CN218631535U

CN218631535U - 电子元件结构及电器设备

Info

Publication number: CN218631535U
Application number: CN202221948676.XU
Authority: CN
Inventors: 江显伟
Original assignee: Junwei Electronic Technology Co ltd
Current assignee: Junwei Electronic Technology Co ltd
Priority date: 2022-07-26
Filing date: 2022-07-26
Publication date: 2023-03-14
Anticipated expiration: 2032-07-26

Abstract

本实用新型提供了一种电子元件结构及电器设备，电子元件结构包括基板、接着层、金属层、第一保护层及电极，金属层设置在基板上，金属层背离基板的一面具有绝缘区域以及两个电极区域，绝缘区域位于金属层的中部，两个电极区域分别位于绝缘区域的两侧；通过化学气相沉积方式在绝缘区域上形成第一保护层；每个电极区域一一对应设有一个电极，电极的边缘与第一保护层的边缘抵接。本实用新型技术方案通过化学气相沉积的方式在金属层上形成一层第一保护层，从而保证第一保护层的结构稳定，不会发生形变及残留，在焊接电极时能够与电极完全贴合，提高电极与金属层连接的稳定性，进而提高整体结构的稳定性及可靠性。

Description

电子元件结构及电器设备

技术领域

本实用新型涉及电器技术领域，特别涉及一种电子元件结构及电器设备。

背景技术

在精密电阻的制作过程中，现有技术通常通过网印的方式，在精密电阻的表面上覆盖一层防焊油墨，在涂抹防焊油墨后再对防焊油墨进行烘干。防焊油墨多为化学试剂组成，在进行显影后防焊油墨层的尺寸公差可达5～30um，从而导致防焊油墨层发生变形，且显影后有可能发生油墨残留的问题，从而导致电极焊接不稳定，电阻可靠性差的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种电子元件结构及电器设备，旨在解决现有技术中电极稳定性差、可靠性差的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种电子元件结构，所述电子元件结构包括：

基板；

金属层，所述金属层设置在所述基板上，所述金属层背离所述基板的一面具有绝缘区域以及两个电极区域，所述绝缘区域位于所述金属层的中部，两个所述电极区域分别位于所述绝缘区域的两侧；

第一保护层，通过化学气相沉积方式在所述绝缘区域上形成所述第一保护层；

电极，每个所述电极区域一一对应设有一个所述电极，所述电极的边缘与所述第一保护层的边缘抵接。

可选地，所述第一保护层包括SiO₂、SiN_x中的一种或多种材料。

可选地，所述第一保护层上设有修阻区域；

所述修阻区域用于设置通孔结构，所述通孔结构与所述金属层连通，所述通孔结构用于外部打磨件穿过并对所述金属层打磨；

或者，所述修阻区域用于标定，以使镭射激光穿过所述修阻区域对所述金属层打磨，或者以使外部打磨件穿过并对所述金属层打磨。

可选地，所述电子元件结构还包括第二保护层，所述第二保护层设置在所述第一保护层上。

可选地，通过化学气相沉积方式在所述第一保护层上形成所述第二保护层。

可选地，所述第二保护层包括SiO₂、SiN_x中的一种或多种材料；或者所述第二保护层为油墨层。

可选地，通过干法蚀刻方式调整所述第一保护层的面积至与所述绝缘区域的面积一致；

或者，通过网格板印刷的方式调整所述第一保护层的面积至与所述绝缘区域的面积一致；

或者，通过在网格板上以化学气相沉积方式调整所述第一保护层的面积至与所述绝缘区域的面积一致。

可选地，其特征在于，所述第一保护层的厚度为0.1μm～10μm。

可选地，所述金属层的电阻率小于或等于1μΩ*m。

此外，为解决上述问题，本实用新型提出一种电器设备，所述电器设备应用有如上述的电子元件结构。

本实用新型技术方案通过化学气相沉积的方式在所述金属层上形成一层所述第一保护层，从而保证所述第一保护层的结构稳定，不会发生形变及残留，在焊接所述电极时能够与所述电极完全贴合，提高所述电极与所述金属层连接的稳定性，进而提高整体结构的稳定性及可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型电子元件结构的结构示意图；

图2为本实用新型电子元件结构一实施例的结构示意图；

图3为本实用新型电子元件结构另一实施例的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	金属层	11	电极区域
12	绝缘区域	20	第一保护层
				30	第二保护层	40	通孔结构
50	电极	60	基板
				70	接着层

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

另外，本实用新型各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提供了一种电子元件结构，请参照图1，所述电子元件结构包括基板60、接着层70、金属层10、第一保护层20及电极50，所述金属层10设置在所述接着层70上，所述金属层10背离所述接着层70的一面具有绝缘区域12以及两个电极区域11，所述绝缘区域12位于所述金属层10的中部，两个所述电极区域11分别位于所述绝缘区域12的两侧；通过化学气相沉积方式在所述绝缘区域12上形成所述第一保护层20；每个所述电极区域11一一对应设有一个所述电极50，所述电极50的边缘与所述第一保护层20的边缘抵接。

本实施例中，所述基板60可采用有机材料、无机材料或有机无机混成材料制作。例如所述基板60可以包括底板，如陶瓷、玻纤板等，当采用陶瓷材料时，为进一步保证底板的稳定，在底板上还可以设置接着层70；当使用玻纤板时，则可以选择是否设置接着层70。所述接着层70设置在底板与所述金属层10之间，所述接着层70则可采用环氧材料、亚克力等材料制作。在进行装配时，所述基板60置于最底部，所述金属层10固定在最顶部，从而组成电阻的基体。通过所述基板60实现与外部结构之间的连接与安装，并依靠所述底板与所述接着层70的高耐热、绝缘以及耐腐蚀特性，提高所述金属板的稳定性。其中，所述金属层10的电阻率可采用小于或等于1μΩ*m材料，以适用于各种精密设备或者精密零部件等产品。

所述金属层10固定完毕后，采用化学气相沉积的方式，请参照图2，将制作材料沉积在所述金属层10上，从而形成所述第一保护层20。此外，可以通过采用网格板，覆盖在所述金属层10上，通过印刷的方式将所述第一保护层20印刷至所述金属层10上，随后将网格板移开；或者也可以通过采用网格板，覆盖在所述金属层10上，通过化学气相沉积方式将所述第一保护层20设置在所述金属层10上。通过网格板设置所述第一保护层20的方式，可以有效确定所述第一保护层20的面积大小。而采用直接化学气相沉积方式设置所述第一保护层20时，可以预先在所述金属层10上规划好需要沉积所述第一保护层20的位置以及面积，也即所述绝缘区域12。请参照图3，在所述绝缘区域12的两侧规划定义所述电极区域11用于焊接所述电极50。所述绝缘区域12位于两个所述电极区域11之间从而避免两个电极50之间短路。具体的，可以通过干法蚀刻的方式，对所述第一保护层20进行蚀刻，利用非等向性蚀刻、并调整所述第一保护层20的长宽尺寸，使得所述第一保护层20的面积与预先在所述金属层10上规划的所述绝缘区域12的面积一致。避免在所述金属层10上所述绝缘区域12以外的表面还残留有所述第一保护层20，进而防止在焊接所述电极50时由于残留的所述第一保护层20导致假焊或者虚焊的情况出现。同时也能够进一步保证所述第一保护层20的边缘趋于平整，所述电极50边缘与所述第一保护层20的边缘完全贴合。

所述第一保护层20的制作材料可选取SiO2、SiNx中的一种或多种组成。通过化学气相沉积的方式沉积形成的所述第一保护层20，其边缘部分更加平整，与所述金属层10的表面垂直，从而在焊接所述电极50时，避免所述电机边缘与所述第一保护层20的边缘之间产生间隙，提高所述电极50连接的稳定性。

本实用新型技术方案通过化学气相沉积的方式在所述金属层10上形成一层所述第一保护层20，从而保证所述第一保护层20的结构稳定，不会发生形变及残留，在焊接所述电极50时能够与所述电极50完全贴合，提高所述电极50与所述金属层10连接的稳定性，进而提高整体结构的稳定性及可靠性。

进一步地，所述第一保护层20上设有修阻区域，所述修阻区域上具有与所述金属层10连通的通孔结构40，所述通孔结构40用于外部打磨件穿过并对所述金属层10打磨。本实施例中，为了进一步提高本实用新型所述电子元件结构的精确度，在所述第一保护层20以及所述电极50制作完毕后，需要对所述金属层10的电阻值进行调整。具体的，由于电阻生产过程中，电阻值增大后不可逆。因此，通常所述金属层10的电阻值略小于原标定电阻值。可以预先在所述修阻区域上设置通孔结构40，或者也可以直接通过例如镭射或者钻机打磨的方式，对所述修阻区域打磨，并穿过所述修阻区域继续对所述金属层10进行打磨，从而削减所述金属层10的厚度，以加大所述金属层10的电阻值，使其更加符合原标定的电阻值大小。

进一步地，在对所述金属层10进行修阻后，则在所述第一保护层20上设置另一保护层，从而将修阻产生的所述通孔结构40进行覆盖。具体的，所述电子元件结构还包括第二保护层30，所述第二保护层30设置在所述第一保护层20上。本实施例中，由于无需对所述电极50进行处理，因此所述第二保护层30可以直接采用防焊油墨的方式设置在所述第一保护层20上，从而节省制作成本。此外，所述第二保护层30也可以采用与所述第一保护层20相同的制作方式，也即通过化学气相沉积方式在所述第一保护层20上形成所述第二保护层30。同理，所述第二保护层30包括SiO2、SiNx中的一种或多种材料。可以理解，通过化学气相沉积方式形成的保护层厚度较小，以所述第一保护层20为例，所述第一保护层20的厚度为0.1μm～10μm，同理也能够降低所述第二保护层30的厚度，因此本实施例中，当所述电子元件结构应用在不同的产品中，则可以通过化学气相沉积方式制作保护层，从而调节所述电子元件结构的整体体积大小，进而提高本实用新型所述电子元件结构的广泛适应性。

此外，为解决上述问题，本实用新型还提出了一种电器设备，所述电器设备应用有如上述的电子元件结构。所述电器设备可以是例如快充头、电池保护零件、耳机等。将上述电子元件结构应用在所述电器设备中，也即通过化学气相沉积的方式在所述金属层10上形成一层所述第一保护层20，从而保证所述第一保护层20的结构稳定，不会发生形变及残留，在焊接所述电极50时能够与所述电极50完全贴合，提高所述电极50与所述金属层10连接的稳定性，进而提高整体所述电器设备的稳定性及可靠性。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims

1.一种电子元件结构，其特征在于，所述电子元件结构包括：

基板；

2.根据权利要求1所述的电子元件结构，其特征在于，所述第一保护层为SiO₂或SiN_x。

3.根据权利要求1所述的电子元件结构，其特征在于，所述第一保护层上设有修阻区域；

4.根据权利要求1所述的电子元件结构，其特征在于，所述电子元件结构还包括第二保护层，所述第二保护层设置在所述第一保护层上。

5.根据权利要求4所述的电子元件结构，其特征在于，通过化学气相沉积方式在所述第一保护层上形成所述第二保护层。

6.根据权利要求5所述的电子元件结构，其特征在于，所述第二保护层为SiO₂或SiN_x；或者所述第二保护层为油墨层。

7.根据权利要求1所述的电子元件结构，其特征在于，通过干法蚀刻方式调整所述第一保护层的面积至与所述绝缘区域的面积一致；

8.根据权利要求1～7中任一项所述的电子元件结构，其特征在于，所述第一保护层的厚度为0.1μm～10μm。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的电子元件结构，其特征在于，所述金属层的电阻率小于或等于1μΩ*m。

10.一种电器设备，其特征在于，所述电器设备应用有如权利要求1～9中任一项所述的电子元件结构。