CN219068849U - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板及显示装置，所述显示基板包括基底、设置在所述基底上的光处理层，所述基底包括显示区，包围所述显示区的非显示区，以及位于所述非显示区的至少一条切割道；其中，所述显示区和所述切割道内均设置有所述光处理层，所述光处理层在所述基底上的正投影与所述切割道在所述基底上的正投影至少部分重合。通过将光处理层同时设置在显示区和所述切割道内，可在基本不更改制作工艺、不增加制作成本及制作复杂度的情况下，减小切割道与切割道两侧膜层结构之间的断差，以减小切割时激光在该断差区域内形成气泡的可能性，进而降低切割道气泡发生率，避免切割粘连，提升产品良率。

Description

一种显示基板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点，在终端市场占比越来越高。随着面板尺寸增加，现有在柔性显示面板的制作过程中，通常在一块母板上制作多个显示面板，在蒸镀和封装工艺完成后，将母板切割为若干个显示面板。传统切割道设计时，切割道与切割道两侧膜层之间形成较大的断差，切割时激光经过该断差区域后易在该断差区域内形成气泡，后续工艺无法完全排出该区域内的气泡，以致气泡对激光切割工艺造成强干扰，导致该区域内激光无法完全聚焦，最终导致切割粘连，良率降低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示基板及显示装置。

基于上述目的，本申请第一方面提供了一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的光处理层，所述基底包括显示区，包围所述显示区的非显示区，以及位于所述非显示区的至少一条切割道；

其中，所述显示区和所述切割道内均设置有所述光处理层，所述光处理层在所述基底上的正投影与所述切割道在所述基底上的正投影至少部分重合，所述光处理层包括第一光处理层和第二光处理层，所述第二光处理层设置在所述第一光处理层远离所述基底的一侧，所述切割道内设置有所述第一光处理层和/或第二光处理层，所述第一光处理层和所述第二光处理层的折射率不同。

进一步地，所述切割道在所述基底上的正投影位于所述光处理层在所述基底上的正投影之中。

进一步地，所述光处理层在所述切割道内的厚度小于所述切割道的深度，所述光处理层的厚度方向和所述切割道的深度方向均为沿着垂直于所述基底所在平面的方向。

进一步地，所述光处理层包括第一光处理层和第二光处理层，所述第二光处理层设置在所述第一光处理层远离所述基底的一侧，所述切割道内设置有所述第一光处理层和/或第二光处理层。

进一步地，所述切割道内设置有所述第一光处理层和第二光处理层，位于所述切割道内的第一光处理层的顶面与位于所述显示区的第一光处理层的顶面齐平，所述顶面为所述第一光处理层背离所述基底的一面。

进一步地，所述切割道内设置有所述第一光处理层或第二光处理层，所述第一光处理层或第二光处理层在所述切割道内的厚度小于所述切割道的深度。

进一步地，所述基底的切割边缘与所述光处理层的边缘齐平。

进一步地，所述基底的切割边缘与所述第一光处理层的边缘齐平。

进一步地，所述第二光处理层的边缘在所述基底上的正投影位于所述第一光处理层的边缘在所述基底上的正投影之中。

进一步地，还包括：发光层，所述发光层位于所述基底和所述光处理层之间，所述发光层包括像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口；

所述显示区设置有所述第一光处理层，位于所述显示区内的所述第一光处理层包括多个光处理结构，相邻两个所述光处理结构之间形成光处理开口，所述光处理开口在所述基底上的正投影与所述像素开口在基底上的正投影至少部分重合。

进一步地，所述显示区还设置有所述第二光处理层，位于所述显示区内的所述第二光处理层覆盖在所述光处理结构远离所述基底的一侧，所述光处理结构的折射率小于所述第二光处理层的折射率。

进一步地，所述第二光处理层的折射率与所述光处理结构的折射率之差大于或等于0.3。

进一步地，还包括：封装结构层和触控层，所述封装结构层设置于所述发光层远离所述基底的一侧，所述触控层设置于所述封装结构层远离所述基底的一侧，所述光处理层设置在所述触控层上。

基于同一发明构思，本申请第二方面提供了一种显示装置，包括上述第一方面任一项所述的显示基板。

从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板及显示装置，本申请所述的显示基板，通过将光处理层同时设置在显示区和所述切割道内，仅需将原本只设置于显示区的光处理层延伸至切割道位置，使光处理层至少部分覆盖切割道，即可在基本不更改制作工艺、不增加制作成本及制作复杂度的情况下，减小切割道与切割道两侧膜层结构之间的断差，以减小切割时激光在该断差区域内形成气泡的可能性，进而降低切割道气泡发生率，避免切割粘连，提升产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中在一块母板上制作两个显示面板的宏观示意图；

图2为现有技术中的显示基板及其切割道的结构示意图；

图3为现有技术中在切割道内设置填充绝缘层的结构示意图；

图4为本申请实施例的显示基板的切割道及其两侧的第一种示意图；

图5为本申请实施例的显示基板的切割道及其两侧的第二种示意图；

图6为本申请实施例的显示基板的切割道及其两侧的第三种示意图；

图7为本申请实施例的显示基板的切割道及其两侧的第四种示意图；

图8为本申请实施例的显示基板的显示区的一种结构示意图；

图9为本申请实施例的显示基板的显示区的另一种结构示意图；

图10为本申请实施例的显示基板切割后的一种结构示意图；

图11为本申请实施例的显示基板切割后的另一种结构示意图；

图12为本申请实施例的显示基板筛的制作方法的流程示意图。

图中，01、柔性衬底层；02、衬底支撑层；03、其他膜层；04、表面保护膜；05、背面保护膜；06、填充绝缘层；1、基底；2、光处理层；21、第一光处理层；211、光处理结构；22、第二光处理层；3、切割道；4、绝缘层；5、发光层；51、像素定义层；52、阳极；53、有机发光层；54、阴极；6、驱动电路层；7、封装结构层；8、触控层。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点，在终端市场占比越来越高。随着面板尺寸增加，现有在柔性显示面板的制作过程中，通常在一块母板上制作多个显示面板，在蒸镀和封装工艺完成后，将母板切割为若干个显示面板。参考图1，图1为在一块母板上制作两个显示面板的宏观示意图，图中虚线框的位置即为切割道的位置。

现有在柔性显示面板的制作过程中，往往需要去除刚性基底，比如玻璃基底，而使用基底作为基板。为了保护基底不受损伤，在去除刚性基底前后，需要贴附柔性保护膜。结合图2所示，在采用单层柔性衬底层01和单层衬底支撑层02来制备基底时(图2中柔性显示面板除了包括上述所述的膜层之外还包括其它膜层，其它膜层用标号03表示)，激光切割的切割道位置(如图2中虚线L所示)处所述衬底支撑层02及其他膜层03被完全刻蚀掉，此时切割道位置处仅存在柔性衬底层01，沿垂直于所述柔性衬底层01所在平面的方向上，切割道内的膜层厚度将明显低于切割道两侧的厚度，切割道与切割道两侧膜层之间形成较大的断差。在粘贴表面保护膜04和背面保护膜05后，通过在切割道位置处采用激光对柔性衬底层01进行激光切割。切割时激光经过该断差区域(如图2中填充区域所示)时易在该断差区域内形成气泡，后续工艺无法完全排出该区域内的气泡，以致气泡对激光切割工艺造成强干扰，导致该区域内激光无法完全聚焦，最终导致切割粘连，良率降低。

相关技术中，参考图3所示，通过在传统切割道内设置填充绝缘层06来减小切割道与切割道两侧膜层之间的断差，进而减小该断差区域的空间，以减小切割时激光在该断差区域内形成气泡的可能性，进而减少切割道气泡发生率。但是，该方法对工艺的影响较大，需要对制作工艺有较大的改动，增加了制作成本和制作的复杂程度，这不利于该类显示面板的制作及大批量的生产，因此，这种方法的实际可操作性不强。因此，如何在基本不改变制作工艺、不增加制作成本和制作复杂程度的前提下来减少切割道气泡发生率，增加产品良率是业内亟需解决的技术问题。

基于以上问题，参考图4，本申请提供了一种显示基板，包括：基底1、设置在所述基底1上的光处理层2，所述基底1包括显示区，包围所述显示区的非显示区，以及位于所述非显示区的至少一条切割道3；

其中，所述显示区和所述切割道3内均设置有所述光处理层2，所述光处理层2在所述基底1上的正投影与所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合，所述光处理层2包括第一光处理层21和第二光处理层22，所述第二光处理层22设置在所述第一光处理层21远离所述基底1的一侧，所述切割道3内设置有所述第一光处理层21和/或第二光处理层22，所述第一光处理层21和所述第二光处理层22的折射率不同。

具体地，本申请所述的切割道为距离所述基底的切割边缘200到300微米范围内的区域。

所述光处理层2为第一光处理层21和第二光处理层22形成的堆叠结构。位于所述切割道3处的光处理层2可以为所述第一光处理层21和第二光处理层22的堆叠结构，也可以仅有第一光处理层21或第二光处理层22，具体实施时，采用第一光处理层21和第二光处理层22中的哪一层或者两层组合来对切割道3进行填充依据实际工艺及需求进行设定，在此不做限定。位于所述显示区内的光处理层2包括第一光处理层21和第二光处理层22，且所述第一光处理层21和所述第二光处理层22的折射率不同，如此光处理层22可以应用在效率增强结构(Efficiency enhancementstructure，简称EES)中来提升显示装置的正面出光效率。

相关技术中，为了降低面板使用过程的功耗，需要采用低功耗的发光器件，例如采用效率增强结构来提升显示装置的正面出光效率，以降低显示功耗。光处理层2是柔性显示面板的效率增强结构中必不可少的膜层结构，光处理层2一般只设置在显示基板的显示区，以提升显示装置的正面出光效率。

本申请中，所述显示区和所述切割道3内均设置有所述光处理层2，将所述光处理层2设置在所述显示区，可以提升显示装置的正面出光效率，同时将所述光处理层2设置在所述切割道3处，使得光处理层2可以对切割道3内的空间进行填充，可以减小切割道3与切割道3两侧膜层结构之间的断差，以减小切割时激光在该断差区域内形成气泡的可能性，进而降低切割道3气泡发生率，避免切割粘连，提升产品良率。同时，将光处理层2同时设置在显示区和所述切割道3内，仅需将原本只设置于显示区的光处理层2延伸至切割道3位置，使光处理层2至少部分覆盖切割道3，即可在基本不更改制作工艺、不增加制作成本及制作复杂度的情况下，减小切割道3与切割道3两侧膜层结构之间的断差，进而减少切割道3的气泡发生率，提升产品的良率。

其中，所述光处理层2在所述基底1上的正投影与所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合。

具体地，所述光处理层2在所述基底1上的正投影与所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合，即所述光处理层2在所述基底1上的正投影至少部分覆盖所述切割道3在所述基底1上的正投影。

示例性地，参考图4，所述切割道3在所述基底1上的正投影位于所述光处理层2在所述基底1上的正投影之中，即所述光处理层2在所述基底1上的正投影完全覆盖所述切割道3在所述基底1上的正投影，也就是说，所述切割道3的凹槽底部完全填充有所述光处理层2，确保所述切割道3底部全部被光处理层2覆盖，以使得整个切割道3与切割道3两侧膜层结构之间的断差均减小，进而显著降低切割道3气泡发生率。

示例性地，参考图5，所述切割道3在所述基底1上的正投影与所述光处理层2在所述基底1上的正投影部分重合，即，所述光处理层2没有完全覆盖所述切割道3的底部，仅覆盖了切割道3底部的一部分。相较于传统切割道3而言，如此设置仍然能减小切割道3与切割道3两侧膜层结构之间的断差，进而降低切割道3气泡发生率。

本申请所述的显示基板，通过将光处理层2同时设置在显示区和所述切割道3处，仅需将原本只设置于显示区的光处理层2延伸至切割道3位置，使光处理层2至少部分覆盖切割道3，即可在基本不更改制作工艺、不增加制作成本及制作复杂度的情况下，减小切割道3与切割道3两侧膜层结构之间的断差，以减小切割时激光在该断差区域内形成气泡的可能性，进而降低切割道3气泡发生率，避免切割粘连，提升产品良率。

在一些实施例中，所述基底1与所述光处理层2之间还设置有绝缘层4。所述绝缘层4可以包括阻隔层、像素定义层、平坦层、层间介质层、栅绝缘层中的一个或多个，具体不做限定。

在一些实施例中，所述光处理层2在所述切割道3内的厚度小于所述切割道3的深度，所述光处理层2的厚度方向和所述切割道3的深度方向均为沿着垂直于所述基底1所在平面的方向。

具体地，所述光处理层2在所述切割道3内的厚度小于所述切割道3的深度，一方面确保光处理层2可以对切割道3进行有效填充，另一方面使得切割道3仍然与切割道3两侧膜层结构之间有较小的断差，方便后续切割工序的进行。

在一些实施例中，所述光处理层2在所述切割道3内的厚度占所述切割道3的深度的1/3至3/4，以有效降低切割道3的气泡发生率。若所述光处理层2在所述切割道3内的厚度占所述切割道3的深度小于1/3，则光处理层2对切割道3的覆盖厚度不够，导致无法有效降低切割道3的气泡发生率；若所述光处理层2在所述切割道3内的厚度占所述切割道3的深度大于3/4，则光处理层2对切割道3的覆盖厚度太厚，以致影响后续切割工艺。

在一些实施例中，参考图6，所述切割道3内设置有所述第一光处理层21和第二光处理层22，位于所述切割道3内的第一光处理层21的顶面与位于所述显示区的第一光处理层21的顶面齐平，所述顶面为所述第一光处理层21背离所述基底1的一面。

具体地，当所述切割道3处同时设置有所述第一光处理层21和第二光处理层22时，位于所述切割道3内的第一光处理层21的顶面与位于所述显示区的第一光处理层21的顶面齐平，使得在实际制作时，切割道3处的第一光处理层21和显示区处的第一光处理层21可以同层制作，并且不需要其他特殊处理，也不需要对切割道3处的第一光处理层21进行刻蚀，操作简单，不会影响现有的制作工艺，不会增加制作成本。同时，所述第二光处理层22和第一光处理层21的厚度之和小于所述切割道3的深度，以使得切割道3处的整个光处理层2的厚度小于切割道两侧膜层结构的厚度，进而使切割道3仍然与切割道3两侧膜层结构之间有较小的断差，方便后续切割工序的进行。

在一些实施例中，继续参考图4，所述切割道3内设置有所述第一光处理层21，所述第一光处理层21在所述切割道3内的厚度小于所述切割道3的深度。

具体地，当所述切割道3处仅设置有所述第一光处理层21时，所述切割道3内设置有所述第一光处理层21，所述第一光处理层21在所述切割道3内的厚度小于所述切割道3的深度，这样确保第一光处理层21可以对切割道3进行有效填充，以减小切割道3断差。

在一些实施例中，参考图7，所述切割道3内设置有所述第二光处理层22，所述第二光处理层22在所述切割道3内的厚度小于所述切割道3的深度。

具体地，当所述切割道3处仅设置有所述第二光处理层22时，所述切割道3内设置有所述第二光处理层22，所述第二光处理层22在所述切割道3内的厚度小于所述切割道3的深度，既确保所述第二光处理层22可以对切割道3进行有效填充，也可以确保切割道3处总的光处理层2的厚度小于切割道3两侧膜层的厚度，以使得切割道3仍然与切割道3两侧膜层结构之间有较小的断差，方便后续切割工序的进行。

在一些实施例中，参考图10和图11，所述基底1的切割边缘与所述光处理层2的边缘齐平，具体地，所述基底1的切割边缘与所述第一光处理层21的边缘齐平，如此使得切割后的显示基板的边缘较为平整，方便后续工序的进行。值得注意的是，本申请所述基底1的切割边缘与所述光处理层2的边缘齐平指的是所述光处理层2的边缘在所述基底1上的正投影与所述基底1的切割边缘之间的距离为0～30微米。

进一步地，所述第二光处理层22的边缘在所述基底1上的正投影位于所述第一光处理层21的边缘在所述基底上的正投影之中。

具体地，参考图11，所述第二光处理层22的边缘可以与所述第一光处理层21的边缘齐平，即所述第二光处理层22的边缘在所述基底1上的正投影与所述第一光处理层21的边缘在所述基底上的正投影重合，此时第二光处理层22的边缘、第一光处理层21的边缘和基底1的切割边缘均齐平，使得切割后的显示基板的边缘非常平整，方便后续工序的进行。

参考图10，所述第二光处理层22的边缘也可以与所述第一光处理层21的边缘不齐平，即所述第二光处理层22的边缘在所述基底1上的正投影位于所述第一光处理层21的边缘在所述基底1上的正投影之中，此时第一光处理层21的边缘和基底1的切割边缘依然齐平，如此使得切割后的显示基板的切割边缘较为平整，同时使得切割工序更方便进行。

在一些实施例中，参考图8，所述显示基板还包括：发光层5，所述发光层5位于所述基底1和所述光处理层2之间，所述发光层5包括像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口；

所述显示区设置有所述第一光处理层21，位于所述显示区内的所述第一光处理层21包括多个光处理结构211，相邻两个所述光处理结构211之间形成光处理开口，所述光处理开口在所述基底1上的正投影与所述像素开口在基底1上的正投影至少部分重合。

具体地，发光层5可以包括像素定义层51和发光器件，像素定义层51可以包括多个像素开口，像素开口形成发光区，相邻发光区之间为像素坝，发光区可以包括红色发光区、绿色发光区和蓝色发光区，或者，发光区可以包括红色发光区、绿色发光区、蓝色发光区和白色发光区，具体不作限制。发光器件可以包括阳极52、有机发光层53和阴极54。

其中，位于所述显示区内的所述第一光处理层21中设置有所述光处理开口，所述光处理开口在所述基底1上的正投影与所述像素开口在基底1上的正投影至少部分重合，确保发光区发出的光线可以从光处理开口中穿过，避免影响出光效率。

具体实施时，可以根据实际像素形貌或工艺需求设置光处理结构211的形状，进而获得合适的光处理开口的形状，在平行于显示基板的平面上，光处理结构211的形状可以为如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形，在垂直于基底1的平面内，光处理结构211的截面形状可以包括梯形、倒梯形或者T形等，光处理结构211的侧壁可以是折线、弧线或波浪线等，具体不作限定。

在一些实施例中，继续参考图8，所述显示区还设置有所述第二光处理层22，位于所述显示区内的所述第二光处理层22覆盖在所述光处理结构211远离所述基底1的一侧，所述光处理结构211的折射率小于所述第二光处理层22的折射率。

具体地，所述第二光处理层22远离所述基底1一侧的表面可以为平坦化表面。所述光处理结构211的折射率小于所述第二光处理层22的折射率，使得来自发光区的光线在经过光处理层2后向发光区中心的方向偏转，能够提高显示面板的出光效率。示例性地，发光区中心可以是发光区的几何中心。光处理结构211的第一折射率n1小于第二光处理层22的第二折射率n2，且第一入射角θ1>全反射临界角β，全反射临界角β＝arcsin(n1/n2)。具体实施时，光线以第一入射角θ1入射到光处理结构211与第二光处理层22的交界面，由于第一入射角θ1大于全反射临界角β，因而入射光发生全反射，以第一反射角θ2重新进入第二光处理层22，由于第一入射角θ1等于第一反射角θ2，这使得原本射向大角度方向的入射光线发生偏转，进而使得重新进入第二光处理层22的光线实现向发光中心的方向偏转，因此提升了正面出光的效率。

其中，所述第二光处理层22的折射率与所述光处理结构211的折射率之差大于或等于0.3，示例性地，所述第二光处理层22的折射率与所述光处理结构211的折射率之差可以为0.3、0.35、0.4等，当所述光处理结构211的折射率与所述第二光处理层22的折射率之差大于或等于0.3时，光处理层2可以更好的提升正面出光效率。

本申请中，第一光处理层21在切割道3内为层状结构，在显示区内为多个光处理结构211，第一光处理层21在不同区域的不同结构设置既可以保证第一光处理层21对切割道3的覆盖，以减小切割道3断差，又使得在显示区内的第一光处理层21具有光处理开口，以使得来自发光区的光线在经过光处理结构211的全反射之后向发光区中心的方向偏转，提高正面出光效率。

在一些实施例中，参考图9，所述显示基板还包括驱动电路层6，所述驱动电路层6设置于所述基底1靠近所述光处理层2的一侧。驱动电路层6可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。

在一些实施例中，继续参考图9，所述显示基板还包括封装结构层7，所述封装结构层7设置于所述发光层5远离所述基底1的一侧。封装结构层7可以包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层可以采用无机材料，第二子层可以采用有机材料。

在一些实施例中，继续参考图9，所述显示基板还包括触控层8，所述触控层8设置于所述封装结构层7远离所述基底1的一侧，所述光处理层2设置在所述触控层8上。触控层8可以是柔性多层覆盖表面式(Flexible Multi Layer On Cell，简称FMLOC)结构，触控层8可以包括第一触控绝缘层、第一金属网格层、第二触控绝缘层、第二金属网格层和第三触控绝缘层，第一触控绝缘层可以位于第一金属网格层靠近基底1的一侧，第二触控绝缘层可以位于第一金属网格层远离基底1的一侧，第二金属网格层可以位于第二触控绝缘层4远离基底1的一侧，第三触控绝缘层4可以位于第二金属网格层远离基底1的一侧。

本申请还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示基板。该显示装置具有上述任一实施例所述的技术效果，在此不做赘述。

需要说明的是，所述显示装置可以是具有图像显示功能的产品，例如可以是：显示器、电视、广告牌、数码相框、具有显示功能的激光打印机、电话、手机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、数码相机、便携式摄录机、取景器、导航仪、车辆、大面积墙壁、家电、信息查询设备(如电子政务、银行、医院、电力等部门的业务查询设备、监视器等)。

在一些实施例中，显示装置可以进一步包括与显示面板耦接的驱动电路，驱动电路被配置为向显示面板提供相应的电信号。

参考图12，本申请还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

S101、提供一基底1，所述基底1包括显示区、包围所述显示区的非显示区；

S102、在所述基底1上形成光处理层2；

S103、在所述光处理层2远离所述基底1的一侧形成至少一条切割道3，所述显示区和所述切割道3内均设置有所述光处理层2，所述光处理层2在所述基底1上的正投影与所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合。

其中，所述步骤S102在所述基底1上形成光处理层2具体包括：在所述基底1上涂覆第一光学胶。在显示区内，通过光刻工艺形成光处理结构211，去掉光处理结构211之间的第一光学胶，形成光处理开口。在示例性实施方式中，可以在第一光学胶中进行掺杂，以获得具有低折射率的第一光学胶。

随后沉积第一光学薄膜，对第一光学薄膜进行图案化，形成覆盖所述第一光学胶和多个光处理结构211的第二光处理层22，至此，制备完成光处理层2图案。示例性地，第一光学薄膜可以采用硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，沉积方式可以采用化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)等方式。

其中，所述步骤S103在所述光处理层2远离所述基底1的一侧形成至少一条切割道3，所述显示区和所述切割道3处均设置有所述光处理层2，所述光处理层2在所述基底1上的正投影与所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合，具体包括：在前述形成光处理层2图案的基底1上，对所述光处理层2进行刻蚀，形成至少一条包含所述光处理层2的切割道3。示例性地，所述光处理层2包括第一光处理层21和第二光处理层22，所述第二光处理层22设置在所述第一光处理层21远离所述基底1的一侧，所述切割道3处设置有所述第一光处理层21和/或第二光处理层22。

在一些实施例中，所述制作方法还包括：在所述基底1上进行蒸镀工艺、封装工艺以及增设其它功能膜层的工艺，并对这些工艺之后所述切割道3处的相关膜层进行刻蚀，在刻蚀之后，相应地，在所述显示区形成显示功能相关的驱动电路层6、发光层5、封装结构层7和触控层8。其中，所述显示基板中相关膜层的具体结构可以参照前述部分的描述，在此不再赘述。此外，还可以在所述封装结构层7背离所述基底1的一侧设置另一保护膜，通过该另一保护膜进一步地避免了外界水氧对相关膜层的腐蚀，保证了所述显示基板的使用性能。

在一些实施例中，所述步骤S01和S102之间，还包括：

(1)形成驱动电路层6图案。示例性地，形成驱动电路层6图案可以包括：

在基底1上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底1的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，每个子像素的半导体层图案可以至少包括多个有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一导电层图案，每个子像素的第一导电层图案可以至少包括多个栅电极和第一极板。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二导电层图案，每个子像素的第二导电层图案可以至少包括第二极板，第二极板在基底1上的正投影与第一极板在基底1上的正投影至少部分交叠。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案第四绝缘层图案，每个子像素的第四绝缘层上形成两个有源过孔，两个有源过孔分别暴露出有源层的两端。

随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第四绝缘层上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括：位于每个子像素的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过有源过孔与有源层连接。

随后，在形成前述图案的基底1上涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案平坦层图案，每个子像素的平坦层上形成有至少一个连接过孔，连接过孔暴露出漏电极的表面。

至此，制备完成驱动电路层6图案。在示例性实施方式中，每个子像素的驱动电路层6可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。在示例性实施方式中，晶体管可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，存储电容以包括第一极板和第二极板。在示例性实施方式中，晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为(GI)层，第四绝缘层可以称为层间绝缘(ILD)层。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料。

(2)形成发光层5图案。在示例性实施方式中，形成发光层5图案可以包括：

在形成前述图案的基底1上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成阳极电极层图案，每个子像素的阳极电极层图案至少可以包括阳极，阳极通过连接过孔与晶体管的漏电极连接。

随后，在形成前述图案的基底1上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层，每个子像素的像素定义层设置有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露阳极的表面。

随后，在形成前述图案的基底1上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成位于每个子像素的有机发光层，有机发光层通过像素开口与阳极连接。

随后，在形成前述图案的基底1上，通过开放式掩膜版的蒸镀方式形成阴极图案，整面结构的阴极与有机发光层连接，实现了有机发光层同时与阳极和阴极连接。

至此，制备完成发光层5图案。

在示例性实施方式中，第四导电薄膜可以采用金属材料、透明导电材料或者金属材料和透明导电材料的多层复合结构，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，多层复合结构可以是ITO/Al/ITO等。

在示例性实施方式中，像素定义薄膜的材料可以包括聚酰亚胺或亚克力等。在示例性实施方式中，可以采用半色调(Half Tone Mask)掩膜板的图案化工艺，在形成像素定义层图案时形成隔垫柱图案，隔垫柱可以设置在像素开口的外侧，隔垫柱被配置为在后续蒸镀工艺中支撑精细金属掩模版，本申请在此不做限定。

在示例性实施方式中，有机发光层可以包括如下任意一种或多种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

在示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

(3)形成封装结构层7图案。在示例性实施方式中，形成封装结构层7图案可以包括：

在形成前述图案的基底1上，先利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第一封装薄膜，形成第一子层图案，随后利用开放式掩膜板采用喷墨打印工艺打印第二封装材料，形成第二子层图案，随后利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第三封装薄膜，形成第三子层图案。至此，制备完成封装层图案。

在示例性实施例中，第一封装薄膜和第三封装薄膜可以采用硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以保证外界水氧无法进入发光层5，沉积方式可以采用化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)等方式。第二封装薄膜可以采用有机材料，如树脂等，起到包覆显示基板各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。至此，制备完成封装结构层7图案。

综上，本申请提供的显示基板、其制作方法及显示装置，本申请所述的显示基板，通过将光处理层2同时设置在显示区和所述切割道3内，仅需将原本只设置于显示区的光处理层2延伸至切割道3位置，使光处理层2至少部分覆盖切割道3，即可在基本不更改制作工艺、不增加制作成本及制作复杂度的情况下，减小切割道3与切割道3两侧膜层结构之间的断差，以减小切割时激光在该断差区域内形成气泡的可能性，进而降低切割道3气泡发生率，避免切割粘连，提升产品良率。

需要说明的是，上述对本申请的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底、设置在所述基底上的光处理层，所述基底包括显示区，包围所述显示区的非显示区，以及位于所述非显示区的至少一条切割道；

其中，所述显示区和所述切割道内均设置有所述光处理层，所述光处理层在所述基底上的正投影与所述切割道在所述基底上的正投影至少部分重合，所述光处理层包括第一光处理层和第二光处理层，所述第二光处理层设置在所述第一光处理层远离所述基底的一侧，所述切割道内设置有所述第一光处理层和/或第二光处理层，所述第一光处理层和所述第二光处理层的折射率不同。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述切割道在所述基底上的正投影位于所述光处理层在所述基底上的正投影之中。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层在所述切割道内的厚度小于所述切割道的深度，所述光处理层的厚度方向和所述切割道的深度方向均为沿着垂直于所述基底所在平面的方向。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述切割道内设置有所述第一光处理层和第二光处理层，位于所述切割道内的第一光处理层的顶面与位于所述显示区的第一光处理层的顶面齐平，所述顶面为所述第一光处理层背离所述基底的一面。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述切割道内设置有所述第一光处理层或第二光处理层，所述第一光处理层或第二光处理层在所述切割道内的厚度小于所述切割道的深度。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底的切割边缘与所述光处理层的边缘齐平。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述基底的切割边缘与所述第一光处理层的边缘齐平。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二光处理层的边缘在所述基底上的正投影位于所述第一光处理层的边缘在所述基底上的正投影之中。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：发光层，所述发光层位于所述基底和所述光处理层之间，所述发光层包括像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口；

所述显示区设置有所述第一光处理层，位于所述显示区内的所述第一光处理层包括多个光处理结构，相邻两个所述光处理结构之间形成光处理开口，所述光处理开口在所述基底上的正投影与所述像素开口在基底上的正投影至少部分重合。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还设置有所述第二光处理层，位于所述显示区内的所述第二光处理层覆盖在所述光处理结构远离所述基底的一侧，所述光处理结构的折射率小于所述第二光处理层的折射率。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二光处理层的折射率与所述光处理结构的折射率之差大于或等于0.3。

12.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，还包括：封装结构层和触控层，所述封装结构层设置于所述发光层远离所述基底的一侧，所述触控层设置于所述封装结构层远离所述基底的一侧，所述光处理层设置在所述触控层上。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至12任一项所述的显示基板。

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