CN219893484U - 一种led的恒流驱动芯片及恒流驱动电路 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种LED的恒流驱动芯片及恒流驱动电路，恒流驱动芯片包括备用MOS管，比较器和开关模块。通过开关模块实现恒流驱动芯片工作在有外接MOS管和未连接外接MOS管下，不同工作模式的切换。其中，在恒流驱动芯片工作在有外接MOS管的情况下，比较器的输出端连接外接MOS管的栅极，控制外接MOS管的工作状态，实现恒流效果。在恒流驱动芯片工作在未连接外接MOS管的情况下，比较器的输出端连接至恒流驱动芯片内置的备用MOS管的栅极，控制备用MOS管的工作状态，实现恒流效果。因此，本实施例提供了一种线性恒流芯片，能够支持内置MOS管的方案，也能够支持外置MOS的方案。

Description

一种LED的恒流驱动芯片及恒流驱动电路

技术领域

本申请涉及LED驱动技术领域，具体而言，涉及一种LED的恒流驱动芯片及恒流驱动电路。

背景技术

目前线性照明芯片，要么只支持内置MOS管，不支持外置MOS管应用。如Allegro的A6260。要么只支持外置MOS管，不支持内置MOS管应用。如Rohm的BD18340。内置MOS管方案，占用PCB的空间小，但是散热问题难以解决。外置MOS管方案，散热问题容易解决，但是占用很大的PCB空间。

目前照明芯片，大量采用了线性恒流方案。采用了内置MOS的线性恒流芯片，那么散热将会成为一个大问题。采用外置MOS的芯片，将占用大量的PCB空间。

因此，在小电流应用的时候，例如LED负载电流小于150mA，多采用内置MOS管的线性照明芯片。而，在大电流应用的时候，例如LED负载电流大于150mA，多采用外置MOS管的线性照明芯片。同时，由于车规芯片产品的认证费用高昂，如果一个线性芯片既能够支持内置MOS管的方案，也能够支持外置MOS管的方案，将能够节省大量车规认证费用。

然而，现有技术的线性恒流芯片不能同时支持内置MOS管的方案和外置MOS管的方案。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种LED的恒流驱动芯片及恒流驱动电路，用以解决现有技术的线性恒流芯片不能同时支持内置MOS管的方案和外置MOS管的方案的问题。

本申请实施例提供的一种LED的恒流驱动芯片，恒流驱动芯片用于连接LED负载和采样电阻；

恒流驱动芯片包括：备用MOS管，比较器和开关模块；备用MOS管、比较器分别与开关模块连接；

开关模块用于：

在LED负载与采样电阻之间连接有外接MOS管的情况下，将比较器的输出端连接至外接MOS管的栅极；

在LED负载与采样电阻之间未连接外接MOS管的情况下，将比较器的输出端连接至备用MOS管的栅极，将LED负载的输出端连接至备用MOS管的漏极，将备用MOS管的源极连接采样电阻。

上述技术方案中，恒流驱动芯片包括备用MOS管，比较器和开关模块。通过开关模块实现恒流驱动芯片工作在有外接MOS管和未连接外接MOS管下，不同工作模式的切换。其中，在恒流驱动芯片工作在有外接MOS管的情况下，比较器的输出端连接外接MOS管的栅极，控制外接MOS管的工作状态，实现恒流效果。在恒流驱动芯片工作在未连接外接MOS管的情况下，比较器的输出端连接至恒流驱动芯片内置的备用MOS管的栅极，控制备用MOS管的工作状态，实现恒流效果。因此，本实施例提供了一种线性恒流芯片，能够支持内置MOS管的方案，也能够支持外置MOS的方案。

在一些可选的实施方式中，开关模块包括第二NMOS管和第三PMOS管；

第二NMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极连接，第二NMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接，第二NMOS管的漏极还连接比较器的输出端，第二NMOS管的源极连接备用MOS管的栅极，第三PMOS管的漏极连接备用MOS管的漏极，第二NMOS管的源极还通过第三电阻连接备用MOS管的源极，备用MOS管的源极还连接比较器的负输入端。

上述技术方案中，开关模块包括第二NMOS管和第三PMOS管，向第二NMOS管和第三PMOS管的栅极输入高电平，使第二NMOS管导通，第三PMOS管关闭，比较器的输出端通过第二NMOS管连接至备用MOS管的栅极，控制备用MOS管的工作状态，从而实现恒流效果。向第二NMOS管和第三PMOS管的栅极输入低电平，使第二NMOS管关闭，第三PMOS管导通，比较器的输出端通过第三PMOS管连接至外接MOS管的栅极，控制外接MOS管的工作状态，从而实现恒流效果。

在一些可选的实施方式中，比较器的第一输入端连接电压源的正端，比较器的第二输入端连接采样电阻的第一端，比较器的输出端用于连接外接MOS管的栅极或备用MOS管的栅极。

上述技术方案中，比较器的第一输入端输入设定电压V1，比较器的第二输入端输入采样电阻的采样电压，当采样电压小于设定电压V1时，比较器输出高电平，控制外接MOS管或备用MOS管导通；当采样电压大于设定电压V1时，比较器输出低电平，控制外接MOS管或备用MOS管关闭。

在一些可选的实施方式中，第二NMOS管的栅极还连接到恒流驱动芯片的模式切换引脚，恒流驱动芯片的模式切换引脚通过第二电阻后接地；

备用MOS管的漏极还连接到恒流驱动芯片的OUT引脚，比较器的第二输入端还连接到恒流驱动芯片的ISET引脚。

上述技术方案中，恒流驱动芯片具有模式切换引脚、OUT引脚和ISET引脚，其中，模式切换引脚用于设置恒流驱动芯片是工作在内置MOS管对应的工作模式，还是工作在外置MOS管对应的工作模式；OUT引脚和ISET引脚用于与芯片外电路进行连接。

在一些可选的实施方式中，LED负载与采样电阻之间连接有外接MOS管；

LED负载的输入端连接电源正端，LED负载的输出端连接外接MOS管的漏极，外接MOS管的源极连接采样电阻的第一端，采样电阻的第二端连接电源负端。

在一些可选的实施方式中，恒流驱动芯片的模式切换引脚用于输入低电平信号；低电平信号传输至第三PMOS管的栅极，第三PMOS管导通；低电平信号传输至第二NMOS管的栅极，第二NMOS管关闭，备用MOS管关闭；

比较器的输出端通过第三PMOS管连接至外接MOS管的栅极。

在一些可选的实施方式中，LED负载与采样电阻之间未连接有外接MOS管；

LED负载的输入端连接电源正端，LED负载的输出端连接恒流驱动芯片的OUT引脚，恒流驱动芯片的ISET引脚连接采样电阻的第一端，采样电阻的第二端连接电源负端。

在一些可选的实施方式中，包括：

恒流驱动芯片的模式切换引脚用于输入高电平信号；高电平信号传输至第三PMOS管的栅极，第三PMOS管关闭；高电平信号传输至第二NMOS管的栅极，第二NMOS管导通；

比较器的输出端通过第二NMOS管连接至外接MOS管的栅极。

在一些可选的实施方式中，备用MOS管和外接MOS管均为NMOS管。

本申请实施例提供的一种LED的恒流驱动电路，包括：恒流驱动芯片和采样电阻；LED负载的输入端连接电源正端，采样电阻的第二端连接电源负端；

LED负载的输出端连接恒流驱动芯片的OUT引脚，恒流驱动芯片的ISET引脚连接采样电阻的第一端；或，LED负载的输出端连接外接MOS管的漏极，外接MOS管的源极连接采样电阻的第一端；

恒流驱动芯片包括备用MOS管，比较器和开关模块；备用MOS管、比较器分别与开关模块连接；

开关模块用于：

在LED负载与采样电阻之间连接有外接MOS管的情况下，将比较器的输出端连接至外接MOS管的栅极；

在LED负载与采样电阻之间未连接外接MOS管的情况下，将比较器的输出端连接至备用MOS管的栅极，将LED负载的输出端连接至备用MOS管的漏极，将备用MOS管的源极连接采样电阻。

上述技术方案中，恒流驱动电路中的恒流驱动芯片包括备用MOS管，比较器和开关模块。通过开关模块实现恒流驱动芯片工作在有外接MOS管和未连接外接MOS管下，不同工作模式的切换。其中，在恒流驱动芯片工作在有外接MOS管的情况下，比较器的输出端连接外接MOS管的栅极，控制外接MOS管的工作状态，实现恒流效果。在恒流驱动芯片工作在未连接外接MOS管的情况下，比较器的输出端连接至恒流驱动芯片内置的备用MOS管的栅极，控制备用MOS管的工作状态，实现恒流效果。因此，本实施例通过同时支持内置MOS管和外置MOS管方案的恒流驱动芯片，能够实现恒流驱动电路在内置MOS管方案和外置MOS管方案的切换。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的恒流驱动芯片的功能模块图；

图2为本申请实施例提供的恒流驱动芯片应用于外置MOS时的电路结构图；

图3为本申请实施例提供的恒流驱动芯片应用于内置MOS时的电路结构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

本申请实施例提供的一种LED的恒流驱动芯片，恒流驱动芯片用于连接LED负载D5～D6和采样电阻R1。

请参照图1，图1为本申请实施例提供的恒流驱动芯片的功能模块图，具体包括：备用MOS管M1，比较器U1和开关模块；备用MOS管M1、比较器U1分别与开关模块连接。其中，开关模块用于：在LED负载D5～D6与采样电阻R1之间连接有外接MOS管M4的情况下，将比较器U1的输出端连接至外接MOS管M4的栅极；在LED负载D5～D6与采样电阻R1之间未连接外接MOS管M4的情况下，将比较器U1的输出端连接至备用MOS管M1的栅极，将LED负载D5～D6的输出端连接至备用MOS管M1的漏极，将备用MOS管M1的源极连接采样电阻R1。

本申请实施例中，恒流驱动芯片包括备用MOS管M1，比较器U1和开关模块。通过开关模块实现恒流驱动芯片工作在有外接MOS管M4和未连接外接MOS管M4下，不同工作模式的切换。其中，在恒流驱动芯片工作在有外接MOS管M4的情况下，比较器U1的输出端连接外接MOS管M4的栅极，控制外接MOS管M4的工作状态，实现恒流效果。在恒流驱动芯片工作在未连接外接MOS管M4的情况下，比较器U1的输出端连接至恒流驱动芯片内置的备用MOS管M1的栅极，控制备用MOS管M1的工作状态，实现恒流效果。因此，本实施例提供了一种线性恒流芯片，能够支持内置MOS管的方案，也能够支持外置MOS的方案。

本申请的以下一个或多个实施例中，备用MOS管M1和外接MOS管M4均为NMOS管。

请参照图2，图2为本申请实施例提供的恒流驱动芯片应用于外置MOS时的电路结构图。

具体地，开关模块包括第二NMOS管M2和第三PMOS管M3。其中，第二NMOS管M2的栅极与第三PMOS管M3的栅极连接，第二NMOS管M2的漏极与第三PMOS管M3的源极连接，第二NMOS管M2的漏极还连接比较器U1的输出端，第二NMOS管M2的源极连接备用MOS管M1的栅极，第三PMOS管M3的漏极连接备用MOS管M1的漏极，第二NMOS管M2的源极还通过第三电阻R3连接备用MOS管M1的源极，备用MOS管M1的源极还连接比较器U1的负输入端。本申请实施例中，向第二NMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极输入低电平，使第二NMOS管M2关闭，第三PMOS管M3导通，比较器U1的输出端通过第三PMOS管M3连接至外接MOS管M4的栅极，控制外接MOS管M4的工作状态，从而实现恒流效果。

比较器U1的第一输入端连接电压源的正端，比较器U1的第二输入端连接采样电阻R1的第一端，比较器U1的输出端用于连接外接MOS管M4的栅极。本申请实施例中，比较器U1的第一输入端输入设定电压V1，比较器U1的第二输入端输入采样电阻R1的采样电压，当采样电压小于设定电压V1时，比较器U1输出高电平，控制外接MOS管M4导通；当采样电压大于设定电压V1时，比较器U1输出低电平，控制外接MOS管M4关闭。

恒流驱动芯片还有多个引脚，第二NMOS管M2的栅极还连接到恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE，恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE通过第二电阻R2后接地；备用MOS管M1的漏极还连接到恒流驱动芯片的OUT引脚，比较器U1的第二输入端还连接到恒流驱动芯片的ISET引脚。

本申请实施例中，恒流驱动芯片具有模式切换引脚MODE、OUT引脚和ISET引脚，其中，模式切换引脚MODE用于设置恒流驱动芯片是工作在内置MOS管对应的工作模式，还是工作在外置MOS管对应的工作模式，例如本实施例中模式切换引脚MODE输入低电平时，设置恒流驱动芯片工作在外置MOS管对应的工作模式，在该模式下，OUT引脚连接至芯片外的外接MOS管M4的栅极，ISET引脚连接至采样电阻R1的第一端，从而使恒流驱动芯片接入电源、LED负载D5～D6、外接MOS管M4、采样电阻R1的回路中。

本实施例中，LED负载D5～D6与采样电阻R1之间连接有外接MOS管M4。LED负载D5～D6的输入端连接电源正端，LED负载D5～D6的输出端连接外接MOS管M4的漏极，外接MOS管M4的源极连接采样电阻R1的第一端，采样电阻R1的第二端连接电源负端。

恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE用于输入低电平信号；低电平信号传输至第三PMOS管M3的栅极，第三PMOS管M3导通；低电平信号传输至第二NMOS管M2的栅极，第二NMOS管M2关闭，备用MOS管M1关闭；比较器U1的输出端通过第三PMOS管M3连接至外接MOS管M4的栅极。

请参照图3，图3为本申请实施例提供的恒流驱动芯片应用于内置MOS时的电路结构图。开关模块包括第二NMOS管M2和第三PMOS管M3。其中，第二NMOS管M2的栅极与第三PMOS管M3的栅极连接，第二NMOS管M2的漏极与第三PMOS管M3的源极连接，第二NMOS管M2的漏极还连接比较器U1的输出端，第二NMOS管M2的源极连接备用MOS管M1的栅极，第三PMOS管M3的漏极连接备用MOS管M1的漏极，第二NMOS管M2的源极还通过第三电阻R3连接备用MOS管M1的源极，备用MOS管M1的源极还连接比较器U1的负输入端。本申请实施例中，开关模块包括第二NMOS管M2和第三PMOS管M3，向第二NMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极输入高电平，使第二NMOS管M2导通，第三PMOS管M3关闭，比较器U1的输出端通过第二NMOS管M2连接至备用MOS管M1的栅极，控制备用MOS管M1的工作状态，从而实现恒流效果。

比较器U1的第一输入端连接电压源的正端，比较器U1的第二输入端连接采样电阻R1的第一端，比较器U1的输出端用于连接备用MOS管M1的栅极。本申请实施例中，比较器U1的第一输入端输入设定电压V1，比较器U1的第二输入端输入采样电阻R1的采样电压，当采样电压小于设定电压V1时，比较器U1输出高电平，控制备用MOS管M1导通；当采样电压大于设定电压V1时，比较器U1输出低电平，控制备用MOS管M1关闭。

恒流驱动芯片还有多个引脚，第二NMOS管M2的栅极还连接到恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE，恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE通过第二电阻R2后接地；备用MOS管M1的漏极还连接到恒流驱动芯片的OUT引脚，比较器U1的第二输入端还连接到恒流驱动芯片的ISET引脚。

本申请实施例中，恒流驱动芯片具有模式切换引脚MODE、OUT引脚和ISET引脚，其中，模式切换引脚MODE用于设置恒流驱动芯片是工作在内置MOS管对应的工作模式，还是工作在外置MOS管对应的工作模式，例如本实施例中模式切换引脚MODE输入高电平时，设置恒流驱动芯片工作在内置MOS管对应的工作模式，在该工作模式下，OUT引脚连接至芯片内的备用MOS管M1的栅极，ISET引脚连接至采样电阻R1的第一端，从而使恒流驱动芯片接入电源、LED负载D5～D6、采样电阻R1的回路中。

本实施例中，LED负载D5～D6与采样电阻R1之间未连接有外接MOS管M4。LED负载D5～D6的输入端连接电源正端，LED负载D5～D6的输出端连接恒流驱动芯片的OUT引脚，恒流驱动芯片的ISET引脚连接采样电阻R1的第一端，采样电阻R1的第二端连接电源负端。

恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE用于输入高电平信号；高电平信号传输至第三PMOS管M3的栅极，第三PMOS管M3关闭；高电平信号传输至第二NMOS管M2的栅极，第二NMOS管M2导通；比较器U1的输出端通过第二NMOS管M2连接至备用MOS管M1的栅极。

综上所述，本申请实施例的恒流驱动芯片支持内置MOS管和外置MOS管的方案，例如在小电流应用的时候(LED电流<150mA)，LED电流流过内置的备用MOS管M1，从而减小占用PCB的面积大小，在大电流应用的时候(LED电流>150mA)，LED电流流过外置的外接MOS管M4，从而更容易满足散热的要求。恒流驱动芯片，一颗芯片实现两种用途，减少了车规认证次数，从而降低了认证所需费用和认证所需时间，并且，满足了终端客户要求一颗芯片尽可能多的兼顾各种方案的需求。

本申请实施例提供的一种LED的恒流驱动电路，包括：恒流驱动芯片和采样电阻R1；LED负载D5～D6的输入端连接电源正端，采样电阻R1的第二端连接电源负端。LED负载D5～D6的输出端连接恒流驱动芯片的OUT引脚，恒流驱动芯片的ISET引脚连接采样电阻R1的第一端；或，LED负载D5～D6的输出端连接外接MOS管M4的漏极，外接MOS管M4的源极连接采样电阻R1的第一端。

其中，恒流驱动芯片包括备用MOS管M1，比较器U1和开关模块；备用MOS管M1、比较器U1分别与开关模块连接；开关模块用于：在LED负载D5～D6与采样电阻R1之间连接有外接MOS管M4的情况下，将比较器U1的输出端连接至外接MOS管M4的栅极；在LED负载D5～D6与采样电阻R1之间未连接外接MOS管M4的情况下，将比较器U1的输出端连接至备用MOS管M1的栅极，将LED负载D5～D6的输出端连接至备用MOS管M1的漏极，将备用MOS管M1的源极连接采样电阻R1。

本申请实施例中，恒流驱动电路中的恒流驱动芯片包括备用MOS管M1，比较器U1和开关模块。通过开关模块实现恒流驱动芯片工作在有外接MOS管M4和未连接外接MOS管M4下，不同工作模式的切换。其中，在恒流驱动芯片工作在有外接MOS管M4的情况下，比较器U1的输出端连接外接MOS管M4的栅极，控制外接MOS管M4的工作状态，实现恒流效果。在恒流驱动芯片工作在未连接外接MOS管M4的情况下，比较器U1的输出端连接至恒流驱动芯片内置的备用MOS管M1的栅极，控制备用MOS管M1的工作状态，实现恒流效果。因此，本实施例通过同时支持内置MOS管和外置MOS管方案的恒流驱动芯片，能够实现恒流驱动电路在内置MOS管方案和外置MOS管方案的切换。

具体地，外置MOS管的方案，如图2所示的恒流驱动电路，包括：

外部电源V2的正端连接LED负载D5～D6的输入端，LED负载D5～D6的输出端连接外接MOS管M4的漏极，外接MOS管M4的源极连接采样电阻R1的第一端，采样电阻R1的第二端连接至外部电容V2的负端。外接MOS管M4的栅极连接至恒流驱动芯片的OUT引脚，外接MOS管M4的源极还连接至恒流驱动芯片的ISET引脚。恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE通过第二电阻R2后接地。

在恒流驱动芯片内部，比较器U1的电源正端端接入供电电压，比较器U1的电源负端连接至外部电源V2的负端，比较器U1的正输入端连接电压源V1的正端，电压源V1的负端连接至外部电源V2的负端，外部电源V2的负端接地，比较器U1的负输入端连接采样电阻R1的第一端。

由于本实施例是外置MOS管的方案，在模式切换引脚MODE输入低电平信号，该低电平信号使第三PMOS管M3导通，第二NMOS管M2关闭，备用MOS管M1的栅极也为低电平，备用MOS管M1为NMOS管，备用MOS管M1关闭。因此，比较器U1的输出端通过第三PMOS管M3连接至OUT引脚。本实施例的恒流驱动电路，当采样电阻R1的采样电压小于设定电压V1时，比较器U1输出高电平至外接MOS管M4的栅极，外接MOS管M4为NMOS管，控制外接MOS管M4导通；当采样电阻R1的采样电压大于设定电压V1时，比较器U1输出低电平至外接MOS管M4的栅极，控制外接MOS管M4关闭。

内置MOS管的方案，如图3所示的恒流驱动电路，具体包括：

外部电源V2的正端连接LED负载D5～D6的输入端，LED负载D5～D6的输出端连接恒流驱动芯片的OUT引脚，恒流驱动芯片的ISET引脚连接采样电阻R1的第一端，采样电阻R1的第二端连接至外部电容V2的负端。恒流驱动芯片的模式切换引脚MODE通过第二电阻R2后接地。

在恒流驱动芯片内部，比较器U1的电源正端端接入供电电压，比较器U1的电源负端连接至外部电源V2的负端，比较器U1的正输入端连接电压源V1的正端，电压源V1的负端连接至外部电源V2的负端，外部电源V2的负端接地，比较器U1的负输入端连接采样电阻R1的第一端。

由于本实施例是内置MOS管的方案，在模式切换引脚MODE输入高电平信号，该高电平信号使第三PMOS管M3关闭，第二NMOS管M2导通，比较器U1的输出端通过第二NMOS管M2连接至备用MOS管M1的栅极。本实施例的恒流驱动电路，当采样电阻R1的采样电压小于设定电压V1时，比较器U1输出高电平至备用MOS管M1的栅极，备用MOS管M1为NMOS管，控制备用MOS管M1导通；当采样电阻R1的采样电压大于设定电压V1时，比较器U1输出低电平至备用MOS管M1的栅极，控制备用MOS管M1关闭。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LED的恒流驱动芯片，其特征在于，所述恒流驱动芯片用于连接LED负载和采样电阻；

所述恒流驱动芯片包括：备用MOS管，比较器和开关模块；所述备用MOS管、比较器分别与所述开关模块连接；

所述开关模块用于：

在所述LED负载与采样电阻之间连接有外接MOS管的情况下，将比较器的输出端连接至所述外接MOS管的栅极；

在所述LED负载与采样电阻之间未连接外接MOS管的情况下，将所述比较器的输出端连接至所述备用MOS管的栅极，将所述LED负载的输出端连接至所述备用MOS管的漏极，将所述备用MOS管的源极连接所述采样电阻。

2.如权利要求1所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述开关模块包括第二NMOS管和第三PMOS管；

所述第二NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极还连接所述比较器的输出端，所述第二NMOS管的源极连接所述备用MOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极连接所述备用MOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极还通过第三电阻连接所述备用MOS管的源极，所述备用MOS管的源极还连接所述比较器的负输入端。

3.如权利要求2所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述比较器的第一输入端连接电压源的正端，所述比较器的第二输入端连接所述采样电阻的第一端，所述比较器的输出端用于连接外接MOS管的栅极或备用MOS管的栅极。

4.如权利要求3所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述第二NMOS管的栅极还连接到所述恒流驱动芯片的模式切换引脚，所述恒流驱动芯片的模式切换引脚通过第二电阻后接地；

所述备用MOS管的漏极还连接到所述恒流驱动芯片的OUT引脚，所述比较器的第二输入端还连接到所述恒流驱动芯片的ISET引脚。

5.如权利要求4所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述LED负载与采样电阻之间连接有外接MOS管；

所述LED负载的输入端连接电源正端，所述LED负载的输出端连接所述外接MOS管的漏极，所述外接MOS管的源极连接所述采样电阻的第一端，所述采样电阻的第二端连接电源负端。

6.如权利要求5所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述恒流驱动芯片的模式切换引脚用于输入低电平信号；所述低电平信号传输至所述第三PMOS管的栅极，所述第三PMOS管导通；所述低电平信号传输至所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管关闭，所述备用MOS管关闭；

所述比较器的输出端通过所述第三PMOS管连接至所述外接MOS管的栅极。

7.如权利要求4所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述LED负载与采样电阻之间未连接有外接MOS管；

所述LED负载的输入端连接电源正端，所述LED负载的输出端连接所述恒流驱动芯片的OUT引脚，所述恒流驱动芯片的ISET引脚连接所述采样电阻的第一端，所述采样电阻的第二端连接电源负端。

8.如权利要求7所述的恒流驱动芯片，其特征在于，包括：

所述恒流驱动芯片的模式切换引脚用于输入高电平信号；所述高电平信号传输至所述第三PMOS管的栅极，所述第三PMOS管关闭；所述高电平信号传输至所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管导通；

所述比较器的输出端通过所述第二NMOS管连接至所述外接MOS管的栅极。

9.如权利要求1所述的恒流驱动芯片，其特征在于，所述备用MOS管和外接MOS管均为NMOS管。

10.一种LED的恒流驱动电路，其特征在于，包括：恒流驱动芯片和采样电阻；LED负载的输入端连接电源正端，采样电阻的第二端连接电源负端；

LED负载的输出端连接所述恒流驱动芯片的OUT引脚，所述恒流驱动芯片的ISET引脚连接所述采样电阻的第一端；或，LED负载的输出端连接外接MOS管的漏极，所述外接MOS管的源极连接所述采样电阻的第一端；

所述恒流驱动芯片包括备用MOS管，比较器和开关模块；所述备用MOS管、比较器分别与所述开关模块连接；

所述开关模块用于：

在所述LED负载与采样电阻之间连接有外接MOS管的情况下，将比较器的输出端连接至所述外接MOS管的栅极；

在所述LED负载与采样电阻之间未连接外接MOS管的情况下，将所述比较器的输出端连接至所述备用MOS管的栅极，将所述LED负载的输出端连接至所述备用MOS管的漏极，将所述备用MOS管的源极连接所述采样电阻。