CN215683110U - 电磁屏蔽复合材料 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种电磁屏蔽复合材料，包括依次层叠设置的高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层；以及电磁屏蔽层；其中，所述电磁屏蔽层设置在所述低频吸收层的侧壁。本实用新型的电磁屏蔽复合材料能够将低频电磁波限制在低频吸收贴片内部，然后利用低频吸收贴片将低频电磁波进一步耗散掉，提升对低频电磁波的屏蔽效果，电磁波吸收层所在侧朝向需求屏蔽的电子设备设置，吸收电子设备产生的辐射，减少了电磁波的二次干扰，且仅在低频吸收层侧壁设置电磁屏蔽层，在提升了屏蔽效果的同时降低了整体的重量增幅。
Description
技术领域
本实用新型涉及电磁屏蔽技术领域，具体地，涉及电磁屏蔽复合材料。
背景技术
近年来，随着电子信息产业迅猛发展，各种电子、电器设备为人们的日常生活以及社会建设提供了巨大帮助。与此同时，电子、电气设备在工作过程中产生的电磁辐射与干扰问题也制约着人们的生产和生活，导致人类生存空间的电磁污染也日益严重，电磁污染成为继噪音污染、水污染和大气污染后的第四大污染。空间中各种频段的电磁波严重影响人类的健康和通讯设备的正常工作。因此，必须想办法隔断电磁波的传播路径，电磁屏蔽复合材料通对通讯设备等精密仪器进行屏蔽保护，将电磁辐射的强度限制在安全范围内，从而保证设备的正常工作。
目前，电磁屏蔽复合材料的应用领域在不断扩展，应用环境也变得多样化和复杂化。例如，航空航天、军事和精密电子设备等领域，在电磁屏蔽复合材料满足电磁屏蔽性能的要求之外，还要求电磁屏蔽复合材料具有轻质和多功能化的特点。
实用新型内容
鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种电磁屏蔽复合材料，从而提升电磁屏蔽复合材料的整体性能。
根据本实用新型的一方面，提供一种电磁屏蔽复合材料，其包括：
依次层叠设置的高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层；以及
电磁屏蔽层；
其中，所述电磁屏蔽层设置在所述低频吸收层的侧壁。
可选地，所述电磁屏蔽层为所述高频反射层的裁剪结构；或者
所述电磁屏蔽层为金属屏蔽层。
可选地，所述高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层都是多孔泡沫结构，所述多孔泡沫结构中的泡沫孔壁和骨架上附着有电磁波吸收剂。
可选地，所述电磁波吸收剂包括镀银铝粉、镀银碳纤维、纳米镍粉、片状铁硅铝合金粉、片状羰基铁粉中的一种或多种。
可选地，所述高频反射层包括镀银铝粉、镀银碳纤维、纳米镍粉、硅橡胶、硫化剂、发泡剂和乙烯基硅油；
所述低频吸收层包括片状铁硅铝合金粉、硅橡胶、硫化剂、发泡剂和乙烯基硅油；
所述电磁波吸收层包括片状羰基铁粉、片状铁硅铝合金粉、硅橡胶、气相二氧化硅、硫化剂、发泡剂和乙烯基硅油。
可选地，所述硫化剂包括过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷和过氧化苯甲酰中的至少一种。
可选地，所述电磁波吸收层、所述高频反射层和所述低频吸收层的厚度均为0.4毫米至0.6毫米。
可选地，所述电磁屏蔽复合材料还包括第一过渡层和第二过渡层中的至少一个；
所述第一过渡层设置在所述低频吸收层与所述高频反射层之间，所述第二过渡层设置在所述低频吸收层与所述电磁波吸收层之间。
可选地，所述第一过渡层和所述第二过渡层都包括硅橡胶、硫化剂、发泡剂和乙烯基硅油。
可选地，所述第一过渡层和所述第二过渡层的厚度为0.05毫米至 0.15毫米。
本实用新型提供的电磁屏蔽复合材料包括依次层叠设置的高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层，该电磁屏蔽复合材料的电磁波吸收层所在侧朝向需求屏蔽的电子设备设置，其中，还包括设置在低频吸收层的侧壁的电磁屏蔽层，能够将低频电磁波限制在低频吸收贴片内部，然后利用低频吸收贴片将低频电磁波进一步耗散掉，提升对低频电磁波的屏蔽效果。电磁波吸收层所在侧朝向需求屏蔽的电子设备设置，吸收电子设备产生的辐射，减少了电磁波的二次干扰。且仅在低频吸收层侧壁设置电磁屏蔽层，在提升了屏蔽效果的同时降低了整体的重量增幅。
附图说明
通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出了根据本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料的结构示意图；
图2示出了根据本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料的制备工序流程示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。
图1示出了根据本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料的结构示意图。
如图1所示，本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料100包括依次层叠设置的高频反射层110、低频吸收层120和电磁波吸收层130，电磁波吸收层130所在侧朝向需求电磁屏蔽的电子设备设置。
低频吸收层120包括低频吸收贴片121和设置在该低频吸收贴片 121的侧壁的电磁屏蔽层122，该电磁屏蔽层122为导电反射材质，能够将进入该低频吸收层120的低频电磁波限制在低频吸收贴片121内，提高对低频电磁波的屏蔽效果。在本实施例中，电磁屏蔽层122的材料与高频反射层110的材料相同，无需额外制作，减少了整体工艺工序，提高生成效率，在可选实施例中，该电磁屏蔽层122为金属材料的金属屏蔽层。
其中，在低频吸收层120与高频反射层110和电磁波吸收层130之间还分别设置有第一纯硅橡胶泡沫过渡层(也即第一过渡层)141和第二纯硅橡胶泡沫过渡层(也即第二过渡层)142，使低频吸收层120与高频反射层110和电磁波吸收层130之间的阻抗匹配失衡，在电磁波由高频反射层110和电磁波吸收层130至低频吸收层120的界面上产生一定的反射损耗，提高电磁屏蔽复合材料100的整体屏蔽性能。在可选实施例中，第一纯硅橡胶泡沫过渡层141和第二纯硅橡胶泡沫过渡层142分别为树脂材质的第一过渡层和第二过渡层。
在可选实施例中，所述高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层都是多孔泡沫结构，所述多孔泡沫结构中的泡沫孔壁和骨架上附着有电磁波吸收剂。所述电磁波吸收剂包括镀银铝粉、镀银碳纤维、纳米镍粉、片状铁硅铝合金粉、片状羰基铁粉中的一种或多种。
其中，在可选实施例中，低频吸收层120、高频反射层110和电磁波吸收层130的厚度为0.4毫米至0.6毫米，第一纯硅橡胶泡沫过渡层 141和第二纯硅橡胶泡沫过渡层142的厚度为0.05毫米至0.15毫米。
图2示出了根据本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料的制备工序流程示意图。
结合图1和图2，本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料100为由第一混炼胶贴片、第四混炼胶贴片、带电磁屏蔽层的第二混炼胶贴片、第四混炼胶贴片和第三混炼胶贴片(各贴片依次对应高频反射层110、第一纯硅橡胶泡沫过渡层141、低频吸收层120、第二纯硅橡胶泡沫过渡层142和电磁波吸收层130)依次贴合、发泡和硫化成形的贴片发泡硫化成型结构。
第一混炼胶由硅橡胶、复合屏蔽剂和加工助剂经过混炼获得，经过压延后获得第一混炼胶贴片。复合屏蔽剂包括镀银铝粉、镀银碳纤维和纳米镍粉。
在可选实施例中，第一混炼胶贴片的制备包括：将50份硅橡胶放入开炼机塑炼，然后依次加入50份镀银铝粉、2份镀银碳纤维、20份纳米镍粉、2份硫化剂、3份发泡剂和10乙烯基硅油(提高混炼的均匀性)，混炼均匀得到第一混炼胶，将第一混炼胶放入压延机进行出片，获得0.2 毫米厚度的第一混炼胶贴片。
由第一混炼胶贴片形成的高频反射层110泡沫填充有片状镀银铝粉、纳米镍粉和镀银碳纤维的复合屏蔽剂，由于高频反射层110表面阻抗与自由空间阻抗严重失衡，电磁波在入射界面处很容易发生反射，再加上高电导率的金属填料在电磁波作用下能够产生较强的感应电流，从而产生很强的反向磁场来抵消入射电磁波，入射的电磁波大部分被高频反射层110表面反射；在微观结构中，镀银碳纤维通过搭接在相距较远的镀银铝粉表面，增加了导电填料之间接触的概率，大大降低了镀银铝粉相互之间电子跃迁的势垒，在相同条件下，单位时间内通过片状粒子边界的电子数目增多，增强了涡流效应；且纳米镍粉可填补片状镀银铝粉之间的空隙，降低材料体系整体的孔隙率，在一定程度上消除了材料内部的导电不连续点，使得导电填料在较低的填充量下就可以在微观上形成良好的导电网络，提高了反射层材料整体的导电率。
第二混炼胶由硅橡胶、片状铁硅铝和加工助剂经过混炼获得，经过压延后获得第二混炼胶贴片，并从成型的第一混炼胶贴片中裁剪下两块片材，获得导电反射层材料，将该导电反射层与成型的第二混炼胶贴片搭接，并压延后获得带反射边框的第二混炼胶贴片。
在可选实施例中，第二混炼胶贴片的制备包括：将50份硅橡胶放入开炼机塑炼，然后依次加入100份片状铁硅铝合金粉、2份硫化剂、3 份发泡剂和10份乙烯基硅油，混炼均匀得到第二混炼胶，将第二混炼胶放入压延机进行出片，获得0.5毫米厚的第二混炼胶贴片。然后从第一混炼胶贴片中裁出5毫米宽度的两块片材，将该两块片材与第二混炼胶贴片搭接，并设置在第二混炼胶贴片的两侧，压延后得到带电磁屏蔽层的第二混炼胶贴片。
由带电磁屏蔽层的第二混炼胶贴片形成的低频吸收层120内填充片状铁硅铝合金粉，片状铁硅铝拥有较高的磁导率，可以在一定程度上对未完全反射的电磁波进行吸收，除此之外，利用铁硅铝自身较高的磁导率形成的磁通路以及低频吸收层120两侧的导电电磁屏蔽层将未被吸收的电磁波限制在材料内部，然后低频电磁波在多孔的泡沫结构中进行多次反射衰减，提高了对低频电磁波的屏蔽效能。
由第一混炼胶贴片密度大于第二混炼胶贴片，电磁屏蔽层由第一混炼胶贴片裁剪获得，仅设置在低频吸收层120的侧壁，提升了的屏蔽效能的同时，降低了对电磁屏蔽复合材料的重量增幅，保障了电磁屏蔽复合材料100的轻量化指标。
第三混炼胶由硅橡胶、复合吸波剂和加工助剂经过混炼获得，第三混炼胶经过压延后获得第三混炼胶贴片。复合吸波剂包括片状铁硅铝合金粉、片状羰基铁粉和气相二氧化硅。
在可选实施例中，第三混炼胶的制备包括：将50份硅橡胶和5份气相二氧化硅放入开炼机塑炼，然后依次加入50份片状羰基铁粉、50份片状铁硅铝合金粉、2份硫化剂、3份发泡剂和10份乙烯基硅油，混炼均匀得到第三混炼胶，将第三混炼胶贴片放入压延机进行出片，获得0.5 毫米厚的第三混炼胶贴片。
由第三混炼胶贴片形成的电磁波吸收层130填充有片状铁硅铝合金粉、片状羰基铁粉和气相二氧化硅混合物，气相二氧化硅改善了电磁波吸收层130界面与空气的阻抗匹配，让被屏蔽设备产生的电磁波更多地进入泡沫结构的电磁波吸收层130内部，同时泡沫的多孔结构以及附着在泡沫孔壁和骨架上的吸收剂又能够对入射的电磁波产生多次反射和吸收，在很大程度上对所屏蔽设备产生的电磁波进行吸收，避免了电磁波的二次干扰。
第四混炼胶由硅橡胶和加工助剂混炼获得，第四混炼胶经过压延后获得第一混炼胶贴片。
在可选实施例中，第四混炼胶贴片的制备包括：将50份硅橡胶，2 份硫化剂、3份发泡剂和10份乙烯基硅油依次加入开炼机混炼，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的第四混炼胶贴片。第四混炼胶贴片形成第一纯硅橡胶泡沫过渡层141和第二纯硅橡胶泡沫过渡层142。
贴合后的待成型电磁屏蔽复合材料整体放入模具(在可选实施例中，模具厚度为5毫米)中，一起置于烘箱中，控制烘箱的升温速率为5℃每分钟，升温至160℃后维持15至30分钟进行硫化后，即可获得本实用新型实施例的电磁屏蔽复合材料100。
其中，在上述可选实施例中，各材料按重量份计，硫化剂包括过氧化二异丙苯(DCP)、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷(双二五)和过氧化苯甲酰(BPO)。即在本实施例中，硫化剂包括第一类硫化剂，其中，第一类硫化剂包括氧化二异丙苯(DCP)、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷(双二五)和过氧化苯甲酰(BPO)的任意一种，根据第一类硫化剂硫化获得的材料为第一类硫化结构。
实施例1：
步骤一：按重量份计，将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入镀银铝粉50份，镀银碳纤维2份，纳米镍粉20份，硫化剂(DCP) 2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.2mm的硅橡胶片材；步骤二：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤三：将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入片状铁硅铝合金粉100份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，然后将步骤一中的反射层贴片裁下两块5mm宽的片材，与低频吸收层贴片搭接、压延得到厚度为0.5mm、左右两侧带有反射层边框的低频反射层贴片；步骤四：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤五：将硅橡胶50份和气相二氧化硅6份放入开炼机塑炼，然后依次加入片状羰基铁粉50份，片状铁硅铝合金粉50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材,步骤六：将步骤一到五得到的混炼胶片依次堆叠，压合，然后放入5mm厚的模具中，一起置于烘箱中，控制升温速率5℃/min，升温到160℃硫化15-30min得到电磁屏蔽硅橡胶泡沫。
实施例2：
实施例2与实施例1的区别在于改变了硫化剂种类；
步骤一：按重量份计，将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入镀银铝粉50份，镀银碳纤维2份，纳米镍粉20份，硫化剂(双二五)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.2mm的硅橡胶片材；步骤二：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤三：将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入片状铁硅铝合金粉100份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，然后将步骤一中的反射层贴片裁下两块5mm宽的片材，与低频吸收层贴片搭接、压延得到厚度为0.5mm、左右两侧带有反射层边框的低频反射层贴片；步骤四：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤五：将硅橡胶50份和气相二氧化硅6份放入开炼机塑炼，然后依次加入片状羰基铁粉50份，片状铁硅铝合金粉50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材,步骤六：将步骤一到五得到的混炼胶片依次堆叠，压合，然后放入5mm厚的模具中，一起置于烘箱中，控制升温速率5℃/min，升温到160℃硫化15-30min得到电磁屏蔽硅橡胶泡沫。
实施例3：
实施例3与实施例2的区别在于改变了硫化剂种类；
步骤一：按重量份计，将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入镀银铝粉50份，镀银碳纤维2份，纳米镍粉20份，硫化剂(BPO) 2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.2mm的硅橡胶片材；步骤二：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤三：将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入片状铁硅铝合金粉100份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材，然后将步骤一中的反射层贴片裁下两块5mm宽的片材，与低频吸收层贴片搭接、压延得到左右两侧带有反射层边框的低频反射层贴片；步骤四：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm 的纯硅橡胶片材；步骤五：将硅橡胶50份和气相二氧化硅6份放入开炼机塑炼，然后依次加入片状羰基铁粉50份，片状铁硅铝合金粉50份，硫化剂(DCP)2份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材, 步骤六：将步骤一到五得到的混炼胶片依次堆叠，压合，然后放入5mm 厚的模具中，一起置于烘箱中，控制升温速率5℃/min，升温到160℃硫化15-30min得到电磁屏蔽硅橡胶泡沫。
实施例4：
实施例4与其他实施例的区别在于使用了两种硫化剂
步骤一：按重量份计，将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入镀银铝粉50份，镀银碳纤维2份，纳米镍粉20份，硫化剂双二五和DCP各1份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.2mm的硅橡胶片材；步骤二：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂双二五和DCP各1份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤三：将硅橡胶50 份，放入开炼机塑炼，然后依次加入片状铁硅铝合金粉100份，硫化剂双二五和DCP各1份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材，然后将步骤一中的反射层贴片裁下两块5mm宽的片材，与低频吸收层贴片搭接、压延得到左右两侧带有反射层边框的低频反射层贴片；步骤四：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂双二五和DCP各1份，发泡剂3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤五：将硅橡胶50份和气相二氧化硅6份放入开炼机塑炼，然后依次加入片状羰基铁粉 50份，片状铁硅铝合金粉50份，硫化剂双二五和DCP各1份，发泡剂 3份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材,步骤六：将步骤一到五得到的混炼胶片依次堆叠，压合，然后放入5mm厚的模具中，一起置于烘箱中，控制升温速率5℃/min，升温到160℃硫化15-30min得到电磁屏蔽硅橡胶泡沫。
实施例5：
实施例5与实施例2的区别在于增加了发泡剂用量；
步骤一：按重量份计，将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入镀银铝粉50份，镀银碳纤维2份，纳米镍粉20份，硫化剂(双二五)2份，发泡剂3.5份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.2mm的硅橡胶片材；步骤二：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(双二五)2份，发泡剂3.5份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤三：将硅橡胶50份，放入开炼机塑炼，然后依次加入片状铁硅铝合金粉100份，硫化剂(双二五)2 份，发泡剂3.5份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm的硅橡胶片材，然后将步骤一中的反射层贴片裁下两块5mm宽的片材，与低频吸收层贴片搭接、压延得到左右两侧带有反射层边框的低频反射层贴片；步骤四：按重量份计，将硅橡胶50份，硫化剂(双二五)2份，发泡剂3.5份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.1mm的纯硅橡胶片材；步骤五：将硅橡胶50份和气相二氧化硅 6份放入开炼机塑炼，然后依次加入片状羰基铁粉50份，片状铁硅铝合金粉50份，硫化剂(双二五)2份，发泡剂3.5份，乙烯基硅油10份，混炼均匀得到混炼胶，将混炼胶放入压延机进行出片，得到厚度为0.5mm 的硅橡胶片材,步骤六：将步骤一到五得到的混炼胶片依次堆叠，压合，然后放入5mm厚的模具中，一起置于烘箱中，控制升温速率5℃/min，升温到160℃硫化15-30min得到电磁屏蔽硅橡胶泡沫。
根据GJB6190-2008，在10MHz～10GHz范围内，对上述实施例一至实施例五的电磁屏蔽复合材料的屏蔽效能测试如表1所示：
表1
如表1所示，根据GJB6190-2008标准，在10MHz至10GHz范围内，各实施例的屏蔽效能接近，且实施例五相比于实施例二增加了发泡剂的用量，其屏蔽效能具有明显提升，即实施例五相比于其它实施例为发泡增幅型电磁屏蔽复合材料，可提升电磁屏蔽效能。
本实用新型的电磁屏蔽复合材料在低频吸收层的上下两侧分别设置高频反射层和电磁波吸收层，分别反射外部的高频电磁波和吸收需求电磁屏蔽的电子设备辐射出的电磁波，同时屏蔽内外，避免二次干扰，提高了电磁屏蔽效果，且该低频吸收层的侧壁还设置有电磁屏蔽层，将低频电磁波显示在低频吸收贴片内持续耗尽，提高了对低频电磁波的屏蔽效果，整体的电磁屏蔽效果好。
依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种电磁屏蔽复合材料，其特征在于，包括：
依次层叠设置的高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层；以及
电磁屏蔽层；
其中，所述电磁屏蔽层设置在所述低频吸收层的侧壁。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，
所述电磁屏蔽层为所述高频反射层的裁剪结构；或者
所述电磁屏蔽层为金属屏蔽层。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于：所述高频反射层、低频吸收层和电磁波吸收层都是多孔泡沫结构，所述多孔泡沫结构中的泡沫孔壁和骨架上附着有电磁波吸收剂。
4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于：所述电磁波吸收剂包括镀银铝粉、镀银碳纤维、纳米镍粉、片状铁硅铝合金粉、片状羰基铁粉中的一种。
5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，
所述高频反射层为第一混炼胶贴片；
所述低频吸收层为第二混炼胶贴片。
6.根据权利要求5所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，
所述高频反射层、所述低频吸收层、所述电磁波吸收层为第一类硫化结构。
7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，
所述电磁波吸收层、所述高频反射层和所述低频吸收层的厚度均为0.4毫米至0.6毫米。
8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于：还包括第一过渡层和第二过渡层中的至少一个；
所述第一过渡层设置在所述低频吸收层与所述高频反射层之间，所述第二过渡层设置在所述低频吸收层与所述电磁波吸收层之间。
9.根据权利要求8所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于：
所述第一过渡层和所述第二过渡层均为第四混炼胶贴片。
10.根据权利要求8所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于：
所述第一过渡层和所述第二过渡层的厚度为0.05毫米至0.15毫米。
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|---|---|---|---|
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| CN (1) | CN215683110U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114914070A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-08-16 | 广东汇茂电气股份有限公司 | 一种智能定向屏蔽电磁干扰的箱式变压器 |
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2020
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