极层Cu，厚度80nm；

9)用激光刻蚀仪仅对背电极层和隔离层进行P3刻蚀，不伤及电子传输层；具体工艺条件为：激光器功率为1.9W，频率为145kHz，速率为1000mm/s；

10)在组件四周贴敷封装胶，背电极层中间铺设封装胶膜，而后覆盖钢化玻璃，进行层压封装。

实施例2

除以下内容外，其余内容均与实施例1相同。

P3刻蚀的工艺条件为：激光器功率为3W，频率145kHz，速率1000mm/s。

实施例3

除以下内容外，其余内容均与实施例1相同。

P3刻蚀的工艺条件为：激光器功率为1W，频率300kHz，速率500mm/s。

实施例4

除以下内容外，其余内容均与实施例1相同。

P3刻蚀的工艺条件为：激光器功率为10W，频率50kHz，速率1500mm/s。

对比例1

除以下内容外，其余内容均与实施例1相同。

步骤7)中在电子传输层上以及P2凹槽的表面直接制备背电极层，而省略制备隔离层。

对比例2

除以下内容外，其余内容均与实施例1相同。

隔离层的材质为金属铋。

对比例3

除以下内容外，其余内容均与实施例1相同。

隔离层的厚度为45nm。

在相同的测试条件(光照1000h；相对湿度85％，85℃)下，对实施例1-2、对比例1-2制得的钙钛矿太阳能器件进行稳定性测试，结果如图2、图3所示。

对实施例1、3、4和对比例3进行光电转化效率测试，结果如表1所示。

表1

根据图2、图3和表1可知，本发明的太阳能器件具有更好的稳定性和光电转换效率。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种钙钛矿太阳能组件，包括依次层叠设置的透明电极层(1)、第一电荷传输层(2)、钙钛矿层(3)、第二电荷传输层(4)和背电极层(5)，所述背电极层(5)具有朝向所述透明电极层(1)延伸的延伸段(51)，所述延伸段(51)的末端靠近所述透明电极层(1)，在所述延伸段(51)与所述钙钛矿层(3)之间设置有隔离层(6)；其特征在于，所述隔离层(6)的材质为透明导电氧化物。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述隔离层(6)还设置在所述背电极层(5)与所述第二电荷传输层(4)之间。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述隔离层(6)的厚度为10～40nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述隔离层(6)的材质包括但不限于氟掺氧化锡、铟掺氧化锡、铝掺氧化锌、硼掺氧化锌、铝掺氧化锡中的任意一种或多种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的钙钛矿太阳能组件，其特征在于，所述延伸段(51)位于所述第二电荷传输层(4)、所述钙钛矿层(3)和所述第一电荷传输层(2)的一侧，或者，所述延伸段(51)贯穿所述第二电荷传输层(4)、所述钙钛矿层(3)和所述第一电荷传输层(2)。

6.一种钙钛矿太阳能器件，其特征在于，包括若干个串联的如权利要求1-5任一项所述的钙钛矿太阳能组件。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能器件，其特征在于，每个所述钙钛矿太阳能组件中的钙钛矿层(3)均不与空气接触。

8.一种制备权利要求6所述的钙钛矿太阳能器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基底上制备透明电极层(1)，并对所述透明电极层(1)进行P1刻蚀；

S2、在完成P1刻蚀的所述透明电极层(1)上依次制备所述第一电荷传输层(2)、所述钙钛矿层(3)和所述第二电荷传输层(4)，并对所述第一电荷传输层(2)、所述钙钛矿层(3)和所述第二电荷传输层(4)进行P2刻蚀，从而形成若干个凹槽；

S3、在所述第二电荷传输层(4)上以及所述凹槽的表面制备所述隔离层(6)；

S4、在所述隔离层(6)的表面制备所述背电极层(5)；

S5、对所述背电极层(5)进行P3刻蚀直至露出所述透明电极层(1)，封装。

9.根据权利要求8所述的制备钙钛矿太阳能器件的方法，其特征在于，步骤S5中，仅对所述背电极层(5)和所述隔离层(6)进行P3刻蚀。

10.根据权利要求9所述的制备钙钛矿太阳能器件的方法，其特征在于，P3刻蚀的工艺条件为：激光器功率为0.1～10W，频率0.1～500kHz，速率100～2000mm/s。

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