CN219759175U - 一种易测量输出波形的gip输出走线结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种易测量输出波形的GIP输出走线结构，包含一GIP输出走线和一测试走线，所述的GIP输出走线包含Gount 1接线,Gount 2接线,…，Gount i接线，所述的Gount i接线上设有一Gount i接点，所述的测试走线包含Test 1接点，Test 2接点,…，Test i接点，所述的Gount i接点与Test i接点形成金属交叠区A i,其中，i＝1,2，…，N。该易测量输出波形的GIP输出走线结构仅仅需要增加一条测试走线，通过后期的激光烧结，即可以与原始输出信号直接相接，体现出真实的输出效果。另外，该GIP输出走线结构独立于GIP电路，不会对GIP电路造成任何影响，通用性好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种显示屏测试工具，更确切地说，是一种易测量输出波形的GIP输出走线结构。
背景技术
目前，显示屏受生产工艺技术水平等因素限制，产品良率波动较大，针对GIP(即gate in panel,栅极驱动器集成在玻璃基板上)电路出现的异常分析难度较大，而现有的分析电路需要在原有GIP电路上增加了TFT管数量，边框增大，并且增加的TFT会对原有GIP电路有影响，增加电路风险。
中国实用新型专利文献CN211044991U公开了一种窄边框显示屏的GIP结构，其特征在于，包括：GIP电路、多个TFT开关、多条Scan信号线和多条IC控制信号线；每个所述Scan信号线与一所述TFT开关连接，且所述GIP电路与多个TFT开关相连，GIP电路连接的TFT开关数量与IC控制信号线的数量相同，多条的IC控制信号线与GIP电路连接的多个TFT开关的控制端分别连接，所述TFT开关用于接收IC控制信号线的信号控制GIP电路讯号输入到scan信号线。所述IC控制信号线包括：IC控制信号线A、IC控制信号线B；所述TFT开关包括：TFT A、TFT B；所述Scan信号线包括：Scan信号线A、Scan信号线B；所述GIP电路分别通过TFT A、TFTB与所述Scan信号线A、Scan信号线B相连，且所述TFTA、TFT B分别与相连IC控制信号线A、IC控制信号线B相连。所述一种窄边框显示屏的GIP结构为多个，多个的GIP结构间的IC控制信号线并联。所述GIP电路中同一时间有且只有一个所述TFT开关处于开启状态。
显然，该专利仅仅解决了窄边框的面板的GIP排布优化，无法解决现有的GIP的测试问题。
实用新型内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构包含一GIP输出走线和一测试走线，所述的测试走线与所述的GIP输出走线正交设置，所述的GIP输出走线包含Gount 1接线,Gount 2接线,…，Gount i接线，所述的Gount i接线上设有一Gount i接点，所述的测试走线包含Test 1接点，Test 2接点,…，Test i接点，所述的Gount i接点与所述的Test i接点相互叠合，所述的Gount i接点与Test i接点形成金属交叠区A i,其中，i＝1,2，…，N。该易测量输出波形的GIP输出走线结构仅仅需要增加一条测试走线，通过后期的激光烧结，即可以与原始输出信号直接相接，体现出真实的输出效果。另外，该GIP输出走线结构独立于GIP电路，不会对GIP电路造成任何影响，通用性好。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用了如下所述的技术方案：
一种易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构包含一GIP输出走线和一测试走线，所述的测试走线与所述的GIP输出走线正交设置，所述的GIP输出走线包含Gount 1接线,Gount 2接线,…，Gount i接线，所述的Gount i接线上设有一Gount i接点，所述的测试走线包含Test 1接点，Test 2接点,…，Test i接点，所述的Gount i接点与所述的Test i接点相互叠合，所述的Gount i接点与Test i接点形成金属交叠区A i,其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的Gount i接点为Gate层金属，其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的Test i接点为SD层金属，其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的Gount i接点与Test i接点之间设有一预设的绝缘距离D，其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的Gount i接点与Test i接点之间设有一独立的绝缘垫i，其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的绝缘垫i为金属氧化物，其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的绝缘垫i的厚度均1nm～2nm，其中，i＝1,2，…，N。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的Gount i接点与Test i接点之间设有一绝缘层，所述的绝缘层沿着GIP输出走线所处的平面延展。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的绝缘层的厚度均1nm～2nm。
作为本实用新型提供的所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构的一种优选实施方式，所述的Test i接点的表面设有一半球状的融化增强突出，其中，i＝1,2，…，N。
与现有技术相比，本实用新型有以下有益效果：
本实用新型提供一种易测量输出波形的GIP输出走线结构，该易测量输出波形的GIP输出走线结构仅仅需要增加一条测试走线，通过后期的激光烧结，即可以与原始输出信号直接相接，体现出真实的输出效果。另外，该GIP输出走线结构独立于GIP电路，不会对GIP电路造成任何影响，通用性好。该易测量输出波形的GIP输出走线结构可以按实际需求，通过激光短接方式实现任意行的波形测量，大大提升产品分析效率，有效降低生产试验成本。
另外，可以在该Gount i接点与Test i接点之间设置一独立的绝缘垫i，其中，i＝1,2，…，N。该绝缘垫i为金属氧化物。利用绝缘垫i，可以提高Gount i接点与Test i接点之间的绝缘性能，防止Gount i接点与Test i接点意外短接。
另外，可以该Gount i接点与Test i接点之间设置一绝缘层M，该绝缘层M沿着GIP输出走线H所处的平面延展。利用绝缘层M，可以提高GIP输出走线H与测试走线V之间的绝缘性能，防止GIP输出走线H与测试走线V意外短接。
另外，可以在该Test i接点的表面设置一半球状的融化增强突出P，其中，i＝1,2，…，N。在进行激光烧结时，半球状的融化增强突出P能增加金属的熔接量，顺利获得需要的短接点。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型中的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的易测量输出波形的GIP输出走线结构的结构连接示意图；
图2为本实用新型的易测量输出波形的GIP输出走线结构的局部的立体结构示意图；
图3为图2中的易测量输出波形的GIP输出走线结构的立体结构分解示意图；
图4为图2中的易测量输出波形的GIP输出走线结构的立体结构示意图，为另一个视角；
图5为图2中的易测量输出波形的GIP输出走线结构的层次叠合示意图；
图6为图2中的易测量输出波形的GIP输出走线结构的又一实施例的层次叠合示意图；
图7为图2中的易测量输出波形的GIP输出走线结构的又一实施例的层次叠合示意图；
图8为图2中的易测量输出波形的GIP输出走线结构的测试走线的局部立体结构示意图；
图9为图8中的测试走线的Q区域的细节放大示意图；
图中标记说明如下：H、GIP输出走线；M、绝缘层；P、融化增强突出；V、测试走线。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
如背景技术所述的，现有技术对于显示屏受生产工艺技术水平等因素限制，产品良率波动较大，针对GIP电路出现的异常分析难度较大，而现有的分析电路需要在原有GIP电路上增加了TFT管数量，边框增大，并且增加的TFT会对原有GIP电路有影响，增加电路风险。
为了解决此技术问题，本实用新型提供了一种易测量输出波形的GIP输出走线结构包含一GIP输出走线H和一测试走线V，该测试走线V与该GIP输出走线H正交设置，该GIP输出走线H包含Gount 1接线,Gount 2接线,…，Gount i接线，该Gount i接线上设有一Gounti接点。该测试走线V包含Test 1接点，Test 2接点,…，Test i接点，该Gount i接点与该Test i接点相互叠合，该Gount i接点与Test i接点形成金属交叠区A i,其中，i＝1,2，…，N。
通过上述结构设计，该易测量输出波形的GIP输出走线结构仅仅需要增加一条测试走线，通过后期的激光烧结，即可以与原始输出信号直接相接，体现出真实的输出效果。另外，该GIP输出走线结构独立于GIP电路，不会对GIP电路造成任何影响，通用性好。该易测量输出波形的GIP输出走线结构可以按实际需求，通过激光短接方式实现任意行的波形测量，大大提升产品分析效率，有效降低生产试验成本。
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
实施例1
如图1至图5所示，该易测量输出波形的GIP输出走线结构包含一GIP输出走线H和一测试走线V，该测试走线V与该GIP输出走线H正交设置，该GIP输出走线H包含Gount 1接线,Gount 2接线,…，Gount i接线，该Gount i接线上设有一Gount i接点。
该测试走线V包含Test 1接点，Test 2接点,…，Test i接点，该Gount i接点与该Test i接点相互叠合，该Gount i接点与Test i接点形成金属交叠区A i,其中，i＝1,2，…，N。
需要说明的是，该Gount i接点为Gate层金属，其中，i＝1,2，…，N。该Test i接点为SD层金属，其中，i＝1,2，…，N。
另外，该Gount i接点与Test i接点之间设有一预设的绝缘距离D，其中，i＝1,2，…，N。利用绝缘距离D，可以保持Gount i接点与Test i接点之间的绝缘。
下面对该实施例的工作方式进行说明。
在进行测量Gount i接线上的输出信号时，只要利用激光对Test i接点和Gount i接线上的Gount i接点进行轰击烧结，形成短接，即可实现该行的输出波形测量，其中，i＝1,2，…，N。
比如，需要测量GIP输出走线H的第三行，即Gount 3接线的输出波形，只需要利用激光对Test 3接点和Gount 3接点进行轰击烧结，形成短接，即可实现该行的输出。
该易测量输出波形的GIP输出走线结构仅仅需要增加一条测试走线，通过后期的激光烧结，即可以与原始输出信号直接相接，体现出真实的输出效果。另外，该GIP输出走线结构独立于GIP电路，不会对GIP电路造成任何影响，通用性好。
该易测量输出波形的GIP输出走线结构可以按实际需求，通过激光短接方式实现任意行的波形测量，大大提升产品分析效率，有效降低生产试验成本。
实施例2
对实施例1提供的易测量输出波形的GIP输出走线结构进一步优化，具体地，如图6所示，该Gount i接点与Test i接点之间设有一独立的绝缘垫i，其中，i＝1,2，…，N。
需要说明的是，该绝缘垫i为金属氧化物，其中，i＝1,2，…，N。
该绝缘垫i的厚度均1nm～2nm，其中，i＝1,2，…，N。
下面对该实施例的工作方式进行说明。
利用绝缘垫i，可以提高Gount i接点与Test i接点之间的绝缘性能，防止Gount i接点与Test i接点意外短接。
实施例3
对实施例1或2提供的易测量输出波形的GIP输出走线结构进一步优化，具体地，如图7所示，该Gount i接点与Test i接点之间设有一绝缘层M，该绝缘层M沿着GIP输出走线H所处的平面延展。
该绝缘层M的厚度均1nm～2nm。
下面对该实施例的工作方式进行说明。
利用绝缘层M，可以提高GIP输出走线H与测试走线V之间的绝缘性能，防止GIP输出走线H与测试走线V意外短接。
实施例4
对实施例1或2提供的易测量输出波形的GIP输出走线结构进一步优化，具体地，如图8和图9所示，该Test i接点的表面设有一半球状的融化增强突出P，其中，i＝1,2，…，N。
下面对该实施例的工作方式进行说明。
在进行激光烧结时，半球状的融化增强突出P能增加金属的熔接量，顺利获得需要的短接点。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构包含一GIP输出走线(H)和一测试走线(V)，所述的测试走线(V)与所述的GIP输出走线(H)正交设置，所述的GIP输出走线(H)包含Gount 1接线,Gount 2接线,…，Gount i接线，所述的Gount i接线上设有一Gount i接点，所述的测试走线(V)包含Test 1接点，Test 2接点,…，Test i接点，所述的Gount i接点与所述的Testi接点相互叠合，所述的Gounti接点与Testi接点形成金属交叠区Ai,其中，i＝1,2，…，N。
2.根据权利要求1所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的Gount i接点为Gate层金属，其中，i＝1,2，…，N。
3.根据权利要求1所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的Test i接点为SD层金属，其中，i＝1,2，…，N。
4.根据权利要求1所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的Gount i接点与Test i接点之间设有一预设的绝缘距离D，其中，i＝1,2，…，N。
5.根据权利要求1所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的Gount i接点与Test i接点之间设有一独立的绝缘垫i，其中，
i＝1,2，…，N。
6.根据权利要求5所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的绝缘垫i为金属氧化物，其中，i＝1,2，…，N。
7.根据权利要求5所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的绝缘垫i的厚度均1nm～2nm，其中，i＝1,2，…，N。
8.根据权利要求1所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的Gount i接点与Test i接点之间设有一绝缘层(M)，所述的绝缘层(M)沿着GIP输出走线(H)所处的平面延展。
9.根据权利要求8所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的绝缘层(M)的厚度均1nm～2nm。
10.根据权利要求1所述的易测量输出波形的GIP输出走线结构，其特征在于，所述的Test i接点的表面设有一半球状的融化增强突出(P)，其中，i＝1,2，…，N。
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