CN218849428U - 一种用于晶圆贴膜的真空装置 - Google Patents

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陈志平
王孝军
范亚飞
牛作艳
杨晓岗
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Abstract

本实用新型公开了一种用于晶圆贴膜的真空装置,包括真空腔体和密封盖,真空腔体上方设有环形台面,环形台面上设有片环安置槽;所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面;密封盖上设有驱使密封盖移动的第一升降组件,密封盖可与真空腔体紧密固定,以环形台面为界,朝向密封盖一侧为上腔体,环形台面另一侧为下腔体;所述上腔体、下腔体分别连接一真空设备,上腔体的压力小于下腔体的压力。本实用新型的切割膜与晶圆之间采用真空贴膜的方式贴合,不会对晶圆造成损伤;切割膜两侧腔体压力大小不同,切割膜以圆心向外扩散的方式贴合在晶圆上,减少气泡的产生,使得切割膜与晶圆更服帖,提高贴膜质量。

Description

一种用于晶圆贴膜的真空装置
技术领域
本实用新型涉及晶圆贴膜技术领域,特别涉及一种用于晶圆贴膜的真空装置。
背景技术
晶圆切割是将晶圆上的每一颗晶粒加以切割分离,而切割前需要在晶圆的非电路板面(背面)贴上一层保护膜(切割膜或切割保护膜),之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞。
现有晶圆贴膜时,将晶圆电路板面(正面)朝下放置,将薄膜覆盖于晶圆上表面(即背面),然后利用辊轮辊压实现贴膜。但是辊轮辊压过程中容易对晶圆造成损伤,影响晶圆的精度。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种用于晶圆贴膜的真空装置,采用无接触的真空贴膜方式,防止晶圆损伤。
为此,本实用新型的技术方案是:一种用于晶圆贴膜的真空装置,包括真空腔体和密封盖,真空腔体上方设有环形台面,环形台面上设有片环安置槽;所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面;密封盖上设有驱使密封盖移动的第一升降组件,密封盖可与真空腔体紧密固定,以环形台面为界,朝向密封盖一侧为上腔体,环形台面另一侧为下腔体;所述上腔体、下腔体分别连接一真空设备,上腔体的压力小于下腔体的压力。
使用时,密封盖与真空腔体为分开状态,晶圆吸附台面低于环形台面,先将晶圆放置在晶圆吸附台面上,通过负压吸附固定,此时晶圆的非电路板面(背面)朝向密封盖;事先将切割膜与片环固定在一起,将片环放置在环形台面上固定,此时切割膜位于晶圆背面的上方,且晶圆与切割膜之间存在一定距离;接着,密封盖与真空腔体紧密固定,环形台面上的切割膜将上腔体和下腔体分隔开,上腔体和下腔体各自连接真空设备,由于上腔体的压力小于下腔体的压力,使得切割膜呈现下凹的弧形状态;然后晶圆吸附台面带着晶圆上移,晶圆的中心位置先与切割膜接触,随着晶圆的上升,与切割膜的接触面慢慢向外扩散,直至晶圆与切割膜完全贴合;随后,瞬间释放大气压,利用大气压将晶圆与切割膜之间的气泡排掉;最后,打开密封盖,即可取下完成贴膜的晶圆。
优选地,所述片环安置槽内设有多个第一通气孔,第一通气孔通过第一气管连接第一抽气设备,且片环安置槽内为负压状态。片环安置槽用于放置片环和切割膜,片环与切割膜事先粘连在一起,片环为环形,位于切割膜外侧边沿处;片环通过负压吸附固定,且通过压力的变化,可判断片环、切割膜是否到位。
优选地,所述晶圆吸附台面上设有多个第二通气孔,第二通气孔通过第二气管连接第二抽气设备,晶圆吸附台面为负压状态。晶圆放置在晶圆吸附台面上,通过负压吸附固定,且通过压力的变化,可判断晶圆是否到位。
优选地,所述晶圆吸附台面下方设有连接块和配套的马达与丝杆,连接块固定在晶圆吸附台面下方,连接块内部设有螺纹孔,与丝杆螺纹配合,马达可通过丝杆驱使晶圆吸附台面升降。为了升降的平稳,晶圆吸附台面下方还设有直线轴承和直线导杆,马达带动丝杆转动,连接块沿丝杆上下移动,从而驱使晶圆吸附台面上下移动。
优选地,所述真空腔体内侧设有到位传感器,晶圆吸附台面下方的连接块上设有感应片,感应片与到位传感器配合工作。晶圆吸附台面通过感应片与到位传感器的配合,来确定是否移动到位。
优选地,所述第一升降组件包括顶盖安装板、升降气缸和连接板,升降气缸安装在顶盖安装板上,升降气缸下方固定一连接板,连接板与密封盖固定连接;所述升降气缸驱动密封盖与真空腔体密封连接或分开。密封盖设置成可升降开合的结构,升降气缸通过连接板带动密封盖下降至与真空腔体密封连接,或者带动密封盖上升,与真空腔体分离开。
优选地,所述密封盖中间设有观察窗,密封盖底部内侧设有密封圈。密封圈可保证密封盖与真空腔体紧密配合,观察窗可方便用户观察真空腔体内的贴膜情况。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:切割膜与晶圆之间采用真空贴膜的方式贴合,这种无接触式贴膜不会对晶圆造成损伤;以切割膜为界,两侧腔体单独连接真空设备,两侧腔体压力大小不同,切割膜以圆心向外扩散的方式贴合在晶圆上,减少气泡,使得切割膜与晶圆更服帖,提高贴膜质量。
附图说明
以下结合附图和本实用新型的实施方式来作进一步详细说明
图1、图2为本实用新型的结构示意图;
图3为本实用新型的结构剖视图;
图4为本实用新型真空腔体内部结构示意图;
图5为本实用新型真空腔体的结构示意图;
图6为本实用新型片环与片环安装板的结构示意图;
图7为本实用新型切割膜与晶圆的贴膜状态图。
图中标记为:真空腔体1、主体部11、抽气部12、分隔面13、第三通气孔14、第二抽吸孔15、环形台面16、第一安装孔17、第二安装孔18、到位传感器19、密封盖2、观察窗21、密封圈22、腔体安装板3、顶盖安装板41、升降气缸42、连接板43、第一直线导杆44、第一直线轴承45、片环安装板5、片环安置槽51、第一通气孔52、上腔体61、下腔体62、晶圆吸附台面7、第二通气孔71、连接块72、马达73、丝杆74、第二直线轴承75、第二直线导杆76、感应片77、晶圆8、切割膜9、片环10。
具体实施方式
在本实用新型的描述中,需要说明的是,对于方位词,如有术语“中心”,“横向(X)”、“纵向(Y)”、“竖向(Z)”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于叙述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作,不能理解为限制本实用新型的具体保护范围。
此外,如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征,在本实用新型描述中,“数个”、“若干”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
参见附图。本实施例所述用于晶圆贴膜的真空装置,包括真空腔体1和密封盖2,密封盖2与真空腔体1顶端开口紧密贴合,真空腔体1外侧设有腔体安装板3,用于固定真空腔体。所述密封盖2中间设有透明的观察窗21,可方便用户观察真空腔体内的贴膜情况;密封盖2底部内侧设有密封圈22,密封圈可保证密封盖与真空腔体紧密配合。密封盖2上设有第一抽吸孔(图中未画出),连接第一真空设备。
所述密封盖2安装在第一升降组件上,第一升降组件包括顶盖安装板41、升降气缸42和连接板43,升降气缸42安装在顶盖安装板41上,升降气缸42的气缸杆端部固定连接板43,连接板43底部固定密封盖2。密封盖2设置成可升降开合的结构,升降气缸42通过连接板43带动密封盖2下降至与真空腔体1密封连接,或者带动密封盖2上升,与真空腔体1分离开。所述密封盖2上设有竖向设置的第一直线导杆44,顶盖安装板41上设有第一直线轴承45,第一直线轴承45和第一直线导杆44配合工作,使得升降气缸驱动密封盖移动时更加稳定。
所述真空腔体1为分段式圆筒形结构,上端为主体部11,下方为抽气部12,主体部11直径大于抽气部12直径,两者之间设有分隔面13,分隔面13上设有多个连通主体部和抽气部的第三通气孔14。抽气部12下方设有第二抽吸孔15,连接第二真空设备。
真空腔体的主体部顶端有环形台面16,环形台面上固定片环安装板5,片环安装板上设有片环安置槽51,片环安置槽51内设有多个第一通气孔52,第一通气孔通过第一气管连接第一抽气设备,且片环安置槽51内为负压状态。片环安置槽51用于放置片环和切割膜,片环与切割膜事先粘连在一起,片环为环形,位于切割膜外侧边沿处;片环通过负压吸附固定,且通过压力的变化,可判断片环、切割膜是否到位。
当片环和切割膜放置在片环安置槽5内,真空腔体和密封盖闭合后,切割膜可以将真空腔体分为独立的两个腔体,朝向密封盖2一侧为上腔体61,环形台面另一侧为下腔体62;所述上腔体、下腔体分别连接一真空设备,而上腔体的压力小于下腔体的压力,使得切割膜呈中心处下凹的弧形结构。
所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面7,晶圆吸附台面7上设有多个第二通气孔71,第二通气孔通过第二气管连接第二抽气设备,晶圆吸附台面为负压状态。晶圆放置在晶圆吸附台面上,通过负压吸附固定,且通过压力的变化,可判断晶圆是否到位。
所述晶圆吸附台面7下方设有第二升降组件,第二升降组件包括连接块72、配套的马达73与丝杆74,所述连接块72固定在晶圆吸附台面7下方,连接块72内部设有螺纹孔;所述马达73固定在真空腔体的分隔面13下方,马达与丝杆底部相连接;所述分隔面13中间设有供丝杆穿行的第一安装孔17,丝杆74顶部穿过第一安装孔17,伸入连接块72内,与连接块螺纹配合。马达73工作时,可带动丝杆74旋转,从而使得连接块72带动晶圆吸附台面7升降。为了升降的平稳,晶圆吸附台面下方还设有第二直线轴承75和第二直线导杆76,分隔面13上设有多个第二安装孔18,第二安装孔18内固定有第二直线轴承75,第二直线导杆76固定在晶圆吸附台面7下方,第二直线轴承和第二直线导杆配合工作,使得晶圆吸附台面可以平稳升降。
所述真空腔体的分隔面13上侧设有到位传感器19,晶圆吸附台面7下方的连接块上设有感应片77,感应片77与到位传感器19配合工作。晶圆吸附台面通过感应片与到位传感器的配合,来确定是否移动到位。
使用时:
1)初始状态,密封盖2与真空腔体1为分开状态,晶圆吸附台面7低于片环安装板5;
2)将晶圆8放置在晶圆吸附台面7上,通过负压吸附固定,此时晶圆的非电路板面(背面)朝向密封盖;
3)事先将切割膜9与片环10固定在一起,将片环10放置在片环安置槽51内固定,此时切割膜9位于晶圆8背面的上方,且晶圆与切割膜之间存在一定距离;
4)升降气缸42通气,驱动密封盖2下移,与真空腔体1紧密固定,此时切割膜9将上腔体61和下腔体62分隔开;
5)上腔体61和下腔体62各自连接的第一真空设备、第二真空设备开始工作,抽吸腔体内气体,使得上腔体61的压力小于下腔体62的压力;此时切割膜9两侧气压不同,切割膜呈现下凹的弧形状态;
6)马达73驱动丝杆74旋转,通过连接块72带动晶圆吸附台面7上移,使得晶圆8的中心位置先与切割膜9接触,随着晶圆8的上升,与切割膜的接触面慢慢向外扩散,直至晶圆与切割膜完全贴合;此时到位传感器19检测到感应片77,马达73停止工作;
7)上腔体61和下腔体62同时释放大气压,利用大气压将晶圆8与切割膜9之间的气泡排掉,晶圆边沿处的切割膜更加服帖;
8)升降气缸42通气,驱动密封盖2上移,与真空腔体1分开,片环安置槽51、晶圆吸附台面7停止负压,机械手可从晶圆吸附台面7上取下贴好切割膜的晶圆8,从而完成晶圆的贴膜工作。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:包括真空腔体和密封盖,真空腔体上方设有环形台面,环形台面上设有片环安置槽;所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面;密封盖上设有驱使密封盖移动的第一升降组件,密封盖可与真空腔体紧密固定,以环形台面为界,朝向密封盖一侧为上腔体,环形台面另一侧为下腔体;所述上腔体、下腔体分别连接一真空设备,上腔体的压力小于下腔体的压力。
2.如权利要求1所述的一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:所述片环安置槽内设有多个第一通气孔,第一通气孔通过第一气管连接第一抽气设备,且片环安置槽内为负压状态。
3.如权利要求1所述的一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:所述晶圆吸附台面上设有多个第二通气孔,第二通气孔通过第二气管连接第二抽气设备,晶圆吸附台面为负压状态。
4.如权利要求1所述的一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:所述晶圆吸附台面下方设有连接块和配套的马达与丝杆,连接块固定在晶圆吸附台面下方,连接块内部设有螺纹孔,与丝杆螺纹配合,马达通过丝杆驱使晶圆吸附台面升降。
5.如权利要求4所述的一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:所述真空腔体内侧设有到位传感器,晶圆吸附台面下方的连接块上设有感应片,感应片与到位传感器配合工作。
6.如权利要求1所述的一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:所述第一升降组件包括顶盖安装板、升降气缸和连接板,升降气缸安装在顶盖安装板上,升降气缸下方固定一连接板,连接板与密封盖固定连接;所述升降气缸驱动密封盖与真空腔体密封连接或分开。
7.如权利要求1所述的一种用于晶圆贴膜的真空装置,其特征在于:所述密封盖中间设有观察窗,密封盖底部内侧设有密封圈。
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