CN219800889U - 一种通照两用的深紫外led - Google Patents
一种通照两用的深紫外led Download PDFInfo
- Publication number
- CN219800889U CN219800889U CN202320166866.4U CN202320166866U CN219800889U CN 219800889 U CN219800889 U CN 219800889U CN 202320166866 U CN202320166866 U CN 202320166866U CN 219800889 U CN219800889 U CN 219800889U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- columnar
- embedded
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 285
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 135
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及深紫外LED的技术领域，公开了一种通照两用的深紫外LED，包括从下到上依次排列分布的导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、绝缘层、P接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、AlGaN多量子阱层、n型GaN层；嵌入式柱状N电极沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极的上表面与n型GaN层形成欧姆接触；柱状P电极沉积于柱状P电极通道；柱状P电极的底端位于LED芯片底部。本实用新型将柱状P电极制作于LED芯片底部，避免了因制作电极而损失一部分发光面积，有效提升芯片的光输出功率；同时，采用渐变Al组分结构的AlGaN多量子阱层，有效提高了内量子效率和光输出效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及深紫外LED的技术领域，具体的，涉及一种通照两用的深紫外LED。
背景技术
如今LED照明市场份额的不断扩大，对于LED的光效等照明性能的要求也越来越高，同时对其性能的要求也越来越高。普通家庭照明灯具逐步发展到需要更高功率的路灯、车前灯系统，市场对于大功率大尺寸甚至超大尺寸的LED芯片的需求正在变得越来越大，电流拥挤给LED芯片的进一步发展带来了较大的制约。
目前主流的GaN基LED芯片结构包括正装水平结构LED、倒装结构LED、垂直结构LED等。正装水平结构工艺成熟，制造成本低，P电极与嵌入式柱状N电极均设置在芯片的同一面，但是存在散热能力差，光提取率不高的问题；倒装结构是将正装水平结构倒置于基板上的芯片结构，有效提升了散热能力和光提取效率，但其仍然存在电流传输路径过长、台阶处电流拥挤的问题；垂直结构LED的P电极和嵌入式柱状N电极10设置于GaN薄膜两侧，有效解决了电流拥堵的问题，但垂直结构也存在电极挡光限制了LED的光提取效率和电流分布不均降低了LED器件的寿命的问题。
嵌入式电极结构LED芯片所拥有的特性正是解决上述问题的良方，其具有更好的电流拓展性能、更强的散热性能以及更高的光提取率。
例如专利一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法,公开了嵌入式电极结构LED器件包括从下到上依次排列的第二硅衬底、键合层、第一钝化层、金属层、反射镜金属层、p-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n-GaN层和第二钝化层；LED器件的p电极与n电极以嵌入式电极的形式均匀分布在器件内部的孔状结构中，p电极与n电极的pad引出电极位于器件出光面的背面。
然而，上述嵌入式电极结构芯片仍然存在一些问题，P电极的制作使得芯片要牺牲一定面积的发光区域，发光面积的减小会降低LED的光输出功率。因此，在不损失有源区发光区域的前提下如何在嵌入式电极结构中制作P电极是一个有待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型为克服上述现有技术存在的对于嵌入式电极结构芯片，P电极的制作使得芯片要牺牲一定面积的发光区域，发光面积的减小会降低LED的光输出功率的技术问题，提供一种通照两用的深紫外LED。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：
一种通照两用的深紫外LED，包括从下到上依次排列分布的导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、绝缘层、P接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、AlGaN多量子阱层、n型GaN层；
嵌入式柱状N电极通道径向贯穿绝缘层、P接触反射镜金属及保护层、p型GaN层和AlGaN多量子阱层；所述嵌入式柱状N电极沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极的上表面与n型GaN层形成欧姆接触；
柱状P电极通道径向贯穿绝缘层、第二键合金属层、第一键合金属层、导电衬底；所述柱状P电极通道延伸至P接触反射镜金属及保护层；柱状P电极沉积于柱状P电极通道；所述柱状P电极的底端位于LED芯片底部；
所述AlGaN多量子阱层底部采用渐变Al组分结构；
所述绝缘层延伸至嵌入式柱状N电极侧壁形成绝缘保护，所述绝缘层将嵌入式柱状N电极与柱状P电极分隔。
进一步地，所述嵌入式柱状N电极与第二键合金属层接触形成电导通，第一键合金属层与导电衬底接触形成电导通；所述柱状P电极与P接触反射镜金属及保护层接触形成电导通。
进一步地，所述P接触反射镜金属及保护层包括反射镜金属层和保护层，保护层位于反射镜金属层的上方。
进一步地，所述绝缘层为SiO2绝缘层，所述p型GaN层的厚度200-250nm，所述AlGaN多量子阱层的厚度为60-100nm，所述n型GaN层的厚度为2-3μm。
进一步地，所述导电衬底为Si衬底层或蓝宝石衬底层。
进一步地，所述反射镜金属层为Ag层和/或Ni层；所述保护层为TiW层。
进一步地，所述嵌入式柱状N电极为Ti、Cr、Ag、Au、Pt中的一种电极或两种及以上的合金电极。
进一步地，所述柱状P电极为Cr、Pt、Au中的一种电极或两种及以上的合金电极，所述柱状P电极的厚度为2-6μm。
进一步地，所述第一键合金属层和第二键合金属层为Ni、Au、Sn、Ti中的一种键合金属层。
进一步地，所述AlGaN多量子阱层的底部量子势垒为未掺杂的渐变Al组分构成，从下到上依次为Al0.45Ga0.55N、Al0.5Ga0.5N、Al0.55Ga0.45N。
进一步地，一种制备通照两用的深紫外LED的方法，包括如下步骤：
(1)取外延衬底，在所述外延衬底上依次生长缓冲层，n型GaN层，Al组分浓度渐变的AlGaN多量子阱层，p型GaN层，再制备P接触反射镜金属及保护层，得LED外延片；
(2)在步骤(1)所述LED外延片上制备出通孔结构；所述通孔结构依次径向贯穿P接触反射镜金属及保护层、p型GaN层及AlGaN多量子阱层7，所述通孔结构延伸至n型GaN层底部；得到嵌入式柱状N电极通道；
(3)在P接触反射镜金属及保护层的上表面以及通孔结构的内壁上生长绝缘层，所述内壁不包括通孔结构底面；
(4)在通孔结构内沉积嵌入式柱状N电极；
(5)在步骤(4)所述得LED芯片上制备出空腔结构；所述空腔结构贯穿绝缘层，延伸到P接触反射镜金属及保护层顶部；得到柱状P电极通道；
(6)在空腔结构内沉积柱状P电极的顶端；
(7)制作第二键合金属层，获得第一晶圆；
(8)在转移导电衬底上通过深孔刻蚀刻出贯穿衬底的柱状通道，然后在通道内壁生长绝缘层；然后在通道内制作柱状P电极的底端；继而制作第一键合金属层，获得第二晶圆；
(9)将第一金属键合层与第二金属键合层进行表面活化，将处理后的第一金属键合层与第二金属键合层对准，然后一起送入键合机进行预键合，退火，预键合的第一晶圆和第二晶圆间形成牢固的键合，形成空气隙；
(10)最终将第一晶圆上的导电衬底、缓冲层剥离下来，最终获得成品LED芯片。
步骤(2)中，采用光刻和ICP刻蚀制备出通孔结构；步骤(10)中，Si衬底的剥离采用通过机械减薄、化学抛光、化学腐蚀的方法，缓冲层的剥离采用ICP干法刻蚀。
与现有技术相比，本实用新型技术方案的有益效果是：
本实用新型将柱状P电极制作于LED芯片底部，避免了因制作电极而损失一部分发光面积，有效提升芯片的光输出功率；同时，采用渐变Al组分结构的AlGaN多量子阱层，有效提高了内量子效率和光输出效率；
采用了渐变Al组分结构技术，拥有更高的载流子注入效率，从而得以实现更高的内量子效率和光输出效率。渐变Al组分的嵌入式电极结构LED芯片弥补了传统垂直结构芯片的不足，使得LED的照明性能更上一层楼。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型在绝缘层4的剖面图；
图3为实施例1与对比例1的LED芯片测试所得的IV曲线图。
其中，1、导电衬底；2、第一键合金属层；3、第二键合金属层；4、绝缘层；5、P接触反射镜金属及保护层；6、p型GaN层；7、AlGaN多量子阱层；8、n型GaN层；9、柱状P电极；10、嵌入式柱状N电极。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
一种通照两用的深紫外LED，包括从下到上依次排列分布的导电衬底1、第一键合金属层2、第二键合金属层3、绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6、AlGaN多量子阱层7、n型GaN层8；
嵌入式柱状N电极通道径向贯穿绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6和AlGaN多量子阱层7；嵌入式柱状N电极10沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极10的上表面与n型GaN层8形成欧姆接触；
柱状P电极通道径向贯穿绝缘层4、第二键合金属层3、第一键合金属层2、导电衬底1；柱状P电极通道延伸至P接触反射镜金属及保护层5；柱状P电极9沉积于柱状P电极通道；柱状P电极9的底端位于LED芯片底部；
AlGaN多量子阱层7底部采用渐变Al组分结构；
绝缘层4延伸至嵌入式柱状N电极10侧壁形成绝缘保护，绝缘层4将嵌入式柱状N电极10与柱状P电极9分隔。
嵌入式柱状N电极10与第二键合金属层3接触形成电导通，第一键合金属层2与导电衬底1接触形成电导通；柱状P电极9与P接触反射镜金属及保护层5接触形成电导通。
P接触反射镜金属及保护层5包括反射镜金属层和保护层，保护层位于反射镜金属层的上方。
绝缘层4为SiO2绝缘层，p型GaN层6的厚度200-250nm，AlGaN多量子阱层7的厚度为60-100nm，n型GaN层8的厚度为2-3μm。
导电衬底1为Si衬底层或蓝宝石衬底层。
反射镜金属层为Ag层和/或Ni层；保护层为TiW层。
嵌入式柱状N电极10为Ti、Cr、Ag、Au、Pt中的一种电极或两种及以上的合金电极。
柱状P电极9为Cr、Pt、Au中的一种电极或两种及以上的合金电极，柱状P电极9的厚度为2-6μm。
第一键合金属层2和第二键合金属层3为Ni、Au、Sn、Ti中的一种键合金属层。
AlGaN多量子阱层7的底部量子势垒为未掺杂的渐变Al组分构成，从下到上依次为Al0.45Ga0.55N、Al0.5Ga0.5N、Al0.55Ga0.45N。
上述通照两用的深紫外LED的制备方法，包括如下步骤：
(1)取外延衬底，在外延衬底上依次生长缓冲层，n型GaN层8，Al组分浓度渐变的AlGaN多量子阱层7，p型GaN层6，再制备P接触反射镜金属及保护层5，得LED外延片；
(2)在步骤(1)所得的LED外延片上制备出通孔结构；通孔结构依次径向贯穿P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6及AlGaN多量子阱层7，通孔结构延伸至n型GaN层8底部；得到嵌入式柱状N电极通道；
(3)在P接触反射镜金属及保护层5的上表面以及通孔结构的内壁上生长绝缘层4，内壁不包括通孔结构底面；
(4)在通孔结构内沉积嵌入式柱状N电极10；
(5)在步骤(4)的LED芯片上制备出空腔结构；空腔结构贯穿绝缘层4，延伸到P接触反射镜金属及保护层5顶部；得到柱状P电极通道；
(6)在空腔结构内沉积柱状P电极9的顶端；
(7)制作第二键合金属层3，获得第一晶圆；
(8)在转移导电衬底1上通过深孔刻蚀刻出贯穿衬底的柱状通道，然后在通道内壁生长绝缘层4；然后在通道内制作柱状P电极9的底端；继而制作第一键合金属层2，获得第二晶圆；
(9)将第一金属键合层2与第二金属键合层3进行表面活化，将处理后的第一金属键合层2与第二金属键合层3对准，然后一起送入键合机进行预键合，退火，预键合的第一晶圆和第二晶圆间形成牢固的键合，形成空气隙；
(10)最终将第一晶圆上的导电衬底1、缓冲层剥离下来，最终获得成品LED芯片。
步骤(2)中，采用光刻和ICP刻蚀制备出通孔结构；步骤(10)中，Si衬底的剥离采用通过机械减薄、化学抛光、化学腐蚀的方法，缓冲层的剥离采用ICP干法刻蚀。
实施例1
图3为对于深紫外LED芯片的性能测试所得的曲线图，其中，LED A为传统结构的深紫LED芯片，即对比例1；LED B为本实施例的深紫外LED芯片。
本实施例提供一种通照两用的深紫外LED，如图1-3所示，包括从下到上依次排列分布的导电衬底1、第一键合金属层2、第二键合金属层3、绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6、AlGaN多量子阱层7、n型GaN层8；
嵌入式柱状N电极通道径向贯穿绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6和AlGaN多量子阱层7；嵌入式柱状N电极10沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极10的上表面与n型GaN层8形成欧姆接触；
柱状P电极通道径向贯穿绝缘层4、第二键合金属层3、第一键合金属层2、导电衬底1；柱状P电极通道延伸至P接触反射镜金属及保护层5；柱状P电极9沉积于柱状P电极通道；柱状P电极9的底端位于LED芯片底部；
AlGaN多量子阱层7底部采用渐变Al组分结构；
绝缘层4延伸至嵌入式柱状N电极10侧壁形成绝缘保护，绝缘层4将嵌入式柱状N电极10与柱状P电极9分隔。
嵌入式柱状N电极10与第二键合金属层3接触形成电导通，第一键合金属层2与导电衬底1接触形成电导通；柱状P电极9与P接触反射镜金属及保护层5接触形成电导通。
P接触反射镜金属及保护层5包括反射镜金属层和保护层，保护层位于反射镜金属层的上方。
绝缘层4为SiO2绝缘层，p型GaN层6的厚度200nm，AlGaN多量子阱层7的厚度为60nm，n型GaN层8的厚度为2μm。
导电衬底1为Si衬底层。
反射镜金属层为Ag层；保护层为TiW层。
嵌入式柱状N电极10为Ti电极。
柱状P电极9为Cr电极，柱状P电极9的厚度为2μm。
第一键合金属层2和第二键合金属层3为Ni层。
AlGaN多量子阱层7的底部量子势垒为未掺杂的渐变Al组分构成，从下到上依次为Al0.45Ga0.55N、Al0.5Ga0.5N、Al0.55Ga0.45N。
实施例2
如图1-2所示，本实施例提供一种通照两用的深紫外LED，包括从下到上依次排列分布的导电衬底1、第一键合金属层2、第二键合金属层3、绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6、AlGaN多量子阱层7、n型GaN层8；
嵌入式柱状N电极通道径向贯穿绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6和AlGaN多量子阱层7；嵌入式柱状N电极10沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极10的上表面与n型GaN层8形成欧姆接触；
柱状P电极通道径向贯穿绝缘层4、第二键合金属层3、第一键合金属层2、导电衬底1；柱状P电极通道延伸至P接触反射镜金属及保护层5；柱状P电极9沉积于柱状P电极通道；柱状P电极9的底端位于LED芯片底部；
AlGaN多量子阱层7底部采用渐变Al组分结构；
绝缘层4延伸至嵌入式柱状N电极10侧壁形成绝缘保护，绝缘层4将嵌入式柱状N电极10与柱状P电极9分隔。
嵌入式柱状N电极10与第二键合金属层3接触形成电导通，第一键合金属层2与导电衬底1接触形成电导通；柱状P电极9与P接触反射镜金属及保护层5接触形成电导通。
P接触反射镜金属及保护层5包括反射镜金属层和保护层，保护层位于反射镜金属层的上方。
绝缘层4为SiO2绝缘层，p型GaN层6的厚度250nm，AlGaN多量子阱层7的厚度为100nm，n型GaN层8的厚度为3μm。
导电衬底1为蓝宝石衬底层。
反射镜金属层为Ni层；保护层为TiW层。
嵌入式柱状N电极10为Au、Pt的合金。
柱状P电极9为Cr、Pt的合金，柱状P电极9的厚度为6μm。
第一键合金属层2和第二键合金属层3为Ti层。
AlGaN多量子阱层7的底部量子势垒为未掺杂的渐变Al组分构成，从下到上依次为Al0.45Ga0.55N、Al0.5Ga0.5N、Al0.55Ga0.45N。
实施例3
如图1-2所示，一种通照两用的深紫外LED，包括从下到上依次排列分布的导电衬底1、第一键合金属层2、第二键合金属层3、绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6、AlGaN多量子阱层7、n型GaN层8；
嵌入式柱状N电极通道径向贯穿绝缘层4、P接触反射镜金属及保护层5、p型GaN层6和AlGaN多量子阱层7；嵌入式柱状N电极10沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极10的上表面与n型GaN层8形成欧姆接触；
柱状P电极通道径向贯穿绝缘层4、第二键合金属层3、第一键合金属层2、导电衬底1；柱状P电极通道延伸至P接触反射镜金属及保护层5；柱状P电极9沉积于柱状P电极通道；柱状P电极9的底端位于LED芯片底部；
AlGaN多量子阱层7底部采用渐变Al组分结构；
绝缘层4延伸至嵌入式柱状N电极10侧壁形成绝缘保护，绝缘层4将嵌入式柱状N电极10与柱状P电极9分隔。
嵌入式柱状N电极10与第二键合金属层3接触形成电导通，第一键合金属层2与导电衬底1接触形成电导通；柱状P电极9与P接触反射镜金属及保护层5接触形成电导通。
P接触反射镜金属及保护层5包括反射镜金属层和保护层，保护层位于反射镜金属层的上方。
绝缘层4为SiO2绝缘层，p型GaN层6的厚度220nm，AlGaN多量子阱层7的厚度为80nm，n型GaN层8的厚度为2.5μm。
导电衬底1为Si衬底层。
反射镜金属层为Ag层和Ni层；保护层为TiW层。
嵌入式柱状N电极10为Ti、Cr、Ag、Au、Pt的合金。
柱状P电极9为Cr、Pt、Au的合金，柱状P电极9的厚度为4μm。
第一键合金属层2和第二键合金属层3为Sn层。
AlGaN多量子阱层7的底部量子势垒为未掺杂的渐变Al组分构成，从下到上依次为Al0.45Ga0.55N、Al0.5Ga0.5N、Al0.55Ga0.45N。
对比例1
对比例1制备一种传统LED芯片，该LED芯片自下而上依次包括导电衬底层、AlN缓冲层，n-GaN层，AlGaN/GaN多量子阱层，p-GaN层，p接触反射镜金属及保护层，p电极，LED键合区位于导电衬底层上表面。
导电衬底层为Si导电衬底，厚度为1000nm；AlN缓冲层厚度为1000nm。
n-GaN层的厚度为3μm；
AlGaN/GaN多量子阱层为5个周期，每周期垒层厚度为6nm，阱层厚度为10nm；
p-GaN层的厚度为250nm。
p接触反射镜金属及保护层包括p接触反射镜金属层和保护层，反射镜金属层为Ag层和Ni层交替生长2个周期形成的，每个周期中Ag层的厚度为100nm，Ni层的厚度为35nm；保护层为TiW层，厚度为100nm。
p电极为Cr，厚度为4μm，位于LED芯片顶部。
对于LED器件的性能测试，LTS-600的点测机系统用于测试电学特性与光学特性，仪器配置的积分球装置通过光电探测器收集LED发出的光线完成光学测量，同时配置了Keithley2400高性能数字电源测量LED芯片的电学特性。
实施例1中LED B的开启电压较对比例1中LED A的更低，说明实施例1将柱状P电极9制作于LED芯片底部，避免了因制作电极而损失一部分发光面积，有效改善了LED芯片的光电性能，提升芯片的光输出功率。
显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种通照两用的深紫外LED，其特征在于，包括从下到上依次排列分布的导电衬底(1)、第一键合金属层(2)、第二键合金属层(3)、绝缘层(4)、P接触反射镜金属及保护层(5)、p型GaN层(6)、AlGaN多量子阱层(7)、n型GaN层(8)；
嵌入式柱状N电极通道径向贯穿绝缘层(4)、P接触反射镜金属及保护层(5)、p型GaN层(6)和AlGaN多量子阱层(7)；所述嵌入式柱状N电极(10)沉积于嵌入式柱状N电极通道内；嵌入式柱状N电极(10)的上表面与n型GaN层(8)形成欧姆接触；
柱状P电极通道径向贯穿绝缘层(4)、第二键合金属层(3)、第一键合金属层(2)、导电衬底(1)；所述柱状P电极通道延伸至P接触反射镜金属及保护层(5)；柱状P电极(9)沉积于柱状P电极通道；所述柱状P电极(9)的底端位于LED芯片底部；
所述绝缘层(4)延伸至嵌入式柱状N电极(10)侧壁形成绝缘保护，所述绝缘层(4)将嵌入式柱状N电极(10)与柱状P电极(9)分隔。
2.根据权利要求1所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述嵌入式柱状N电极(10)与第二键合金属层(3)接触形成电导通，第一键合金属层(2)与导电衬底(1)接触形成电导通；所述柱状P电极(9)与P接触反射镜金属及保护层(5)接触形成电导通。
3.根据权利要求1所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述P接触反射镜金属及保护层(5)包括反射镜金属层和保护层，保护层位于反射镜金属层的上方。
4.根据权利要求1所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述绝缘层(4)为SiO2绝缘层，所述p型GaN层(6)的厚度200-250nm，所述AlGaN多量子阱层(7)的厚度为60-100nm，所述n型GaN层(8)的厚度为2-3μm。
5.根据权利要求1所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述导电衬底(1)为Si衬底层或蓝宝石衬底层。
6.根据权利要求3所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述反射镜金属层为Ag层和/或Ni层；所述保护层为TiW层。
7.根据权利要求1所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述柱状P电极(9)的厚度为2-6μm。
8.根据权利要求1所述的通照两用的深紫外LED，其特征在于，所述第一键合金属层(2)和第二键合金属层(3)为Ni、Au、Sn、Ti中的一种键合金属层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320166866.4U CN219800889U (zh) | 2023-02-06 | 2023-02-06 | 一种通照两用的深紫外led |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320166866.4U CN219800889U (zh) | 2023-02-06 | 2023-02-06 | 一种通照两用的深紫外led |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN219800889U true CN219800889U (zh) | 2023-10-03 |
Family
ID=88155441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202320166866.4U Active CN219800889U (zh) | 2023-02-06 | 2023-02-06 | 一种通照两用的深紫外led |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN219800889U (zh) |
-
2023
- 2023-02-06 CN CN202320166866.4U patent/CN219800889U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9142718B2 (en) | Light emitting device | |
| KR101064006B1 (ko) | 발광소자 | |
| US20070018183A1 (en) | Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction | |
| KR101707118B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR101007128B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20130120615A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| EP2232594B1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
| KR20120136613A (ko) | 발광소자 | |
| CN104285307B (zh) | 高效发光二极管及其制造方法 | |
| CN109638131B (zh) | 一种dbr倒装芯片的制作方法 | |
| CN107851688B (zh) | 发光二极管及发光二极管封装 | |
| KR101719623B1 (ko) | 발광소자 | |
| JP5075786B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| KR101114047B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101785644B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR20100103962A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN111081835A (zh) | 一种led芯片及其制备方法 | |
| CN219800889U (zh) | 一种通照两用的深紫外led | |
| KR101742617B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101777263B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR101014045B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20160145413A (ko) | 적색 발광소자, 적색 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 | |
| KR101827969B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR101742616B1 (ko) | 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| CN115207175B (zh) | 基于图形化衬底的发光二极管芯片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |