KR100874689B1 - 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입 복합 시트 및 그 제조 방법 - Google Patents
방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입 복합 시트 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
두께 (mm) | 경도 (Shore) | 전자파 차폐율(dB) | 전자파 흡수율(dB) | 열전도도 (W/m·K) | 절연 파괴 강도 (kV/mm) | |
실시예 1 | 2.0 | 65±5 | 최대 50 | 최대 -5.6 | 1.8∼2.2 | > 8 |
실시예 2 | 2.0 | 65±5 | 최대 60 | 최대 -11.4 | 1.8∼2.2 | > 8 |
실시예 3 | 2.0 | 65±5 | 최대 70 | 최대 -8.1 | 1.8∼2.2 | > 8 |
실시예 4 | 2.0 | 65±5 | 최대 60 | 최대 -7.2 | 1.8∼2.2 | > 8 |
실시예 5 | 2.0 | 65±5 | 최대 70 | 최대 -11.4 | 1.8∼2.2 | > 8 |
실시예 6 | 2.0 | 65±5 | 최대 70 | 최대 -11.4 | 1.8∼2.2 | > 8 |
실시예 7 | 2.0 | 65±5 | 최대 70 | 최대 -11.4 | 1.8∼2.2 | > 8 |
Claims (14)
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,(i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 13∼40 중량%, (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼60 중량%, 및 (iv) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 13∼40 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,(1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%, 및 (iii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층, 및(2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 흡수층을 포함하고,상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입(roll type) 복합 시트.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,(1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층, 및(2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 차폐층을 포함하고,상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,(1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층, 및(2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%로 구성된 방열(열전도)층을 포함하고,상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,(1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 흡수층,(2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅 된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 차폐층, 및(3) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%로 구성된 방열(열전도)층을 포함하고,상기 전자파 흡수층, 상기 전자파 차폐층 및 상기 방열(열전도)층은 임의의 순서대로 순차적으로 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,경도가 50∼70 Shore A이며, 두께가 0.3∼6mm인 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,ASTM D 4935 방법에 의해 측정된 전자파 차폐율이 30MHz∼1GHz 범위의 주파 수 대역에서 최대 70 dB 이하이고, KS C 0305 방법에 의해 측정된 전자파 흡수율이 30MHz∼6GHz 범위의 주파수 대역에서 최대 -11.4 dB 이하이며, ASTM D 5470 방법에 의해 측정된 열전도도가 2.2 W/m·K이고, ASTM 149 방법에 의해 측정된 절연 파괴 강도가 8 kV/mm 이상인 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,(a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반하는 단계;(b) 은, 동 , 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 13∼40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계;(c) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼60 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계;(d) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 13∼40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계;(e) 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여, 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하면서 페이스트상으로 만드는 단계;(f) 탈포기를 이용하여 기포를 제거하는 탈포 단계; 및(g) 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시킴으로써, 0.3∼2mm 두께의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 단계 (d)와 상기 단계 (e) 사이에는 열 안정화제, 자외선 안정화제, 가교제 및 안료를 비롯한 착색제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제 1∼3 중량%를 첨가하고 교반하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,(a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%와 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층을 형성시키는 단계;(b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키는 단계; 및(c) 상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,(a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃ 에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%와 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 흡수용 분말 및 방열 (열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층을 형성시키는 단계;(b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이 들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시키는 단계; 및(c) 상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 차폐층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,(a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이 들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%와 Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층을 형성시키는 단계;(b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열 전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시키는 단계; 및(c) 상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,(a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생 성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시키는 단계;(b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서 (planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키는 단계;(c) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량 비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 전자파 차폐층, 상기 전자파 흡수층 및 상기 방열(열전도)층을 임의의 순서대로 순차적으로 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 저점도 실리콘겔은 25℃에서의 점도가 10∼700 cSt(mm/s)이고, 상기 고점도 실리콘겔은 25℃에서의 점도가 3000∼10000 cSt(mm/s)인 것을 특징으로 하는 방법.
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