CN218849443U - 硅片载具以及等离子体反应腔 - Google Patents
硅片载具以及等离子体反应腔 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供硅片载具以及等离子体反应腔。所述硅片载具包括基座以及并行倾斜设置在所述基座上的用于承载硅片的多个载板,所述多个载板与基座之间的夹角范围为10‑16度。本实用新型能使反应腔中能同时容纳更多的硅片,从而提高等离子体薄膜沉积的产能。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造领域,特别涉及硅片载具以及等离子体反应腔。
背景技术
在异质结太阳能电池(HIT或HJT或SHJ)或Topcon太阳能电池制造过程中,通常会使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;简称PECVD)技术来生成减反膜或非晶硅膜。PECVD技术是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体在基片上沉积出期望的薄膜。
在将硅片传入PECVD设备反应腔进行PECVD工艺之前,通常会将硅片放置于石墨舟中,而现有技术中的石墨舟通常为平板结构,包括多个位于同一平面上的硅片承载区域,每一承载区域放置一片硅片。如此使得同时进入反应腔的硅片数量有限,从而限制产能的进一步提升。
因此,如何提供一种硅片载具以及等离子体反应腔,以使反应腔中能同时容纳更多的硅片,从而提高等离子体薄膜沉积的产能,已成为业内亟待解决的技术问题。
实用新型内容
针对现有技术的上述问题,本实用新型提出了一种硅片载具,其包括基座以及并行倾斜设置在所述基座上的、用于承载硅片的多个载板,所述多个载板与基座之间的夹角范围为10-16度。
在一实施例中,所述载板为包括放置区、镂空区以及凸起区的石墨载板,所述镂空区位于载板中部,所述放置区设置在所述镂空区四周且用于放置硅片,所述凸起区位于所述放置区的两侧以及底侧上用于配合支撑倾斜放置在所述放置区上的硅片。
在一实施例中,所述多个载板利用固定件固定在所述基座上并且所述多个载板的底部不低于基座底部,所述多个载板各自包括位于两侧的凸块,所述固定件包括与所述凸块相匹配的凹槽,所述多个载板通过所述凸块与凹槽的配合而设置在所述固定件上。
在一实施例中,所述基座包括两个并行设置的导杆以及连接在所述导杆之间的连接杆,两个导杆之间的距离适于载板设置在两者之间,所述固定件设置在所述导杆上,所述固定件、所述导杆以及所述连接杆的材质均为铝。
在一实施例中,所述固定件包括螺杆或者卡杆,所述导杆上对应设置有螺孔或卡口,所述固定件通过所述螺杆与螺孔的螺合或者卡杆与卡口的卡合而固定在所述导杆上。
在一实施例中,所述多个载板中每个载板的厚度范围为1.5-3毫米,宽度范围为100-150毫米,长度范围为200-250毫米,相邻载板之间的距离范围为12-14毫米。
本实用新型还提供一种等离子体反应腔,包括相对的布气板以及下极板,所述下极板用于放置多个如上任一项所述的硅片载具,所述多个硅片载具以阵列方式排布在所述下极板上。
在一实施例中,所述下极板上放置有18个硅片载具,所述硅片载具以3×6的矩阵方式排布在所述下极板上。
在一实施例中,所述下极板中设置有电阻加热器,所述下极板上贯穿设置有多个抽气孔,设置在反应腔底侧的抽气装置通过所述多个抽气孔将等离子体反应的尾气抽出腔外。
所述布气板与下极板之间的距离范围为20-50毫米。
与现有技术中使用平板结构的石墨托盘承载硅片并将其送入等离子体反应腔会导致产能较低相比,本实用新型的硅片载具包括基座以及并行倾斜设置在所述基座上的用于承载硅片的多个载板,所述多个载板与基座之间的夹角范围为10-16度。本实用新型能使反应腔中能同时容纳更多的硅片,从而提高等离子体薄膜沉积的产能。
附图说明
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后,能够更好地理解本实用新型的上述特征和优点。在附图中,各组件不一定是按比例绘制,并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1为本实用新型的硅片载具的立体结构示意图。
图2为本实用新型的硅片载具的侧视结构示意图。
图3为图1中的硅片载具中的每个载板12的组成结构示意图。
图4为图1中的硅片载具去除所有载板12后的组成结构示意图。
图5为本实用新型的等离子体反应腔的组成结构示意图。
图6为图5中的硅片载具1在下极板22上的排布结构示意图。
具体实施方案
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作详细描述,以便更清楚理解本实用新型的目的、特点和优点。应理解的是,以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的,而不应被理解为对本实用新型的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明,否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。本说明书以及权利要求书中所使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。
图1及图2分别为本实用新型的硅片载具的立体结构及侧视结构示意图。如图1及图2所示,硅片载具1包括基座10以及并行倾斜设置在所述基座10上的用于承载硅片的多个载板12,所述多个载板12与基座10之间的夹角范围为10-16度。所述多个载板12利用固定件14固定在所述基座10上,并且所述多个载板12的底部不低于基座10的底部。在本实施例中,所述多个载板12与基座10之间的夹角为16度,所述多个载板12的底部与基座10的底部在同一平面上。
参见图3,其为图1中的硅片载具中的每个载板12的组成结构示意图。如图3所示,所述载板12为包括放置区120、镂空区122、凸起区124以及凸块126的石墨载板,所述镂空区122位于载板12中部,所述放置区120设置在所述镂空区122四周且用于放置硅片(未图示),所述凸起区124位于所述放置区120的两侧以及底侧上用于配合支撑倾斜放置在所述放置区120上的硅片。所述凸块126位于每个载板12的两侧。所述放置区120、镂空区122、凸起区124以及凸块126可通过一体成型形成。
所述多个载板12中每个载板12的厚度范围为1.5-3毫米(mm),宽度范围为100-150毫米,长度范围为200-250毫米,相邻载板之间的距离范围为12-14毫米。在本实施例中,每个载板的厚度为2毫米,宽度范围为117.2毫米,长度范围为228毫米,相邻载板之间的距离范围为13.44毫米。每个载板12比较适于容纳180mm×90mm、182mm×91mm、188mm×94mm或210mm×105mm尺寸的单晶硅片,即更适于容纳目前市场上大尺寸硅片的半片。
图4为图1中的硅片载具去除所有载板12后的组成结构示意图。所述基座10包括两个并行设置的导杆100以及连接在所述导杆100之间的连接杆102,所述固定件14设置在所述导杆100上。两个导杆100之间的距离适于载板12设置在两者之间,即两个导杆100之间的距离大于载板12的长度。所述固定件14、导杆100以及连接杆102的材质均可为铝。所述固定件14包括螺杆或者卡杆140,所述导杆100上对应设置有螺孔或卡口(未图示),所述固定件14通过所述螺杆140与螺孔的螺合或者卡杆140与卡口的卡合而固定在所述导杆100上。如图3中所示的,所述多个载板12各自包括位于两侧的凸块126,所述固定件14包括与所述凸块126相匹配的凹槽142,所述多个载板12通过所述凸块126与凹槽142的结合而设置在所述固定件14上。
图5为本实用新型的等离子体反应腔的组成结构示意图。如图5所示,等离子体反应腔2包括相对的布气板20以及下极板22,所述布气板20与下极板22之间的距离范围为20-50毫米。在本实施例中,所述布气板20与下极板22之间的距离为30毫米,所述等离子体反应腔为PECVD反应腔。
所述下极板22中设置有电阻加热器。所述下极板22上贯穿设置有多个抽气孔(未图示),等离子体反应气体通过布气板从反应腔2上部进入腔中,设置在反应腔2底侧的抽气装置(未图示)通过所述多个抽气孔将等离子体反应的尾气抽出腔外。所述下极板22用于放置多个如图1所述的硅片载具1,所述多个硅片载具1以阵列方式排布在所述下极板22上。
图6为图5中的硅片载具1在下极板22上的排布结构示意图。所述下极板上放置有18个硅片载具,所述多个硅片载具1以3×6的矩阵方式排布在所述下极板22上,使得能同时容纳144片半片式硅片进行等离子化学气相沉积反应。本实用新型的等离子体反应腔通过能倾斜放置硅片的硅片载具1,能同时容纳更多的硅片同时进行PECVD反应。
在其他实施例中,多个硅片载具1在下极板22面积允许的情况下,可以其他矩阵方式排布在所述下极板22上。多个硅片载具1也可根据实际情况设置成可容纳业界常见尺寸的整片硅片。
本实用新型的硅片载具包括基座以及并行倾斜设置在所述基座上的用于承载硅片的多个载板,所述多个载板与基座之间的夹角范围为10-16度。本实用新型通过能倾斜放置硅片的硅片载具而使反应腔中能同时容纳更多的硅片,从而提高等离子体薄膜沉积的产能,进而能大幅提高对应的HIT/Topcon太阳能电池的产能。
上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本实用新型的,熟悉本领域的人员可在不脱离本实用新型的实用新型思想的情况下,对上述实施例做出种种修改或变化,因而本实用新型的保护范围并不被上述实施例所限,而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。
Claims (10)
1.一种硅片载具,其特征在于,其包括基座以及并行倾斜设置在所述基座上的、用于承载硅片的多个载板,所述多个载板与基座之间的夹角范围为10-16度。
2.根据权利要求1所述的硅片载具,其特征在于,所述载板为包括放置区、镂空区以及凸起区的石墨载板,所述镂空区位于载板中部,所述放置区设置在所述镂空区四周且用于放置硅片,所述凸起区位于所述放置区的两侧以及底侧上用于配合支撑倾斜放置在所述放置区上的硅片。
3.根据权利要求1所述的硅片载具,其特征在于,所述多个载板利用固定件固定在所述基座上并且所述多个载板的底部不低于基座底部,所述多个载板各自包括位于两侧的凸块,所述固定件包括与所述凸块相匹配的凹槽,所述多个载板通过所述凸块与凹槽的配合而设置在所述固定件上。
4.根据权利要求3所述的硅片载具,其特征在于,所述基座包括两个并行设置的导杆以及连接在所述导杆之间的连接杆,两个导杆之间的距离适于载板设置在两者之间,所述固定件设置在所述导杆上,所述固定件、所述导杆以及所述连接杆的材质均为铝。
5.根据权利要求4所述的硅片载具,其特征在于,所述固定件包括螺杆或者卡杆,所述导杆上对应设置有螺孔或卡口,所述固定件通过所述螺杆与螺孔的螺合或者卡杆与卡口的卡合而固定在所述导杆上。
6.根据权利要求1所述的硅片载具,其特征在于,所述多个载板中每个载板的厚度范围为1.5-3毫米,宽度范围为100-150毫米,长度范围为200-250毫米,相邻载板之间的距离范围为12-14毫米。
7.一种等离子体反应腔,包括相对的布气板以及下极板,所述下极板用于放置多个如权利要求1至6中任一项所述的硅片载具,所述多个硅片载具以阵列方式排布在所述下极板上。
8.根据权利要求7所述的等离子体反应腔,其特征在于,所述下极板上放置有18个硅片载具,所述硅片载具以3×6的矩阵方式排布在所述下极板上。
9.根据权利要求7所述的等离子体反应腔,其特征在于,所述下极板中设置有电阻加热器,所述下极板上贯穿设置有多个抽气孔,设置在反应腔底侧的抽气装置通过所述多个抽气孔将等离子体反应的尾气抽出腔外。
10.根据权利要求7所述的等离子体反应腔,其特征在于,所述布气板与下极板之间的距离范围为20-50毫米。
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