CN215815869U - 一种整流桥堆及引线框架 - Google Patents

一种整流桥堆及引线框架 Download PDF

Info

Publication number
CN215815869U
CN215815869U CN202121916172.5U CN202121916172U CN215815869U CN 215815869 U CN215815869 U CN 215815869U CN 202121916172 U CN202121916172 U CN 202121916172U CN 215815869 U CN215815869 U CN 215815869U
Authority
CN
China
Prior art keywords
pin
rectifier bridge
jumper
base
islands
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202121916172.5U
Other languages
English (en)
Inventor
邹佩纯
温正萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Xumaowei Technology Co ltd
Original Assignee
Sichuan Xumaowei Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Xumaowei Technology Co ltd filed Critical Sichuan Xumaowei Technology Co ltd
Priority to CN202121916172.5U priority Critical patent/CN215815869U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN215815869U publication Critical patent/CN215815869U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Abstract

本申请提供一种整流桥堆，包括：包括依次间隔设置的第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，第二引脚和第三引脚的同一端均设有一处基岛，第四引脚设有两处基岛，基岛均用于放置芯片，第一引脚通过两块跳线分别与第二引脚及第三引脚的基岛相连，第二引脚与第三引脚的基岛不同跳线与第四引脚两处基岛分别相连。连接第二引脚与第四引脚的跳线架设于第三引脚的上方；跳线两端均具有折弯结构，以使中间部位避让第三引脚。具有较高的产出率，可有效降低生产成本，同时便于制造。

Description

一种整流桥堆及引线框架
技术领域
本实用新型属于半导体元器件技术领域，尤其涉及一种整流桥堆及引线框架。
背景技术
现有的引线框架在排布整流桥堆时多数采用多数结构不够合理，导致引线框架材料浪费，单块引线框架成品产出率较低，如专利号为CN102034783A 一种7P引线框架，其两列整流桥堆的引脚采用相对的设置方式，需要冲除大量的材料，从而导致生产成本较高。
实用新型内容
为解决现有技术不足，本实用新型提供种整流桥堆及引线框架，具有较高的产出率，可有效降低生产成本，同时便于制造。
为了实现本实用新型的目的，拟采用以下方案：
一种整流桥堆，包括：包括依次间隔设置的第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚，第二引脚和第三引脚的同一端均设有一处基岛，第四引脚设有两处基岛，基岛均用于放置芯片，第一引脚通过两块跳线分别与第二引脚及第三引脚的基岛相连，第二引脚与第三引脚的基岛不同跳线与第四引脚两处基岛分别相连。
连接第二引脚与第四引脚的跳线架设于第三引脚的上方；跳线两端均具有折弯结构，以使中间部位避让第三引脚。
进一步的，第二引脚、第三引脚以及第四引脚的基岛呈矩形阵列设置。
进一步的，第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚相互平行，且相互之间的间隔距离相同。
进一步的，第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚均为纯平结构。
一种引线框架，具有多组上述的整流桥堆，每组之间均具有间隔用于设置塑封浇道，每组均设有两列整流桥堆，整流桥堆的引脚相对且呈相互交错设置，相对的整流桥堆的第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚之件均具有间隔。
进一步的，引线框架为纯平结构。
本实用新型的有益效果在于：
1、整流桥堆结构设计以及在引线框架上布局合理，大大的减少了去除材料的量，增加了引线框架的使用面积，从而增大了同一块引线框架的产出量，从而降低生产成本。
2、并且引线框架采用纯平结构降低了制造加工难度，从而提高产品的良品率及加工效率。
附图说明
本文描述的附图只是为了说明所选实施例，而不是所有可能的实施方案，更不是意图限制本实用新型的范围。
图1示出了整流桥堆的结构图。
图2示出了整流桥堆的侧视图及跳线的结构图。
图3示出了引线框架的结构图。
图4示出了图3中A处的放大图。
图中标记：第一引脚-1、第二引脚-2、第三引脚-3、第四引脚-4、基岛-5、跳线-6。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型的实施方式进行详细说明，但本实用新型所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本实用新型的描述中需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述。术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“平行”、“垂直”等并不表示要求部件绝对平行或垂直，而是可以稍微倾斜。
在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例
如图1、图2所示，一种整流桥堆，其特征在于，包括：包括依次间隔设置的第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3以及第四引脚4，第二引脚2和第三引脚3的同一端均设有一处基岛5，第四引脚4设有两处基岛5，基岛5均用于放置芯片，第一引脚1通过两块跳线6分别与第二引脚2及第三引脚3的基岛5相连，第二引脚2与第三引脚3的基岛5不同跳线6与第四引脚4两处基岛5分别相连.
具体的，连接第二引脚2与第四引脚4的跳线6架设于第三引脚3的上方；跳线6采用双向折弯，即两端均具有折弯结构，以使中间部位避让第三引脚3，同时有利于减小在浇注过程中对芯片表面的应力，同时减少在阻焊整流桥堆过程中跳线侧翻的情况，以提高整流桥堆的成品率。
优选的，第二引脚2、第三引脚3以及第四引脚4的基岛5呈矩形阵列设置，以减小整流桥堆的面积，从而使相同面积的框架布置下更多的整流桥堆，以增加框架的利用率，减少浪费，节约成本。
优选的，第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3以及第四引脚4相互平行，且相互之间的间隔距离相同，以便于两块整流桥堆的引脚相互交错布置，以减小占位面积，使框架可布置下更多的整流桥堆。
优选的，第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3以及第四引脚4均为纯平结构，以减小整流桥堆封装体的厚度尺寸，并且减少折弯和凸点结构，可增加框架的使用面积，同时降低制造加工难度，提高产品的良品率及加工效率。
实施例2
如图3、图4所示，一种引线框架，具有多组上述的整流桥堆，每组之间均具有间隔用于设置塑封浇道，每组均设有两列整流桥堆，整流桥堆在引线框架上呈矩形结构布置，整流桥堆的引脚相对且呈相互交错设置，使一块引线框架可布置更多的整流桥堆，相对的整流桥堆的第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3以及第四引脚4之件均具有间隔，以便于分离。
优选的，引线框架为纯平结构，以减小整流桥堆封装体的厚度尺寸，同时增加引线框架的使用面积，并且可减小注塑过程中的阻力，减少气孔的产生。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不表示是唯一的或是限制本实用新型。本领域技术人员应理解，在不脱离本实用新型的范围情况下，对本实用新型进行的各种改变或同等替换，均属于本实用新型保护的范围。

Claims (6)

1.一种整流桥堆，其特征在于，包括：包括依次间隔设置的第一引脚（1）、第二引脚（2）、第三引脚（3）以及第四引脚（4），第二引脚（2）和第三引脚（3）的同一端均设有一处基岛（5），第四引脚（4）设有两处基岛（5），基岛（5）均用于放置芯片，第一引脚（1）通过两块跳线（6）分别与第二引脚（2）及第三引脚（3）的基岛（5）相连，第二引脚（2）与第三引脚（3）的基岛（5）不同跳线（6）与第四引脚（4）两处基岛（5）分别相连；
连接第二引脚（2）与第四引脚（4）的跳线（6）架设于第三引脚（3）的上方；跳线（6）两端均具有折弯结构，以使中间部位避让第三引脚（3）。
2.根据权利要求1所述的一种整流桥堆，其特征在于，第二引脚（2）、第三引脚（3）以及第四引脚（4）的基岛（5）呈矩形阵列设置。
3.根据权利要求1所述的一种整流桥堆，其特征在于，第一引脚（1）、第二引脚（2）、第三引脚（3）以及第四引脚（4）相互平行，且相互之间的间隔距离相同。
4.根据权利要求1所述的一种整流桥堆，其特征在于，第一引脚（1）、第二引脚（2）、第三引脚（3）以及第四引脚（4）均为纯平结构。
5.一种引线框架，其特征在于，具有多组权利要求1~4中任意一项所述的整流桥堆，每组之间均具有间隔用于设置塑封浇道，每组均设有两列整流桥堆，整流桥堆的引脚相对且呈相互交错设置，相对的整流桥堆的第一引脚（1）、第二引脚（2）、第三引脚（3）以及第四引脚（4）之件均具有间隔。
6.根据权利要求5所述的一种引线框架，其特征在于，引线框架为纯平结构。
CN202121916172.5U 2021-08-16 2021-08-16 一种整流桥堆及引线框架 Active CN215815869U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202121916172.5U CN215815869U (zh) 2021-08-16 2021-08-16 一种整流桥堆及引线框架

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202121916172.5U CN215815869U (zh) 2021-08-16 2021-08-16 一种整流桥堆及引线框架

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN215815869U true CN215815869U (zh) 2022-02-11

Family

ID=80132031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202121916172.5U Active CN215815869U (zh) 2021-08-16 2021-08-16 一种整流桥堆及引线框架

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN215815869U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102074540B (zh) 矩阵式dip引线框架、该框架的ic封装件及其生产方法
CN215815869U (zh) 一种整流桥堆及引线框架
CN215955271U (zh) 一种新型双排外框式ito-220ab引线框架
CN210668356U (zh) 一种多行矩阵式to系列引线框架结构
CN201853700U (zh) 矩阵式dip引线框架及该框架的ic封装件
CN217588918U (zh) 一种pdfn8封装结构引线框架
CN220041860U (zh) 一种sop10的idf型引线框架
CN218482239U (zh) 一种to-252引线框架结构
CN220526876U (zh) 一种硅片花篮
CN102856307A (zh) 一种小型跳线式双列桥堆
CN217822783U (zh) 一种二极管的引线框架
CN209880599U (zh) 一种引线框架
CN220121822U (zh) 一种芯片封装框架结构
CN216958022U (zh) 一种dip7l封装结构的引线框架
CN210668357U (zh) 一种pdfn5x6 12行矩阵式引线框架结构
CN202231006U (zh) Sma集成电路冲切成型产品及sma多排引线框架
CN216054692U (zh) 一种新型高密度半导体引线框架结构
CN220155537U (zh) 一种sot89引线框架
CN215933590U (zh) 通讯用半导体整流桥
CN215933591U (zh) 高功率密度的半导体器件
CN112820709B (zh) 引线框、塑封模具及封装结构
CN210224022U (zh) 一种集成芯片及其集成框架
CN208655622U (zh) 一种卷式引线框架
CN220856568U (zh) 一种引线框架及灌胶模具
CN213340312U (zh) 一种半片花篮结构

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant