CN215731693U

CN215731693U - 一种pnl级封装基板

Info

Publication number: CN215731693U
Application number: CN202120788584.9U
Authority: CN
Inventors: 康孝恒; 蔡克林; 唐波; 杨飞; 李�瑞; 许凯; 蒋乐元
Original assignee: Huizhou Zhijin Electronic Technology Co ltd
Current assignee: Huizhou Zhijin Electronic Technology Co ltd
Priority date: 2021-04-16
Filing date: 2021-04-16
Publication date: 2022-02-01
Anticipated expiration: 2031-04-16

Abstract

本实用新型属于芯片技术领域，提供一种PNL级封装基板，包括油墨层、金属层以及绝缘层。其中油墨层位于基板顶层，具备多个连接位，该多个连接位用于和整片硅片上的单硅片对应连接，以使整片硅片与油墨层连接；金属层位于油墨层下方，与油墨层连接；绝缘层位于金属层下方，与金属层连接。这样，本实用新型提出的PNL级封装基板，可以实现基板与硅片整体对整体的转移连接，提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，实现巨量转移的技术效果，满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

Description

一种PNL级封装基板

技术领域

本实用新型属于芯片技术领域，尤其涉及一种PNL级封装基板。

背景技术

芯片技术作为电子信息技术的底层技术，是电子信息产品不可或缺的一部分关键技术。在芯片技术中，包括封装测试技术，该技术从工艺上大体包括固晶、焊线、点胶/模压、烘烤、切割、分选测试以及焊接/安装等环节。

其中，固晶是指将硅片固定在基板上；焊线是指将硅片电极与基板连接，实现电信号导通，当然若是倒装产品则无需经过焊线环节。再经过点胶/模压、烘烤、切割以及分选测试等环节后，便可以将基板背面焊盘通过SMT与PCB板连通，完成封装测试。

虽然，现有的封装测试技术能够实现芯片的封装测试，但是其通常的做法是在固晶环节之前，将整片的硅片切割成单个的硅片，将整片的基板对应单个硅片分割成多块单个基板，再将单个硅片与单个基板进行焊线连接，进行封装测试，这造成焊线转移难度增大，效率降低，使得整个封装测试技术越来越不能满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

综上所述，现有的芯片封装测试技术存在单个基板与硅片焊线连接，焊线转移难度大，效率低的技术问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种PNL级封装基板，包括：

油墨层，位于基板顶层，具备多个连接位；所述多个连接位用于和整片硅片上的单硅片对应连接，以使所述整片硅片与所述油墨层连接；

金属层，位于所述油墨层下方，与所述油墨层连接；

绝缘层，位于所述金属层下方，与所述金属层连接。

具体地，所述连接位为焊盘，所述焊盘内填充焊料；所述焊料用于和所述单硅片焊接，以使所述整片硅片与所述油墨层焊接。

改进地，所述焊盘具备预设焊接深度；所述焊料的填充量超出所述焊接深度。

改进地，所述焊盘包括第一填充面、第二填充面以及填充底面；所述第一填充面与所述第二填充面相对设置，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端与所述填充底面连接。

改进地，所述第一填充面和所述第二填充面平行，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端均与所述填充底面垂直。

具体地，所述焊料为锡膏。

改进地，所述焊料的填充量超出所述焊接深度的30％至50％。

优选地，所述焊料的填充量超出所述焊接深度的40％。

具体地，所述金属层涂覆有铜箔。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型提供一种PNL级封装基板，包括油墨层、金属层以及绝缘层。其中油墨层位于基板顶层，具备多个连接位，该多个连接位用于和整片硅片上的单硅片对应连接，以使整片硅片与油墨层连接；金属层位于油墨层下方，与油墨层连接；绝缘层位于金属层下方，与金属层连接。这样，本实用新型提出的PNL级封装基板，可以实现基板与硅片整体对整体的转移连接，提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，实现巨量转移的技术效果，满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

附图说明

图1为现有技术中成品硅片分割为单硅片的示意图；

图2为PNL级封装基板的一个结构示意图；

图3为PNL级封装基板的又一个结构示意图；

图4为PNL级封装基板的又一个结构示意图。

图示说明：

10、油墨层；100、连接位；1000、第一填充面；1001、第二填充面；

1002、填充底面；

20、金属层；

30、绝缘层；

40、焊料。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”等应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，后续所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

在介绍本实用新型具体实施方式之前，本说明书先结合现有技术，对本实用新型的实用新型动机说明，以便本领域普通技术人员能够很好理解本实用新型的创造性贡献。

现有技术中，参见图1，芯片的封装测试技术主要是将成品硅片01进行单硅片02分割，再对应单硅片02分割单个基板，将单个硅片转移到单个基板进行连接，以致于造成不能一次性将整片基板与整片硅片进行转移连接，造成基板与硅片的转移连接效率低，难度大。据此，申请人经过大量研发，创造性提出如下实施例中的PNL级封装基板，用于解决现有技术中基板与硅片的转移连接效率低，难度大的技术问题。

实施例一

本实施例的目的在于提供一种创新的PNL级封装基板，该创新的PNL级封装基板通过设置位于一个整体基板上的多个连接位，再用这些连接位与整片硅片上的单个硅片进行连接，从而实现基板与硅片整体对整体的转移连接，提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，实现巨量转移的技术效果，满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

参见图2，在实施例一中，提供一种PNL级封装基板，该PNL级封装基板包括油墨层10，位于基板顶层，具备多个连接位100；多个连接位100用于和整片硅片上的单硅片对应连接，以使整片硅片与油墨层10连接；

金属层20，位于油墨层10下方，与油墨层10连接；

绝缘层30，位于金属层20下方，与金属层20连接。

需要说明的是，术语“PNL”的英文全称为Panel，可翻译为整片。PNL级封装基板本领域普通技术人员通常将其理解为整片基板。

还需要说明的是，一块完整的基板包括从上到下的三个板层，即油墨层10、金属层20以及绝缘层30。三个板层的层与层之间相互连接固定，形成基板的主体部分。其中，基板上的油墨层10，具有标识、阻焊、绝缘，耐各种化学物质的作用。具体实施中，可以根据实际需要，选取阻焊油墨、字符油墨等原材料来制备油墨层10。

还需要说明的是，涂覆有油墨层10的金属层20在经过蚀刻后，可以形成导电回路，用于与电子元器件连接实现电路功能。具体地，金属层20涂覆有铜箔。

还需要说明的是，绝缘层30对金属层20进行绝缘保护。

还需要说明的是，油墨层10具备多个连接位100，该多个连接位100用于和整片硅片上的单硅片对应连接，以使整片硅片与油墨层10连接，实现整片硅片与整片基板整体到整体的转移连接，从而提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，实现巨量转移的技术效果，满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

参见参见图2、图3、图4，在一个具体实施例中，连接位100为焊盘，焊盘内填充焊料40。焊料40用于和单硅片焊接，以使整片硅片与油墨层10焊接。

实施例二

为了在整体到整体的条件下转移焊接整片基板和整片硅片，提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，本实施例在焊盘上设置一定的焊接深度，让填充焊料40的填充量超出焊接深度，实现快速稳固焊接的技术效果。

需要说明的是，设定焊接深度的焊盘可以填充适量的焊料40，焊料40超出焊接深度可以让整片基板和整片硅片充分接触焊接，达到速稳固焊接的目的。其中，焊料40可以为锡膏。

还需要说明的是，焊料40的填充量可以用焊接深度来作为参考，例如焊料40的填充量可以超出焊接深度的30％至50％。优选地，焊料40的填充量超出焊接深度的40％。

实施例三

为了在整体到整体的条件下转移焊接整片基板和整片硅片，提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，本实施例对焊盘的结构作了特殊设置，以实现便于填充焊料40，便于焊接的技术效果。

参见图3、图4，实施例三中，焊盘包括第一填充面1000、第二填充面1001以及填充底面1002；第一填充面1000与第二填充面1001相对设置，第一填充面1000的底端和第二填充面1001的底端与填充底面1002连接。优选地，第一填充面1000和第二填充面1001平行，第一填充面1000的底端和第二填充面1001的底端均与填充底面1002垂直。

需要说明的是，本实施例提供的焊盘结构便于进行焊料40设置，利于焊线工艺的进行。

需要总体说明的是，以上实施例提供的PNL级封装基板，包括油墨层10、金属层20以及绝缘层30。其中油墨层10位于基板顶层，具备多个连接位100，该多个连接位100用于和整片硅片上的单硅片对应连接，以使整片硅片与油墨层10连接；金属层20位于油墨层10下方，与油墨层10连接；绝缘层30位于金属层20下方，与金属层20连接。这样，本实用新型提出的PNL级封装基板，可以实现基板与硅片整体对整体的转移连接，提升转移连接的效率，降低转移连接的难度，实现巨量转移的技术效果，满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。

Claims

1.一种PNL级封装基板，其特征在于，包括：

金属层，位于所述油墨层下方，与所述油墨层连接；

绝缘层，位于所述金属层下方，与所述金属层连接。

2.如权利要求1所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述连接位为焊盘，所述焊盘内填充焊料；所述焊料用于和所述单硅片焊接，以使所述整片硅片与所述油墨层焊接。

3.如权利要求2所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述焊盘具备预设焊接深度；所述焊料的填充量超出所述焊接深度。

4.如权利要求2所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述焊盘包括第一填充面、第二填充面以及填充底面；所述第一填充面与所述第二填充面相对设置，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端与所述填充底面连接。

5.如权利要求4所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述第一填充面和所述第二填充面平行，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端均与所述填充底面垂直。

6.如权利要求2所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述焊料为锡膏。

7.如权利要求3所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述焊料的填充量超出所述焊接深度的30％至50％。

8.如权利要求7所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述焊料的填充量超出所述焊接深度的40％。

9.如权利要求7所述的PNL级封装基板，其特征在于，所述金属层涂覆有铜箔。