CN220155530U - 一种半导体器件散热封装结构 - Google Patents
一种半导体器件散热封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220155530U CN220155530U CN202321638221.2U CN202321638221U CN220155530U CN 220155530 U CN220155530 U CN 220155530U CN 202321638221 U CN202321638221 U CN 202321638221U CN 220155530 U CN220155530 U CN 220155530U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor device
- heat dissipation
- pin
- heat
- base member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种半导体器件散热封装结构,其包括:半导体器件、绝缘封装基体、第一引脚和第二引脚,所述半导体器件设置在绝缘封装基体中,所述第一引脚设置在半导体器件的顶部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体左侧下方,所述第二引脚设置在半导体器件的底部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体右侧下方,所述绝缘封装基体左侧内凹设置有第一散热槽,所述第一引脚上设置有延伸至第一散热槽中的第一导热片,所述第一导热片末端弯折设置有覆盖第一散热槽内端面的第一散热片。本实用新型所述的半导体器件散热封装结构,提升了散热效果,确保了使用安全性。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件领域,尤其涉及一种半导体器件散热封装结构。
背景技术
部分半导体器件在工作过程中会产生热量,比如肖特基二极管,为了确保半导体器件的工作稳定性,需要进行散热。
现有技术中,多采用封装材料进行半导体器件的绝缘保护,但是封装材料的导热效果通常并不好,不利于半导体器件的散热。为了提升散热效果,可以在封装材料上安装金属的散热片,但是金属的散热片会导电,影响了使用的安全性,增加了封装成本,需要进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体器件散热封装结构,提升散热效果和使用安全性,控制生产的成本。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种半导体器件散热封装结构,包括:半导体器件、绝缘封装基体、第一引脚和第二引脚,所述半导体器件设置在绝缘封装基体中,所述第一引脚设置在半导体器件的顶部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体左侧下方,所述第二引脚设置在半导体器件的底部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体右侧下方,所述绝缘封装基体左侧内凹设置有第一散热槽,所述第一引脚上设置有延伸至第一散热槽中的第一导热片,所述第一导热片末端弯折设置有覆盖第一散热槽内端面的第一散热片。
其中,所述半导体器件采用肖特基二极管。
其中,所述绝缘封装基体右侧内凹设置有第二散热槽,所述第二引脚上设置有延伸至第二散热槽中的第二导热片,所述第二导热片末端弯折设置有覆盖第二散热槽内端面的第二散热片。
其中,所述第二引脚、第二导热片和第二散热片采用一体化导电结构。
其中,所述第一散热片上设置有第一定位孔,所述第二散热片上设置有第二定位孔。
其中,所述第一引脚、第一导热片和第一散热片采用一体化导电结构。
其中,所述半导体器件的顶部设置有固定第一引脚的第一导电胶,所述半导体器件的底部设置有固定第二引脚的第二导电胶。
本实用新型的有益效果:一种半导体器件散热封装结构,特别设计了第一散热槽和第二散热槽,并通过在第一引脚上引出的第一导热片和第一散热片以及在第二引脚上引出的第二导热片和第二散热片进行导热和散热的加强,而且第一散热片和第二散热片位于第一散热槽和第二散热槽中,既增加了第一散热片及第二散热片与空气的接触进行散热,又确保了隐秘性和安全性,而且第一导热片、第一散热片、第二导热片和第二散热片是在第一引脚和第二引脚上进行的改造,成本得到了控制。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是图1中第一引脚、第一导热片和第一散热片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合图1至图2并通过具体实施例来进一步说明本实用新型的技术方案。
如图1所示的半导体器件散热封装结构,包括:半导体器件2、绝缘封装基体1、第一引脚5和第二引脚4,所述半导体器件2设置在绝缘封装基体1中,进行绝缘防护。在本实施例中,所述半导体器件2采用肖特基二极管,需要进行散热的加强。
将所述第一引脚5设置在半导体器件2的顶部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体1左侧下方,在本实施例中,所述半导体器件2的顶部设置有固定第一引脚5的第一导电胶3,进行第一引脚5在半导体器件2上的固定,结构稳定,方便后续绝缘封装基体1的注塑成型。
在本实施例中,所述绝缘封装基体1左侧内凹设置有第一散热槽11,隐秘性好,所述第一引脚5上设置有延伸至第一散热槽11中的第一导热片51,所述第一导热片51末端弯折设置有覆盖第一散热槽11内端面的第一散热片52,第一散热槽11使得外部空气与第一散热片52接触进行散热,提升了散热效果,确保了使用的安全性。
将所述第二引脚4设置在半导体器件2的底部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体1右侧下方,在本实施例中,所述半导体器件2的底部设置有固定第二引脚4的第二导电胶6,结构稳定。
如图1所示,为了进一步提升散热效果,在所述绝缘封装基体1右侧内凹设置有第二散热槽12,所述第二引脚4上设置有延伸至第二散热槽12中的第二导热片41,所述第二导热片41末端弯折设置有覆盖第二散热槽12内端面的第二散热片42,通过第二散热片42与外部的空气接触,提升了散热效果,并确保了安全性。
如图2所示,所述第一引脚5、第一导热片51和第一散热片52采用一体化导电结构,在本实施例中,所述第二引脚4、第二导热片41和第二散热片42采用一体化导电结构,通过金属片冲压弯折成型,结构稳定,而且生产便利,降低了生产的成本。
在本实施例中,所述第一散热片52上设置有第一定位孔53,所述第二散热片42上设置有第二定位孔43,通过第一定位孔53和第二定位孔43与绝缘封装基体1注塑模具中的定位销配合,进行第一散热片52和第二散热片42的定位,从而实现了半导体器件2、第一引脚5和第二引脚4在绝缘封装基体1注塑模具中的定位,提升了绝缘封装基体1注塑成型的精度。
以上内容仅为本实用新型的较佳实施例,对于本领域的普通技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (7)
1.一种半导体器件散热封装结构,其特征在于,包括:半导体器件、绝缘封装基体、第一引脚和第二引脚,所述半导体器件设置在绝缘封装基体中,所述第一引脚设置在半导体器件的顶部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体左侧下方,所述第二引脚设置在半导体器件的底部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体右侧下方,所述绝缘封装基体左侧内凹设置有第一散热槽,所述第一引脚上设置有延伸至第一散热槽中的第一导热片,所述第一导热片末端弯折设置有覆盖第一散热槽内端面的第一散热片。
2.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述半导体器件采用肖特基二极管。
3.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述绝缘封装基体右侧内凹设置有第二散热槽,所述第二引脚上设置有延伸至第二散热槽中的第二导热片,所述第二导热片末端弯折设置有覆盖第二散热槽内端面的第二散热片。
4.根据权利要求3所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述第二引脚、第二导热片和第二散热片采用一体化导电结构。
5.根据权利要求3所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述第一散热片上设置有第一定位孔,所述第二散热片上设置有第二定位孔。
6.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述第一引脚、第一导热片和第一散热片采用一体化导电结构。
7.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述半导体器件的顶部设置有固定第一引脚的第一导电胶,所述半导体器件的底部设置有固定第二引脚的第二导电胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321638221.2U CN220155530U (zh) | 2023-06-27 | 2023-06-27 | 一种半导体器件散热封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321638221.2U CN220155530U (zh) | 2023-06-27 | 2023-06-27 | 一种半导体器件散热封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220155530U true CN220155530U (zh) | 2023-12-08 |
Family
ID=89014272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321638221.2U Active CN220155530U (zh) | 2023-06-27 | 2023-06-27 | 一种半导体器件散热封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220155530U (zh) |
-
2023
- 2023-06-27 CN CN202321638221.2U patent/CN220155530U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105633258B (zh) | Led模块 | |
US7087937B2 (en) | Light emitting diode (LED) packaging | |
KR101443980B1 (ko) | 접속핀 및 이를 갖는 전력 모듈 패키지 | |
US9666557B2 (en) | Small footprint semiconductor package | |
CN209183534U (zh) | 一种易于组装的散热型二极管封装结构 | |
CN110854096A (zh) | 一种新型封装的分立器件 | |
CN220155530U (zh) | 一种半导体器件散热封装结构 | |
CN219435850U (zh) | Mosfet芯片封装结构 | |
US9099451B2 (en) | Power module package and method of manufacturing the same | |
CN103972372A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN210224030U (zh) | 内置ic的led结构 | |
CN201434352Y (zh) | 发光二极管封装结构及应用该结构的灯条 | |
CN207637783U (zh) | 一种高功率半导体封装用基板及半导体封装结构 | |
CN216054669U (zh) | 一种便于散热的氮化镓功率器件 | |
KR101022113B1 (ko) | 고효율 파워 엘이디 모듈 및 제조 방법 | |
CN218896627U (zh) | 一种sbd器件封装散热结构 | |
CN110473849B (zh) | 一种导热稳固型贴片式二极管 | |
CN210897260U (zh) | 新型封装的分立器件 | |
CN219959039U (zh) | 一种提高基于cob封装的大功率led芯片散热的装置 | |
CN108364943B (zh) | 一种电力转换电路的封装模块 | |
CN212322983U (zh) | 一种散热的贴片二极管 | |
CN213212151U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
CN212587482U (zh) | 一种顶部散热半导体产品及电子产品 | |
CN210073826U (zh) | 一种可靠性高的氮化镓功率器件 | |
CN210984717U (zh) | 散热封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |