CN217077784U - 镀膜载板以及镀膜设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种镀膜载板以及镀膜设备,镀膜载板包括:承载部,所述承载部设置有用于承载镀膜材料的承载边且在所述承载边内形成有凹槽,所述凹槽的底部设置有气孔,所述气孔包括:第一孔段和第二孔段,所述第一孔段与所述第二孔段相连接且相对所述第二孔段弯折设置,所述第一孔段与外界相连通且所述第二孔段与所述凹槽相连通。通过第一孔段相对第二孔段弯折设置,这样第一孔段与第二孔段之间就会形成遮挡,从而在镀膜材料镀膜时,等离子体不会直接通过气孔进入到凹槽,而是被阻挡在气孔内,进而可以避免对镀膜材料的背面进行绕镀,影响镀膜材料的性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及镀膜载板技术领域,尤其是涉及一种镀膜载板以及镀膜设备。
背景技术
目前,随着太阳能电池的发展,硅片作为硅基太阳能电池的基础也在不断变更。由于增大硅片尺寸可以有效提高组件功率和降低电站的LCOE(Levelized Cost of Energy-能源成本),大尺寸硅片正越来越受到欢迎,硅片尺寸在较短时间内从156.75mm,158.75mm发展至166mm,182mm以至210mm。但是随着硅片尺寸的不断提升和厚度的降低,对制造过程中的设备和工装治具也有更多的要求,尤其是大尺寸的薄片在做单面镀膜的时候,由于通常镀膜设备都属于真空设备,在进出载板的时候存在抽真空和破真空的过程,工装治具的设计合理性会影响抽真空和破真空的效率,有时候甚至会影响硅片的品质。
相关技术中,部分镀膜载板的凹槽的底部设置有气孔,部分未设置有气孔。当未设置气孔时,抽真空和破真空时凹槽内的气体无法及时和有效地排出,抽真空时会导致硅片在搭接平台处摩擦,破真空时会导致硅片中心同凹槽的底部摩擦,这样都会影响硅片的品质,最终影响正品率。而设置有气孔时,在镀膜过程中有等离子体会直接进入到凹槽内,从而在硅片背面形成绕镀,影响后续钝化效果,最终会影响电池性能以及正品率,而且气孔两侧开口大小相同,在抽气和放气时,气孔处的气体流量最大,硅片放置在承载边上,硅片背面靠近气孔位置的流量明显大于其余位置,可能会导致硅片在气孔位置处EL发黑。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出了一种镀膜载板,该镀膜载板可以避免对镀膜材料的背面进行绕镀,影响镀膜材料的性能。
本实用新型进一步地提出了一种镀膜设备。
根据本实用新型的镀膜载板,包括:承载部,所述承载部设置有用于承载镀膜材料的承载边且在所述承载边内形成有凹槽,所述凹槽的底部设置有气孔,所述气孔包括:第一孔段和第二孔段,所述第一孔段与所述第二孔段相连接且相对所述第二孔段弯折设置,所述第一孔段与外界相连通且所述第二孔段与所述凹槽相连通。
根据本实用新型的镀膜载板,通过第一孔段相对第二孔段弯折设置,这样第一孔段与第二孔段之间就会形成遮挡,从而在镀膜材料镀膜时,等离子体不会直接通过气孔进入到凹槽,而是被阻挡在气孔内,进而可以避免对镀膜材料的背面进行绕镀,影响镀膜材料的性能。
在本实用新型的一些示例中,所述第一孔段和所述第二孔段之间的弯折角度为α,α满足关系式:75°≤α≤105°。
在本实用新型的一些示例中,α满足关系式:α=90°。
在本实用新型的一些示例中,所述第二孔段在所述凹槽底部上的投影呈扇形。
在本实用新型的一些示例中,所述扇形所对应的圆心角为β,β满足关系式:60°≤β≤120°。
在本实用新型的一些示例中,所述气孔邻近所述凹槽的底部边缘设置。
在本实用新型的一些示例中,所述气孔设置于所述凹槽的底部端角处。
在本实用新型的一些示例中,所述气孔为至少两个且分布在所述凹槽底部的至少两个端角处。
在本实用新型的一些示例中,所述气孔为两个且分布在所述凹槽底部的位于对角线上的两个端角处。
根据本实用新型的镀膜设备,包括:以上所述的镀膜载板。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本实用新型实施例的镀膜载板的示意图;
图2是承载部的示意图;
图3是承载部的剖视图。
附图标记:
1、镀膜载板;
10、承载部;11、承载边;12、凹槽;13、气孔;130、第一孔段;131、第二孔段;20、镀膜材料。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,参考附图描述的实施例是示例性的,下面详细描述本实用新型的实施例。
下面参考图1-图3描述根据本实用新型实施例的镀膜载板1。
如图1所示,根据本实用新型实施例的镀膜载板1,包括:承载部10,承载部10可以用于承载镀膜材料20,从而方便镀膜材料20镀膜,镀膜载板1上可以设置有多个承载部10,从而可以同时进行多个镀膜材料20的镀膜,承载部10的具体数量可以根据实际情况进行制定。镀膜材料20可以为硅片。
如图2和图3所示,承载部10设置有用于承载镀膜材料20的承载边11,这样镀膜材料20的四周边缘可以搭接在承载边11上,承载边11也可以对镀膜材料20起到一定的包裹作用,防止镀膜于镀膜材料20四周的非镀膜区域。
如图2和图3所示,而且在承载边11内形成有凹槽12,而凹槽12的底部设置有气孔13,这样可以通过气孔13将凹槽12内的气体排出,从而可以避免在抽真空时导致镀膜材料20在承载边11上摩擦,破真空时导致镀膜材料20中心处同凹槽12的底部摩擦,从而会影响镀膜材料20的品质,最终影响镀膜材料20的正品率。
如图3所示,气孔13包括:第一孔段130和第二孔段131,第一孔段130与第二孔段131相连接,这样第一孔段130与第二孔段131之间就会相连通,而且第一孔段130与外界相连通,第二孔段131与凹槽12相连通,这样凹槽12内的气体可以依次通过第二孔段131与第一孔段130排出。需要说明的是,在镀膜过程中反应腔内的等离子体可以通过气孔13绕镀到镀膜材料20的背面,在镀膜材料20的背面也形成膜层结构,影响镀膜材料20的性能,而第一孔段130相对第二孔段131弯折设置,这样第一孔段130与第二孔段131之间就会形成遮挡,从而在镀膜材料20镀膜时,等离子体不会直接通过气孔13进入到凹槽12,而是被阻挡在气孔13内,进而可以避免对镀膜材料20的背面进行绕镀,影响镀膜材料20的性能。
其中,第一孔段130和第二孔段131之间的弯折角度为α,α满足关系式:75°≤α≤105°。将第一孔段130和第二孔段131之间的弯折角度范围设置为:75°≤α≤105°,可以保证第一孔段130和第二孔段131之间形成遮挡,防止等离子体直接通过气孔13进入到凹槽12,而且这样便于第一孔段130和第二孔段131的设置,降低加工难度。
进一步地,α满足关系式:α=90°。也就是说,优选地,可以将第一孔段130和第二孔段131垂直设置,这样可以更好地形成遮挡,而且便于设置,降低加工难度。
可选地,如图2所示,第二孔段131在凹槽12底部上的投影呈扇形。也就是说,第二孔段131在靠近镀膜材料20的一侧设计成扇形结构,这样则可以在抽真空和破真空过程中,使镀膜材料20底部的气流尽可能均匀,从而可以避免位于第二孔段131位置处的镀膜材料20EL(电致发光)发黑,影响镀膜材料20的整体性能。
此外,扇形所对应的圆心角为β,β满足关系式:60°≤β≤120°。将扇形所对应的圆心角范围设置为:60°≤β≤120°,这样可以使扇形的区域保持在一定的范围内,而且在该范围内可以使气流的流动更加均匀,避免位于第二孔段131位置处的镀膜材料20EL发黑,影响镀膜材料20的整体性能。
根据本实用新型的一个可选实施例,如图2所示,气孔13邻近凹槽12的底部边缘设置。将气孔13邻近凹槽12的底部边缘设置,这样在设置第二孔段131时,可以沿着凹槽12的底部边缘处开设,这样可以以凹槽12的底部边缘为扇形结构的一条边,从而可以减少切割次数,便于加工。
当然,如图2所示,气孔13设置于凹槽12的底部端角处。如上所述,当气孔13邻近凹槽12的底部边缘设置,可以以凹槽12的底部边缘为扇形结构的一条边,而气孔13设置于凹槽12的底部端角处时,则可以以凹槽12的底部端角为扇形结构的两条边,从而可以进一步地减少切割次数,便于加工。
另外,如图2所示,气孔13为至少两个,而且至少两个气孔13分布在凹槽12底部的至少两个端角处。设置有至少两个气孔13,这样更加快速地将凹槽12内的气体排出。而至少两个气孔13分布在凹槽12底部的至少两个端角处,这样则可以减少切割次数,便于加工。
具体地,如图2所示,气孔13为两个,而且两个气孔13分布在凹槽12底部的位于对角线上的两个端角处。设置有两个气孔13,并且两个气孔13分布在凹槽12底部的位于对角线上的两个端角处,这样不仅可以减少切割次数,便于加工,而且在抽真空和破真空过程中,可以使镀膜材料20底部的气流更加均匀。
根据本实用新型实施例的镀膜设备,包括:以上实施例所述的镀膜载板1。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,“第一特征”、“第二特征”可以包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上。在本实用新型的描述中,第一特征在第二特征“之上”或“之下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。在本实用新型的描述中,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种镀膜载板,其特征在于,包括:承载部,所述承载部设置有用于承载镀膜材料的承载边且在所述承载边内形成有凹槽,所述凹槽的底部设置有气孔,所述气孔包括:第一孔段和第二孔段,所述第一孔段与所述第二孔段相连接且相对所述第二孔段弯折设置,所述第一孔段与外界相连通且所述第二孔段与所述凹槽相连通。
2.根据权利要求1所述的镀膜载板,其特征在于,所述第一孔段和所述第二孔段之间的弯折角度为α,α满足关系式:75°≤α≤105°。
3.根据权利要求2所述的镀膜载板,其特征在于,α满足关系式:α=90°。
4.根据权利要求1所述的镀膜载板,其特征在于,所述第二孔段在所述凹槽底部上的投影呈扇形。
5.根据权利要求4所述的镀膜载板,其特征在于,所述扇形所对应的圆心角为β,β满足关系式:60°≤β≤120°。
6.根据权利要求1所述的镀膜载板,其特征在于,所述气孔邻近所述凹槽的底部边缘设置。
7.根据权利要求6所述的镀膜载板,其特征在于,所述气孔设置于所述凹槽的底部端角处。
8.根据权利要求7所述的镀膜载板,其特征在于,所述气孔为至少两个且分布在所述凹槽底部的至少两个端角处。
9.根据权利要求8所述的镀膜载板,其特征在于,所述气孔为两个且分布在所述凹槽底部的位于对角线上的两个端角处。
10.一种镀膜设备,其特征在于,包括:权利要求1-9中任一项所述的镀膜载板。
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CN202123290880.5U CN217077784U (zh) | 2021-12-24 | 2021-12-24 | 镀膜载板以及镀膜设备 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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CN202123290880.5U Active CN217077784U (zh) | 2021-12-24 | 2021-12-24 | 镀膜载板以及镀膜设备 |
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Country | Link |
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