CN215869348U - 一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板 - Google Patents

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孔仕进
郭晓泉
何浩波
康为
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Abstract

本实用新型公开一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,包括有陶瓷板件以及屏蔽盖板;该陶瓷板件的表面成型有用于与元器件导通连接的导电线路,导电线路贯穿至陶瓷板件的底面,且陶瓷板件的表面一体成型有3D金属框架。通过在陶瓷板件上一体成型有3D金属框架,并配合屏蔽盖板的周缘与3D金属框架的周缘密封固定封盖住各个容置空间的开口,使得气密性好,可靠性高,封装时直接采用屏蔽盖板封装,可直接实现共形屏蔽和分腔屏蔽的自屏蔽效果,减少封装中的杂散和EMI辐射,降低系统中相邻器件间的干扰,另外器件封装横向和纵向尺寸几乎未增加,节省系统特殊屏蔽部件的加工和组装成本,充分利用线路板面积和设备内部空间。

Description

一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板
技术领域
本实用新型涉及封装基板领域技术,尤其是指一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板。
背景技术
随着5G半导体器件的高密度集成化的封装,从而会带来器件之间的电磁波干扰,影响信号的传输从而造成延时,使得产品的工作性能大打折扣。为解决系统及封装带来的电磁干扰问题,传统的EMI屏蔽技术是采用金属屏蔽罩的方式进行电磁屏蔽已经无法满足发展趋势。这是由于屏蔽罩在横向上要占用宝贵的线路板面积,纵向上也要占用设备内部的立体空间,是设备小型化的一大障碍。现阶段常采用自屏蔽的方式来实现电磁屏蔽,其中又分共形屏蔽和分腔屏蔽两种方法。共形屏蔽是直接在封装后的塑封体表面电镀、喷涂、溅射一层金属薄膜,通常溅射和电镀金属膜结构为不锈钢/Cu/不锈钢,喷涂则为Ag涂层。分腔屏蔽是对封装内部各子系统模块间实现隔离,在塑封体上用激光开槽,填充导电银胶,随后也是在顶面和四周侧壁溅射、喷涂或电镀一层金属薄膜。上述共形屏蔽和分腔屏蔽的方式制作都较为的复杂,效率低,成本也高,并且屏蔽效果也不佳。因此,有必要研究一种方案以解决上述问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,其具有气密性好、可靠性高的特点。
为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:
一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,包括有陶瓷板件以及屏蔽盖板;该陶瓷板件的表面成型有用于与元器件导通连接的导电线路,导电线路贯穿至陶瓷板件的底面,且陶瓷板件的表面一体成型有3D金属框架,该3D金属框架上形成有多个开口朝上用于容纳元器件的容置空间;该屏蔽盖板的周缘与3D金属框架的周缘密封固定并封盖住各个容置空间的开口。
作为一种优选方案,所述3D金属框架包括有边框和设置于边框内的至少一隔板,隔板与边框内侧壁一体成型连接将边框的内部空间分隔形成至少两容置空间,隔板的顶面与屏蔽盖板抵接。
作为一种优选方案,所述边框的表面内周缘凹陷形成一台阶面,该屏蔽盖板的周缘抵于台阶面上密封固定。
作为一种优选方案,所述屏蔽盖板为金属平板。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:
通过在陶瓷板件上一体成型有3D金属框架,并配合屏蔽盖板的周缘与3D金属框架的周缘密封固定封盖住各个容置空间的开口,使得气密性好,可靠性高,封装时直接采用屏蔽盖板封装,可直接实现共形屏蔽和分腔屏蔽的自屏蔽效果,减少封装中的杂散和EMI辐射,降低系统中相邻器件间的干扰,另外器件封装横向和纵向尺寸几乎未增加,节省系统特殊屏蔽部件的加工和组装成本,充分利用线路板面积和设备内部空间。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
图1是本实用新型之较佳实施例的截面图。
附图标识说明:
10、陶瓷板件 20、屏蔽盖板
30、元器件 40、导电线路
50、3D金属框架 51、边框
52、隔板 501、容置空间
502、台阶面。
具体实施方式
请参照图1所示,其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构,包括有陶瓷板件10以及屏蔽盖板20。
该陶瓷板件10的表面成型有用于与元器件30导通连接的导电线路40,导电线路40贯穿至陶瓷板件10的底面,且陶瓷板件10的表面一体成型有3D金属框架50,该3D金属框架50上形成有多个开口朝上用于容纳元器件30的容置空间501。在本实施例中,该元器件30包括有光电、射频、电子电力等器件,例如低噪声放大器、功率放大器、转换器、双工器和滤波器等等;该导电线路40为铜线路,其通过电镀形成;该3D金属框架50为铜材质,其通过电镀加厚形成,具体而言,所述3D金属框架50包括有边框51和设置于边框51内的至少一隔板52,隔板52与边框51内侧壁一体成型连接将边框51的内部空间分隔形成至少两容置空间501,所述边框51的表面内周缘凹陷形成一台阶面502,边框51的厚度大于隔板52的厚度,隔板52为三个,分隔形成四个容置空间501,不以为限。
该屏蔽盖板20的周缘与3D金属框架50的周缘密封固定并封盖住各个容置空间501的开口。在本实施例中,所述屏蔽盖板20为金属平板,该屏蔽盖板20的周缘抵于台阶面502上密封固定,前述隔板52的顶面与屏蔽盖板20抵接,屏蔽盖板20与3D金属框架50焊接固定,并且屏蔽盖板20的表面与边框51的外周缘表面平齐。
详述本实施例的制作过程如下:
首先,通过电镀在陶瓷板件10上形成导电线路40和3D金属框架50,接着,将各个元器件30分别置于对应的容置空间501中并与导电线路40焊接导通;接着,盖上屏蔽盖板20,使得屏蔽盖板20与3D金属框架50焊接固定并密封盖住各个容置空间501的开口。
本实用新型的设计重点在于:通过在陶瓷板件上一体成型有3D金属框架,并配合屏蔽盖板的周缘与3D金属框架的周缘密封固定封盖住各个容置空间的开口,使得气密性好,可靠性高,封装时直接采用屏蔽盖板封装,可直接实现共形屏蔽和分腔屏蔽的自屏蔽效果,减少封装中的杂散和EMI辐射,降低系统中相邻器件间的干扰,另外器件封装横向和纵向尺寸几乎未增加,节省系统特殊屏蔽部件的加工和组装成本,充分利用线路板面积和设备内部空间。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型的技术范围作任何限制,故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (4)

1.一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,其特征在于:包括有陶瓷板件以及屏蔽盖板;该陶瓷板件的表面成型有用于与元器件导通连接的导电线路,导电线路贯穿至陶瓷板件的底面,且陶瓷板件的表面一体成型有3D金属框架,该3D金属框架上形成有多个开口朝上用于容纳元器件的容置空间;该屏蔽盖板的周缘与3D金属框架的周缘密封固定并封盖住各个容置空间的开口。
2.根据权利要求1所述的一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,其特征在于:所述3D金属框架包括有边框和设置于边框内的至少一隔板,隔板与边框内侧壁一体成型连接将边框的内部空间分隔形成至少两容置空间,隔板的顶面与屏蔽盖板抵接。
3.根据权利要求2所述的一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,其特征在于:所述边框的表面内周缘凹陷形成一台阶面,该屏蔽盖板的周缘抵于台阶面上密封固定。
4.根据权利要求1所述的一种自屏蔽结构的陶瓷封装基板,其特征在于:所述屏蔽盖板为金属平板。
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