CN219915499U - 一种用于轨底探伤的集成探头及探头组合系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于轨底探伤的集成探头,包括:外壳内具有放置室,放置室内顶部设有阻尼块,阻尼块的下表面为倾斜面,阻尼块的顶部设有安装槽,外壳的宽度不大于轨底的上坡面或下坡面的宽度;横向设置于阻尼块下表面的至少两个晶片,相邻晶片中轴线之间的夹角范围为0‑45°;延迟块设置于放置室内,延迟块覆盖固定于晶片的下表面;连接头安装于外壳外表面,连接头通过探头线连接外部电源;电源适配器设置于安装槽内,电源适配器通过导线连接探头线。本申请的集成探头中至少设有两个晶片提高轨底探伤的范围,增加轨底探伤的效率,集成探头外壳的不大于轨底的上坡面或下坡面的宽度,用于保证集成探头能够与轨底的上坡面或下坡面实现耦合。
Description
技术领域
本实用新型属于轨底探伤技术设备领域,具体涉及一种用于轨底探伤的集成探头及探头组合系统。
背景技术
现如今,随着公用交通的发展,中国的铁路运营里程逐年快速增加,为了保证火车运行的安全稳定,需要对于铁轨的焊接处进行定期的探伤检测,焊缝轨底的探伤检查是焊缝检查的重要组成部分。
现有技术采用的是将单晶片探头放置于轨底的上坡面或下坡面移动到焊缝处进行扫查,由于单晶片探头的扫描区域有限,需要将单晶探头放置于上坡面或下坡面的不同区域进行多次扫查,并且轨底还有弧面,将单晶探头放置于弧面上不能耦合,不能进行扫查,为获取弧面的轨底信息需要将单晶探头倾斜放置进行扫查,完成一个轨底焊缝的探伤扫查需要的时间多,效率低,对于当前火车运输多,间隔时间短的情况,使得实际的工作带来的巨大的难度。
为解决上述问题本申请提供一种用于轨底探伤的集成探头及探头组合系统。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型提供一种用于轨底探伤的集成探头及探头组合系统。
一种用于轨底探伤的集成探头,包括:
外壳,所述外壳内具有放置室,所述放置室内顶部设有阻尼块,所述阻尼块的下表面为倾斜面,所述阻尼块的顶部设有安装槽,所述外壳的宽度不大于轨底的上坡面或下坡面的宽度;
横向设置于所述阻尼块下表面的至少两个晶片,每一所述晶片固定安装于所述阻尼块的下表面,相邻所述晶片中轴线之间的夹角范围为0-45°;
延迟块,所述延迟块设置于所述放置室内,所述延迟块覆盖固定于所述晶片的下表面上;
保护膜,所述保护膜盖设于所述外壳底部;
连接头,所述连接安装于所述外壳外表面,所述连接头通过探头线连接外部电源;
电源适配器,所述电源适配器设置于所述安装槽内,所述电源适配器通过导线连接所述探头线。
在上述方案基础上并且作为上述方案的优选方案,所述晶片的个数为两个,相邻所述晶片中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。
在上述方案基础上并且作为上述方案的优选方案,所述晶片的个数为三个,相邻所述晶片中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。
在上述方案基础上并且作为上述方案的优选方案,两侧两个晶片处于同一倾斜角度,中间晶片中轴线与左侧相邻晶片中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。
在上述方案基础上并且作为上述方案的优选方案,所述连接头位于所述外壳顶部的中间部位。
一种用于轨底探伤的探头组合系统,包括设置于轨底上表面探头组合,用于实现对于轨底探伤进行一次全扫。
在上述方案基础上并且作为上述方案的优选方案,所述探头组合包括第一纵向排列组合和第二纵向排列组合,所述第一纵向排列组合包括纵向排列的第一集成探头和第二集成探头,所述第一集成探头放置于上坡面,所述第一集成探头具有三个晶片,所述第二集成探头放置于下坡面,所述第二集成探头具有两个晶片,所述第二纵向排列组合包括纵向排列的第三集成探头和第四集成探头,所述第三集成探头放置于上坡面,所述第三集成探头具有三个晶片,所述第四集成探头放置于下坡面。所述第四集成探头具有两个晶片。
在上述方案基础上并且作为上述方案的优选方案,所述第一集成探头中左侧晶片的中轴线与中间晶片中轴线之间的夹角为10°,所述第二集成探头中左侧晶片的中轴线与右侧晶片的中轴线之间的夹角为10°,所述第三探头中右侧晶片的中轴线与中间晶片的中轴线之间的夹角为10°,所述第四集成探头中右侧晶片的中轴线与左侧晶片的中轴线之间的夹角为10。
本实用新型由于采用以上技术方案,使之与现有技术相比,具有以下的优点和积极效果:
本申请的集成探头中至少设有两个晶片提高轨底探伤的范围,增加轨底探伤的效率,集成探头外壳的不大于轨底的上坡面或下坡面的宽度,用于保证集成探头能够与轨底的上坡面或下坡面实现耦合,以便获取精确的探伤数据,本申请的探头在实际的使用中能够快速高效的进行轨底探伤扫查,提高了人员的工作效率,降低工作人员的工作压力。
附图说明
结合附图,通过下文的述详细说明,可更清楚地理解本实用新型的上述及其他特征和优点,其中:
图1为本申请剖视图示意图;
图2为实施例一仰视图示意图;
图3为实施例二剖视图示意图;
图4为实施例二仰视图示意图;
图5为实施例三探头组合示意图;
图6为本申请轨底示意图。
图中:1、阻尼块;2、电源适配器;3、连接头;4、外壳;41、放置室;5、吸收块;6、探头线;7、延迟块;8、晶片;9、安装槽;10、第一集成探头;20、第二集成探头;30、第三集成探头;40、第四集成探头;51、上坡面;52、下坡面。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型而简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本实用新型的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体式连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例一:
参见图1所示,一种用于轨底探伤的集成探头,包括:外壳4,外壳4内具有放置室41,放置室41内顶部设有阻尼块1,阻尼块1的下表面为倾斜面,阻尼块1的顶部设有安装槽9,外壳4的宽度不大于轨底的上坡面51或下坡面52的宽度;横向设置于阻尼块下表面的至少两个晶8片,每一晶片8固定安装于阻尼块的下表面,相邻晶片中轴线之间的夹角范围为0-45°;延迟块7,延迟块设置于放置室内,延迟块覆盖固定于晶片8的下表面上;保护膜,保护膜盖设于外壳底部;连接头3,连接头3安装于外壳4外表面,连接头3通过探头线连接外部电源;电源适配器2,电源适配器2设置于安装槽9内,电源适配器2通过导线连接探头线6。值得一说的是,本申请中的连接头3位于外壳4顶部的中间部位,且本申请中延迟块7具有设置于阻尼块1与放置室41内壁之间的吸收块5,本申请中的吸收块与阻尼块的为一体结构,实际使用中,能够吸收多余的超声波,以及使震动的晶片快速恢复稳定状态,保证轨底探伤数据的精准性。
本申请的集成探头中至少设有两个晶片8提高轨底探伤的范围,增加轨底探伤的效率,集成探头外壳4的不大于轨底的上坡面51或下坡面52的宽度,用于保证集成探头能够与轨底的上坡面51或下坡面52实现耦合,以便获取精确的探伤数据。
实际使用过程中,在进行轨底探伤过程中,本申请的集成探头纵向放置于轨底的上坡面51或下坡面52,本申请中外壳4的宽度不大于上坡面51或下坡面52的宽度,集成探头内的晶片8纵向排列在上坡面51或下坡面52上,进行轨底探伤的过程中,集成探头沿着轨底延伸方向进行横向移动,具体为远离焊缝向靠近方向进行移动,本申请的集成探头内具有至少两个晶片8,且相邻晶片8的中轴线之间具有0-45°夹角,可根据实际的需求,设置所需的夹角保证集成探头进行轨底扫查的区域,提高实际轨底探伤的扫查效率。
参见图1和图2所示,本申请的一种具体示例,本实施例中晶片8的个数为两个,相邻晶片8中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。实际使用中,根据需要选择合适夹角晶片8的集成探头进行使用,本申请的集成探头的种类多,根据实际需求选择对应夹角的集成探头。仍需进行说明的是,本实施例中任意一晶片8的中轴线与水平线的垂线之间的夹角为0-45°,根据实际使用进行自行进行设置,增加实际使用的适用范围。其他实施例中,相邻晶片8之间角度修改的技术方案均在本申请的保护范围之内。
实施例二:
参见图3和图4所示,本实施例与实施例的区别在于本实施例与实施例一的区别在于,本实施例中晶片8的个数为三个,相邻晶片8中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。具体地,本实施例中,两侧两个晶片8处于同一倾斜角度,中间晶片中轴线与左侧相邻晶片8中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。值得一说的是,本实施例的集成探头中每一个晶片8的中轴线与水平线的垂线之间的夹角为0-45°,根据实际使用进行自行进行设置,增加实际使用的适用范围。其他实施例中,相邻晶片8之间角度修改的技术方案均在本申请的保护范围之内。
实施例三:
一种用于轨底探伤的探头组合系统,包括实施例一与实施例二中的集成探头,包括设置于轨底上表面探头组合,用于实现对于轨底探伤进行一次全扫。
参见图5和图6所示,本实施例的具体示例,探头组合包括第一纵向排列组合和第二纵向排列组合,第一纵向排列组合包括纵向排列的第一集成探头10和第二集成探头20,第一集成探头10放置于上坡面51,第一集成探头10具有三个晶片8,第二集成探头20放置于下坡面51,第二集成探头20具有两个晶片8,第二纵向排列组合包括纵向排列的第三集成探头30和第四集成探头40,第三集成探头30放置于上坡面51,第三集成探头30具有三个晶片8,第四集成探头40放置于下坡面52,第四集成探,40具有两个晶片8。需要说明的是,第一集成探头与第三集成探头内的晶片是纵向排列在轨底的上坡面上,第二集成探头与第四集成探头内的晶片纵向排列在轨底的下坡面上,实际使用中第一集成探头、第二集成探头、第三集成探头与第四集成探头横向移动,即沿着轨道延伸的方向从原理轨底焊缝的位置向靠近轨底焊缝的位置进行移动。本实施例的探头组和系统能够使得实际焊缝轨底的探伤扫查能够一次快速,准确的完成,进一步地提高了工作效率。
参见图3所示,本实施例的具体示例,第一集成探头10中左侧晶片的中轴线与中间晶片中轴线之间的夹角为10°,第二集成探头20中左侧晶片的中轴线与右侧晶片的中轴线之间的夹角为10°,第三探头中右侧晶片的中轴线与中间晶片的中轴线之间的夹角为10°,第四集成探头40中右侧晶片的中轴线与左侧晶片的中轴线之间的夹角为10。需要说明的是,本申请中的探头组合不限制集成探头的组合方式,以及每个集成探头相邻晶片8之间的夹角不做限定。其他实施例中,相邻晶片8之间角度修改的技术方案均在本申请的保护范围之内。
本技术领域的技术人员应理解,本实用新型可以以许多其他具体形式实现而不脱离其本身的精神或范围。尽管已描述了本实用新型的实施案例,应理解本实用新型不应限制为这些实施例,本技术领域的技术人员可如所附权利要求书界定的本实用新型的精神和范围之内作出变化和修改。
Claims (8)
1.一种用于轨底探伤的集成探头,其特征在于,包括:
外壳,所述外壳内具有放置室,所述放置室内顶部设有阻尼块,所述阻尼块的下表面为倾斜面,所述阻尼块的顶部设有安装槽,所述外壳的宽度不大于轨底的上坡面或下坡面的宽度;
横向设置于所述阻尼块下表面的至少两个晶片,每一所述晶片固定安装于所述阻尼块的下表面,相邻所述晶片中轴线之间的夹角范围为0-45°;
延迟块,所述延迟块设置于所述放置室内,所述延迟块覆盖固定于所述晶片的下表面;
保护膜,所述保护膜盖设于所述外壳底部;
连接头,所述连接头安装于所述外壳外表面,所述连接头通过探头线连接外部电源;
电源适配器,所述电源适配器设置于所述安装槽内,所述电源适配器通过导线连接所述探头线。
2.根据权利要求1所述的一种用于轨底探伤的集成探头,其特征在于,所述晶片的个数为两个,相邻所述晶片中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。
3.根据权利要求1所述的一种用于轨底探伤的集成探头,其特征在于,所述晶片的个数为三个,相邻所述晶片中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。
4.根据权利要求3所述的一种用于轨底探伤的集成探头,其特征在于,两侧两个晶片处于同一倾斜角度,中间晶片中轴线与左侧相邻晶片中轴线之间的夹角为5°、8°、10°、13°、15°或25°。
5.根据权利要求1所述的一种用于轨底探伤的集成探头,其特征在于,所述连接头位于所述外壳顶部的中间部位。
6.一种采用如权利要求1-5任意一项所述的用于轨底探伤的集成探头的用于轨底探伤的探头组合系统,其特征在于,包括设置于轨底上表面探头组合,所述探头组合包括第一纵向排列组合和第二纵向排列组合,每个所述纵向排列组合包括若干所述集成探头,用于实现所述集成探头与轨底的上下坡面耦合以及对于轨底探伤进行一次全扫。
7.根据权利要求6所述的一种用于轨底探伤的探头组合系统,其特征在于,所述探头组合包括第一纵向排列组合和第二纵向排列组合,所述第一纵向排列组合包括纵向排列的第一集成探头和第二集成探头,所述第一集成探头放置于上坡面,所述第一集成探头具有三个晶片,所述第二集成探头放置于下坡面,所述第二集成探头具有两个晶片,所述第二纵向排列组合包括纵向排列的第三集成探头和第四集成探头,所述第三集成探头放置于上坡面,所述第三集成探头具有三个晶片,所述第四集成探头放置于下坡面,所述第四集成探头具有两个晶片。
8.根据权利要求7所述的一种用于轨底探伤的探头组合系统,其特征在于,所述第一集成探头中左侧晶片的中轴线与中间晶片中轴线之间的夹角为10°,所述第二集成探头中左侧晶片的中轴线与右侧晶片的中轴线之间的夹角为10°,所述第三集成探头中右侧晶片的中轴线与中间晶片的中轴线之间的夹角为10°,所述第四集成探头中右侧晶片的中轴线与左侧晶片的中轴线之间的夹角为10。
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