CN216039934U - 一种碳化硅晶体生长装置和设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置和设备，涉及碳化硅晶体制备技术领域；该生长装置包括生长坩埚、承托盘及坩埚盖；生长坩埚具有第一腔室；承托盘设置于第一腔室内并与第一腔室的底端间隔设置，承托盘贯穿开设有开孔；坩埚盖盖设于生长坩埚。该碳化硅晶体生长能阻挡原料碳化所产生的碳颗粒到达籽晶位置，且能保证籽晶处气相中的Si和C的占比均匀，以降低碳化硅晶体中的质量缺陷。该碳化硅晶体生长设备包括上述的碳化硅晶体生长装置。因此，其也具有能降低碳化硅晶体中的质量缺陷的优点。

Description

一种碳化硅晶体生长装置和设备

技术领域

本实用新型涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和设备。

背景技术

碳化硅(SiC)是第三代宽带隙半导体材料的代表材料，其禁带宽度大、临界击穿电场强度高、载流子饱和迁移速度高、热导率高，并具有极好的化学稳定性正是基于上述优异的物理化学性质，SiC在微电子和光电子领域有着广泛的应用。

目前碳化硅单晶生长以物理气相输运法(PVT)为主要生长方式，已经被证明是生长SiC晶体最成熟的方法。其主要工艺过程是将SiC粉料加热到2200～2500℃升华，同时在惰性气氛的保护下，使升华的气氛在冷端籽晶上结晶成为碳化硅晶体。

但是，现有技术中，碳化硅晶体生长的过程十分漫长，往往需要100h以上，如此漫长的时间容易导致碳化硅粉料产生的气相中的Si和C的占比失衡，使其容易出现碳化现象。原料碳化所产生的碳颗粒会随着气流被带到晶体表面，则容易形成碳包裹，碳包裹的形成直接导致晶体质量的下降，严重时还会诱发MPD，多型等质量缺陷，导致整颗晶体的报废，对实际生产造成损失。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能阻挡原料碳化所产生的碳颗粒到达籽晶位置，且能保证籽晶处的气相中的Si和C含量均匀的碳化硅晶体生长装置和设备，其能够有效地降低碳化硅晶体中的质量缺陷。

本实用新型的实施例是这样实现的：

第一方面，本实用新型提供一种碳化硅晶体生长装置，包括：

生长坩埚，生长坩埚具有第一腔室；

承托盘，承托盘设置于第一腔室内并与第一腔室的底端间隔设置，承托盘贯穿开设有开孔；

以及坩埚盖，坩埚盖盖设于生长坩埚。

在可选的实施方式中，碳化硅晶体生长装置还包括支撑部，支撑部设置于生长坩埚内，承托盘支撑于支撑部。

在可选的实施方式中，支撑部为支撑环，支撑环的周向与生长坩埚的侧壁连接。

在可选的实施方式中，碳化硅晶体生长装置还包括石墨盘，石墨盘具有孔隙结构，且位于坩埚盖与承托盘之间，石墨盘、坩埚该以及生长坩埚的坩埚壁围成第二腔室，第二腔室与第一腔室通过孔隙结构连通。

在可选的实施方式中，坩埚盖具有伸入第二腔室的安装部，石墨盘的尺寸与安装部尺寸适配。

在可选的实施方式中，石墨盘设置于生长坩埚的中部位置与坩埚盖之间，且与生长坩埚的侧壁连接。

在可选的实施方式中，碳化硅晶体生长装置还包括导流件，导流件位于承托盘与坩埚盖之间。

在可选的实施方式中，生长坩埚呈筒状，沿承托盘至石墨盘的方向，生长坩埚位于承托盘至石墨盘之间的内侧壁的周向逐渐靠近生长坩埚的轴线位置收紧，内侧壁逐渐收紧的部分形成导流件。

在可选的实施方式中，碳化硅晶体生长装置还包括保温层，保温层包裹设置于生长坩埚和/或坩埚盖的周围。

第二方面，本实用新型提供一种碳化硅晶体生长设备，包括：

前述实施方式中任一项的碳化硅晶体生长装置；

加热装置，加热装置用于为生长坩埚加热。

本实用新型的实施例至少具有以下有益效果：

本实用新型的实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，其包括生长坩埚、承托盘以及坩埚盖；生长坩埚具有第一腔室；承托盘设置于第一腔室内并与第一腔室的底端间隔设置，承托盘贯穿开设有开孔；坩埚盖盖设于生长坩埚。

一方面，该装置通过承托盘与碳化硅晶块料的设置，温度较低的晶块料会提供成和点，供碳化硅粉料升华后形成的气相组分在晶块料上凝结，以共同形成晶块，从而能阻挡碳化硅粉料碳化后产生的碳颗粒向籽晶运动，以减少碳包裹的形成，保证碳化硅晶体质量；另一方面，晶块受热二次升华后产生的气相向籽晶运动形成碳化硅晶体，晶块受热后产生的气相中的Si和C占比均衡，从而能进一步地降低碳化现象出现几率，减小碳包裹形成，从而能够进一步地降低碳化硅晶体中的质量缺陷。

本实用新型的实施例还提供了一种碳化硅晶体生长设备，其包括上述的碳化硅晶体生长装置。因此，其也具有能降低碳化硅晶体中的质量缺陷的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型的实施例提供的碳化硅晶体生长装置的剖面示意图；

图2为本实用新型的实施例提供的碳化硅晶体生长前后石墨盘的拉曼光谱对比图。

图标:10-碳化硅晶体生长装置；101-生长坩埚；103-第一腔室；104-第二腔室；105-开口；107-碳化硅粉料；109-承托盘；111-承托腔；113-碳化硅晶块料；115-开孔；117-坩埚盖；119-籽晶；121-支撑环；123-石墨盘；125-导流件；127-安装部。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

相关技术中，碳化硅晶体生长的过程十分漫长，往往需要100h以上，如此漫长的时间容易导致碳化硅粉料产生的气相中的Si和C的占比失衡，使其容易出现碳化现象。原料碳化所产生的碳颗粒会随着气流被带到晶体表面，则容易形成碳包裹，碳包裹的形成直接导致晶体质量的下降，严重时还会诱发MPD，多型等质量缺陷，导致整颗晶体的报废，对实际生产造成损失。

有鉴于此，本实施例提供了一种能阻挡原料碳化所产生的碳颗粒到达籽晶位置，且能保证籽晶处的气相中的Si和C含量均匀的碳化硅晶体生长装置和设备，其能够有效地降低碳化硅晶体中的质量缺陷。下面对该碳化硅晶体生长装置和设备的结构进行详细地介绍。

图1为本实施例提供的碳化硅晶体生长装置10的剖面示意图。本实施例提供了一种碳化硅晶体生长设备，其包括图1所示的碳化硅晶体生长装置10、加热装置(图未示出)、抽真空装置(图未示出)以及保护气输入装置(图未示出)。

详细地，碳化硅晶体生长装置10为一个坩埚结构，其为碳化硅晶体生长的场所。加热装置可为线圈通电加热装置，用于为碳化硅晶体生长装置10加热，以保证其内部能达到碳化硅晶体生长所需的温度。抽真空装置用于为碳化硅晶体生长装置10进行抽真空作业，以便于进行碳化硅晶体生长作业。保护气输入装置，用于输入氩气等惰性气体、氢气，又或者氢气和氩气混合物作为保护气，保证碳化硅制备作业的高效进行。

请再次参阅图1，在本实施例中，碳化硅晶体生长装置10具体包括生长坩埚101、承托盘109以及坩埚盖117。

详细地，生长坩埚101为整个碳化硅晶体生长装置10的主体结构，其采用高纯高密度的石墨材质制备得到的圆筒状结构，厚度大致为5～20mm，内壁可涂覆Ta涂层，以保证硬度的同时提供耐高温等功能。同时，生长坩埚101具体呈半封闭状，生长坩埚101具有第一腔室103和与第一腔室103连通的开口105，第一腔室103远离开口105的一端(也即为图1的底端)用于容置碳化硅粉料107，碳化硅粉料107为制备碳化硅晶体的原料，以保证生长得到碳化硅晶体。当然，在其他实施例中，生长坩埚101的形状还可以根据需求进行调整，例如可设置为方形等；生长坩埚101的厚度也可以同样根据需求进行调整，例如可设置为更薄或更厚等，能保证碳化硅晶体的生长作业的高质量进行即可，本实施例不做限定。

详细地，承托盘109设置于第一腔室103内，且邻近第一腔室103的底壁设置。承托盘109的材质为Ta材质或者设置有Ta镀层的硬性材质。承托盘109贯穿开设有开孔115，开孔115用于供受热后的碳化硅粉料107升华后形成的气相组分(包含Si、SiC、Si₂C、SiC₂)流通，承托盘109用于盛放碳化硅晶块料113，以供气相组分凝结以形成晶块。一方面，通过承托盘109与碳化硅晶块料113的设置，温度较低的晶块料会提供成和点，供碳化硅粉料107升华后形成的气相组分在晶块料上凝结，以共同形成晶块，从而能阻挡碳化硅粉料107碳化后产生的碳颗粒继续向下游运动；另一方面，碳化硅粉料107容易碳化的原因在于硅组分的溢出速度大于碳组分，而形成的晶块由于呈单晶或多晶状，不存在硅组分单独溢出的问题，因而使得在碳化硅晶体的生长过程中，形成的晶块受热二次升华后产生的气相中的Si和C占比相对均衡，更利于制备得到高质量的碳化硅晶体。

详细地，坩埚盖117的尺寸与生长坩埚101的尺寸匹配，坩埚盖117盖设于开口105处，且坩埚盖117的部分位置能与承托盘109相对，例如坩埚盖117与承托盘109相对，且与承托盘109相对的部分用于设置籽晶119，以供碳化硅粉料和/或晶块受热产生的气相沉积后形成碳化硅晶体。一方面，由于该碳化硅晶体生长装置10设置有承托盘109与碳化硅晶块料113，因而使碳化硅粉料107升华后形成的气相组分在碳化硅晶块料113上凝结，以共同形成晶块，从而能阻挡碳化硅粉料107碳化后产生的碳颗粒向籽晶119运动，以减少碳包裹的形成，保证碳化硅晶体质量；另一方面，由于气相组分与碳化硅晶块料113共同形成了晶块，晶块受热二次升华后产生的气相中Si和C占比均衡，从而使得气相向籽晶119运动形成碳化硅晶体的质量更好，能进一步地降低碳化现象出现几率，减小碳包裹形成，从而能够进一步地降低碳化硅晶体中的质量缺陷。另外，由于碳化硅晶体生长过后，承托盘109上的离散的碳化硅晶块料113会凝结成一体的晶体块，因而还便于进行回收利用，可直接用于下一轮的碳化硅晶体的生长，以降低生产成本。

请再次参阅图1，在本实施例中，承托盘109设置于底端与开口105之间，并与底端间隔设置，且承托盘109上间隔设置有多个开孔115。也即，本实施例中的承托盘109上开设的开孔115的数量为多个，通过多个开孔115的设置便于碳化硅原料在受热情况下升华而成的气相组分均匀且有效地通过多个开孔115后凝结于碳化硅晶块料113的表面，保证离散状的碳化硅晶块料113能形成一个整体尺寸较大的晶块，从而有效地阻碍碳化硅粉料107碳化后产生的碳颗粒向籽晶119运动，以减少碳包裹的形成，从而进一步地提高碳化硅晶体的生长质量。同时，相较于将碳化硅晶块料113直接放置于碳化硅粉料107的表面，将承托盘109与底端间隔设置，可使得碳化硅粉料107与碳化硅晶块料113间隔布置，因而可避免接触放置时碳化硅粉料107直接与碳化硅晶块料113结在一起，丧失遮挡作用，能充分保证碳化硅晶体的生长效率和质量。

需要说明的是，在本实施例中，承托盘109与底端间隔设置后，碳化硅粉料107与碳化硅晶块料113的间隔距离大致为5～10cm，在其他实施例中，也可以根据需求进行调整，能保证碳化硅晶体的生长效率和质量即可。

还需要说明的是，在本实施例中，每个开孔115具体选择为圆孔，既可以为与竖直方向呈夹角的斜孔也可以为沿竖直方向延伸的直孔，且孔径为1～2mm，以充分保证晶块的形成质量，从而保证晶块二次升华后形成的气相在籽晶119位置处形成的碳化硅晶体的质量。当然，在其他实施例中，在保证碳化硅晶体质量的前提下，也可以根据需求调节孔径以及开孔115数量，本实施例均不再赘述。

还需要说明的是，在本实施例中，承托盘109具有向生长装置的底端凹陷的承托腔111，承托腔111用于放置破碎的碳化硅晶块，破碎的碳化硅晶块可放置多层，例如两层，以保证能与气相组分共同形成大尺寸的晶块。同时，通过承托腔111的设置，能保证碳化硅晶块的稳定性，避免其在气流的带动下晃动或移位，以充分地保证碳化硅晶体的生长质量和效率。

作为可选地方案，承托盘109的尺寸小于生长装置的内径，因而为了保证承托盘109的稳定性，在本实施例中，碳化硅晶体生长装置10还包括支撑部，支撑部用于支撑承托盘109，其既可以是块状结构，也可以为环状结构，本实施例选择为环状的支撑环121，支撑环121设置于开口105与底端之间，且支撑环121的周向与生长坩埚101的侧壁连接，承托盘109支撑于支撑环121上方。同时，支撑环121的材料可与承托盘109的材质选择为相同。通过支撑环121的设置，能有效地保证承托盘109的稳定性，从而充分保证碳化硅晶体生长过程的可靠性和稳定性。当然，在其他实施例中，也可以不设置支撑环121，而支架将承托盘109的两端与生长坩埚101的内侧壁连接，以保证承托盘109的稳定性，本实施例不再赘述。

图2为本实施例提供的碳化硅晶体生长前后石墨盘123的拉曼光谱对比图。请参阅图1，在本实施例中，碳化硅晶体生长装置10还包括石墨盘123，石墨盘是具有孔隙结构的多孔石墨纤维材质，厚度5～10mm，孔隙率大致为30％，孔径大致为8～25μm，有良好的过滤作用。石墨盘123设置于第一腔室103内，且位于坩埚盖117与承托盘109之间，使得石墨盘123、坩埚盖117以及生长坩埚101的坩埚壁之间能围成第二腔室104，第二腔室104与第一腔室103之间能通过孔隙结构连通。通过石墨盘123的设置，可以吸收气相中包含的少量杂质(N、Al、B等)，防止杂质在籽晶119表面沉积，从而降低包裹物、MPD等严重影响晶体质量的缺陷产生，以进一步地提高碳化硅晶体的生长质量。请参阅图2，将石墨盘123在生长前后分别进行拉曼检测，检测结果如图2所示，生长完成后的石墨盘123上的杂质含量明显增多，说明石墨盘123可以很好的阻挡杂质组分，可有效地控制晶体中的质量缺陷，以获得高质量、低缺陷、晶型稳定的SiC晶体。

作为可选的方案，在本实施例中，坩埚盖117具有伸入第二腔室104的安装部127，安装部127用于贴合籽晶119。石墨盘123的尺寸与安装部127尺寸适配。也即，石墨盘123的直径与籽晶119大小一致。这样设置，能充分保证石墨盘123能吸收更多杂质，以进一步地放置杂质在籽晶119表面沉积，以保证生长得到的碳化硅晶体的质量。进一步可选地，在本实施例中，石墨盘123设置于生长坩埚101的中部位置与开口105之间，且与生长坩埚101的侧壁连接，距离籽晶119表面的距离大致为40～50mm。也即，石墨盘123更靠近开口105设置，位于整个生长坩埚101的中上部，通过这样设置，使得石墨盘123不会由于温度过高受到腐蚀，相反还可以提供富碳的生长环境，有利于4H-SiC晶型稳定，避免晶体中多晶型的产生，从而进一步地提高碳化硅晶体的质量。

更进一步地，石墨盘123距离坩埚盖117设置籽晶119的位置的垂直距离为第一距离，石墨盘123距离承托盘109的垂直距离为第二距离，第一距离小于或等于第二距离，以充分保证石墨盘123更靠近开口105设置，不会由于温度过高受到腐蚀，以充分保证碳化硅晶体的生长质量和效率。

请再次参阅图1，在本实施例中，碳化硅晶体生长装置10还包括设置于第一腔室103内的导流件125，导流件125位于承托盘109与坩埚盖117之间，用于引导受热后形成的气相向坩埚盖117设置籽晶119的位置运动。通过导流件125的设置，可对高温气流集中导向，使其沉积于籽晶119的表面以形成碳化硅晶体。

详细地，在本实施例中，导流件125设置于石墨盘123与承托盘109之间，用于引导受热后形成的气相经过石墨盘123后向坩埚盖117设置籽晶119的位置运动。同时，沿承托盘109至石墨盘123的方向，生长坩埚101位于承托盘109至石墨盘123之间的内侧壁的周向逐渐靠近生长坩埚101的轴线位置收紧，内侧壁逐渐收紧的部分形成导流件125。也即，在本实施例中，生长坩埚101的内侧壁收紧的部分形成导流件125，以引导气流向中部运动，以使得气流能运动至籽晶119表面，以生长得到碳化硅晶体。

需要说明的是，在本实施例中，导流件125靠近开口105一端的端部的尺寸与籽晶119的尺寸适配，以使得气流能作用于籽晶119的各个位置，以充分保证生长得到的碳化硅晶体的质量。

还需要说明的是，在其他实施例中，导流件125也可以不设置为生长坩埚101的内侧壁，而设置为位于生长坩埚101内的导流罩，导流罩也在逐渐靠近开口105的方向逐渐收紧，以充分提供导流作用，本实施例不再赘述。

作为可选的方案，在本实施例中，碳化硅晶体生长装置10还包括保温层，保温层为石墨软毡保温结构，保温层包裹设置于生长坩埚101和坩埚盖117的周围。保温层的层数为1～4层，厚度为5～10mm，以为生长坩埚101提供保温功能，保证碳化硅晶体生长效率和质量。当然，在其他实施例中，在保证碳化硅晶体生长质量的前提下，保温层的层数和厚度还可以根据需求进行调整，本实施例不再赘述。

下面对本实用新型的实施例提供的碳化硅晶体生长设备的装配过程、工作原理以及有益效果进行详细地介绍：

该碳化硅晶体生长设备进行装配作业时，可先进行碳化硅晶体生长装置的装配作业，再依次连接加热装置、抽真空装置以及保护气输入装置等。其中，进行碳化硅晶体生长装置的装配时，高纯碳化硅粉料107装入生长坩埚101内，然后在碳化硅粉料107的上方放置支撑环121，并在支撑环121上安装承托盘109，承载盘上放置两层破碎的碳化硅晶块料113，生长坩埚101内侧壁收紧的导流件125位置的上方放置石墨盘123，最后将籽晶119粘结于坩埚盖117的下方，并将坩埚盖117盖设于开口105处，使得坩埚盖117和生长坩埚101密封配合，最后在坩埚盖117及生长坩埚101的周围包裹保温层即可。碳化硅晶体生长设备装配完毕后打开加热装置进行加热直至沉积结晶得到碳化硅晶体即可。

在上述过程中，一方面，该碳化硅晶体生长装置10通过承托盘109与碳化硅晶块料113的设置，能使碳化硅粉料107升华后形成的气相组分在碳化硅晶块料113上凝结，以共同形成晶块，从而能阻挡碳化硅粉料107碳化后产生的碳颗粒向籽晶119运动，以减少碳包裹的形成，保证碳化硅晶体质量；另一方面，晶块受热二次升华后产生的气相向籽晶119运动形成碳化硅晶体，晶块受热后产生的气相中的Si和C占比均衡，从而能进一步地降低碳化现象出现几率，减小碳包裹形成，从而能够进一步地降低碳化硅晶体中的质量缺陷。另外，该碳化硅晶体生长装置10还能通过多孔石墨板吸收原料中包含的少量杂质(N、Al、B等)，防止杂质在晶体表面沉积，从而降低包裹物、MPD等严重影响晶体质量的缺陷产生，从而能有效地保证生长得到的碳化硅晶体的质量。

综上所述，本实用新型的实施例提供了一种能降低碳化硅晶体中的质量缺陷，保证碳化硅晶体质量的碳化硅晶体生长装置10和设备。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

生长坩埚，所述生长坩埚具有第一腔室；

承托盘，所述承托盘设置于所述第一腔室内并与所述第一腔室的底端间隔设置，所述承托盘贯穿开设有开孔；

以及坩埚盖，坩埚盖盖设于生长坩埚。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述碳化硅晶体生长装置还包括支撑部，所述支撑部设置于所述生长坩埚内，所述承托盘支撑于所述支撑部。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述支撑部为支撑环，所述支撑环的周向与所述生长坩埚的侧壁连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述碳化硅晶体生长装置还包括石墨盘，所述石墨盘具有孔隙结构，且位于所述坩埚盖与所述承托盘之间，所述石墨盘、所述坩埚盖以及所述生长坩埚的坩埚壁围成第二腔室，所述第二腔室与所述第一腔室通过所述孔隙结构连通。

5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述坩埚盖具有伸入所述第二腔室的安装部，所述石墨盘的尺寸与所述安装部尺寸适配。

6.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述石墨盘设置于所述生长坩埚的中部位置与所述坩埚盖之间，且与所述生长坩埚的侧壁连接。

7.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述碳化硅晶体生长装置还包括导流件，所述导流件位于所述承托盘与所述坩埚盖之间。

8.根据权利要求7所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述生长坩埚呈筒状，沿所述承托盘至所述石墨盘的方向，所述生长坩埚位于所述承托盘至所述石墨盘之间的内侧壁的周向逐渐靠近所述生长坩埚的轴线位置收紧，所述内侧壁逐渐收紧的部分形成所述导流件。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述碳化硅晶体生长装置还包括保温层，所述保温层包裹设置于所述生长坩埚和/或所述坩埚盖的周围。

10.一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于，包括：

权利要求1至9中任一项所述的碳化硅晶体生长装置；

加热装置，所述加热装置用于为所述生长坩埚加热。

Images