CN219759563U - 一种多腔体结构的sip封装外壳 - Google Patents
一种多腔体结构的sip封装外壳 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219759563U CN219759563U CN202320972453.5U CN202320972453U CN219759563U CN 219759563 U CN219759563 U CN 219759563U CN 202320972453 U CN202320972453 U CN 202320972453U CN 219759563 U CN219759563 U CN 219759563U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- cavities
- wall
- sip
- modules
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N lead-200 Chemical compound [200Pb] WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Abstract
本申请适用于陶瓷封装技术领域,提供了一种多腔体结构的SIP封装外壳,该SIP封装外壳包括:多层陶瓷、引线、盖板和呈预设图案的墙体,引线和墙体设置在多层陶瓷的装配表面,盖板设置在墙体上,其特征在于,墙体在多层陶瓷上分隔出相互独立的多个腔体,多个腔体的内部设有多个模块;多个腔体包括第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;墙体的材质为金属;第一腔体与第三腔体为不规则形状的腔体,第二腔体和第四腔体为方形腔体。本申请能够解决不同模块间信号的串扰问题。
Description
技术领域
本申请属于陶瓷封装技术领域,尤其涉及一种多腔体结构的SIP封装外壳。
背景技术
微波器件是组成微波电路的基础元素,其被广泛的应用于发射机,接收机,天线系统、显示器等,用于雷达、电子站系统和通信系统等电子装备。
随着微波器件的发展,系统集成类封装成为器件封装的主流,先进的系统级封装(System In a Package,SIP)成为集成电路的新的发展方向,其具有集成度高,小型化等优点。但是,对于多系统集成,会在不同功能模块间形成电磁干扰、串扰。
实用新型内容
有鉴于此,本申请提供了一种多腔体结构的SIP封装外壳,能够解决不同模块间信号的串扰问题。
为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:
本申请实施例提供了一种多腔体结构的SIP封装外壳,包括:多层陶瓷、引线、盖板和呈预设图案的墙体,引线和墙体设置在多层陶瓷的装配表面,盖板设置在墙体上,墙体在多层陶瓷上分隔出相互独立的多个腔体,多个腔体的内部设有多个模块;多个腔体包括第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;墙体的材质为金属。第一腔体与第三腔体为不规则形状的腔体,第二腔体和第四腔体为方形腔体。
在一些实施例中,第一腔体的内部设有接收模块。第二腔体的内部设有第一调频模块。第三腔体的内部设有第二调频模块。第四腔体的内部设有放大输出模块。
在一些实施例中,各个模块的金属化区的键合位置和墙体外部的引线通过层间布线相连接。
在一些实施例中,在多个腔体任意两个腔体之间的墙体的第一壁厚不小于0.9mm。
在一些实施例中,多个腔体的外侧的墙体的第二壁厚大于第一壁厚。
在一些实施例中,第一腔体的内部的第一侧边的凸起与第二侧边的距离不小于1mm;第二侧边为除第一侧边外的任一侧边。
在一些实施例中,多个腔体为密封腔体,多个腔体由多层陶瓷、墙体和盖板密封。
在一些实施例中,多层陶瓷为氧化铝陶瓷。
在一些实施例中,墙体的外侧的四周均设置引线。
在一些实施例中,引线数量为4~26根。
本申请实施例的有益效果为:通过采用金属材料的墙体将多层陶瓷分隔为独立的多个腔体,从而形成由多段弧线型的墙体围成的多个子系统,其可以对每个单元小系统间形成良好的电磁屏蔽,避免模块间的电磁干扰,实现整个系统信号的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的多腔体结构的SIP封装外壳的结构示意图。
具体实施方式
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图1通过具体实施例来进行说明。
参见图1,本申请实施例提供了一种多腔体结构的SIP封装外壳,包括:多层陶瓷100、引线200、盖板和呈预设图案的墙体300。
引线200和所述墙体300设置在所述多层陶瓷100的装配表面,所述盖板设置在所述墙体300上。墙体300在多层陶瓷100上分隔出相互独立的多个腔体,多个腔体的内部设有多个模块。多个腔体包括第一腔体101、第二腔体102、第三腔体103和第四腔体104;墙体300的材质为金属。第一腔体101与第三腔体103为不规则形状的腔体,第二腔体102和第四腔体104为方形腔体。
示例性的,多层陶瓷100作为整个结构的基板,其装配表面设置有异形墙体300,最外侧墙体300将封装空间围起来,内侧墙体300将整个封装空间分割成独立的多个腔体。
通过采用金属材料的墙体300在多层陶瓷100上分隔为相互独立的多个腔体,从而形成由多段弧线型的墙体300围成的多个子系统,其可以对每个单元小系统间形成良好的电磁屏蔽,避免模块间的电磁干扰。
在一些实施例中,各个独立的多个腔体可以作为封装系统单元的独立空间。第一腔体101的内部可以设有接收模块;第二腔体102的内部可以设有第一调频模块;第三腔体103的内部可以设有第二调频模块;第四腔体104的内部可以设有放大输出模块。
一实施例中,根据各个模块的功能和所包含的金属化区大小以及器件400的数量,设置各个模块所在腔体的位置,可以将第二腔体102和第四腔体104水平并列设置,第一腔体101、第三腔体103与墙体300将第二腔体102和第四腔体104围住。如图1所示,阴影部分为各个模块的金属化区。
示例性的,将多个模块形成的子系统集成封装在一起,同时又使每个子系统在一个独立空间,墙体300为金属材料,其可以对每个单元小系统间形成良好的电磁屏蔽,避免模块间的电磁干扰,实现整个系统信号的稳定性。
在一些实施例中,各个模块的金属化区设置在多层陶瓷100的装配表面,各个模块的金属化区的键合位置和墙体300外部的引线200通过层间布线相连接。其中,引线200数量可以设置为4~26根,如图1中的标号所示。
在一些实施例中,墙体300的外侧的四周均可以设置引线200。在使用过程中,便于其它器件与各个模块相连接,或各个模块之间的连接。
在一些实施例中,在多个腔体任意两个腔体之间的墙体300的第一壁厚不小于0.9mm。避免设置在多个腔体内的模块间的信号干扰,有效发挥电子屏蔽功能。
在一些实施例中,多个腔体的外侧的墙体300的第二壁厚大于第一壁厚。墙体300除了能够避免信号干扰之外,还能够起到支撑作用,防止形变造成墙体300内部器件400的挤压。
在一些实施例中,多个腔体为密封腔体,多个腔体由多层陶瓷100、墙体300和盖板密封。盖板与墙体300间封口方式为平行缝焊,多层陶瓷100、墙体300和盖板使得多个墙体300成为密封腔体,为内部的芯片提供气密环境保护和机械支撑。其中,盖板选择常规盖板即可,因此并未在附图中说明。
在一些实施例中,第一腔体101的内部的第一侧边的凸起与第二侧边的距离不小于1mm;第二侧边为除第一侧边外的第一腔体101的内部的任一侧边。
示例性的,如图1中的虚线处,根据各个模块金属化的形状,上述凸起即为墙体的凸块部分,异形的墙体能够适合各个模块的形状,一般在磁干扰较强的器件附近设置预设形状的凸起。例如在射频器件附近设置预设形状的凸起,减少独立模块内部的磁干扰,但又不至于将少部分完全封住与相应模块分离,还能够起到对细小的金属化区或器件400的部分提供有效的机械支撑的作用。
在一些实施例中,多层陶瓷100为氧化铝陶瓷,氧化铝的成分为90%~96%。氧化铝生瓷片采用流延工艺制备,上述实施例中的金属化的图形通过用钨浆料或钼浆料印刷在生瓷片表面,多层生瓷片压在一起成生瓷阵列,每个阵列包含多个生瓷件,再用切割设备切成单个生瓷件,再进行高温烧结而成。然后对其进行镀镍达到钎焊要求。
本申请的实用新型通过采用金属材料的墙体300将多层陶瓷100分隔为独立的多个腔体,从而形成由多段弧线型的墙体300围成的多个子系统,其可以对每个单元小系统间形成良好的电磁屏蔽,避免模块间的电磁干扰,实现整个系统信号的稳定性。
本申请的实用新型可用于微波变频系统,为微波芯片提供电、热通路,机械支撑和气密环境保护。同时其采用多腔体技术,为不同微波单元之间提供良好的电磁屏蔽,保证整个系统的信号稳定。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种多腔体结构的SIP封装外壳,包括多层陶瓷、引线、盖板和呈预设图案的墙体,所述引线和所述墙体设置在所述多层陶瓷的装配表面,所述盖板设置在所述墙体上,其特征在于,所述墙体在所述多层陶瓷上分隔出相互独立的多个腔体,多个腔体的内部设有多个模块;所述多个腔体包括第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;所述墙体的材质为金属;
所述第一腔体与所述第三腔体为不规则形状的腔体,所述第二腔体和所述第四腔体为方形腔体。
2.根据权利要求1所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述第一腔体的内部设有接收模块,所述第二腔体的内部设有第一调频模块,所述第三腔体的内部设有第二调频模块,所述第四腔体的内部设有放大输出模块。
3.根据权利要求2所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,各个所述模块的金属化区的键合位置和所述墙体外部的引线通过层间布线相连接。
4.根据权利要求1所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,在所述多个腔体任意两个腔体之间的墙体的第一壁厚不小于0.9mm。
5.根据权利要求4所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述多个腔体的外侧的墙体的第二壁厚大于所述第一壁厚。
6.根据权利要求1所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述第一腔体的内部的第一侧边的凸起与第二侧边的距离不小于1mm;所述第二侧边为除所述第一侧边外的任一侧边。
7.根据权利要求1所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述多个腔体为密封腔体,所述多个腔体由所述多层陶瓷、所述墙体和所述盖板密封。
8.根据权利要求1所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述多层陶瓷为氧化铝陶瓷。
9.根据权利要求5所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述墙体的外侧的四周均设置引线。
10.根据权利要求1所述的多腔体结构的SIP封装外壳,其特征在于,所述引线数量为4~26根。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320972453.5U CN219759563U (zh) | 2023-04-26 | 2023-04-26 | 一种多腔体结构的sip封装外壳 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320972453.5U CN219759563U (zh) | 2023-04-26 | 2023-04-26 | 一种多腔体结构的sip封装外壳 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219759563U true CN219759563U (zh) | 2023-09-26 |
Family
ID=88070574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202320972453.5U Active CN219759563U (zh) | 2023-04-26 | 2023-04-26 | 一种多腔体结构的sip封装外壳 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219759563U (zh) |
-
2023
- 2023-04-26 CN CN202320972453.5U patent/CN219759563U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9153863B2 (en) | Low temperature co-fired ceramic (LTCC) system in a package (SiP) configurations for microwave/millimeter wave packaging applications | |
WO2021227240A1 (zh) | 一种射频微系统三维封装外壳结构以及制作方法 | |
CN112051551B (zh) | 基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵 | |
CN113838845B (zh) | 一种基于三维堆叠气密封装的tr组件及组装方法 | |
CN215496704U (zh) | 一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件 | |
GB2288074A (en) | Ball grid array arrangement | |
CN201215805Y (zh) | Ltcc集成封装毫米波组件 | |
US10410960B1 (en) | Parallel seam welding leadless ceramic package | |
KR100887558B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
CN111048500A (zh) | 一体化封装射频微系统组件 | |
KR20070029081A (ko) | 전자 회로 모듈과 그 제조 방법 | |
CN105047648A (zh) | 一种系统级封装结构及封装方法 | |
TWI725426B (zh) | 半導體裝置 | |
WO2021082510A1 (zh) | 一种带有微隔腔的半导体封装结构 | |
CN112635444A (zh) | 一种具有三维堆叠形式的微系统封装组件及其制作方法 | |
CN210607223U (zh) | 适用于saw/baw滤波器的封装结构 | |
CN111555734A (zh) | 一种基于RF-SiP技术的声表面波开关滤波模块和电子设备 | |
JP2004128288A (ja) | 半導体装置および電子装置 | |
CN219759563U (zh) | 一种多腔体结构的sip封装外壳 | |
CN113540777A (zh) | 基于有源aip单元的平板相控阵天线架构 | |
CN112349691A (zh) | 一种气密高导热lcp封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构 | |
CN109904128B (zh) | 基于硅基载板的三维集成t/r组件封装结构及封装方法 | |
US20230178496A1 (en) | Packaging module and packaging method therefor, and electronic device | |
CN112687636B (zh) | 一种金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法 | |
CN112820694B (zh) | 一种芯片屏蔽与气密封装方法和封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |