CN105895741A - 光伏电池的背面套印方法 - Google Patents
光伏电池的背面套印方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105895741A CN105895741A CN201610362261.7A CN201610362261A CN105895741A CN 105895741 A CN105895741 A CN 105895741A CN 201610362261 A CN201610362261 A CN 201610362261A CN 105895741 A CN105895741 A CN 105895741A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photovoltaic cell
- back side
- overprinting method
- film
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 23
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 claims description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 claims 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 claims 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 claims 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F15/00—Screen printers
- B41F15/14—Details
- B41F15/34—Screens, Frames; Holders therefor
- B41F15/36—Screens, Frames; Holders therefor flat
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/12—Stencil printing; Silk-screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及光伏领域，具体公开了一种光伏电池的背面套印方法，其包括如下步骤：提供具有开膜图样的硅片及网版，开膜图样包括金属化图形及至少三个识别图形；网版上设有与开膜图样相匹配的镂空图样；用网版在假片上印刷浆料，并在假片上形成金属化图形以及识别图形；用相机捕捉假片上的识别图案，计算出识别图案在假片上的坐标并得到偏移信息；根据所述偏移信息调整印刷机的参数；对具有开膜图样的硅片进行套印。上述光伏电池的背面套印方法，由于采用相机自动捕捉印刷在假片上的识别图案，进而精确调节印刷机的参数，从而实现精确套印。相对人工校正，节约时间、精度高，便于自动化生产管理。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域，特别是涉及一种光伏电池的背面套印方法。
背景技术
为提高光伏电池的光电转化效率，一般采用化学沉积的方式在硅片的背面形成一层钝化膜，该钝化膜可有效提高光伏电池的长波响应，降低背面复合速率。但是该钝化膜不导电，通常需要用激光将钝化膜开膜，即将硅片上的钝化膜局部刻蚀掉，然后在背面印刷浆料，烧结后浆料与硅片形成局部接触，实现背钝化光伏电池的背面金属化。背面金属化通常有两种，一种是整面印刷铝浆，此时太阳光不能从背面入射被吸收；另一种是对开膜后的硅片进行套印，也即在开膜区域上印刷铝浆，其它区域不印刷，可形成双面电池结构，太阳光可以从背面入射被吸收，这种双面电池结构可以明显提高光伏电池的转换效率和组件的发电量。
目前，这种套印方式，一般靠操作人员根据经验调节设备进行位置调整，如果设备发生微小的偏移却无法及时地发现，加上手动校准无法做到精确定位，导致套印质量较差，进而影响光伏电池的性能。
发明内容
基于此，有必要针对现有的光伏电池背面套印质量差的问题，提供一种精确、质量好的光伏电池背面套印方法。
一种光伏电池的背面套印方法，包括如下步骤：
提供具有开膜图样的硅片以及网版，所述开膜图样包括金属化图形，以及至少三个识别图形；所述网版上设有与所述开膜图样相匹配的镂空图样；
用所述网版在假片上印刷浆料，并在所述假片上形成金属化图形以及识别图形；
用相机捕捉所述假片上的所述识别图案，计算出所述识别图案在所述假片上的坐标并得到偏移信息；根据所述偏移信息调整印刷机的参数；
对具有开膜图样的硅片进行套印。
上述光伏电池的背面套印方法，由于采用相机自动捕捉印刷在假片上的识别图案，获取偏移信息，进而精确调节印刷机的参数，从而实现精确套印。相对人工校正，节约时间、精度高，便于自动化生产管理。
在其中一个实施例中，所述识别图形与所述金属化图形不连通。
在其中一个实施例中，所述识别图形为圆形。
在其中一个实施例中，所述识别图形的半径为0.01～1mm。
在其中一个实施例中，所述识别图形的个数为4个。
在其中一个实施例中，所述金属化图形包括若干平行的线条，所述线条的间距为0.1～2mm。
在其中一个实施例中，所述线条的宽度为0.01～0.3mm。
在其中一个实施例中，所述识别图形嵌在所述金属化图形所在的区域内。
在其中一个实施例中，所述参数包括沿第一方向的第一偏移量、沿与所述第一方向正交的第二方向的第二偏移量、以及角度偏移量。
附图说明
图1为本发明一实施例的开膜图样的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种光伏电池的背面套印方法，包括如下步骤：
S1、提供具有开膜图样的硅片以及网版。
其中，参见图1，具有开膜图样的硅片100，是指在硅片背面的钝化层上蚀刻出开膜图样。具体地，开膜图样包括金属化图形110，以及至少三个识别图形120；对应地，在网版上设有与开膜图样相匹配的镂空图样；即网版上也设有镂空的金属化图形110以及识别图形120；金属化图形110的主要作用是，最后在硅片上形成背面电极的细栅；识别图形120的主要作用是，用于相机识别。
为了进一步提高识别速度以及识别精度，优选地，识别图形120与金属化图形110不连通。也就是说，在开膜的硅片上，识别图形120的外缘与金属化图形110的外缘之间间隔有钝化层；对应地，在网版上，识别图形120的外缘与金属化图形110的外缘之间间隔有网版基材；在采用上述网版印刷后的假片上，识别图形120的外缘与金属化图形110的外缘之间是假片基材。这样当相机在识别假片上的识别图形120时，可以很容易将假片上的识别图形120与金属化图形110分开，进而提高识别速度以及识别精度。
优选地，识别图形120为圆形。更优选地，识别图形120的半径为0.01～1mm。这样可以更容易确定识别图形120几何中心的坐标，也即识别图形120的坐标。当然，可以理解的是，识别图形120并不局限于圆形，还可以是正方形、三角形、十字形等。
在本实施方式中，识别图形120的个数为四个。具体地，四个识别图形120分别分布于正方形的四个顶角上。当然，可以理解的是，识别图形120的个数还可以是三个、五个、甚至更多。
优选地，金属化图形110包括若干平行线条。这些线条对应于背面电极的细栅。线条之间的间距为0.1～2mm；当然，可以理解的是，金属化图形110不局限于平行线条，还可以是菱形、枝干型等。
优选地，线条的宽度为0.01～0.3mm。本领域技术人员可以根据实际情况，调整线条的宽度来实现对细栅的宽度调节。
在本实施方式中，识别图形120嵌在金属化图形110所在的区域内。具体到本实施方式中，识别图形120位于其中两个相邻的线条之间的区域。这样可以节省空间，使识别图形120不占用硅片上栅线的空间。当然，可以理解的是，识别图形120位于金属化图形110所在区域外，也就是说，识别图形120孤悬于金属化图形110区域外。
S2、用网版在假片上印刷浆料，并在假片上形成印刷图案以及识别图案。
其中，假片为本领域技术人员所公知的，假片的大小尺寸与待套印的开膜的硅片相同。在本实施方式中，假片为尺寸相同的且表面平整的硅片。当然，可以理解的是，假片还可以是其他材料。
在步骤S2中，具体地，先将假片放置到印刷机指定位置上并固定，然后采用上述网版在假片上印刷浆料。具体地，浆料为导电铝浆。具体的印刷操作为本领域技术人员所公知的，在此不再赘述！
S3、用相机捕捉所述假片上的所述识别图案，计算出所述识别图案在所述假片上的坐标并得到偏移信息；根据所述偏移信息调整印刷机的参数；
其中，优选地，相机可以是工业上各种可以用于捕捉的相机。在此不再赘述。
印刷机的参数包括沿第一方向的第一偏移量(也即X偏移)、沿与所述第一方向正交的第二方向的第二偏移量(也即Y偏移)、以及角度偏移量(也即T偏移)。根据假片印刷的结果，也即相机捕捉并得到的识别图案的坐标，根据需要调节X/Y/T偏移中的一个或几个。
步骤S3具体包括，先用相机捕捉假片上的识别图形120，然后相机将采集的数据传输给计算机，计算机分析计算出识别图形在假片上的坐标，从而分析计算出印刷的偏移信息；再根据偏移信息的需要调整印刷机的参数中的一个或几个，消除偏移，也即使识别图案的坐标与预设坐标重合。
假片印刷的主要目的是，调整印刷机参数消除偏移。
S4、对具有开膜图样的硅片进行套印。
套印的具体操作为本领域技术人员所公知的，在此不再赘述！
由于步骤S3消除了偏移，当印刷机套印开膜后的硅片时，使落在硅片上的浆料正好位于开膜图样上，即实现精确套印。
本发明所提供的光伏电池的背面套印方法，由于采用相机自动捕捉印刷在假片上的识别图案，获取偏移信息，进而精确调节印刷机的参数，消除偏移，当印刷机套印开膜后的硅片时，从而使落在硅片上的浆料正好位于开膜图样上，从而实现精确套印。本发明所提供的光伏电池的背面套印方法，相对人工校正，节约时间、精度高，便于自动化生产管理。
以下结合具体实施例对本发明作进一步的阐述。
实施例1
在硅片背面的钝化层上开膜，开膜图样包括间距为1mm的平行的线条群和直径为0.06mm的4个识别圆组成。识别圆位于两个相邻的线条之间的区域。将硅片的几何中心坐标定为(0,0)，线条群的中心位于硅片的几何中心处，则4个识别圆的坐标分别为(57.7，70)，(-57.7，70)，(57.7，-70)，(-57.7，-70)。
提供网版，同样网版上设有间距为1mm的平行的线条群和直径为0.06mm的4个识别圆，线条群中线条的线宽为0.2mm。将网版上线条群的中心坐标定为(0,0)，则4个识别圆的坐标分别为(57.7，70)，(-57.7，70)，(57.7，-70)，(-57.7，-70)。
将假片放置在印刷机中指定位置并固定，用上述网版在假片上印刷导电铝浆。通过印刷机上的相机捕捉假片上识别圆，并获取识别圆在假片上的坐标(以假片几何中心的坐标为(0,0))，根据获取的坐标，自动校正印刷机的参数(X/Y/T偏移)使识别圆的坐标分别为(57.7，70)，(-57.7，70)，(57.7，-70)，(-57.7，-70)。
将印刷机按照上述参数在开膜后的硅片上套印导电铝浆。
以上所述实施方式的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施方式中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施方式仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种光伏电池的背面套印方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有开膜图样的硅片以及网版，所述开膜图样包括金属化图形，以及至少三个识别图形；所述网版上设有与所述开膜图样相匹配的镂空图样；
用所述网版在假片上印刷浆料，并在所述假片上形成金属化图形以及识别图形；
用相机捕捉所述假片上的所述识别图案，计算出所述识别图案在所述假片上的坐标并得到偏移信息；根据所述偏移信息调整印刷机的参数；
对具有开膜图样的硅片进行套印。
2.根据权利要求1所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述识别图形与所述金属化图形不连通。
3.根据权利要求1所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述识别图形为圆形。
4.根据权利要求3所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述识别图形的半径为0.01～1mm。
5.根据权利要求1所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述识别图形的个数为4个。
6.根据权利要求1所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述金属化图形包括若干平行的线条，所述线条的间距为0.1～2mm。
7.根据权利要求6所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述线条的宽度为0.01～0.3mm。
8.根据权利要求1所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述识别图形嵌在所述金属化图形所在的区域内。
9.根据权利要求1所述的光伏电池的背面套印方法，其特征在于，所述参数包括沿第一方向的第一偏移量、沿与所述第一方向正交的第二方向的第二偏移量、以及角度偏移量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610362261.7A CN105895741B (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 光伏电池的背面套印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610362261.7A CN105895741B (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 光伏电池的背面套印方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105895741A true CN105895741A (zh) | 2016-08-24 |
| CN105895741B CN105895741B (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=56718010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610362261.7A Active CN105895741B (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 光伏电池的背面套印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105895741B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491955A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-11-22 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
| CN113314639A (zh) * | 2020-05-08 | 2021-08-27 | 中天光伏材料有限公司 | 一种功能型背板的制备方法及功能型背板 |
| CN113451443A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 上饶捷泰新能源科技有限公司 | 一种降低偏差矫正不良报废的方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009009732A1 (de) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Koenen Gmbh | Siebdruckrahmen |
| CN102101396A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-06-22 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种太阳能电池金属化过程中金属栅线对准方法 |
| CN102145602A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-08-10 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法 |
| CN102689534A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-09-26 | 浚鑫科技股份有限公司 | 太阳能电池正面电极的丝网印刷方法 |
| CN102756539A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-10-31 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种基于双印刷台的图形对位方法及其装置 |
| CN102825933A (zh) * | 2012-09-13 | 2012-12-19 | 英利能源（中国）有限公司 | 太阳能电池片的丝网印刷方法、太阳能电池片及其制备方法 |
| CN102848709A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-02 | 信利光电(汕尾)有限公司 | 一种半自动丝网印刷对位方法 |
| CN103640349A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 常州天合光能有限公司 | 晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法 |
| CN203651164U (zh) * | 2013-12-24 | 2014-06-18 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 太阳能晶硅电池片套印网版 |
| CN205130594U (zh) * | 2015-10-20 | 2016-04-06 | 镇江大全太阳能有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池背电极背电场套印网版结构 |
-
2016
- 2016-05-26 CN CN201610362261.7A patent/CN105895741B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009009732A1 (de) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Koenen Gmbh | Siebdruckrahmen |
| CN102101396A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-06-22 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种太阳能电池金属化过程中金属栅线对准方法 |
| CN102145602A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-08-10 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法 |
| CN102689534A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-09-26 | 浚鑫科技股份有限公司 | 太阳能电池正面电极的丝网印刷方法 |
| CN102756539A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-10-31 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种基于双印刷台的图形对位方法及其装置 |
| CN102825933A (zh) * | 2012-09-13 | 2012-12-19 | 英利能源（中国）有限公司 | 太阳能电池片的丝网印刷方法、太阳能电池片及其制备方法 |
| CN102848709A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-02 | 信利光电(汕尾)有限公司 | 一种半自动丝网印刷对位方法 |
| CN103640349A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 常州天合光能有限公司 | 晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法 |
| CN203651164U (zh) * | 2013-12-24 | 2014-06-18 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 太阳能晶硅电池片套印网版 |
| CN205130594U (zh) * | 2015-10-20 | 2016-04-06 | 镇江大全太阳能有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池背电极背电场套印网版结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491955A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-11-22 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
| CN113314639A (zh) * | 2020-05-08 | 2021-08-27 | 中天光伏材料有限公司 | 一种功能型背板的制备方法及功能型背板 |
| CN113451443A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 上饶捷泰新能源科技有限公司 | 一种降低偏差矫正不良报废的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105895741B (zh) | 2017-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101588706B1 (ko) | 자동조정 스크린 인쇄 프로세스 | |
| CN101395724B (zh) | 太阳能电池标记方法和太阳能电池 | |
| CN105895741A (zh) | 光伏电池的背面套印方法 | |
| CN102825933B (zh) | 太阳能电池片的丝网印刷方法、太阳能电池片及其制备方法 | |
| CN102386322B (zh) | 提高对准精度的方法 | |
| ITUD20090044A1 (it) | Procedimento e apparecchiatura per la stampa serigrafica di uno schema a strato multiplo | |
| CN109360794B (zh) | 一种晶硅光伏太阳能电池电极二次印刷精度视觉检测方法及装置 | |
| CN102145602A (zh) | 一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法 | |
| CN109904249A (zh) | P型perc双面太阳能电池背面图形对位印刷方法、制备方法及电池 | |
| CN106405701B (zh) | 未达到精度要求的中阶梯光栅闪耀角再次精密加工方法 | |
| CN103746026B (zh) | 前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法 | |
| CN103871954A (zh) | 一种优化浅槽隔离刻蚀线宽的方法 | |
| CN109659246A (zh) | 一种开口倾斜度的测量方法及三维存储器的制备方法 | |
| CN104647885A (zh) | 用于电极激光转印中的激光转印对准装置及其对准方法 | |
| CN102135723A (zh) | 基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法 | |
| CN106933069B (zh) | 一种硅片预对准方法 | |
| CN110957390A (zh) | 丝网印刷装置及双面电池的背面栅线对位方法 | |
| CN111370341A (zh) | 晶体硅电池界面复合速率的测试方法 | |
| CN110459616A (zh) | 硅衬底、太阳能电池片及其形成方法、印刷网版 | |
| ITUD20120149A1 (it) | Metodo ed apparato di stampa di uno schema su un substrato | |
| CN108346581A (zh) | 一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法 | |
| CN102466646A (zh) | 准单晶硅片的外观检测方法 | |
| CN102602183A (zh) | 选择性发射极电池正电极的印刷方法 | |
| CN110010513A (zh) | 薄膜沉积层缺陷扫描程式的建立方法及扫描机台 | |
| CN109216504B (zh) | 太阳能电池刻划方法及刻划设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180108 Address after: 221000 Jiangsu city in Xuzhou Province Economic Development Zone Peixian Road on the north side of Han Co-patentee after: Assist prosperous integrated Science and Technology Co., Ltd. Patentee after: Xuzhou Xinyu Photovoltaic Technology Co., Ltd. Co-patentee after: GCL Technology (Suzhou) Co. Ltd. integrated Co-patentee after: SUZHOU GCL SYSTEM INTEGRATION TECHNOLOGY INDUSTRIAL APPLICATION RESEARCH INSTITUTE CO., LTD. Co-patentee after: ZHANGJIAGANG XIEXIN INTEGRATED TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 201406 Shanghai city Fengxian District Jianghai Economic Zone Co-patentee before: GCL Technology (Suzhou) Co. Ltd. integrated Patentee before: Assist prosperous integrated Science and Technology Co., Ltd. Co-patentee before: SUZHOU GCL SYSTEM INTEGRATION TECHNOLOGY INDUSTRIAL APPLICATION RESEARCH INSTITUTE CO., LTD. Co-patentee before: ZHANGJIAGANG XIEXIN INTEGRATED TECHNOLOGY CO., LTD. |