一种多层芯片堆叠结构
技术领域
本实用新型涉及芯片加工技术领域,具体为一种多层芯片堆叠结构。
背景技术
随着半导体行业的快速发展,电子产品微型化越来越薄以满足用户的需求以及产品性能与内存越来越高,因此,半导体封装结构采用多个芯片叠装技术或者芯叠装技术,将两个或者多个芯片叠装在单一封装结构中,实现产品封装体积减小以及提升产品性能,此种叠装产品(记忆卡/存储卡),通常拥有两种类型芯片,记忆存储芯片以及芯片,通过叠装方式封装在一起;
然而现有的堆叠结构屏蔽效果差,多层芯片堆叠后易受外界磁场干扰以及相邻芯片之间的干扰,且多层芯片在运作时所产生的热能并不能有效地散出,就会降低芯片的整体运行效果,为此,我们提出一种多层芯片堆叠结构用于解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多层芯片堆叠结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种多层芯片堆叠结构,包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和第二芯片之间设有内辅件;
所述内辅件包括屏蔽片,所述屏蔽片中内嵌有均匀分布的多个导热片,所述导热片的上表面和下表面均一体成型有均匀分布的多个导热凸,所述导热凸远离导热片的一侧延伸出屏蔽片的表面,所述导热凸远离导热片的一侧分别对应和第一芯片和第二芯片的相对侧接触,所述导热片的相背端均延伸出屏蔽片的外侧,所述导热片的相背端均垂直设有导热侧片。
优选地,所述导热侧片的高度和导热凸的高度相同。
优选地,所述导热侧片远离导热片的一端一体成型有卡片,所述第一芯片和第二芯片的侧端一体成型有凸条,相邻两个所述凸条之间形成和卡片配合使用的卡槽,所述卡片活动卡接在对应卡槽中。
优选地,所述卡片的高度和卡槽的一半高度相同。
优选地,所述屏蔽片中开设有和导热片对应的导热横槽,所述导热片活动卡接在对应的导热横槽中。
优选地,所述屏蔽片上开设有和导热凸对应的导热纵槽,所述导热纵槽和导热横槽相互连通,所述导热凸活动卡接在对应的导热纵槽中。
优选地,所述第一芯片和第二芯片上设有引脚;所述屏蔽片上开设有和引脚对应的通槽。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
1.通过设置内辅件,多层芯片堆叠时,将屏蔽片置于第一芯片和第二芯片之间,进行第一芯片和第二芯片之间的屏蔽,防止第一芯片和第二芯片之间出现干扰,从而提升整个芯片的使用效果;
2.多层芯片堆叠时,导热凸远离导热片的一侧分别对应和第一芯片和第二芯片的相对侧接触,第一芯片和第二芯片在运作时所产生的热能可通过导热凸、导热片导向导热侧片,进行第一芯片和第二芯片热量的有效地散出,提升芯片的整体运行效果;
3.多层芯片堆叠时,卡片活动卡接在对应卡槽中,进行第一芯片、第二芯片和内辅件之间的定位堆叠,防止第一芯片、第二芯片和内辅件之间出现错位,从而提升了第一芯片、第二芯片和内辅件之间的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型中内辅件的结构示意图。
图3为本实用新型图2中A处的放大图。
图4为本实用新型中第一芯片、第二芯片和内辅件的结构连接示意图。
图5为本实用新型图4中B处的放大图。
图中:1、第一芯片;2、第二芯片;3、内辅件;31、屏蔽片;301、导热横槽;302、导热纵槽;32、导热片;33、导热凸;34、导热侧片;35、卡片;11、凸条;12、卡槽;13、引脚;131、通槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例:如图1-5所示,本实用新型提供了一种多层芯片堆叠结构,包括第一芯片1和第二芯片2,所述第一芯片1和第二芯片2之间设有内辅件3;
所述内辅件3包括屏蔽片31,多层芯片堆叠时,将屏蔽片31置于第一芯片1和第二芯片2之间,进行第一芯片1和第二芯片2之间的屏蔽,防止第一芯片1和第二芯片2之间出现干扰,从而提升整个芯片的使用效果,所述屏蔽片31中内嵌有均匀分布的多个导热片32,所述导热片32的上表面和下表面均一体成型有均匀分布的多个导热凸33,所述导热凸33远离导热片32的一侧延伸出屏蔽片31的表面,所述导热凸33远离导热片32的一侧分别对应和第一芯片1和第二芯片2的相对侧接触,所述导热片32的相背端均延伸出屏蔽片31的外侧,所述导热片32的相背端均垂直设有导热侧片34;多层芯片堆叠时,导热凸33远离导热片32的一侧分别对应和第一芯片1和第二芯片2的相对侧接触,第一芯片1和第二芯片2在运作时所产生的热能可通过导热凸33、导热片32导向导热侧片34,进行第一芯片1和第二芯片2热量的有效地散出,提升芯片的整体运行效果;
所述导热侧片34的高度和导热凸33的高度相同。
所述导热侧片34远离导热片32的一端一体成型有卡片35,所述第一芯片1和第二芯片2的侧端一体成型有凸条11,相邻两个所述凸条11之间形成和卡片35配合使用的卡槽12,所述卡片35活动卡接在对应卡槽12中,多层芯片堆叠时,卡片35活动卡接在对应卡槽12中,进行第一芯片1、第二芯片2和内辅件3之间的定位堆叠,防止第一芯片1、第二芯片2和内辅件3之间出现错位,从而提升了第一芯片1、第二芯片2和内辅件3之间的稳定性。
所述卡片35的高度和卡槽12的一半高度相同,便于多层芯片、内辅件3堆叠时,卡片35便于卡在卡槽12中。
所述屏蔽片31中开设有和导热片32对应的导热横槽301,所述导热片32活动卡接在对应的导热横槽301中;所述屏蔽片31上开设有和导热凸33对应的导热纵槽302,所述导热纵槽302和导热横槽301相互连通,所述导热凸33活动卡接在对应的导热纵槽302中。
所述第一芯片1和第二芯片2上设有引脚13,所述屏蔽片31上开设有和引脚13对应的通槽131,通过开设通槽131,不影响第一芯片1和第二芯片2上引脚13之间的电性连接。
工作原理:多层芯片堆叠时,将屏蔽片31置于第一芯片1和第二芯片2之间,进行第一芯片1和第二芯片2之间的屏蔽,防止第一芯片1和第二芯片2之间出现干扰,从而提升整个芯片的使用效果;
且将卡片35活动卡接在对应卡槽12中,进行第一芯片1、第二芯片2和内辅件3之间的定位堆叠,防止第一芯片1、第二芯片2和内辅件3之间出现错位;
同时导热凸33远离导热片32的一侧分别对应和第一芯片1和第二芯片2的相对侧接触,第一芯片1和第二芯片2在运作时所产生的热能可通过导热凸33、导热片32导向导热侧片34,进行第一芯片1和第二芯片2热量的有效地散出,提升芯片的整体运行效果。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。