CN219610227U - 一种多芯片电容器及其多芯片模组 - Google Patents

Abstract

一种多芯片电容器及其多芯片模组，多芯片模组，包括PCB板、两焊接层、两电容芯片组件和两引出端；两焊接层，分别设置在PCB板的顶面与底面，所述焊接层包括第一焊接件与第二焊接件；两电容芯片组件，分别设置在PCB板的顶面与底面，所述电容芯片组件为由多个电容芯片排列形成的单层矩阵排列，所述电容芯片连接在相邻的第一焊接条与第二焊接条之间；两引出端，相对设置在PCB板的两侧，分别与第一焊接件及第二焊接件连接，本申请通过限定多芯片模组的结构，极大的增加了产品的电容量，并且单个多芯片模组可进行替换，或者根据功能需要将PCB板上的部分电容芯片替换成其他元件，拆卸与更换简便，便于生产与装配，适合大量生产。

Description

一种多芯片电容器及其多芯片模组

技术领域

本实用新型属于电容器制备领域，具体涉及一种多芯片电容器及其多芯片模组。

背景技术

陶瓷电容器除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小、比容大、寿命长、可靠性高、适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，陶瓷电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10％-15％的速度递增。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备，如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。而现有的多芯组陶瓷电容器内部结构均为单层或双层芯片贴片焊接结构，类型单一，受设计结构制约造成产品最大芯片承载数量受限，无法满足日益增加的客户需求，有待进一步改进。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的缺点，提供一种大电容量的多芯片模组，另一目的是提供一种采用上述多芯片模组的多芯片电容器。

本实用新型采用如下技术方案：

一种多芯片模组，包括PCB板、两焊接层、两电容芯片组件和两引出端；

两焊接层，分别设置在PCB板的顶面与底面，所述焊接层包括第一焊接件与第二焊接件，第一焊接件包括有多个间隔设置的第一焊接条，第二焊接件包括有多个间隔设置的第二焊接条，第一焊接条与第二焊接条间隔交替设置在PCB板上；

两电容芯片组件，分别设置在PCB板的顶面与底面，所述电容芯片组件为由多个电容芯片排列形成的单层矩阵排列，所述电容芯片连接在相邻的第一焊接条与第二焊接条之间；

两引出端，相对设置在PCB板的两侧，分别与第一焊接件及第二焊接件连接。

进一步的，所述引出端包括基板、间隔设置在基板上与下层第一焊接件或下层第二焊接件连接的多个第一连接端和间隔设置在基板上与上层第一焊接件或上层第二焊接件连接的多个第二连接端，多个第一连接端与多个第二连接端交替设置在基板上。

进一步的，所述第一焊接件还包括连接多个第一焊接条的第一连接部，所述第二焊接件还包括连接多个第二焊接条的第二连接部，所述第一连接端与下层第一连接部或下层第二连接部连接，所述第二连接端与上层第一连接部或上层第二连接部连接。

进一步的，所述基板上设置有多个沿其长度方向间隔排列的让位孔。

进一步的，所述第二连接端呈倒L型设置在基板上。

一种多芯片电容器，包括壳体和间隔排列在壳体中的多个以上任一项所述的多芯片模组，所述壳体形成有用于安装多个多芯片模组的安装腔。

进一步的，还包括用于密封安装腔的底座和设置在壳体与底座之间的锁紧件。

进一步的，还包括相对设置在底座上用于固定多个多芯片模组的两固定缓冲框架，所述固定缓冲框架包括设置在底座上用于支撑多芯片模组的支撑板和设置在支撑板上向上延伸与引出端连接的多个连接杆，多个连接杆与多个多芯片模组一一对应。

进一步的，所述连接杆包括竖直延伸段和对称设置在竖直延伸段上下两端的两缓冲段，所述和缓冲段呈L型。

进一步的，所述支撑板包括L型支撑段和设置在支撑段顶部的折弯段，所述连接杆设置在折弯段上。

由上述对本实用新型的描述可知，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本申请通过限定多芯组电容器的结构，由多层装配的结构形式，极大的增加了产品的电容量，可靠性高，机械及环境使用性强，承载能力强，并且单个多芯片模组可进行替换，或者根据功能需要将PCB板上的部分电容芯片替换成其他元件，拆卸与更换简便，便于生产与装配，适合大量生产。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图一；

图2为本实用新型的结构示意图二；

图3为实用新型的结构分解图；

图4为多芯片模组的结构示意图一；

图5为多芯片模组的结构示意图二；

图6为引出端的结构示意图；

图7为固定缓冲框架的结构示意图；

图8为本实用新型的结构剖视图；

图9为图8中A出的放大图；

图中，1-壳体、2-多芯片模组、3-底座、4-固定缓冲框架、5-锁紧件、11-容纳腔、12-定位板、13-定位槽、21-PCB板、22-焊接层、23-电容芯片组件、231-电容芯片、24-引出端、241-基板、242-第一连接端、243-第二连接端、244-让位孔、25-第一焊接件、251-第一连接部、252-第一焊接条、26-第二焊接件、261-第二连接部、262-第二焊接条、41-支撑板、411-支撑段、412-折弯段、42-连接杆、421-竖直延伸段、422-缓冲段、51-穿孔、52-锁紧孔、53-锁紧螺栓。

具体实施方式

以下通过具体实施方式对本实用新型作进一步的描述。

参照图1至图9所示，一种多芯组电容器，包括壳体1、多个多芯片模组2、底座3、两固定缓冲框架4和锁紧件5。

壳体1，包括从其顶部向上延伸用于安装多个多芯片模组2的安装腔11和设置在安装腔11中与多个多芯片模组2一一对应的多个定位件，具体的，定位件包括相对设置在安装腔11侧壁的两定位块12和从定位块12侧面向外延伸供相对多芯片模组2端部嵌入的定位槽13，通过在安装腔11中设置定位件，由定位槽13与多芯片模组2端部配合以对多芯片模组2进行定位，便于后续对多芯片模组2的固定。

多个多芯片模组2，间隔设置在安装腔11中，具体的，多芯片模组2包括PCB板21、两焊接层22、两电容芯片组件23和两引出端24。

两焊接层22，分别设置在PCB板21的顶面与底面，具体的，焊接层22包括第一焊接件25与第二焊接件26，第一焊接件25包括第一连接部251和多个间隔设置在第一连接部251上的第一焊接条252，第二焊接件26包括第二连接部261和多个间隔设置在第二连接部261上的第二焊接条262，多个第一焊接条252与多个第二焊接条262间隔交替设置在PCB板21上，以便于电容芯片组件23的设置；进一步的，位于上层的第一连接部与位于下层的第一连接部设置在PCB板21的同一侧。

两电容芯片组件23，分别设置在PCB板21的顶面与底面，具体的，电容芯片组件23为由多个电容芯片231排列形成的单层矩阵排列，该电容芯片231连接在相邻的第一焊接条252与第二焊接条262之间。

两引出端24，相对设置在PCB板21的两侧，分别与第一焊接件25及第二焊接件26连接，引出端24包括基板241、间隔设置在基板241上与下层第一焊接件25或下层第二焊接件26连接的多个第一连接端242和间隔设置在基板241上与上层第一焊接件25或上层第二焊接件26连接的多个第二连接端243，多个第一连接端242与多个第二连接端243交替设置在基板241上；具体的，第一连接端242与位于下层的第一连接部251或第二连接部261连接，第二连接端243与位于上层的第一连接部251或第二连接部261连接，且第一连接端242到第二连接端243之间的距离等于PCB板21的厚度，引出端24焊接时，PCB板21端部嵌入第一连接端242与第二连接端243之间，便于对引出端24进行焊接；进一步的，基板241上设置有多个沿其长度方向间隔排列的让位孔244，第二连接端243呈倒L型设置在基板241上。

底座3，设置在壳体1底部，用于密封安装腔11。

两固定缓冲框架4，设置在底座3上，用于固定多个多芯片模组2，固定缓冲框架4包括设置在底座3上用于支撑多芯片模组2的支撑板41和设置在支撑板42上向上延伸与引出端24连接的多个连接杆42，多个连接杆42与多个多芯片模组2一一对应；具体的，支撑板41包括L型支撑段411和设置在支撑段411顶部的折弯段412，底座3支撑在相对的两L型支撑段411上，使得L型支撑段411可作为多芯组电容器的焊盘与外部电路连接；连接杆42设置在折弯段412上，包括竖直延伸段421和对称设置在竖直延伸段421上下两端的两缓冲段422，该缓冲段422呈L型；多芯组电容器制备时，先将多芯片模组2嵌入相对的定位槽13中，再将底座3与壳体1合模，使得引出端24的下端支撑在折弯段412上，且引出端24的侧边经连接杆42固定在定位槽13中，其中，连接杆42的竖直延伸段421与引出端24的侧边相抵，缓冲段422与定位槽13的槽底相抵，通过在底座3上设置固定缓冲框架4，在对多芯片模组2进行固定的同时，折弯段412可缓冲多芯模组2受到的竖直方向的力，缓冲段422可缓冲多芯模组2受到的水平方向的力，以减缓多芯片模组2受冲击的力，防止多芯片模组2变形，可靠性高，机械及环境使用性强。

锁紧件5，设置在底座3与壳体1之间，包括从壳体1顶部向下延伸的穿孔51、设置在底座3上与穿孔51相对的螺孔52和穿过穿孔51与螺孔52配合的锁紧螺栓53。

多芯组电容器的制备方法，包括以下步骤：

步骤一，选择适配的带有焊接层22的PCB板21，并根据产品需要在PCB板21上焊接电容芯片231，使PCB板21的顶面与底面形成电容芯片组件23；

步骤二，在PCB板21相对的两侧边分别焊接引出端24，再与相对的第一焊接件25或第二焊接件26连接，以获得多芯片模组2；

步骤三，根据产品需求将所需数量的多芯片模组2插入安装腔11中，由相对的定位件对多芯片模组2进行定位，其中，多芯片模组2的引出端24嵌入相对的定位槽13中，由定位槽13对相对的多芯片模组2进行定位；

步骤四，待多个多芯片模组2安装完成后，将底座3与壳体1合模，密封安装腔11，使多芯片模组2两侧的引出端24分别支撑在相对的支撑板41上，同时使连接杆42位于相对的引出端24与定位槽13之间，再经锁紧件5将可壳体1与底座3锁紧，以获得所述多芯组电容器，其中，连接杆42的竖直延伸段421与引出端24的侧边相抵，缓冲段422与定位槽13的槽底相抵。

本申请通过限定多芯组电容器的结构，由多层装配的结构形式，极大的增加了产品的电容量，可靠性高，机械及环境使用性强，承载能力强，并且单个多芯片模组可进行替换，或者根据功能需要将PCB板21上的部分电容芯片231替换成其他元件，拆卸与更换简便，便于生产与装配，适合大量生产。

以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，故不能以此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。

Claims (10)

1.一种多芯片模组，其特征在于；包括PCB板、两焊接层、两电容芯片组件和两引出端；

两焊接层，分别设置在PCB板的顶面与底面，所述焊接层包括第一焊接件与第二焊接件，第一焊接件包括有多个间隔设置的第一焊接条，第二焊接件包括有多个间隔设置的第二焊接条，第一焊接条与第二焊接条间隔交替设置在PCB板上；

两电容芯片组件，分别设置在PCB板的顶面与底面，所述电容芯片组件为由多个电容芯片排列形成的单层矩阵排列，所述电容芯片连接在相邻的第一焊接条与第二焊接条之间；

两引出端，相对设置在PCB板的两侧，分别与第一焊接件及第二焊接件连接。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片模组，其特征在于：所述引出端包括基板、间隔设置在基板上与下层第一焊接件或下层第二焊接件连接的多个第一连接端和间隔设置在基板上与上层第一焊接件或上层第二焊接件连接的多个第二连接端，多个第一连接端与多个第二连接端交替设置在基板上。

3.根据权利要求2所述的一种多芯片模组，其特征在于：所述第一焊接件还包括连接多个第一焊接条的第一连接部，所述第二焊接件还包括连接多个第二焊接条的第二连接部，所述第一连接端与下层第一连接部或下层第二连接部连接，所述第二连接端与上层第一连接部或上层第二连接部连接。

4.根据权利要求2所述的一种多芯片模组，其特征在于：所述基板上设置有多个沿其长度方向间隔排列的让位孔。

5.根据权利要求2所述的一种多芯片模组，其特征在于：所述第二连接端呈倒L型设置在基板上。

6.一种多芯片电容器，其特征在于：包括壳体和间隔排列在壳体中的多个如权利要求1至5任一项所述的多芯片模组，所述壳体形成有用于安装多个多芯片模组的安装腔。

7.根据权利要求6所述的一种多芯片电容器，其特征在于：还包括用于密封安装腔的底座和设置在壳体与底座之间的锁紧件。

8.根据权利要求7所述的一种多芯片电容器，其特征在于：还包括相对设置在底座上用于固定多个多芯片模组的两固定缓冲框架，所述固定缓冲框架包括设置在底座上用于支撑多芯片模组的支撑板和设置在支撑板上向上延伸与引出端连接的多个连接杆，多个连接杆与多个多芯片模组一一对应。

9.根据权利要求8所述的一种多芯片电容器，其特征在于：所述连接杆包括竖直延伸段和对称设置在竖直延伸段上下两端的两缓冲段，所述缓冲段呈L型。

10.根据权利要求8所述的一种多芯片电容器，其特征在于：所述支撑板包括L型支撑段和设置在支撑段顶部的折弯段，所述连接杆设置在折弯段上。