CN216434792U - 一种电流调节电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电流调节电路，在第一PMOS的栅极与第二PMOS的栅极之间设置了第一控制模块，第一控制模块在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接，第二PMOS导通，第一PMOS与第二PMOS共栅共源构成电流镜并输出电流；在接收到第一断开指令时控制第二PMOS断开，第二PMOS无法输出电流。在第二PMOS导通时，第二PMOS的漏极输出的电流直接流入电流调节电路的输出端，避免了第二PMOS受到导通压降的影响，从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区，满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件，保证了电流调节电路的稳定性。

Description

一种电流调节电路

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种电流调节电路。

背景技术

在集成电路设计中，许多电路都需要电流调节电路提供稳定的电流，因此，电流调节电路设计的好坏直接影响集成电路的性能。电流调节电路一般会使用电流镜来实现调节电流调节电路的输出电流的目的，电流镜通常设置1路输入用来提供参考电流，设置并联的多路输出用来基于参考电流输出总电流。电流镜的输入电路上包括基准MOS管，电流镜的每路输出上均包括与基准MOS管共栅共源的输出MOS管及源极与输出MOS管的漏极连接的作为开关的开关MOS管，开关MOS管的漏极作为该路的输出，多路输出中的开关MOS管的漏极连接，以输出电流镜最终的总电流。但是由于开关MOS管存在导通压降，导致电流镜中的输出MOS管受到开关MOS管的影响，不能稳定工作在饱和区也就无法满足电流镜稳定工作的工作条件，进而对电流调节电路的稳定性产生影响。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种电流调节电路，可以避免第二PMOS受到导通压降的影响，从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区，满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件，保证了电流调节电路的稳定性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种电流调节电路，包括基准电流提供模块、第一PMOS和N个第一输出模块，每个所述第一输出模块包括第二PMOS以及第一控制模块，N为正整数；

所述基准电流提供模块的输出端与所述第一PMOS的漏极连接，用于为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流；

所述第一PMOS的源极及N个所述第一输出模块的第一端均与第一电源连接，所述第一PMOS的栅极分别与所述第一PMOS的漏极及N个所述第一输出模块的第二端连接，N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端；

所述第一控制模块的第一端作为所述第一输出模块的第二端，所述第二PMOS的源极作为所述第一输出模块的第一端，所述第一控制模块的第二端与所述第二PMOS的栅极连接，所述第二PMOS的漏极作为所述第一输出模块的第三端；

所述第一控制模块用于在接收到第一闭合指令时控制所述第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接以控制所述第二PMOS导通，在接收到第一断开指令时控制所述第二PMOS断开。

优选的，所述基准电流提供模块包括第一NMOS与第二NMOS；

所述第一NMOS的漏极作为所述基准电流提供模块的输入端，所述第一NMOS的漏极分别与所述第一NMOS的栅极以及所述第二NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极接地并与所述第二NMOS的源极连接，所述第二NMOS的漏极与所述第一PMOS的漏极连接，用于根据参考电流为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流。

优选的，所述第一控制模块包括第三PMOS和第四PMOS；

所述第三PMOS的源极作为所述第一控制模块的第一端，所述第四PMOS的源极与所述第一电源连接，所述第三PMOS的漏极与所述第四PMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第一控制模块的第二端，所述第三PMOS的栅极用于在接收第一低电平时导通，在接收到第一高电平时关断；所述第四PMOS的栅极用于在接收第二高电平时关断，在接收到第二低电平时闭合；

所述第一闭合指令包括所述第一低电平及所述第二高电平，所述第一断开指令包括所述第一高电平及所述第二低电平。

优选的，还包括参考电流提供模块，所述参考电流提供模块的输出端与所述第一NMOS的漏极连接，用于提供所述参考电流。

优选的，所述参考电流提供模块包括运算放大器、第五PMOS以及电阻，所述运算放大器的反相输入端连接第二电源，所述运算放大器的同相输入端与所述电阻的第一端连接且连接的公共端与所述第五PMOS的漏极连接，所述电阻的第二端接地并作为参考电流提供模块的输出端，所述运算放大器的输出端与所述第五PMOS的栅极连接，所述第五PMOS的源极连接第三电源。

优选的，所述第一NMOS的宽长比与所述第二NMOS的宽长比相同。

优选的，所述第一PMOS的宽长比与所述第二PMOS的宽长比相同。

优选的，还包括N个第二输出模块，每个所述第二输出模块包括第三NMOS以及第二控制模块；

N个所述第二输出模块的第一端均接地，N个所述第二输出模块的第二端均与所述第二NMOS的栅极连接，N个所述第二输出模块的第三端与N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端；

所述第二控制模块的第一端作为所述第二输出模块的第二端，所述第三NMOS的源极作为所述第二输出模块的第一端，所述第二控制模块的第二端与所述第三NMOS的栅极连接，所述第三NMOS的漏极作为所述第二输出模块的第三端；

所述第二控制模块用于在接收到第二闭合指令时控制所述第三NMOS的栅极与所述第二NMOS的栅极连接以控制所述第三NMOS导通，在接收到第二断开指令时控制所述第三NMOS断开。

优选的，所述第二控制模块包括第四NMOS和第五NMOS；

所述第四NMOS的源极作为所述第二控制模块的第一端，所述第五NMOS的源极接地，所述第四NMOS的漏极与所述第五NMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第二控制模块的第二端，所述第四NMOS的栅极用于在接收第三高电平时导通，在接收到第三低电平时关断；所述第五NMOS的栅极用于在接收第四低电平时关断，在接收到第四高电平时导通；

所述第二闭合指令包括所述第三高电平及所述第四低电平，所述第二断开指令包括所述第三低电平及所述第四高电平。

优选的，所述第三NMOS的宽长比与所述第二NMOS的宽长比相同。

本实用新型提供了一种电流调节电路，在第一PMOS的栅极与第二PMOS的栅极之间设置了第一控制模块，第一控制模块在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接，第二PMOS导通，第一PMOS与第二PMOS共栅共源构成电流镜并输出电流；在接收到第一断开指令时控制第二PMOS断开，第二PMOS无法输出电流。在第二PMOS导通时，第二PMOS的漏极输出的电流直接流入电流调节电路的输出端，避免了第二PMOS受到导通压降的影响，从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区，满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件，保证了电流调节电路的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型提供的一种电流调节电路的结构示意图；

图2为本实用新型提供的另一种电流调节电路的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型的核心是提供一种电流调节电路，可以避免第二PMOS受到导通压降的影响，从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区，满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件，保证了电流调节电路的稳定性。

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参照图1，图1为本实用新型提供的一种电流调节电路的结构示意图，该电流调节电路包括基准电流提供模块11、第一PMOS12和N个第一输出模块13，每个第一输出模块13包括第二PMOS131以及第一控制模块132，N为正整数；

基准电流提供模块11的输出端与第一PMOS12的漏极连接，用于为第一PMOS12提供由第一PMOS12的漏极流向基准电流提供模块11输出端的基准电流；

第一PMOS12的源极及N个第一输出模块13的第一端均与第一电源连接，第一PMOS12的栅极分别与第一PMOS12的漏极及N个第一输出模块13的第二端连接，N个第一输出模块13的第三端连接且连接的公共端作为电流调节电路的输出端；

第一控制模块132的第一端作为第一输出模块13的第二端，第二PMOS131的源极作为第一输出模块13的第一端，第一控制模块132的第二端与第二PMOS131的栅极连接，第二PMOS131的漏极作为第一输出模块13的第三端；

第一控制模块132用于在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS131的栅极与第一PMOS12的栅极连接以控制第二PMOS131导通，在接收到第一断开指令时控制第二PMOS131断开。

现有技术中由于开关MOS管存在导通压降，导致电流镜中的输出MOS管的漏极电压受到开关MOS管的导通压降的影响，而输出MOS管的漏极电压影响着输出MOS管能否稳定工作在饱和区，若输出MOS管不能稳定工作在饱和区也就无法满足电流镜稳定工作的工作条件，进而对电流调节电路的稳定性造成影响。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种电流调节电路，采用共栅共源的第一PMOS12与第二PMOS131构成电流镜，在第一PMOS12的栅极与第二PMOS131的栅极之间设置第一控制模块132以控制第二PMOS131导通或关断，从而在第二PMOS131的漏极电压不受导通压降的影响也即第二PMOS131能够稳定工作在饱和区的基础上，实现调节电流调节电路的输出电流的目的。

具体的，第一PMOS12的漏极与基准电流提供模块11的输出端连接，基准电流提供模块11为第一PMOS12提供基准电流，当第一PMOS12导通时，第一PMOS12的漏极输出基准电流。由于第二PMOS131与第一PMOS12共栅共源，所以在第一控制模块132接收到第一闭合指令控制第二PMOS131的栅极与所述第一PMOS12的栅极连接后，第二PMOS131导通，第二PMOS131的漏极输出的电流的方向与第一PMOS12的漏极输出的电流也即基准电流的方向一致，大小与第二PMOS131的宽长比比上第一PMOS12的宽长比的比值成比例。电流调节电路的输出电流为处于导通状态的第二PMOS131的漏极输出的电流的矢量和。若第一PMOS12的宽长比与第二PMOS131的宽长比相同，那么电流调节电路的输出电流为基准电流的M倍，其中，M为处于导通状态的第二PMOS131的个数。

综上所述，本实用新型提供了一种电流调节电路，在第一PMOS12的栅极与第二PMOS131的栅极之间设置了第一控制模块132，第一控制模块132在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS131的栅极与所述第一PMOS12的栅极连接，第二PMOS131导通，第一PMOS12与第二PMOS131共栅共源构成电流镜并输出电流；在接收到第一断开指令时控制第二PMOS131断开，第二PMOS131无法输出电流。在第二PMOS131导通时，第二PMOS131的漏极输出的电流直接流入电流调节电路的输出端，避免了第二PMOS131受到导通压降的影响，从而使得第二PMOS131稳定工作在饱和区，满足第二PMOS131作为电流镜稳定工作的工作条件，保证了电流调节电路的稳定性。

在上述实施例的基础上：

作为一种优选的实施例，基准电流提供模块11包括第一NMOS与第二NMOS；

第一NMOS的漏极作为基准电流提供模块11的输入端，第一NMOS的漏极分别与第一NMOS的栅极以及第二NMOS的栅极连接，第一NMOS的源极接地并与第二NMOS的源极连接，第二NMOS的漏极与第一PMOS12的漏极连接，用于根据参考电流为第一PMOS12提供由第一PMOS12的漏极流向基准电流提供模块11输出端的基准电流。

在本实施例中，由第一NMOS与第二NMOS构成基准电流提供模块11，第一NMOS的源极以及第二NMOS的源极均接地，第一NMOS的栅极与第二NMOS的栅极连接且连接的公共端与第一NMOS的漏极连接，基于上述连接方式，满足了第一NMOS和第二NMOS的导通条件且第一NMOS和第二NMOS构成共栅共源的电流镜。第一NMOS的漏极作为基准电流提供模块11的输入端输入参考电流，第二NMOS的漏极与第一PMOS12的漏极连接根据参考电流为第一PMOS12提供由第一PMOS12的漏极流向基准电流提供模块11输出端的基准电流，其中，由于第一NMOS和第二NMOS构成共栅共源的电流镜，所以基准电流的方向与参考电流的方向一致，大小与第一NMOS的宽长比比上第二NMOS的宽长比的比值成比例。若第一NMOS的宽长比与第二NMOS的宽长比相同，则基准电流的大小和方向与参考电流的大小和方向均相同。此外，本实施例中的基准电流提供模块11还具有结构简单易于实现的优点。

作为一种优选的实施例，第一控制模块132包括第三PMOS和第四PMOS；

第三PMOS的源极作为第一控制模块132的第一端，第四PMOS的源极与第一电源连接，第三PMOS的漏极与第四PMOS的漏极连接且连接的公共端作为第一控制模块132的第二端，第三PMOS的栅极用于在接收第一低电平时导通，在接收到第一高电平时关断；第四PMOS的栅极用于在接收第二高电平时关断，在接收到第二低电平时闭合；

第一闭合指令包括第一低电平及第二高电平，第一断开指令包括第一高电平及第二低电平。

在本实施例中，由第三PMOS和第四PMOS构成第一控制模块132。具体的，当第一控制模块132要控制第二PMOS131导通时：由于第三PMOS的源极作为第一控制模块132的第一端与第一PMOS12的栅极连接，所以当第三PMOS的栅极接收第一低电平时，满足了第一PMOS12的导通条件，使得第一PMOS12导通，进一步使得第二PMOS131的栅极与第一PMOS12的栅极连接，使得第二PMOS131导通并且作为与第一PMOS12共栅共源的电流镜输出电流，以实现调节电流调节电路的输出电流的目的。

当第一控制模块132要控制第二PMOS131关断时：第三PMOS的栅极接收第一高电平，不满足第三PMOS的导通条件，所以第三PMOS关断，进而使得第二PMOS131的栅极与第一PMOS12的连接断开，但由于MOS管的栅极阻抗很高，即使第二PMOS131的栅极与第一PMOS12的连接断开，但第二PMOS131的栅极依然会维持导通时的电位，导致第二PMOS131的漏极还是会输出电流，基于上述原因，本申请设置了第四PMOS，第四PMOS在接收第二低电平时导通，使得第二PMOS131栅极与电源连接，从而使得第二PMOS131的栅极的电位等于源极的电位等于电源电压，所以第二PMOS131不再满足导通条件，第二PMOS131关断不再输出电流。

综上，本实施例中由第三PMOS和第四PMOS构成第一控制模块132，结构简单，工作可靠。

作为一种优选的实施例，还包括参考电流提供模块，参考电流提供模块的输出端与第一NMOS的漏极连接，用于提供参考电流。

在本实施例中，在第一NMOS的漏极连接了参考电流提供模块，使得电流调节电路自身就能基于参考电流去调节电流调节电路的输出电流，无需连接外接设备。

作为一种优选的实施例，参考电流提供模块包括运算放大器、第五PMOS以及电阻，运算放大器的反相输入端连接第二电源，运算放大器的同相输入端与电阻的第一端连接且连接的公共端与第五PMOS的漏极连接，电阻的第二端接地并作为参考电流提供模块的输出端，运算放大器的输出端与第五PMOS的栅极连接，第五PMOS的源极连接第三电源。

本实施例提供了一种参考电流提供模块的具体结构，该参考电流提供模块提供的参考电流的大小为第二电源的电压值比上电阻的阻值，参考电流的方向为从参考电流提供模块的输出端流向第一NMOS的漏极。

作为一种优选的实施例，第一NMOS的宽长比与第二NMOS的宽长比相同。

MOS管导通后的电流为(V_GS-V_TH)²(W/L)，其中V_GS为MOS管的开启电压，V_TH为MOS管的门限电压，W/L为MOS管的宽长比。若各个MOS管的V_GS以及V_TH相同，则各个MOS管导通后的电流的比值等于各个MOS管的宽长比之间的比值。基于上述原理，在本实施例中，选用宽长比相同的第一NMOS与第二NMOS，则第二NMOS导通后的电流等于第一NMOS导通后的电流，使得调节电流调节电路的输出电流时较为直观简单，且电路结构简单易于实现。

作为一种优选的实施例，第一PMOS12的宽长比与第二PMOS131的宽长比相同。

MOS管导通后的电流为(V_GS-V_TH)²(W/L)，其中V_GS为MOS管的开启电压，V_TH为MOS管的门限电压，W/L为MOS管的宽长比。若各个MOS管的V_GS以及V_TH相同，则各个MOS管导通后的电流的比值等于各个MOS管的宽长比之间的比值。基于上述原理，在本实施例中，选用宽长比相同的第一PMOS12与第二PMOS131，则第二PMOS131导通后的电流等于第一PMOS12导通后的电流，使得调节电流调节电路的输出电流时较为直观简单，且电路结构简单易于实现。

作为一种优选的实施例，还包括N个第二输出模块21，每个第二输出模块21包括第三NMOS213以及第二控制模块212；

N个第二输出模块21的第一端均接地，N个第二输出模块21的第二端均与第二NMOS的栅极连接，N个第二输出模块21的第三端与N个第一输出模块13的第三端连接且连接的公共端作为电流调节电路的输出端；

第二控制模块212的第一端作为第二输出模块21的第二端，第三NMOS213的源极作为第二输出模块21的第一端，第二控制模块212的第二端与第三NMOS213的栅极连接，第三NMOS213的漏极作为第二输出模块21的第三端；

第二控制模块212用于在接收到第二闭合指令时控制第三NMOS213的栅极与第二NMOS的栅极连接以控制第三NMOS213导通，在接收到第二断开指令时控制第三NMOS213断开。

在本实施例中，采用共栅共源的第三NMOS213与第二NMOS构成电流镜，在第三NMOS213的栅极与第二NMOS的栅极之间设置第二控制模块212以控制第三NMOS213导通或关断，从而在第三NMOS213的漏极电压不受导通压降的影响也即第三NMOS213能够稳定工作在饱和区的基础上，实现调节电流调节电路的输出电流的目的。

具体的，由于第三NMOS213与第二NMOS共栅共源，所以在第二控制模块212接收到第二闭合指令控制第三NMOS213的栅极与第二NMOS的栅极连接后，第三NMOS213导通，第三NMOS213的漏极输出的电流的方向与第二NMOS的漏极输出的电流也即基准电流的方向一致，大小与第二NMOS的宽长比比上第三NMOS213的宽长比的比值成比例。电流调节电路的输出电流为处于导通状态的第二PMOS131的漏极输出的电流以及处于导通状态的第三NMOS213的漏极输出的电流的矢量和。若第一PMOS12的宽长比与第二PMOS131的宽长比相同，且第二NMOS的宽长比与第三NMOS213的宽长比相同，那么电流调节电路的输出电流为基准电流的X倍，其中，X为处于导通状态的第二PMOS131的个数加上处于导通状态的第三NMOS213的个数。

作为一种优选的实施例，第二控制模块212包括第四NMOS和第五NMOS；

第四NMOS的源极作为第二控制模块212的第一端，第五NMOS的源极接地，第四NMOS的漏极与第五NMOS的漏极连接且连接的公共端作为第二控制模块212的第二端，第四NMOS的栅极用于在接收第三高电平时导通，在接收到第三低电平时关断；第五NMOS的栅极用于在接收第四低电平时关断，在接收到第四高电平时导通；

第二闭合指令包括第三高电平及第四低电平，第二断开指令包括第三低电平及第四高电平。

图2为本实用新型提供的另一种电流调节电路的结构示意图。

在本实施例中，由第四NMOS和第五NMOS构成第二控制模块212。具体的，当第二控制模块212要控制第三NMOS213导通时：由于第四NMOS的源极作为第二控制模块212的第一端与第二NMOS的栅极连接，所以当第四NMOS的栅极接收第三高电平时，满足第四NMOS的导通条件，使得第四NMOS导通，进一步使得第二NMOS的栅极与第三NMOS213的栅极连接，使得第三NMOS213导通并作为与第二NMOS共栅共源的电流镜输出电流，以实现调节电流调节电路的输出电流的目的。

当第二控制模块212要控制第三NMOS213关断时：第四NMOS的栅极接收第三低电平，不满足第四NMOS的导通条件，所以第四NMOS关断，进而使得第三NMOS213的栅极与第二NMOS的栅极断开连接，但由于MOS管的栅极阻抗很高，即使第三NMOS213的栅极与第二NMOS的栅极断开连接，但第三NMOS213的栅极依然会维持导通时的电位，导致第三NMOS213的漏极还是会输出电流，基于上述原因，本申请设置了第五NMOS，第五NMOS在接收第四高电平时导通，使得第三NMOS213的栅极的电位等于源极的电位，不再满足导通条件，所以第三NMOS213关断不再输出电流。

综上，本实施例中由第四NMOS和第五NMOS构成第一控制模块132，结构简单，工作可靠。

作为一种优选的实施例，第三NMOS213的宽长比与第二NMOS的宽长比相同。

在本实施例中，选用宽长比相同的第三NMOS213与第二NMOS，则第三NMOS213导通后的电流等于第二NMOS导通后的电流，使得调节电流调节电路的输出电流时较为直观简单，且电路结构简单易于实现。

需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种电流调节电路，其特征在于，包括基准电流提供模块、第一PMOS和N个第一输出模块，每个所述第一输出模块包括第二PMOS以及第一控制模块，N为正整数；

所述基准电流提供模块的输出端与所述第一PMOS的漏极连接，用于为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流；

所述第一PMOS的源极及N个所述第一输出模块的第一端均与第一电源连接，所述第一PMOS的栅极分别与所述第一PMOS的漏极及N个所述第一输出模块的第二端连接，N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端；

所述第一控制模块的第一端作为所述第一输出模块的第二端，所述第二PMOS的源极作为所述第一输出模块的第一端，所述第一控制模块的第二端与所述第二PMOS的栅极连接，所述第二PMOS的漏极作为所述第一输出模块的第三端；

所述第一控制模块用于在接收到第一闭合指令时控制所述第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接以控制所述第二PMOS导通，在接收到第一断开指令时控制所述第二PMOS断开。

2.如权利要求1所述的电流调节电路，其特征在于，所述基准电流提供模块包括第一NMOS与第二NMOS；

所述第一NMOS的漏极作为所述基准电流提供模块的输入端，所述第一NMOS的漏极分别与所述第一NMOS的栅极以及所述第二NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极接地并与所述第二NMOS的源极连接，所述第二NMOS的漏极与所述第一PMOS的漏极连接，用于根据参考电流为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流。

3.如权利要求2所述的电流调节电路，其特征在于，所述第一控制模块包括第三PMOS和第四PMOS；

所述第三PMOS的源极作为所述第一控制模块的第一端，所述第四PMOS的源极与所述第一电源连接，所述第三PMOS的漏极与所述第四PMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第一控制模块的第二端，所述第三PMOS的栅极用于在接收第一低电平时导通，在接收到第一高电平时关断；所述第四PMOS的栅极用于在接收第二高电平时关断，在接收到第二低电平时闭合；

所述第一闭合指令包括所述第一低电平及所述第二高电平，所述第一断开指令包括所述第一高电平及所述第二低电平。

4.如权利要求2所述的电流调节电路，其特征在于，还包括参考电流提供模块，所述参考电流提供模块的输出端与所述第一NMOS的漏极连接，用于提供所述参考电流。

5.如权利要求4所述的电流调节电路，其特征在于，所述参考电流提供模块包括运算放大器、第五PMOS以及电阻，所述运算放大器的反相输入端连接第二电源，所述运算放大器的同相输入端与所述电阻的第一端连接且连接的公共端与所述第五PMOS的漏极连接，所述电阻的第二端接地并作为参考电流提供模块的输出端，所述运算放大器的输出端与所述第五PMOS的栅极连接，所述第五PMOS的源极连接第三电源。

6.如权利要求2所述的电流调节电路，其特征在于，所述第一NMOS的宽长比与所述第二NMOS的宽长比相同。

7.如权利要求6所述的电流调节电路，其特征在于，所述第一PMOS的宽长比与所述第二PMOS的宽长比相同。

8.如权利要求2至7任一项所述的电流调节电路，其特征在于，还包括N个第二输出模块，每个所述第二输出模块包括第三NMOS以及第二控制模块；

N个所述第二输出模块的第一端均接地，N个所述第二输出模块的第二端均与所述第二NMOS的栅极连接，N个所述第二输出模块的第三端与N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端；

所述第二控制模块的第一端作为所述第二输出模块的第二端，所述第三NMOS的源极作为所述第二输出模块的第一端，所述第二控制模块的第二端与所述第三NMOS的栅极连接，所述第三NMOS的漏极作为所述第二输出模块的第三端；

所述第二控制模块用于在接收到第二闭合指令时控制所述第三NMOS的栅极与所述第二NMOS的栅极连接以控制所述第三NMOS导通，在接收到第二断开指令时控制所述第三NMOS断开。

9.如权利要求8所述的电流调节电路，其特征在于，所述第二控制模块包括第四NMOS和第五NMOS；

所述第四NMOS的源极作为所述第二控制模块的第一端，所述第五NMOS的源极接地，所述第四NMOS的漏极与所述第五NMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第二控制模块的第二端，所述第四NMOS的栅极用于在接收第三高电平时导通，在接收到第三低电平时关断；所述第五NMOS的栅极用于在接收第四低电平时关断，在接收到第四高电平时导通；

所述第二闭合指令包括所述第三高电平及所述第四低电平，所述第二断开指令包括所述第三低电平及所述第四高电平。

10.如权利要求8所述的电流调节电路，其特征在于，所述第三NMOS的宽长比与所述第二NMOS的宽长比相同。

Images