CN217903100U - 夹具、沉积装置及晶圆 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及晶圆金属化技术领域，公开了一种夹具、沉积装置及晶圆。夹具放置于金属化设备腔内，并用于夹取晶圆，夹具包括夹具本体，夹具本体设有沉槽，沉槽的底部形成有通孔，通孔的侧壁设有遮挡部，遮挡部用于遮挡晶圆的背面，并使得晶圆背面在沉积金属时，晶圆背面形成的金属膜层具有镂空区。本实用新型公开的夹具，不仅可帮助晶圆进行双面对准，还可减少工艺复杂性，有效提升双面对准精度。

Description

夹具、沉积装置及晶圆

技术领域

本实用新型涉及晶圆金属化技术领域，特别涉及一种夹具、沉积装置及晶圆。

背景技术

碳化硅(silicon carbide，SIC)具有禁带宽度大、迁移率高、散热快等优点，因此经常被应用于600V以上的功率器件领域。在常用的金属氧化物晶体管(metal-oxide-semiconductor，MOS)功率器件中，为了提高电流通流密度，以及为了保证良好的封装可焊性，晶圆的背面作为电极时通常需要积淀钛、镍、铜、银等金属，以在晶圆的背面形成完整的金属薄膜。

在将碳化硅晶圆分割成独立器件的过程中，由于碳化硅的硬度较高，一般采用激光束将晶圆分割成多个独立器件。在此过程中，激光开槽工艺是不可或缺的一环，即通过激光烧蚀将切割道背面积淀的金属去除，从而避免后续芯片分开时引起金属崩边。为了保证背面开槽与正面图形对齐，在对晶圆背面的金属进行切割前，通常需要将晶圆进行对准，而目前的对准方法存在较大的误差，不利于提高晶圆背面开槽的精度。

实用新型内容

本实用新型提供了一种夹具、沉积装置及晶圆，不仅可帮助晶圆进行双面对准，还可减少工艺复杂性，有效提升双面对准精度。

第一方面，本实用新型提供一种夹具，该夹具放置在金属化设备腔内，并用于夹取晶圆。夹具可包括夹具本体，夹具本体设有沉槽，沉槽的底部可形成通孔。通孔的侧壁连接有遮挡部，遮挡部可用于遮挡晶圆的背面，并且当晶圆在背面沉积金属时，使得晶圆的背面的金属层形成镂空区。

本实用新型提供的夹具，通过利用沉槽与夹具本体形成阶梯结构，当夹取晶圆时，晶圆的背面可放置在沉槽的底部，并且晶圆的侧边可被沉槽的侧边进行限位，晶圆的背面的一部分被遮挡部遮挡。当在晶圆的背面沉积金属时，晶圆背面的金属层对应于遮挡部的地方形成镂空区，也即镂空区内不沉积金属。在后续双面对准的工艺中，可使得图像采集装置直接对准镂空区域，由于碳化硅的透光性良好，图像采集装置能够采集到清晰的正面图案，并且可与图像采集装置中预设的晶圆正面的图案进行比对，从而对晶圆进行旋正。这时，晶圆双面可实现双面对准，从而可便于识别正面的切割道，并可便于后续在背面的金属层进行开槽或者图形化刻蚀等工艺。

在一些可能的实施方案中，遮挡部包括至少两个遮挡片。当遮挡片为两个时，两个遮挡片对称设置，当遮挡片为多个时，至少两个遮挡片对称设置。这样，可便于用多个图案进行识别对比，从而提高双面对准的精度。

在一些实施例中，遮挡部可包括两个遮挡片，两个遮挡片可沿第一直线对称设置，第一直线为经过通孔的圆心的直线。遮挡片可包括两个第一侧边和一个第二侧边，两个第一侧边相互平行，第二侧边垂直于第一侧边。两个第一侧边的第一端分别与通孔的侧壁连接，第二侧边的两端分别与两个第一侧边的第二端连接。通过设置对称的遮挡片，在图像采集装置采集晶圆正面的图像后，可便于识别图案并将晶圆旋正。

在一些实施例中，沿第一侧边的延伸方向，第一侧边的尺寸可大于等于两个晶粒的尺寸之和，且沿第二侧板的延伸方向，第二侧边的尺寸也可大于等于两个晶粒的尺寸之和。这样，可保证晶圆正面的图案中至少有一个完整的晶粒和对位标记，从而便于对晶圆进行对准。

在一些实施例中，遮挡部可包括四个遮挡片，其中两个遮挡片与另外两个遮挡片沿第一直线对称设置，这里的第一直线可理解为经过通孔的圆心的直线。位于第二直线一侧的两个遮挡片中，两个遮挡片可沿第二直线对称设置，这里的第二直线也可理解为经过通孔的圆心的直线，并且第一直线垂直于第二直线。通过设置四个对称的遮挡片，可进一步提高晶圆双面对准的精度。

在一些实施例中，遮挡片可包括第三侧边和第四侧边，第三侧边垂直于第四侧边。第三侧边的第一端与通孔的侧壁连接，第四侧边的第一端与通孔的侧壁连接，且第三侧边的第二端和第四侧壁的第二端连接。这样，可便于减小遮挡部的面积，从而增大晶圆的可利用面积。

在一些可能的实施方案中，沉槽的侧壁可设置用于对晶圆定位的定位面，通孔的侧壁也可设置用于对晶圆定位的定位面。通过设置定位面，可便于晶圆背面沉积金属时，镂空区位置准确。

在一些实施例中，定位面的形状与晶圆的形状结构对应，定位面可以是平面或者V字型结构。

在一些可能的实施方案中，沉槽的直径比晶圆的直径大1-3mm，这样不会挤压晶圆的侧边，防止晶圆变形。

在一些可能的实施方案中，述通孔的直径比晶圆的直径小1-6mm，不仅可对晶圆限位，还可使得遮挡部能够正对晶圆的背面。

在一些可能的实施方案中，夹具本体的材料可以是不易热变形和不易机械变形的材料，实际应用时，夹具本体的材料可以是金属、陶瓷和合金中的一种，从而防止夹具本体变形，对于晶圆的定位不准确。

第二方面，本实用新型可提供一种沉积装置，该沉积装置可用于在晶圆的背面沉积金属，具体包括载物台和如上述任一实施方案中的夹具。其中，晶圆正面朝向载物台地放置于载物台是那个，夹具放置于载物台上。夹具的沉槽可沿晶圆的周侧对晶圆进行限位，遮挡部位于晶圆背离载物台的一侧，并且晶圆在载物台上的正投影与遮挡部在载物台上的正投影有交叠。

上述沉积装置，当在晶圆的背面沉积金属时，晶圆背面的金属层对应于遮挡部的地方形成镂空区，也即镂空区内不沉积金属。在后续双面对准的工艺中，可使得图像采集装置直接对准镂空区域，由于碳化硅的透光性良好，图像采集装置能够采集到清晰的正面图案，并且可与图像采集装置中预设的晶圆正面的图案进行比对，从而对晶圆进行旋正。这时，晶圆双面可实现双面对准，从而可便于识别正面的切割道，并可便于后续在背面的金属层进行开槽或者图形化刻蚀等工艺。

在一些可能的实施方案中，晶圆的正面设有多个阵列分布的元件，载物台朝向夹具的一侧设有保护膜层，保护膜层也可以开设与元件对应的凹槽，凹槽的深度可与元件的高度相同。当晶圆放置于载物台时，元件可进入凹槽内，从而起到对元件保护的作用。

第三方面，本实用新型可提供一种晶圆，该晶圆由上述沉积装置制备而成。晶圆的正面设有对位标记，背面覆盖有金属膜层。金属膜层具有通过遮挡部形成的镂空区，镂空区与对位标记正对，从而可便于图像采集装置通过镂空区采集对位标记的图像。

在一些可能的实施方案中，镂空区至少为两个。当镂空区为两个时，两个镂空区对称设置，当镂空区为多个时，至少两个镂空区对称设置。这样，可便于用多个图案进行识别对比，从而提高双面对准的精度。

在一些可能的实施方案中，晶圆的材料可以是碳化硅、玻璃或者蓝宝石，这些材料的透光性比较好，图像采集装置可采集到清晰的正面图案。

附图说明

图1为本实用新型中沉积装置的一种结构示意图；

图2为图1中夹具的一种结构示意图；

图3为利用图1中的沉积装置制备的晶圆的一种结构示意图；

图4为本实用新型中将晶圆双面对准的一种结构示意图；

图5为图像采集装置识别的图像示意图；

图6为图2中夹具的一种结构示意图；

图7为图6中夹具的一种剖面结构示意图；

图8为图2中夹具的又一种结构示意图；

图9为图8中夹具的一种剖面结构示意图；

图10为利用图8中夹具制备的晶圆的结构示意图。

附图标记：

10-载物台；11-保护膜层；20-夹具；21-夹具本体；22-沉槽；221-定位面；23-通孔；231-定位面；24-遮挡部；241-遮挡片；2411-第一侧边；2412-第二侧边；2413-第三侧边；2414-第四侧边；30-晶圆；31-金属膜层；311-镂空区；32-元件；33-晶粒；34-对位标记；40-图像采集装置；50-光源。

具体实施方式

以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本实用新型的限制。如在本实用新型的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“所述”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。

在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本实用新型的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

碳化硅具有禁带宽度大、迁移率高、散热快等优点，因此经常被应用于600V以上的功率器件领域。在常用的金属氧化物晶体管功率器件中，为了提高电流通流密度，以及为了保证良好的封装可焊性，晶圆的背面作为电极时通常需要积淀钛、镍、铜、银等金属，常用的金属膜一般通过物理气相沉积溅射或者电子束蒸发形成，这需要将晶圆的背面正对着靶材或蒸发源，并使得金属原子在高真空腔室内迁移至晶圆的背面，从而形成完整的金属薄膜。需要说明的是，一般来说，晶圆设置有元件的一面视为正面，需要沉积金属用于导电或者焊接的一面视为背面。

在将碳化硅晶圆分割成独立器件的过程中，由于碳化硅的硬度较高，一般采用激光束将晶圆分割成多个独立器件。在此过程中，激光开槽工艺是不可或缺的一环，即通过激光烧蚀将切割道背面积淀的金属去除，从而避免后续芯片分开时引起金属崩边。但为了保证切缝刚好限制在开槽区域内，需要背面开槽与正面图形对齐，并且对准精度越高，可以减少开槽宽度以及切割道的设计，从而节省晶圆的面积。

现有的红外线双面对准方法中，晶圆正面朝下置于载物台上，将红外光源放置于晶圆的正面，红外相机放置于晶圆的背面，红外光穿过载物台和晶圆，正面的图案投影在相机上，从而测量其对准误差并进行调整。然而，该方法中，由于红外线穿过多层界面时，散射比较明显，导致相机抓取到的图像信噪比差，进而影响对准精度。

除上述对准方法外，现有的另一种对准方法中，晶圆正面朝下置于载物台上，晶圆的正面和背面分别设置一套白光源和相机。采用白光照明后，两个相机镜头分别抓取正面和背面的图案，在使用前需要调整两个相机的位置，使镜头十字中心严格保持对齐后，两个相机保持相对静止。晶圆移动至两个镜头之间，这样，一个相机对准正面图案时，另一个相机也刚好正对该正面图案，从而实现背面和正面的对准。然而，该方法中，容易产生两个镜头的对位误差，此外，相机穿过多层材质，还会导致图像识别的精度。

基于此，本实用新型可提供一种晶圆、沉积装置以及夹具，用于在晶圆背面沉积金属层时，使得晶圆背面的金属膜层形成镂空区，当后续对晶圆背面的金属膜层进行开槽或者图形化刻蚀时，可便于将晶圆实现双面对准。以下将结合具体的实施例对上述晶圆、对准装置以及夹具进行说明。

参考图1至图3，图1为本实用新型实施例中沉积装置的一种结构示意图，图2为图1中夹具的一种结构示意图，图3为利用图1中的沉积装置制备的晶圆的一种结构示意图。沉积装置可放置于金属化设备腔内，用于在晶圆30的背面沉积金属膜层31，使得晶圆30的背面被金属膜层31覆盖，金属膜层31可用于对其它元器件导电，或可便于将晶圆30焊接到其它元器件上。沉积装置可包括载物台10和夹具20，晶圆30和夹具20均可放置于载物台10上，并且夹具20可用于夹取晶圆30，从而起到对晶圆30限位的作用。

需要说明的是，晶圆30可正面朝向载物台10地放置于载物台10上，从而便于后续在晶圆30背面沉积金属。由于晶圆30正面设有多个阵列分布的元件32，载物台10上可设置多个保护膜层11，保护膜层11可与相邻元件32之间的间隙对应。当晶圆30正面朝下放置于载物台10时，保护膜层11刚好伸入至相邻的元件32之间的空隙处，并对晶圆30正面起到支撑作用。并且，保护膜层11的高度可稍大于元件32的高度，这样，当晶圆30放置于载物台10上时，在保护膜层11的支撑下，可以保证元件32朝向载物台10的表面不会与载物台10接触，从而保护元件32不受损伤。

或者，在其它一些实施例中，也可以在保护膜层11对应于元件32的位置设置凹槽，凹槽的深度可与元件32的高度相同。当晶圆30放置于载物台10时，元件32可伸入进凹槽内，从而起到对元件32保护的作用。

夹具20可包括夹具本体21，夹具本体21具有沉槽22，沉槽22的底部形成有通孔23，从而使得沉槽22的底面和侧面形成台阶结构，该台阶结构可用于承载晶圆30。此外，由于晶圆30具有平边，沉槽22的侧壁还可设置与平边形状一致的定位面221，通孔23也可设置与平边形状一致的定位面231，并且镂空区311的侧壁还设有遮挡部24。当将晶圆30的正面朝向载物台10上后，可将夹具20倒置于载物台10上，也即夹具20设置有遮挡部24的一侧远离载物台10设置。这时，沉槽22的侧壁可绕晶圆30一周地位于晶圆30的外侧，而沉槽22的底面以及遮挡部24位于晶圆30背离载物台10的一侧，定位面221和定位面231均可与晶圆30的平边抵接，从而起到对晶圆30定位的作用。

夹具本体21的材料可以是不易热变形和不易机械变形的材料，示例性地，夹具本体21的材料可以是金属、陶瓷或者合金中的一种。

需要说明的是，当晶圆30不具备平边时，沉槽22的侧壁和通孔23的侧壁也可不设置定位面。例如，当晶圆30具有V字型边时，则对应的，以定位面221为例，定位面221可以是包括两个平面，并且两个平面之间具有一定夹角，从而形成V字型结构，这样，晶圆30的V字型边可嵌设于定位面221内，从而起到对晶圆30定位的作用。另外，也可仅在沉槽22的侧壁设置定位面221，或者仅在通孔23的侧壁设置定位面231，本实施例在此不做限定。

遮挡部24在载物台10上的正投影和晶圆30在载物台10上的正投影可至少部分重合，这样，当对晶圆30的背面沉积金属时，在遮挡部24的阻挡作用下，晶圆30背面正对于遮挡部24的部位不会沉积金属。也可理解为，晶圆30背面沉积的金属膜层31具有与遮挡部24对应的镂空区311。

结合图1至图5，图4为本实用新型中将晶圆双面对准的一种结构示意图，图5为图像采集装置识别的图像示意图。如前所述，在晶圆30背面的金属膜层31进行镂空区311，当后续对金属膜层31进行开槽时，开槽位置需要与晶圆30正面的元件32之间的间隙对应，以防止在开槽过程中导致元件32受到损伤。为达到这一目的，可在晶圆30正面正对镂空区311的部位设计对位标记34，并且将背面覆盖有金属膜层31的晶圆30正面朝下地放置于载物台10上，同时将图像采集装置40和光源50放置于晶圆30背离载物台10的一侧。此外，晶圆30的材料可以是碳化硅、玻璃或者蓝宝石等透光性良好的材料。

图像采集装置40内可预先采集晶圆30正面的整体图像，并生成基准图像。当对晶圆30对准时，图像采集装置40可正对镂空区311，并采集晶圆30正面正对镂空区311的部位的图像，由于晶圆30的透光性良好，因此能够采集到清晰的正面图像。由于正面图像中有对位标记34，图像采集装置40可将采集到的图像与基准图像做对比，从而识别对位标记34所在的区域，并利用对位标记34将晶圆30进行旋正，从而便于后续进行开槽或图形化刻蚀等工艺。

需要说明的是，晶圆30对应于镂空区311的部位可至少有一个完整的晶粒33，并且在晶粒33周围有正面预留的对位标记34，这样，可便于图像采集装置40在采集到图片后，与基准图像进行对比。

一些实现方式中，图像采集装置40可以是电气耦合元件(charge coupleddevice，CCD)相机，光源50可以是白光源。

在一些实施例中，结合图3至图7，图6为图2中夹具的一种结构示意图，图7为图6中夹具的一种剖面结构示意图。遮挡部24可以包括两个遮挡片241，并且两个遮挡片241可沿第一直线对称设置，该第一直线沿第一方向延伸，并且经过通孔23的圆心，则对应的，晶圆30背面形成的金属膜层31也形成两个对称的镂空区311。如图6所示，定位面221和定位面231沿第二方向延伸，该第二方向可垂直于第一方向，两个遮挡片241也可沿第二方向排列。这样，在不影响定位面221和定位面231的前提下，还可使得两个遮挡片241之间的距离尽量远，从而可使得晶圆30背面形成的镂空区311之间间隔尽量远，当后续将晶圆30双面对准时，由于两个镂空区311内的对位标记34相距较远，在将晶圆30旋正的过程中，可提高晶圆30的对准精度。

本实施例中，图像采集装置40可采集晶圆30正面正对于镂空区311的两个图像，并利用基准图像分别识别两个图像中的对位标记34的具体位置，然后调整晶圆30位置，使得两个图像中的对位标记34与基准图像中的两个对位标记34对齐，从而使得晶圆30被旋正。由于两个图像中的对位标记34相距较远，因此可提高晶圆30对准的精度。

另外，如图5所示，若其中一个镂空区311采集的图像中沿第一方向和第二方向分别分布有至少两个对位标记34时，当在金属膜层31上生成网格图时，也可仅利用其中一个镂空区311采集的图像进行加工工艺。由于第一方向有两个对位标记34，可算出第一方向上相邻两个晶粒33之间的间隙，同样地，也可算出第二方向上相邻两个晶粒33之前的间隙，这样，就可以推导出所有晶粒33的分布规律。

遮挡片241可包括两个第一侧边2411和一个第二侧边2412，两个第一侧边2411相互平行，第一侧边2411沿第二方向延伸，第二侧边2412垂直于第一侧边2411。两个第一侧边2411的第一端分别与通孔23的侧壁连接，第二侧边2412的两端分别与两个第一侧边2411的第二端连接，从而使得遮挡片241形成类似长方形的形状。第一侧边2411和第二侧边2412的尺寸可由晶圆30正面的图案决定，在本实施例中，第一侧边2411的尺寸可以是晶圆30的晶粒33沿第二方向的尺寸的两倍及以上，第二侧边2412的尺寸也可以是晶圆30沿第一方向的尺寸的两倍及以上，从而可保证图像采集装置采集到的图像中至少有一个完整的晶粒33以及对位标记34。

另外，沉槽22的直径可比晶圆30的直径大1～3mm，这样在对晶圆30定位时，不会挤压晶圆30。而通孔23的直径可比晶圆30的直径小1～6mm，以便于遮挡片241可使得金属膜层31形成的镂空区311面积足够。定位面221和定位面231沿第二方向的尺寸可与晶圆30的平边的尺寸相同，沉槽22的高度大于晶圆30的厚度，以避免遮挡片241与晶圆30干涉。

在一些实施例中，参考图8至图10，图8为图2中夹具20的又一种结构示意图，图9为图8中夹具20的一种剖面结构示意图，图10为利用图8中夹具20制备的晶圆30的结构示意图。遮挡部可包括四个遮挡片241，其中两个遮挡片241与另外两个遮挡片241沿第一直线对称设置，位于第一直线一侧的两个遮挡片241中，两个遮挡片241可以沿第二直线对称设置，这里的第二直线也可理解为经过通孔23的圆心，并沿第二方向延伸的直线，并且，第二直线垂直于第一直线。则对应的，晶圆30背面的金属膜层31也具有四个镂空区311，并且四个镂空区311既沿第一方向对称设置，又沿第二方向对称设置。

本实施例中，遮挡片241可包括第三侧边2413和第四侧边2414，第三侧边2413可沿第一方向延伸，第四侧边2414沿第二方向延伸。第三侧边2413的第一端与通孔23的侧壁连接，第四侧边2414的第一端与通孔23的侧壁连接，第三侧边2413的第二端和第四侧壁的第二端连接。这样，遮挡片241的形状类似于直角三角形。

当晶圆30需要双面对准时，图像采集装置可采集晶圆30正面正对于镂空区311的四个图像，并利用基准图像分别识别四个图像中的对位标记的具体位置，然后调整晶圆30位置，使得四个图像中的对位标记与基准图像中的四个对位标记对齐，从而使得晶圆30被旋正。由于设置了四个镂空区311，在识别对位标记时，不仅可使得晶圆30在第一方向上对齐，还可在第二方向上对齐，从而进一步提高了双面对准的精度。

第三侧边2413和第四侧边2414的尺寸也可由晶圆30的晶粒的尺寸来决定，以保证图像采集装置采集到的图像中至少有一个完整的晶粒以及对位标记，这里不再叙述。可以理解的是，当采用本实施例中的遮挡片241的结构时，有利于减小遮挡部的面积，从而增大晶圆可利用的面积。

在其它一些实施例中，遮挡片的数量也可以是三个、五个或者更多，本实用新型在这里不做限定。为了提高双面对准的精度，当遮挡片的数量为三个、五个或者更多时，至少两个遮挡片可对称设置，则对应的，晶圆背面的金属膜层形成的镂空区中，也有至少两个遮挡片对称设置。

本实用新型提供的夹具、沉积装置及晶圆，可在晶圆背面沉积金属膜层时，形成与夹具的遮挡部对应的镂空区。在后续对晶圆的金属膜层进行开槽或者图形化刻蚀时，可利用图像采集装置采集晶圆正面正对于镂空区的图像，并在晶圆正面做标记，使得图像采集装置可根据预设的基准图像识别采集的图像，从而对晶圆旋正，以此来提高晶圆双面对准的精度。此外，由于晶圆的材料为透光性良好的材料，可进一步提高双面对准的精度。

以上，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种夹具，放置于金属化设备腔内，并用于夹取晶圆，其特征在于，所述夹具包括夹具本体，所述夹具本体设有沉槽，所述沉槽的底部形成有通孔，所述通孔的侧壁设有遮挡部，所述遮挡部用于遮挡所述晶圆的背面，并使得所述晶圆背面在沉积金属时，所述晶圆背面形成的金属膜层对应所述遮挡部的位置具有镂空区。

2.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述通孔的侧壁设有遮挡部，所述遮挡部包括至少两个遮挡片；

当所述遮挡部包括两个遮挡片时，两个所述遮挡片对称设置；

当所述遮挡部包括多个遮挡片时，至少两个所述遮挡片对称设置。

3.根据权利要求2所述的夹具，其特征在于，遮挡部包括两个遮挡片，两个所述遮挡片沿第一直线对称设置，所述第一直线为经过所述通孔的圆心的直线；

所述遮挡片包括两个第一侧边和一个第二侧边，两个所述第一侧边平行设置，两个所述第一侧边的第一端分别与所述通孔的侧壁连接，所述第二侧边的两端分别与所述两个所述第一侧边的第二端连接，且所述第二侧边垂直于所述第一侧边。

4.根据权利要求3所述的夹具，其特征在于，所述晶圆包括多个晶粒，沿所述第一侧边的延伸方向，所述第一侧边的尺寸大于等于两个所述晶粒的尺寸之和；

沿所述第二侧边的延伸方向，所述第二侧边的尺寸大于等于两个所述晶粒的尺寸之和。

5.根据权利要求2所述的夹具，其特征在于，所述遮挡部包括四个遮挡片，其中两个所述遮挡片和另外两个所述遮挡片沿第一直线对称设置；

位于所述第一直线同一侧的两个所述遮挡片中，两个所述遮挡片沿第二直线对称设置；其中，所述第一直线和所述第二直线均为经过所述通孔的圆心的直线，且所述第一直线垂直于所述第二直线。

6.根据权利要求5所述的夹具，其特征在于，所述遮挡片包括第三侧边和第四侧边，所述第三侧边的第一端与所述通孔的侧壁连接，所述第四侧边的第一端与所述通孔的侧壁连接，所述第三侧边的第二端与所述第四侧边的第二端连接，并且所述第三侧边垂直于所述第四侧边。

7.根据权利要求1-6任一项所述的夹具，其特征在于，所述沉槽的侧壁设有用于对所述晶圆定位的定位面，和/或，所述通孔的侧壁设有用于对所述晶圆定位的定位面。

8.根据权利要求1-7任一项所述的夹具，其特征在于，所述沉槽的直径比所述晶圆的直径大1mm-3mm。

9.根据权利要求8所述的夹具，其特征在于，所述通孔的直径比所述晶圆的直径小1mm-6mm。

10.根据权利要求1-9任一项所述的夹具，其特征在于，所述夹具本体的材料为金属、陶瓷和合金中的一种。

11.一种沉积装置，用于在晶圆的背面沉积金属，其特征在于，包括载物台以及如权利要求1-10任一项所述的夹具，其中：

所述载物台用于承载所述晶圆，且所述晶圆的正面朝向所述载物台；

所述夹具放置于所述载物台上，且所述夹具的所述沉槽沿所述晶圆的周侧对所述晶圆进行限位，所述遮挡部位于所述晶圆背离所述载物台的一侧，且所述晶圆在所述载物台上的正投影与所述遮挡部在所述载物台上的正投影具有重叠区域。

12.根据权利要求11所述的沉积装置，其特征在于，所述晶圆的正面设有多个元件，多个所述元件阵列分布，所述载物台朝向所述夹具的一侧设有保护膜层，所述保护膜层对应于所述元件的部位设有凹槽。

13.一种如权利要求11或12所述的沉积装置制备的晶圆，其特征在于，所述晶圆的正面设有对位标记，所述晶圆的背面覆盖有金属膜层；

所述金属膜层具有通过所述遮挡部形成的镂空区，所述镂空区正对于所述晶圆正面的对位标记。

14.根据权利要求13所述的晶圆，其特征在于，所述镂空区至少为两个；

当所述镂空区为两个时，所述两个镂空区对称设置；

当所述镂空区为多个时，至少两个镂空区对称设置。

15.根据权利要求13或14所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆的材料为碳化硅、玻璃或蓝宝石。

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