CN216054547U - 一种灭弧室的栅片 - Google Patents
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Abstract
一种灭弧室的栅片,属于低压电器技术领域。所述栅片具有在电弧行进方向上面向电弧的入弧端和在电弧行进方向上背向电弧的出口端,所述入弧端上形成有对电弧切割的切割面,特点是:所述栅片上设有一长槽,所述长槽的开口位于出口端上,所述长槽向入弧端方向延伸,并形成有槽底面,所述开口至槽底面的距离H1大于等于开口至切割面的距离H0的1/2。优点:有利于电弧从入弧端向出口端移动,快速远离栅片入弧端,避免电弧在栅片入弧端的长时间停留,从而改善电弧对银触点的大量烧蚀,提高断路器的分断性能。
Description
技术领域
本实用新型属于低压电器技术领域,具体涉及一种灭弧室的栅片。
背景技术
低压断路器常用于分断电网中的短路电流,在完成一次短路分断后,仍然具备可靠接通电路的能力,并且通常情况下还必须保证温升不能超标,因此断路器在分断过程中应该尽量避免触头的大量烧蚀。
现有技术中低压断路器包括:动触头、静触头、由数枚栅片层叠布置构成的灭弧室、及其它塑料部件、铁磁部件等,在短路电流到来时,断路器动静触点打开形成电弧,电弧在磁吹、气吹的作用下向前移动接触栅片并被栅片冷却,理想的情况是电弧接触到栅片之后能够迅速移动至栅片切割区域,即从栅片的入弧端向出口端移动。
对于传统的灭弧栅片,其包括一基部和一对栅片腿,一对栅片腿的端部与基部连接,使得栅片呈“U”形。动静触点打开形成电弧后,电弧在磁吹、气吹的作用下向前移动,当电弧接触到栅片入弧端后,由于栅片腿及中间入弧口的存在,电弧相当于被阻挡形成两条路径L11和L12,如图1所示,两条支路的电弧电流方向相反,根据安培定律,两条路径上的电弧受到的电动力呈相斥状态,使得电弧停留在入弧口的位置而不往前移动,从而容易引起触头大量烧蚀。
鉴于上述已有技术,有必要对现有灭弧室栅片结构加以合理的改进。为此,本申请人作了有益的设计,下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。
实用新型内容
本实用新型的任务是要提供一种灭弧室的栅片,其有利于电弧从入弧端向出口端移动,快速远离栅片入弧端,避免电弧在栅片入弧端的长时间停留,从而改善电弧对银触点的大量烧蚀,提高断路器的分断性能。
本实用新型的任务是这样来完成的,一种灭弧室的栅片,具有在电弧行进方向上面向电弧的入弧端和在电弧行进方向上背向电弧的出口端,所述入弧端上形成有对电弧切割的切割面,所述栅片上设有一长槽,所述长槽的开口位于所述出口端上,所述长槽向所述入弧端方向延伸,并形成有槽底面,所述开口至槽底面的距离H1大于等于所述开口至切割面的距离H0的1/2。
在本实用新型的一个具体的实施例中,所述开口在出口端的中心部位。
在本实用新型的另一个具体的实施例中,所述栅片包括一呈矩形的基部。
在本实用新型的又一个具体的实施例中,所述切割面为所述基部的在电弧行进方向上面向电弧的入弧端的轮廓面。
在本实用新型的再一个具体的实施例中,所述基部的在电弧行进方向上面向电弧的入弧端上开设有开口槽,所述开口槽向基部的在电弧行进方向上背向电弧的出口端延伸,所述切割面为该开口槽上的最接近出口端的底部。
在本实用新型的还有一个具体的实施例中,所述栅片还包括一对栅片腿,所述一对栅片腿的端部与基部连接,使得所述栅片呈“U”形。
在本实用新型的进而一个具体的实施例中, 所述的长槽为一矩形槽。
在本实用新型的更而一个具体的实施例中,所述长槽的槽宽度在从出口端至入弧端的方向上逐渐增大。
本实用新型由于采用了上述结构,具有的有益效果:本实用新型所述的栅片在出口端开设长槽,当电弧接触栅片后,电弧在切割区域,形成除了在入弧端的两条电弧路径外,由于长槽的吸引,还在出口端的长槽区域形成另外两条路径,即电弧在切割区域,被分成四条两两相对的路径,四条两两相对的路径上的电弧受到的力相斥,推动电弧移动,有利于电弧从入弧端向出口端移动,远离栅片入弧端,避免电弧在栅片入弧端的长时间停留,从而改善电弧对于银触点的大量烧蚀,提高断路器的分断性能。
附图说明
图1为现有技术所述灭弧室的栅片示意图。
图2为本实用新型所述灭弧室的栅片示意图。
图3为本实用新型所述灭弧室的立体图。
图4为本实用新型所述灭弧室的电弧移动原理图。
图5为本实用新型所述灭弧室的栅片的另一实施例图。
图6为本实用新型所述灭弧室的栅片的再一实施例图。
图7为本实用新型所述灭弧室的栅片的还一实施例图。
图中:1.入弧端、11.切割面;2.出口端;3.长槽、31.开口、32.槽底面;100.基部、101.开口槽;200.栅片腿。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式详细描述,但申请人对实施例的描述不是对技术方案的限制,任何依据本实用新型构思作形式而非实质的变化都应当视为本实用新型的保护范围。
在下面的描述中凡是涉及上、下、左、右、前和后的方向性或称方位性的概念都是以对应附图所示的位置为基准的,因而不能将其理解为对本实用新型提供的技术方案的特别限定。
如图2至图4所述,本实用新型涉及一种灭弧室的栅片,包括一基部100和一对栅片腿200,所述一对栅片腿200的端部与基部100连接,使得栅片呈“U”形。所述的基部100大致呈矩形。
如图2至图4所示,所述基部100的在电弧行进方向上面向电弧的一端为入弧端1,基部100的在电弧行进方向上背向电弧的一端为出口端2,从入弧端1至出口端2构成电弧的切割区域。
如图2至图4所示,所述入弧端1上开设有开口槽101,所述开口槽101的底部向基部100的出口端2所在位置延伸,开口槽101的最接近出口端2的底部即开口槽101的谷底面形成切割面11。
如图2至图4所示,所述栅片上还设有一长槽3,所述长槽3的开口31位于出口端2上,具体的,所述开口31在出口端2的中心部位,所述的长槽3为一矩形槽。所述长槽3向入弧端1方向延伸,并形成有槽底面32,所述开口31至槽底面32的距离H1大于等于开口31至切割面11的距离H0的1/2。
如图4所示,本实用新型的栅片,当电弧接触灭弧栅片之后,由于电弧可以认为是一团等离子气体,其半径较大,因此认为在入弧端1和出口端2各自形成两条路径,分别为对应入弧端1的开口槽101附近的L11、L12和对应出口端2的长槽3 附近的L21、L22,其中长槽3附近两条电流路径L21、L22形成的电动力推动电弧远离入弧端1,并且,该长槽3的开口31和槽底面32的距离越大,意味着这两条路径越早形成,从而避免电弧在栅片入弧端1的长时间停留,改善电弧对银触点的大量烧蚀。
本实用新型的栅片不限于上述形状,还可以是下列实施例:
1.栅片仅由大致呈矩形的基部100构成,基部100的入弧端1上不设置开口槽101,此时基部100的在电弧行进方向上面向电弧的入弧端1的轮廓面即为切割面11,如图6所示。
2.栅片仅由大致呈矩形的基部100构成,基部100的入弧端1上开设有开口槽101,切割面11为开口槽101的最接近出口端2的底部即开口槽101的谷底面,如图7所示。
如图5所示,本实用新型的长槽3的形状也不限于上述实施例,也可以为开口31处的宽度小而槽底面32的宽度大,即从出口端2至入弧端1的方向上,槽宽度逐渐增大,如图5所示。
Claims (8)
1.一种灭弧室的栅片,具有在电弧行进方向上面向电弧的入弧端(1)和在电弧行进方向上背向电弧的出口端(2),所述入弧端(1)上形成有对电弧切割的切割面(11),其特征在于:所述栅片上设有一长槽(3),所述长槽(3)的开口(31)位于所述出口端(2)上,所述长槽(3)向所述入弧端(1)方向延伸,并形成有槽底面(32),所述开口(31)至槽底面(32)的距离H1大于等于所述开口(31)至切割面(11)的距离H0的1/2。
2.根据权利要求1所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述开口(31)在出口端(2)的中心部位。
3.根据权利要求1所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述栅片包括一呈矩形的基部(100)。
4.根据权利要求3所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述切割面(11)为所述基部(100)的在电弧行进方向上面向电弧的入弧端(1)的轮廓面。
5.根据权利要求3所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述基部(100)的在电弧行进方向上面向电弧的入弧端(1)上开设有开口槽(101),所述开口槽(101)向基部(100)的在电弧行进方向上背向电弧的出口端(2)延伸,所述切割面(11)为该开口槽(101)上的最接近出口端(2)的底部。
6.根据权利要求4或5所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述栅片还包括一对栅片腿(200),所述一对栅片腿(200)的端部与基部(100)连接,使得所述栅片呈“U”形。
7.根据权利要求1所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述的长槽(3)为一矩形槽。
8.根据权利要求1所述的一种灭弧室的栅片,其特征在于所述长槽(3)的槽宽度在从出口端(2)至入弧端(1)的方向上逐渐增大。
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