CN218447852U - 一种晶圆上下片装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体为一种晶圆上下片装置，包括顶针定位结构，顶针定位结构设置至少两个顶针结构，顶针结构包括气管接头、顶针和内部气道结构，气管接头通过管道与负压机构连接，负压通过内部气道结构传递至顶针顶部吸附晶圆。本实用新型采用顶针处增加负压吸附，实现晶圆的稳定升降，精确定位，不滑移，保证晶圆安全不滑落，解决了现有技术在晶圆升降过程中及吸盘真空开启过程中，容易因为自身重力或者外力导致晶圆出现位置滑移，甚至滑片造成晶圆损坏的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体为一种晶圆上下片装置。
背景技术
现有的晶圆上下装置一般由驱动机构，顶针结构组成，顶针与晶圆直接为自然接触，没有固定机构及固定力，在晶圆升降过程中及吸盘真空开启过程中，容易因为自身重力或者外力导致晶圆出现位置滑移，甚至滑片造成晶圆损坏。为此，我们提出一种晶圆上下片装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆上下片装置，采用顶针处增加负压吸附，实现晶圆的稳定升降，精确定位，不滑移，保证晶圆安全不滑落，解决了现有技术在晶圆升降过程中及吸盘真空开启过程中，容易因为自身重力或者外力导致晶圆出现位置滑移，甚至滑片造成晶圆损坏的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种晶圆上下片装置，包括顶针定位结构，所述顶针定位结构设置至少两个顶针结构，所述顶针结构包括气管接头、顶针和内部气道结构，所述气管接头通过管道与负压机构连接，负压通过内部气道结构传递至顶针顶部吸附晶圆。
优选的，所述顶针定位结构上设置有离子释放部件，所述离子释放部件通过管道与离子发生器连接。
优选的，所述顶针结构呈环形均布在顶针定位结构上，且离子释放部件设置在相邻两个顶针结构之间。
优选的，所述离子释放部件的上部设置有若干个喷气口，并通过进气口与离子发生器的管道连接。
优选的，所述顶针结构的顶部设置有直接与晶圆接触的调节吸附结构，所述调节吸附结构内设置有与所述内部气道结构连通的第二气道结构。
优选的，所述调节吸附结构采用弹性结构。
优选的，还包括与所述顶针定位结构配合的驱动机构，所述驱动机构包括气缸和滑轨，所述气缸用于带动顶针定位结构沿滑轨上下滑动。
优选的，所述驱动机构还包括限位传感器和限位块，所述限位传感器与所述限位块配合控制所述顶针定位结构的极限位移。
优选的，所述顶针结构与顶针定位结构的连接方式为轴孔配合固定。
优选的，所述顶针定位结构为至少两块零件拼接而成的环形结构。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
本实用新型通过采用顶针处增加负压吸附，可以实现晶圆的超平整吸附，吸附力均匀稳定，不漏气，实现晶圆的稳定升降，保证晶圆安全不滑落。通过增加静电消除装置，保护晶圆上下片过程中不被静电打坏。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型顶针结构示意图；
图3为本实用新型图2中A-A的剖面图。
图中：1、驱动机构；2、顶针定位结构；3、顶针结构；4、调节吸附结构；5、离子释放部件；6、离子发生器；7、内部气道结构；8、第二气道结构。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，一种晶圆上下片装置，包括驱动机构1，驱动机构1上设置有顶针定位结构2，驱动机构1包含气缸或电机，以及滑轨，限位传感器，限位块。驱动机构1通过气缸或电机带动顶针定位结构2沿滑轨上下升降，限位传感器用于检测顶针定位结构2在滑轨上的位置，限位块用于限制顶针定位结构2的极限位移，限位块起到限位作用。驱动机构1用于提供驱动力，保证运动精度，控制运动的位置行程，实现精准定位。
顶针定位结构2上部垂直设置有至少两个顶针结构3，两个顶针结构3呈中心对称设置，足以支撑起晶圆，但可能存在不稳定，晶圆向一侧倾斜的情况，而设置三个以上的顶针结构3是可以形成一个平面，对晶圆起到的支撑更稳定。
如图2和3所示，顶针结构3包括气管接头、顶针和内部气道结构7，气管接头通过管道与负压机构连接，负压通过内部气道结构7传递至顶针顶部吸附晶圆。本申请主要对顶针结构3进行了改进，通过在顶针内部设置气道，并通过气管接头将气道与负压机构连接，负压机构采用真空泵，通过真空泵抽真空，为气道提供负压吸附住晶圆。
如图2和3所示，顶针结构3的顶部设置有直接与晶圆接触的调节吸附结构4，调节吸附结构4的内部设置有与内部气道结构7连通的第二气道结构8，顶针结构3的负压通过调节吸附结构4传递至晶圆。调节吸附结构4采用弹性结构，设置调节吸附结构4的目的一方面可以在顶住晶圆时起到一定的缓冲作用，和增加摩擦力，避免滑移，同时通过弹性材料起到气道与晶圆之间的密封作用，使吸附效果更好，更稳固。
顶针定位结构2上设置有离子释放部件5，离子释放部件5通过管道与离子发生器6连接。离子释放部件5为中和带电体上的表面异性电荷，利用空气电离以产生所必需的正负离子的各种形式静电消除晶圆及其附近的静电。
顶针结构3呈环形均布在顶针定位结构2上，且离子释放部件5设置在相邻两个顶针结构3之间。离子释放部件5的上部设置有若干个喷气口，并通过进气口与离子发生器6的管道连接。若干个喷气口朝上正对晶圆，离子发生器6产生的离子气体通过管道进入离子释放部件5，并通过若干个喷气口喷出至晶圆表面和附近，以达到消除静电的目的。
顶针定位结构2为至少两块零件拼接而成的环形结构，采用销钉定位，保证刚度及平面度，同时结构紧凑稳定；顶针与固定定位板的连接为轴孔配合保证垂直度。环形结构不仅可以节省材料，减轻成本和重量，结构简单紧凑、占用空间小，稳定性好；而且中部的圆形孔，方便离子释放部件5与离子发生器6之间的管道穿过，避免上下片过程中管道碰撞晶圆。
工作过程：
上晶圆时，驱动机构1平稳运动到上片位置，顶针升起，机械手将晶圆放置到顶针上，顶针内真空开启，吸附晶圆，同时定位晶圆位置；下降电磁阀开启，驱动机构1反方向移动到下片位置，真空关闭，完成晶圆上片。整个过程在吸附力的作用下，晶圆不会发生滑移，同时开启静电消除装置。
下片时，驱动机构1平稳上升到与晶圆接触，开启真空，晶圆被吸附后，再继续上升到机械手取片位置，完成整个上下片过程。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种晶圆上下片装置，其特征在于：包括顶针定位结构(2)，所述顶针定位结构(2)设置至少两个顶针结构(3)，所述顶针结构(3)包括气管接头、顶针和内部气道结构(7)，所述气管接头通过管道与负压机构连接，负压通过内部气道结构(7)传递至顶针顶部吸附晶圆。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述顶针定位结构(2)上设置有离子释放部件(5)，所述离子释放部件(5)通过管道与离子发生器(6)连接。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述顶针结构(3)呈环形均布在顶针定位结构(2)上，且离子释放部件(5)设置在相邻两个顶针结构(3)之间。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述离子释放部件(5)的上部设置有若干个喷气口，并通过进气口与离子发生器(6)的管道连接。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述顶针结构(3)的顶部设置有直接与晶圆接触的调节吸附结构(4)，所述调节吸附结构(4)内设置有与所述内部气道结构(7)连通的第二气道结构(8)。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述调节吸附结构(4)采用弹性结构。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：还包括与所述顶针定位结构(2)配合的驱动机构(1)，所述驱动机构(1)包括气缸和滑轨，所述气缸用于带动顶针定位结构(2)沿滑轨上下滑动。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述驱动机构(1)还包括限位传感器和限位块，所述限位传感器与所述限位块配合控制所述顶针定位结构的极限位移。
9.根据权利要求1所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述顶针结构(3)与顶针定位结构(2)的连接方式为轴孔配合固定。
10.根据权利要求1-9中任意一项所述的一种晶圆上下片装置，其特征在于：所述顶针定位结构(2)为至少两块零件拼接而成的环形结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222562908.4U CN218447852U (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 一种晶圆上下片装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222562908.4U CN218447852U (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 一种晶圆上下片装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218447852U true CN218447852U (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=85082921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202222562908.4U Active CN218447852U (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 一种晶圆上下片装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218447852U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117107222A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-24 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种晶圆防滑片装置 |
-
2022
- 2022-09-27 CN CN202222562908.4U patent/CN218447852U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117107222A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-24 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种晶圆防滑片装置 |
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