CN219716808U - 芯片加工装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种芯片加工装置，将塑封模组、去膜模组和清除模组沿着传送通道依次排列，以提高芯片加工装置的集成化水平。由此，一方面，芯片加工装置可以对料材依次进行塑封、撕膜和料材底部的清理工作，还能与芯片的工艺流程相匹配，增加了芯片的生产效率。另一方面，利用位于传送通道上方的第一压板和第二压板，将料材稳定地压盖在第一操作窗和第二操作窗上，以便于去膜部将防护膜从引线框架上剥离，避免了料材向第一操作窗下凹陷。以及便于清除部对料材底部进行清理，避免料材被清除部从第二操作窗上顶起。再一方面，将去膜部和清除部设置在传送通道的下方，使得芯片加工装置的内部结构更加紧凑。

Description

芯片加工装置

技术领域

本实用新型涉及机械制造领域，尤其涉及一种芯片加工装置。

背景技术

芯片的制造过程包括晶圆处理、封装和测试等工序。通常利用塑封物将在晶片单元与引线框架塑封在一起，以避免晶片单元污染或受潮。但是，该过程中会有溢胶的情况发生。同时，为了引线框架免受磕碰和划伤，会在其上贴设保护膜。为此，在芯片的制造过程中需要同时对其上的溢胶以及防护膜进行处理。如何提高芯片加工效率以及简化芯片加工装置的结构，成为需要解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种芯片加工装置，利用集成在芯片加工装置中并依次设置的塑封模组、去膜模组和清除模组，分别对料材进行塑封、去除防护膜和料材底部的清除操作，简化了芯片加工装置的整体结构。

本实用新型实施例的芯片加工装置包括：

塑封模组；

去膜模组，包括去膜部和第一压板；

清除模组，包括清除部和第二压板；

载台，载台连接塑封模组、去膜模组与清除模组，且载台包括传送通道、第一操作窗和第二操作窗，传送通道依次经过塑封模组、去膜模组和清除模组，第一操作窗和第二操作窗开设于传送通道的底面并分别与去膜模组和清除模组对应；

第一操作窗位于第一压板和去膜部之间，第二操作窗位于第二压板和清除部之间，第一压板和第二压板可操作地分别压盖于第一操作窗和第二操作窗的边缘，第一压板配合去膜部剥离料材底部的防护膜，第二压板配合清除部清理料材底部区域。

进一步地，去膜模组还包括：

加热件，加热件设置于第一压板；和/或

清除模组还包括：

冷却件，冷却件设置于第二压板。

进一步地，去膜部包括：

胶带输送盘；

胶带回收盘；

胶带，一端盘绕于胶带输送盘，另一端盘绕于胶带回收盘，位于胶带输送盘和胶带回收盘之间的胶带形成粘接段，胶带具有粘接面，位于粘接段的粘接面朝向第一操作窗。

进一步地，去膜部还包括：

压辊体，位于粘接段的背离粘接面一侧，且可操作地带动粘接段朝第一操作窗运动。

进一步地，压辊体位于胶带输送盘和胶带回收盘之间并具有依次衔接的第一运动行程、第二运动行程和第三运动行程，在第一运动行程，压辊体由第一操作窗下方移动至第一操作窗，在第二运动行程，压辊体沿第一操作窗的长度方向运动，在第三运动行程，压辊体远离第一操作窗；

去膜部还包括：

第一驱动器，第一驱动器的输出轴与胶带回收盘连接；以及

胶带回收控制器，与第一驱动器通讯连接，胶带回收控制器被配置为在压辊体处于第三运动行程，控制胶带回收盘回收胶带。

进一步地，胶带宽度同时小于料材的防护膜宽度以及第一操作窗的宽度。

进一步地，清除部包括：

打磨转轮，打磨转轮可操作地相对于第二操作窗运动，并具有第四运动行程和第五运动行程；

在第四运动行程，打磨转轮由第二操作窗下方移动至第二操作窗，在第五运动行程，打磨转轮沿第二操作窗的长度方向运动。

进一步地，清除部还包括：

压力传感器；

第二驱动器，第二驱动器通过压力传感器与打磨转轮的转动轴心铰接并可操作地带动打磨转轮相对于第二操作窗运动；以及

磨轮控制器，与压力传感器和第二驱动器通讯连接，磨轮控制器被配置为在第四运动行程中，且压力传感器的压力信号大于第一阈值时，控制第二驱动器驱动打磨转轮切换为在第五运动行程中运动。

进一步地，清除部还包括：

清洁刮刀，第二驱动器可操作地带动打磨转轮相对于清洁刮刀运动，打磨转轮还具有第六运动行程，在第六运动行程，打磨转轮靠近或远离清洁刮刀；

磨轮控制器还被配置为在第六运动行程，且压力传感器的压力信号大于第二阈值时，控制第二驱动器停止打磨转轮靠近清洁刮刀。

进一步地，清除部包括：

打磨转轮，可操作地相对于第二操作窗运动；

打磨转轮的轴向长度小于第二操作窗的宽度并与料材中的引线框架宽度相适应。

本实用新型实施例的芯片加工装置，将塑封模组、去膜模组和清除模组沿着传送通道依次排列，以提高芯片加工装置的集成化水平。由此，一方面，芯片加工装置可以对料材依次进行塑封、撕膜和料材底部的清理工作，还能与芯片的工艺流程相匹配，增加了芯片的生产效率。另一方面，利用位于传送通道上方的第一压板和第二压板，将料材稳定地压盖在第一操作窗和第二操作窗上，以便于去膜部将防护膜从引线框架上剥离，避免了料材向第一操作窗下凹陷。以及便于清除部对料材底部进行清理，避免料材被清除部从第二操作窗上顶起。再一方面，将去膜部和清除部设置在传送通道的下方，使得芯片加工装置的内部结构更加紧凑。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是本实用新型实施例的芯片加工装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例的去膜模组和清除模组的结构示意图；

图3是本实用新型实施例的去膜模组的结构示意图；

图4是本实用新型实施例的压辊体的运行行程示意图；

图5是本实用新型实施例的去膜模组的电路示意图；

图6是本实用新型实施例的料材的结构示意图；

图7是本实用新型实施例的清除模组的结构示意图；

图8是本实用新型实施例的打磨转轮在一些实施方式中的运行行程示意图；

图9是本实用新型实施例的打磨转轮在另一些实施方式中的运行行程示意图；

图10是本实用新型实施例的清除模组的电路示意图。

附图标记说明：

1-去膜模组；

11-第一压板；

12-去膜部；

121-胶带输送盘；122-胶带回收盘；123-胶带；1231-粘接段；124-压辊体；125-第一驱动器；126-胶带回收控制器；

13-加热件；

2-清除模组；

21-第二压板；

22-清除部；221-压力传感器；222-第二驱动器；223-磨轮控制器；224-清洁刮刀；

23-冷却件；

24-打磨转轮；

3-载台；

31-第一操作窗；32-第二操作窗；33-传送通道；

4-塑封模组；

A-料材；

A1-防护膜；A2-引线框架；A3-塑封物；

S1-第一运动行程；S2-第二运动行程；S3-第三运动行程；S4-第四运动行程；S5-第五运动行程；S6-第六运动行程。

具体实施方式

以下基于实施例对本实用新型进行描述，但是本实用新型并不仅仅限于这些实施例。在下文对本实用新型的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本实用新型。为了避免混淆本实用新型的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。

此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。

为易于说明，诸如“内”、“外”、“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等的空间相关术语在此被用于描述图中例示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相关术语可意欲包含设备在使用或操作中的除图中描绘的方位之外的不同的方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定位为在该其它元件或特征“上方”。因而，示例术语“下方”能包含上方和下方的方位二者。设备可以以其它方式被定向(旋转90度或处于其它方位)，并且在此使用的空间相关描述词应该被相应地解释。

图1是芯片加工装置的结构示意图。图中的芯片加工装置内部设置有去膜模组1、清除模组2和塑封模组4，以及依次经过上述三者的传送通道33。图中的展示了传送通道33的大致位置。

图2是去膜模组1和清除模组2的结构示意图。图中在传送通道33上的箭头为料材A的传送方向。图中该料材A位于去膜模组1位置。

图3是去膜模组1的结构示意图。图中粗实线为胶带123。中心的点划线为第一操作窗31的大致轮廓。其中的剖面线防护膜A1。图中该防护膜A1右侧部分已经从引线框架A2上剥离，左侧部分仍位于引线框架A2上。图中还进一步展示了方向X、方向Y和方向Z。其中，方向X和方向Y分别为第一操作窗31的宽度方向和长度方向。方向Z为第一操作窗31的朝向。

图4是本实用新型实施例的压辊体124的运行行程示意图。图5是去膜模组1的电路示意图。

图6是料材A的结构示意图。图中展示了防护膜A1、引线框架A2以及塑封物A3。该图中展示的引线框架A2的一面为引线框架A2的底面，也即贴设防护膜A1的一面。料材A中的晶片单元位于引线框架A2的另一面(图中未示出)。

图7是清除模组2的结构示意图。图中粗实线为压力传感器221。与图3类似，图中也对应展示了方向X、方向Y和方向Z。

芯片在生产过程中，会先将晶片单元设置在引线框架A2上，而后利用塑封物A3包裹住上述二者，以避免晶片单元和引线框架A2受到污染和损伤。然而，该过程中会出现溢胶的情况。溢胶是指在在塑封浇注作业过程中，会有一定的塑封物A3溢流出到引线框架A2的边缘(如图6中的塑封物A3所示位置)。由此，多余的塑封物A3会导致引脚附近出现不平，甚至导致芯片的短路或接触不良等情形发生。同时，为了便于对引线框架A2进行保护，在引线框架A2的底部会设置有防护膜A1，因此在芯片加工工艺中还需要将其从引线框架A2上撕除。目前，该过程通常采用手工撕除。

在一些实施方式中，如图1-7所示，本实施例的芯片加工装置包括塑封模组4、去膜模组1、清除模组2和载台3。其中，去膜模组1包括去膜部12和第一压板11。清除模组2包括清除部22和第二压板21。载台3上开设有传送通道33、第一操作窗31和第二操作窗32。传送通道33依次经过塑封模组4、去膜模组1和清除模组2，第一操作窗31和第二操作窗32开设于传送通道33的底面并分别与去膜模组1和清除模组2对应。同时，第一操作窗31位于第一压板11和去膜部12之间，第二操作窗32位于第二压板21和清除部22之间，第一压板11和第二压板21可操作地分别压盖于第一操作窗31和第二操作窗32的边缘，第一压板11配合去膜部12剥离料材A底部的防护膜A1，第二压板21配合清除部22清理料材A底部区域。

容易理解，对于DFN封装和QFN封装工艺而言，在完成塑封后，塑封物主要位于引线框架A2的安装晶片单元的一侧，这使得引线框架的背离晶片单元的一侧(也即防护膜A1)暴露在塑封物的外侧。由此，可以待塑封完成后，将防护膜A1从引线框架A2上剥离。该塑封物可以为环氧树脂和二氧化硅的混合物。其中，QFN封装也即方形扁平无引脚封装，该封装方式使得芯片整体的散热性、电气性能和可靠性更好。其管脚分布在芯片的四周。与此相对的，DFN封装是在QFN封装的基础上，将管脚分布在芯片的两边，其整体的外观为方板形。

为此，本实施例将清除模组2设置在去膜模组1的下一工站位置，待防护膜A1从引线框架A2上剥离后，可以通过清除部22对引线框架A2底部，也即防护膜A1撕除后的残留物进行清理。同时，该工序中也可以同时对塑封阶段产生的溢胶进行一并进行清理，以保证芯片底部的整洁。

具体地，本实施例的第一压板11边缘与传送通道33底部靠近第一操作窗31的区域对应。与此相对的，第一压板11边缘与传送通道33底部靠近第二操作窗32的区域对应。由此，当第一压板11和第二压板21压盖在料材A上时，可以使得料材A的边缘被第一压板11和传送通道33底部以及第二压板21和传送通道33底部夹持。以保证去膜部12和清除部22对料材A进行加工时，料材A可以在传送通道33中呈稳定的状态。

综上，本实用新型实施例的芯片加工装置，将塑封模组4、去膜模组1和清除模组2沿着传送通道33依次排列，以提高芯片加工装置的集成化水平。由此，一方面，芯片加工装置可以对料材A依次进行塑封、撕膜和料材A底部的清理工作，还能与芯片的工艺流程相匹配，增加了芯片的生产效率。另一方面，利用位于传送通道33上方的第一压板11和第二压板21，将料材A稳定地压盖在第一操作窗31和第二操作窗32上，以便于去膜部12将防护膜A1从引线框架A2上剥离，避免了料材A向第一操作窗31下凹陷。以及便于清除部22对料材A底部进行清理，避免料材A被清除部22从第二操作窗32上顶起。再一方面，将去膜部12和清除部22设置在传送通道33的下方，使得芯片加工装置的内部结构更加紧凑。

在一些实施方式中，如图1-3所示，去膜部12包括胶带输送盘121、胶带回收盘122和胶带123。该胶带123的一端盘绕于胶带输送盘121，另一端盘绕于胶带回收盘122，位于胶带输送盘121和胶带回收盘122之间的胶带123形成粘接段1231，胶带123具有粘接面，位于粘接段1231的粘接面朝向第一操作窗31。

通过胶带123的粘性可以将防护膜A1从引线框架A2上剥离，而后通过胶带回收盘122将胶带123和防护膜A1一同回收，以避免芯片加工装置对工作环境造成污染，省去了维护人员进行清洁工作。

在一些实施方式中，如图3所示，去膜模组1还包括加热件13，加热件13设置于第一压板11。

具体地，图中的加热件13包括两个加热棒，两个加热棒插入到第一压板11中，以便于对第一压板11进行加热。

容易理解，当胶带123的温度较高时，其粘性也相对较大。本实施例通过加热件13加热第一压板11，当第一压板11压盖在料材A上时，可以将热量传导至胶带123上。从而，保证了胶带123可以将防护膜A1从引线框架A2上剥离。

进一步地，去膜部12还包括压辊体124，位于粘接段1231的背离粘接面一侧，且可操作地带动粘接段1231朝第一操作窗31运动。通过本实施例的压辊体124，可以使得胶带123与防护膜A1粘接的更加紧密，进一步保证对防护膜A1的有效剥离。

在一些实施方式中，如图1-5所示，压辊体124位于胶带输送盘121和胶带回收盘122之间并具有依次衔接的第一运动行程S1、第二运动行程S2和第三运动行程S3，在第一运动行程S1中，压辊体124由第一操作窗31下方移动至第一操作窗31。在第二运动行程S2中，压辊体124沿第一操作窗31的长度方向运动。在第三运动行程S3中，压辊体124远离第一操作窗31。去膜部12还包括第一驱动器125和胶带回收控制器126。第一驱动器125的输出轴与胶带回收盘122连接。胶带回收控制器126与第一驱动器125通讯连接，胶带回收控制器126被配置为在压辊体124处于第三运动行程S3，控制胶带回收盘122回收胶带123。

图4中展示了第一运动行程S1、第二运动行程S2和第三运动行程S3的一种具体形式。图中第一运动行程S1和第三运动行程S3垂直于第一操作窗31(也即沿方向Z运动)并与第一操作窗31的边缘区域对应。当压辊体124由第一运动行程S1至第二运动行程S2的运动中，可以将胶带123贴设在防护膜A1上。而后在第三运动行程S3中，压辊体124远离第一操作窗31，以便于胶带回收盘122回收胶带123。

可选地，将胶带输送盘121或胶带回收盘122配置为能够沿方向Y运动，从在胶带回收盘122回收胶带123前，先将防护膜A1上从引线框架A2上剥离。

进一步地，将胶带123宽度配置为同时小于料材A的防护膜A1宽度以及第一操作窗31的宽度。图6中用虚线展示了胶带123的粘接位置。本实施例通过对胶带123宽度的配置，避免胶带123粘接在载台3底面或直接粘接在引线框架A2上，从而对防护膜A1的剥离产生影响。

图8和图9是打磨转轮24在不同实施方式中的运行行程示意图。其中图8中展示了打磨转轮24的第四运动行程S4和第五运动行程S5，图9中展示了打磨转轮24的第六运动行程S6。两图中的打磨转轮24细实线为打磨转轮24的初始位置。与此相对的，虚线为打磨转轮24的运动后的位置。

图10是本实施例的清除模组2的电路示意图。图中磨轮控制器223同时与第二驱动器222和压力传感器221通讯连接。

在一些实施方式中，如图7-10所示，清除部22包括打磨转轮24。该打磨转轮24可操作地相对于第二操作窗32运动，并具有第四运动行程S4和第五运动行程S5。在第四运动行程S4，打磨转轮24由第二操作窗32下方移动至第二操作窗32(也即方向Z)。在第五运动行程S5(也即方向Y)，打磨转轮24沿第二操作窗32的长度方向运动。

本实施例中利用了打磨转轮24对料材A的底部进行清理。清理位置包括但不限于引线框架A2与防护膜A1的粘接位置和引线框架A2的溢胶位置。

容易理解，本实施例中由第二压板21产生作用于载台3的正压力，该正压力可以产生料材A与传送通道33之间的摩擦力，以避免打磨转轮24在打磨过程中，使料材A产生位移。

优选地，在第五运动行程S5中，打磨转轮24仅对料材A底部清理一次，也即由第二操作窗32的一侧移动至另一侧，以避免在打磨转轮24的往复运动中，使得料材A运动。

在一些实施方式中，如图7所示，清除模组2还包括冷却件23，该冷却件23设置于第二压板21。

具体地，图中的冷却件23包括两个冷却棒，两个冷却棒插入到第二压板21中，以便于对第二压板21进行冷却。

容易理解，料材A经过去膜模组1和塑封模组4后，其温度可能处于较高的状态。此种状态下，如果直接利用磨轮控制器223对引线框架A2边缘的塑封物A3进行清理，可能将引线框架A2上部的塑封物A3一同粘连下来，影响了料材A的整体结构的完整性。同时，该步骤后还会将多个料材A进行打包。例如，将多个料材A与隔离纸交替地进行堆叠设置。当料材A温度过高时，还会对隔离纸产生影响。由此，本实施例在清除模组2中设置了冷却件23，以对料材A进行降温。

在一些实施方式中，如图7-10所示，清除部22还包括压力传感器221、第二驱动器222以及与压力传感器221和第二驱动器222通讯连接的磨轮控制器223。第二驱动器222通过压力传感器221与打磨转轮24的转动轴心铰接并可操作地带动打磨转轮24相对于第二操作窗32运动。同时，磨轮控制器223被配置为在第四运动行程S4中，且压力传感器221的压力信号大于第一阈值时，控制第二驱动器222驱动打磨转轮24切换为在第五运动行程S5中运动。

图7中展示了压力传感器221的具体位置。压力传感器221能够将打磨转轮24与料材A底部的压力值，转化为电压力信号传输至磨轮控制器223。当电压力信号大于第一阈值时，驱动打磨转轮24开始对料材A底部进行清理。通过上述配置，避免打磨转轮24对料材A底部产生的压力过大，对料材A的底部造成划伤。亦或是打磨转轮24对料材A底部的压力过小，无法有效清洁料材A底部。

在一些实施方式中，如图7-10所示，清除部22还包括清洁刮刀224。第二驱动器222可操作地带动打磨转轮224相对于清洁刮刀224运动，打磨转轮24还具有第六运动行程S6。在第六运动行程S6中，打磨转轮24靠近或远离清洁刮刀224。磨轮控制器223还被配置为在第六运动行程S6，且压力传感器221的压力信号大于第二阈值时，控制第二驱动器222停止打磨转轮24靠近清洁刮刀224。

本实施例利用清洁刮刀224可以对打磨转轮24表面的污垢进行清理。该污垢包括料材A上的塑封物A3以及引线框架A2与防护膜A1之间的粘连物质。从而提高芯片加工装置整体的自动化水平。与上述实施例类似，本实施例控制了打磨转轮24与清洁刮刀224之间的压力值，避免压力过大对打磨转轮24造成损伤。亦或是压力过小无法对打磨转轮24进行有效清洁。

可选地，在清除部22上设置刮刀压力控制单元，该刮刀压力控制单元与磨轮控制器223通讯连接，以进一步控制打磨转轮24与清洁刮刀224之间的压力值。

进一步地，清除部22包括打磨转轮24，该打磨转轮24可操作地相对于第二操作窗32运动。打磨转轮24的轴向长度小于第二操作窗32的宽度并与料材A中的引线框架A2宽度相适应。本实施例将打磨转轮24的尺寸控制在一定范围内，避免打磨转轮24在清洁中与载台3底部和料材A的其他区域产生摩擦，影响到打磨转轮24对料材A底部的清理。

可选地，在去膜模组1和清除模组2上分别设置温度传感器，以控制加热件13与冷却件23的温度，以将第一压板11和第二压板21的温度限制在一定范围内。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不用于限制本实用新型，对于本领域技术人员而言，本实用新型可以有各种改动和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种芯片加工装置，其特征在于，所述芯片加工装置包括：

塑封模组(4)；

去膜模组(1)，包括去膜部(12)和第一压板(11)；

清除模组(2)，包括清除部(22)和第二压板(21)；

载台(3)，所述载台(3)连接所述塑封模组(4)、所述去膜模组(1)与所述清除模组(2)，且所述载台(3)包括传送通道(33)、第一操作窗(31)和第二操作窗(32)，所述传送通道(33)依次经过所述塑封模组(4)、所述去膜模组(1)和所述清除模组(2)，所述第一操作窗(31)和所述第二操作窗(32)开设于所述传送通道(33)的底面并分别与所述去膜模组(1)和所述清除模组(2)对应；

所述第一操作窗(31)位于所述第一压板(11)和所述去膜部(12)之间，所述第二操作窗(32)位于所述第二压板(21)和所述清除部(22)之间，所述第一压板(11)和所述第二压板(21)可操作地分别压盖于所述第一操作窗(31)和所述第二操作窗(32)的边缘，所述第一压板(11)配合所述去膜部(12)剥离料材(A)底部的防护膜(A1)，所述第二压板(21)配合所述清除部(22)清理料材(A)底部区域。

2.根据权利要求1所述的芯片加工装置，其特征在于，所述去膜模组(1)还包括：

加热件(13)，所述加热件(13)设置于所述第一压板(11)；和/或

所述清除模组(2)还包括：

冷却件(23)，所述冷却件(23)设置于所述第二压板(21)。

3.根据权利要求1所述的芯片加工装置，其特征在于，所述去膜部(12)包括：

胶带输送盘(121)；

胶带回收盘(122)；

胶带(123)，一端盘绕于所述胶带输送盘(121)，另一端盘绕于所述胶带回收盘(122)，位于所述胶带输送盘(121)和所述胶带回收盘(122)之间的所述胶带(123)形成粘接段(1231)，所述胶带(123)具有粘接面，位于所述粘接段(1231)的所述粘接面朝向所述第一操作窗(31)。

4.根据权利要求3所述的芯片加工装置，其特征在于，所述去膜部(12)还包括：

压辊体(124)，位于所述粘接段(1231)的背离所述粘接面一侧，且可操作地带动所述粘接段(1231)朝所述第一操作窗(31)运动。

5.根据权利要求4所述的芯片加工装置，其特征在于，所述压辊体(124)位于所述胶带输送盘(121)和所述胶带回收盘(122)之间并具有依次衔接的第一运动行程(S1)、第二运动行程(S2)和第三运动行程(S3)，在所述第一运动行程(S1)，所述压辊体(124)由所述第一操作窗(31)下方移动至所述第一操作窗(31)，在所述第二运动行程(S2)，所述压辊体(124)沿所述第一操作窗(31)的长度方向运动，在所述第三运动行程(S3)，所述压辊体(124)远离所述第一操作窗(31)；

所述去膜部(12)还包括：

第一驱动器(125)，所述第一驱动器(125)的输出轴与所述胶带回收盘(122)连接；以及

胶带回收控制器(126)，与所述第一驱动器(125)通讯连接，所述胶带回收控制器(126)被配置为在所述压辊体(124)处于第三运动行程(S3)，控制所述胶带回收盘(122)回收所述胶带(123)。

6.根据权利要求3所述的芯片加工装置，其特征在于，所述胶带(123)宽度同时小于料材(A)的防护膜(A1)宽度以及所述第一操作窗(31)的宽度。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的芯片加工装置，其特征在于，所述清除部包括：

打磨转轮(24)，所述打磨转轮(24)可操作地相对于所述第二操作窗(32)运动，并具有第四运动行程(S4)和第五运动行程(S5)；

在所述第四运动行程(S4)，所述打磨转轮(24)由所述第二操作窗(32)下方移动至所述第二操作窗(32)，在所述第五运动行程(S5)，所述打磨转轮(24)沿所述第二操作窗(32)的长度方向运动。

8.根据权利要求7所述的芯片加工装置，其特征在于，所述清除部还包括：

压力传感器(221)；

第二驱动器(222)，所述第二驱动器(222)通过所述压力传感器(221)与所述打磨转轮(24)的转动轴心铰接并可操作地带动所述打磨转轮(24)相对于所述第二操作窗(32)运动；以及

磨轮控制器(223)，与所述压力传感器(221)和所述第二驱动器(222)通讯连接，所述磨轮控制器(223)被配置为在所述第四运动行程(S4)中，且所述压力传感器(221)的压力信号大于第一阈值时，控制所述第二驱动器(222)驱动所述打磨转轮(24)切换为在所述第五运动行程(S5)中运动。

9.根据权利要求8所述的芯片加工装置，其特征在于，所述清除部(22)还包括：

清洁刮刀(224)，所述第二驱动器(222)可操作地带动所述打磨转轮(24)相对于所述清洁刮刀(224)运动，所述打磨转轮(24)还具有第六运动行程(S6)，在所述第六运动行程(S6)，所述打磨转轮(24)靠近或远离所述清洁刮刀(224)；

所述磨轮控制器(223)还被配置为在所述第六运动行程(S6)，且所述压力传感器(221)的压力信号大于第二阈值时，控制所述第二驱动器(222)停止所述打磨转轮(24)靠近所述清洁刮刀(224)。

10.根据权利要求1所述的芯片加工装置，其特征在于，所述清除部(22)包括：

打磨转轮(24)，可操作地相对于所述第二操作窗(32)运动；

所述打磨转轮(24)的轴向长度小于所述第二操作窗(32)的宽度并与料材(A)中的引线框架(A2)宽度相适应。