KR100874689B1 - 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입 복합 시트 및 그 제조 방법 - Google Patents

방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입 복합 시트 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 방열(열전도), 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입(roll type) 복합 시트로서, (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말, (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말, 및 (iv) 알루미나, 실리카, 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 경박단소형 전기·전자 및 통신 기기에 적용되어 그 내부에서 발생되는 열과 전자파를 효율적으로 차폐 및 흡수하고, 외부 충격을 효율적으로 흡수할 수 있는 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트를 양산할 수 있을 뿐 만 아니라, 실리콘 겔의 우수한 접착(점착)력으로 인해 접착(점착)층을 따로 부착할 필요가 없고, 연속 작업이 가능하여 작업 공정의 단순화와 생산 단가 절감을 도모할 수 있으며, 제품을 불량률을 최소화할 수 있다.
방열(열전도), 전자파 차폐, 전자파 흡수, 충격 흡수, 복합 시트, 롤 타입 (roll type), 플레이크형(flake type), 덴드리트형(dendrite type), 미립자형, 무정형, 분말, 용제, 교반, 점도 조절, 탈포, 콤마 코팅, 경화, 건조.

Description

방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입 복합 시트 및 그 제조 방법{A ROLL-TYPE COMPOSITE SHEET WITH ENHANCED HEAT-RELEASING, ELECTROMAGNETIC WAVE-SHIELDING, ELCTROMAGNETIC- AND IMPACT-ABSORBING PROPERTIES, AND A METHOD FOR PREPARING OF THE SAME}
본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말, (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 및 (iv) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말을 포함하는 롤 타입 복합 시트, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
모바일 기기 등이 주도하고 있는 소형화와 고집적화, 데이터의 대용량화 및 고속화 등으로 인하여 전자파 장애(EMI) 차폐 뿐만 아니라, 방열, 진동 및 충격 흡수 등과 같은 다양한 기능을 가진 전자파 적합성(EMC) 제품들이 요구되고 있다. 특히, 선진 외국 경쟁업체들의 국내 시장 진입이 더욱 가속화되고 있어 이에 대한 국내 시장 및 기술 경쟁력 확보를 위한 재료의 국산화, 대체 제품의 개발, 복합화 환경에의 대응 등이 절실하게 요구된다.
전기·전자 및 통신 기기에 삽입되는 전자파 적합성(EMC) 제품에 요구되는 가장 중요한 특성은 전자파 차폐 및 흡수 효율이 높아야 하며 방열(열전도) 특성이 우수하여야 한다는 것과 기기의 경박단소화 추세에 따라 전자파 적합성(EMC) 제품들이 작고 얇아야 한다는 것이다. 한편, 제품의 슬림화는 단위 면적당 발열량의 증가로 제품 수명을 단축시킬 가능성이 있는 바, 특히 방열 특성이 개선된 전자파 차폐/흡수 시트의 필요성이 절실하다.
종래의 전자파 흡수재는 구성 재료의 고주파 손실 특성을 이용하여 전파 에너지를 감쇠시키거나 반사파를 기준치 이하로 낮추는 소재로서, 사용되는 재료에 따라 도전 손실 재료, 유전 손실 재료, 자성 손실 재료 등으로 분류된다. 전자파 흡수재로 주로 사용되는 복합형 페라이트 전자파 흡수체는 페라이트에 실리콘 고무, 플라스틱 등의 자성체를 지지재로 혼합한 것인데, 이는 1 mm 내외의 시트 형태로 제작되고 GHz 대역에서 레이더 반사 방지 용도 등으로 이용된다.
종래의 전자파 차폐재는 통상적으로 플라스틱에 금속류(철, 구리, 니켈 등)를 첨가하여 도전성 메쉬, 도전성 섬유, 도전성 고무 등의 형태로 제작되는데, 이는 전자파를 차폐 또는 반사시켜 전자파로부터의 직접적인 영향을 피할 수는 있겠지만 전자파 환경이 지속되며, 폴리에스테르에 구리, 니켈 등을 도금한 전자파 차폐재의 경우에는 감전의 우려가 있다.
종래의 전자파 차폐 및 흡수용 시트는 도전층의 일면 또는 양면에 연자성 금속 분말[예컨대, 퍼말로이(permalloy), 센더스트(sendust), Fe-Si, Ni-Fe 등] 등이 도포된 전자파 차폐 및 흡수층이 적층되어 있는 것으로서, 전자파 차폐 및 흡수 특성은 양호할지언정 시트 자체에서 발생하는 열을 효율적으로 발산시키기에는 한계가 있다.
대부분의 전자파 적합성(EMC) 제품들은 전자파 차폐 또는 흡수층이나 열전도층과 점착층으로 이루어져 있어서 점착층이 파손되는 경우에는 제품 기능이 상실될 수 있다. 한편, 당업계에서는 실리콘이 내열성, 전기절연성, 기계적 강도, 내마모성 등이 탁월하다는 점에 착안하여, 스폰지 또는 실리콘 고무에 흡수층을 코팅하거나 또는 자성 파우더와 실리콘의 혼합물을 압출한 제품을 사용하여 왔다. 실리콘 고무를 이용하여 열 프레스로 시트 한 장씩 작업을 하는 경우에는 생산성이 낮아진다는 문제점이 있다.
본 발명은 경박단소형 전기·전자 및 통신 기기에 적용되어 그 내부에서 발생되는 열과 전자파를 효율적으로 차폐 및 흡수하고, 외부 충격을 효율적으로 흡수할 수 있는 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 실리콘 겔의 우수한 접착(점착)력으로 인해 접착(점착)층을 따로 부착할 필요가 없고, 연속 작업이 가능하여 작업 공정의 단순화와 생산 단가 절감을 도모할 수 있으며, 제품을 불량률을 최소화할 수 있는, 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서, (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이 루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 13∼40 중량%, (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼60 중량%, 및 (iv) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 13∼40 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트를 제공한다.
실리콘겔은 이온 함유량이 낮아서 부식이 시작되는 수분의 유도 경로 형성을 방지함으로써 고온다습한 환경에서도 견딜 수 있도록 하며, 내열/내한성이 우수하여 약 -85℃∼200℃의 넓은 온도 범위에서 부드럽고 유연한 특성을 유지한다. 또한 , 실리콘겔은 접착력, 광투명성, 열 및 충격 흡수성이 우수하고, 전기전도도의 변화를 초래하지 않는다. 열전도율을 최적으로 증대시키기 위해서 최종 제품의 특성에 맞게 1가지 또는 2가지 이상의 실리콘겔을 사용할 수 있지만, 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이는 경화 후에도 실리콘겔의 영향에 따른 최종 제품의 물성을 최적화하기 위함이다. 저점도 실리콘겔은 25℃에서의 점도가 10∼700 cSt(mm2/s)인 것이 보다 바람직하고, 고점도 실리콘겔은 25℃에 서의 점도가 3000∼10000 cSt(mm2/s)인 것이 보다 바람직하다.
전자파 차폐용 분말은 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형 분말 13∼40 중량%인 것이 바람직하다.
Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 전자파 흡수용 분말은 전자파 흡수 효과를 극대화하기 위해서 플레이크형인 것이 바람직하고, 그 양은 30∼60 중량%인 것이 바람직하다.
알루미나, 실리카, 마그네시아, 질화규소, 그래파이트 및 카본으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방열(열전도)용 분말은 덴드리트형이거나 미립자형인 것이 바람직하다. 특히 플레이크형의 전자파 흡수용 분말은 전자파 흡수 특성이 우수하지만 상하(수직) 열전도율이 낮기 때문에, 방열용 분말이 덴드리트형이거나 또는 미립자형이어야 상하(수직) 열전도율을 극대화할 수 있다. 방열용 분말의 양은 13∼40 중량%인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서, (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과 인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층, 및 (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 흡수층을 포함하고, 상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입(roll type) 복합 시트를 제공한다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서, (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과 인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층, 및 (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 차폐층을 포함하고, 상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트를 제공한다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서, (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과 인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층, 및 (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%로 구성된 방열(열전도)층을 포함하고, 상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트를 제공한다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서, (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과 인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 흡수층, (2) i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 차폐층, 및 (3) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%로 구성된 방열(열전도)층을 포함하고, 상기 전자파 흡수층, 상기 전자파 차폐층 및 상기 방열(열전도)층은 임의의 순서대로 순차적으로 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트를 제공한다.
상기 3층 구조의 롤 타입 복합 시트는 1) 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층 이 합지(적층)되어 있고, 전자파 차폐층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 구조이거나; 2) 전자파 흡수층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있고, 방열(열전도)층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 구조이거나; 3) 방열(열전도)층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있고, 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 구조이거나; 4) 방열(열전도)층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있고, 전자파 차폐층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있는 구조이거나; 5) 전자파 차폐층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있고, 전자파 흡수층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 구조이거나; 또는 6) 전자파 차폐층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있고, 방열(열전도)층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있는 구조일 수 있다.
본 발명에 따른 복층(예컨대, 2층 또는 3층) 구조의 롤 타입 복합 시트는 별도의 접착(점착)층 없이 합지되어 있으므로 접착(점착)층에 의한 열전도도 저하의 우려가 없다.
전술한 바와 같은 본 발명의 방열(열전도), 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 또는 복층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트는 경도가 50∼70 Shore A이며, 두께가 0.3∼6mm, 바람직하게는 0.3∼2mm이다.
본 발명의 방열(열전도), 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 또는 복층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트는 ASTM D 4935 방법에 의해 측정된 전자파 차폐율이 30MHz∼1GHz 범위의 주파수 대역에서 최대 70 dB 이하이고, KS C 0305 방법에 의해 측정된 전자파 흡수율이 30MHz∼6GHz 범위의 주파수 대역에서 최대 -11.4 dB 이하이며, ASTM D 5470 방법에 의해 측정된 열전도도가 2.2 W/m·K이고, ASTM 149 방법에 의해 측정된 절연 파괴 강도가 8 kV/mm 이상이다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서, (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반하는 단계; (b) 은, 동 , 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 13∼40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계; (c) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼60 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계; (d) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 13∼40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계; (e) 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여, 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하면서 페이스트상으로 만드는 단계; (f) 탈포기를 이용하여 기포를 제거하는 탈포 단계; 및 (g) 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시킴으로써, 0.3∼2mm 두께의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말을 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하는 이유는 이들 분말이 응집되는 것을 방지하기 위함이다.
톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제를 1∼10 중량% 범위 내에서 적절히 첨가하여, 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하는 이유는 점도가 너무 높으면 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말이 실리콘겔과 균질하게 혼합되기 어렵고, 점도가 너무 낮으면 원하는 두께의 제품을 만들지 못하며, 저점도 실리콘겔과 고점도 실리콘겔을 적정비로 혼합함으로써 1차적으로 점도 조절을 할 수는 있겠지만 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 첨가량에 따라 점도가 증가될 수 있기 때문이다.
충분히 혼합 및 교반한 후에 용제를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]을 페이스트상으로 만드는 이유는 공정의 단순화 및 효율성을 제고하기 위함이다.
이렇게 만들어진 페이트상의 반응 생성물은 그 내부에 기포가 있을 수 있기 때문에 탈포기를 이용하여 기포를 제거하는 탈포 단계를 거치는 것이 바람직하다.
마지막으로, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시킴으로써, 0.3∼2mm 두께의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시킨다. 이 경우, 콤마 코터의 속도가 너무 빠르면 표면이 거칠어져 경화가 어려울 수 있으며 너무 느리면 생산 속도가 느려지기 때문에, 페이스트의 점도와 콤마 코터의 내부 온도에 따라 적절히 콤마 코터의 속도를 조절하여야 한다. 경화 및 건조 조건은 당업계에 공지된 것인 한 특별히 제한되지 않는다.
상기 단계 (d)와 상기 단계 (e) 사이에는 열 안정화제, 자외선 안정화제, 가교제 및 안료를 비롯한 착색제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제 1∼3 중량%를 첨가하고 교반하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 실리콘겔은 시간이 경과함에 따라 경도가 증가하기 때문에 처음 제품을 만들 때부터 경도의 경시 변화를 고려하여 그 폭을 최소화함으로써, 최종 제품의 경도가 50∼70 Shore A가 되도록 하는 것이 중요하다. 이와 같은 수치 범위의 경도를 갖는 최종 제품은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 최적화된다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서, (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%와 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층을 형성시키는 단계; (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키는 단계; 및 (c) 상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층을 합지 (적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서, (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%와 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 흡수용 분말 및 방열 (열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층을 형성시키는 단계; (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분 말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시키는 단계; 및 (c) 상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 차폐층을 합지 (적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서, (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%와 Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[ 실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층을 형성시키는 단계 ; (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시키는 단계; 및 (c) 상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서, (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시키는 단계; (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서 (planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키는 단계; (c) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시키는 단계; 및 (d) 상기 전자파 차폐층, 상기 전자파 흡수 층 및 상기 방열(열전도)층을 임의의 순서대로 순차적으로 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
본 발명의 방법은 저점도의 실리콘겔과 고점도의 실리콘겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘겔을 사용하기 때문에 점도 조절을 용이할 뿐만 아니라, 실리콘겔의 접착(점착)력으로 인해 복층 구조의 합지시 별도의 접착(점착)제를 사용할 필요가 없으며, 이로써 접착(점착)제에 의해 열전달이 차단되어 방열(열전도) 기능이 떨어질 수 있는 가능성을 배제할 수 있다.
본 발명에 따르면, 경박단소형 전기·전자 및 통신 기기에 적용되어 그 내부에서 발생되는 열과 전자파를 효율적으로 차폐 및 흡수하고, 외부 충격을 효율적으로 흡수할 수 있는 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트를 양산할 수 있을 뿐만 아니라, 실리콘 겔의 우수한 접착(점착)력으로 인해 접착(점착)층을 따로 부착할 필요가 없고, 연속 작업이 가능하여 작업 공정의 단순화와 생산 단가 절감을 도모할 수 있으며, 제품을 불량률을 최소화할 수 있다.
하기 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐이므로, 본 발명의 범주가 하기 실시예에 국한되는 것으로 해석되어서는 아니된다. 따라서, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자는 첨부된 특허청구범위에 기재된 사항으로부터 도출되는 기술적 사상의 범위 내에서 하기 실시예의 다양한 변형, 수정 및 응용이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
실시예
실시예 1
25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt (mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 5:5의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 15 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반하였다. 이어서, 은이 코팅된 동으로 구성된 플레이크형의 전자파 차폐용 분말 약 20 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하였다. 이어서, Fe-Al-Si 또는 Fe-Cr-Si로 구성된 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 약 40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하였다. 이어서, 알루미나로 구성된 덴드리트형 방열(열전도)용 분말 약 20 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하였다. 이어서, 열 안정화제, 자외선 안정화제, 가교제 및 안료를 비롯한 착색제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제 약 2.5 중량%를 첨가하고 교반하였다. 이어서,메틸실록산 용제 약 2.5 중량%를 첨가하여, 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하면서 페이스트상으로 만들었다. 이어서, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하였다. 이어서, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시킴으로써, 2.0 mm의 두께 및 65±5 Shore의 경도를 가지는 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시켰다.
실시예 2
25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 4500 cSt(mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 4:6의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 15 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미늄이 코팅된 동으로 구성된 플레이크형의 전자파 차폐용 분말 약 40 중량%와 알루미나로 구성된 덴드리트형의 방열(열전도)용 분말 약 40 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층을 형성시켰다. 이어서, 25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 약 4:6의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 25 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Al-Si 또는 Fe-Cr-Si로 구성된 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 약 70 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리 콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키켰다. 이어서, 상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층을 합지(적층)시킴으로써, 2.0 mm의 두께 및 65±5 Shore의 경도를 가지는 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시켰다.
실시예 3
25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt (mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 4:6의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 15 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Al-Si 또는 Fe-Cr-Si로 구성된 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 약 40 중량%와 알루미나로 구성된 덴드리트형의 방열(열전도)용 분말 약 40 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 흡수용 분말 및 방열 (열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층을 형성시켰다. 이어서, 25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s) 인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt(mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 4:6의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 25 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미늄이 코팅된 동으로 구성된 플레이크형의 전자파 차폐용 분말 약 70 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시켰다. 이어서, 상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 차폐층을 합지(적층)시킴으로써, 2.0 mm의 두께 및 65±5 Shore의 경도를 가지는 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시켰다.
실시예 4
25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt (mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 4:6의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 15 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미늄이 코팅된 동으로 구성된 플레이크형의 전자파 차폐용 분말 약 40 중량%와 Fe-Al-Si 또는 Fe-Cr-Si로 구성된 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 약 40 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분 말 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층을 형성시켰다. 이어서, 25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt(mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 4:6의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 25 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나로 구성된 덴드리트형의 방열(열전도)용 분말 약 70 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시켰다. 이어서, 상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층을 합지(적층)시킴으로써, 2.0 mm의 두께 및 65±5 Shore의 경도를 가지는 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시켰다.
실시예 5
25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt(mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 3:7의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 25 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은이 코팅 된 알루미늄으로 구성된 플레이크형의 전자파 차폐용 분말 약 70 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 15분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시켰다. 또한, 25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt(mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 3:7의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 25 중량%를 플래너터리 믹서 (planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Al-Si 또는 Fe-Cr-Si로 구성된 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 약 70 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 15분 동안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시켰다. 또한, 25℃에서의 점도가 약 400 cSt (mm2/s)인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 약 4500 cSt(mm2/s)인 고점도의 실리콘 겔이 약 3:7의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 약 25 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나로 구성된 덴드리트형의 방열(열전도)용 분말 약 70 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 약 15분 동 안 교반하고, 연이어 메틸실록산 용제 약 5 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 약 130℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시켰다. 이어서, 상기 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층을 합지(적층)시키고 상기 전자파 차폐층 상에 상기 방열(열전도)층을 합지(적층)시킴으로써, 2.0 mm의 두께 및 65±5 Shore의 경도를 가지는 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시켰다.
실시예 6
전자파 흡수층 상에 방열(열전도)층을 합지(적층)시키고 방열(열전도)층 상에 전자파 차폐층을 합지(적층)시킨다는 것을 제외하고는, 실시예 5와 같다.
실시예 7
방열(열전도)층 상에 전자파 흡수층을 합지(적층)시키고 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층을 합지(적층)시킨다는 것을 제외하고는, 실시예 5와 같다.
실시예 1 내지 실시예 7의 롤 타입 복합 시트에 대하여 전자파 차폐율, 전자파 흡수율, 열전도도, 절연 파괴 강도 등의 물성 시험을 하였다. 전자파 차폐율은 ASTM D 4935 방법에 따라 직경이 133mm인 측정 시료를 준비하고, 회로망분석기 (Agilent N1996A Spectrum Analyzer, Agilent, USA)를 이용하여 30MHz∼1GHz 범위의 주파수 대역에서 dB 단위로 측정하였다. 전자파 흡수율은 KS C 0305 방법(7mm 동축 케이블법)에 따라 측정 시료를 외경 7mm, 내경 3mm의 동축형으로 준비하여 회 로망분석기(Agilent 8753ES, Agilent, USA)를 이용하여 30MHz∼6GHz 범위의 주파수 대역에서 dB 단위로 측정하였다. 열전도도는 ASTM D 5470 방법에 따라 가로, 세로가 각각 50mm인 정사각형 모양의 시편을 준비하고 W/m·K 단위로 측정하였다. 절연 파괴 강도는 피닉스사의 장비를 이용하여 ASTM D 149 방법에 따라 승압 속도 500 V/초의 조건에서 kV/mm 단위로 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 1에 제시되어 있다.
두께 (mm) 경도 (Shore) 전자파 차폐율(dB) 전자파 흡수율(dB) 열전도도 (W/m·K) 절연 파괴 강도 (kV/mm)
실시예 1 2.0 65±5 최대 50 최대 -5.6 1.8∼2.2 > 8
실시예 2 2.0 65±5 최대 60 최대 -11.4 1.8∼2.2 > 8
실시예 3 2.0 65±5 최대 70 최대 -8.1 1.8∼2.2 > 8
실시예 4 2.0 65±5 최대 60 최대 -7.2 1.8∼2.2 > 8
실시예 5 2.0 65±5 최대 70 최대 -11.4 1.8∼2.2 > 8
실시예 6 2.0 65±5 최대 70 최대 -11.4 1.8∼2.2 > 8
실시예 7 2.0 65±5 최대 70 최대 -11.4 1.8∼2.2 > 8
상기 표 1을 통해 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 단층 또는 복층 구조의 롤 타입 복합 시트는 방열(열전도), 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성 등이 매우 우수하다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예 2에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 전자파 차폐 및 방열 복합층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 3에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 전자파 흡수 및 방열 복합층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예 5에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있고 전자파 차폐층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예 6에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡 수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 전자파 흡수층 상에 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있고 방열(열전도)층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예 7에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 방열(열전도)층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있고 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 구조를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예 1에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 롤 타입 복합 시트의 제조를 위한 공정도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입 복합 시트의 전자파 차폐율을 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시예 7에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 방열(열전도)층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있고 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 전자파 차폐율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시예 1에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입 복합 시트의 전자파 흡수율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 실시예 7에 따른 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입 복합 시트로서, 방열(열전도)층 상에 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있고 전자파 흡수층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 롤 타입 복합 시트의 전자파 흡수율을 나타낸 그래프이다.

Claims (14)

  1. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,
    (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 13∼40 중량%, (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼60 중량%, 및 (iv) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 13∼40 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
  2. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,
    (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%, (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%, 및 (iii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층, 및
    (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 흡수층을 포함하고,
    상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입(roll type) 복합 시트.
  3. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,
    (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층, 및
    (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 차폐층을 포함하고,
    상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 전자파 차폐층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
  4. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,
    (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% , (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량% 및 (iii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%로 구성된 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층, 및
    (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%로 구성된 방열(열전도)층을 포함하고,
    상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층이 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
  5. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트로서,
    (1) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 흡수층,
    (2) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅 된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%로 구성된 전자파 차폐층, 및
    (3) (i) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량% 및 (ii) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%로 구성된 방열(열전도)층을 포함하고,
    상기 전자파 흡수층, 상기 전자파 차폐층 및 상기 방열(열전도)층은 임의의 순서대로 순차적으로 합지(적층)되어 있는 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    경도가 50∼70 Shore A이며, 두께가 0.3∼6mm인 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    ASTM D 4935 방법에 의해 측정된 전자파 차폐율이 30MHz∼1GHz 범위의 주파 수 대역에서 최대 70 dB 이하이고, KS C 0305 방법에 의해 측정된 전자파 흡수율이 30MHz∼6GHz 범위의 주파수 대역에서 최대 -11.4 dB 이하이며, ASTM D 5470 방법에 의해 측정된 열전도도가 2.2 W/m·K이고, ASTM 149 방법에 의해 측정된 절연 파괴 강도가 8 kV/mm 이상인 것을 특징으로 하는 롤 타입 복합 시트.
  8. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 단층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,
    (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반하는 단계;
    (b) 은, 동 , 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 13∼40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계;
    (c) Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼60 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계;
    (d) 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 13∼40 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하는 단계;
    (e) 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여, 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말, 전자파 흡수용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하면서 페이스트상으로 만드는 단계;
    (f) 탈포기를 이용하여 기포를 제거하는 탈포 단계; 및
    (g) 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시킴으로써, 0.3∼2mm 두께의 롤 타입(roll type) 복합 시트를 생성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 단계 (d)와 상기 단계 (e) 사이에는 열 안정화제, 자외선 안정화제, 가교제 및 안료를 비롯한 착색제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제 1∼3 중량%를 첨가하고 교반하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,
    (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%와 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층을 형성시키는 단계;
    (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키는 단계; 및
    (c) 상기 전자파 차폐 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 흡수층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,
    (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃ 에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%와 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 흡수용 분말 및 방열 (열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층을 형성시키는 단계;
    (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이 들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시키는 단계; 및
    (c) 상기 전자파 흡수 및 방열(열전도) 복합층 상에 상기 전자파 차폐층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 2층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,
    (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이 들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 30∼50 중량%와 Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 30∼50 중량%를 각각 순차적으로 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물[실리콘겔, 전자파 차폐용 분말 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층을 형성시키는 단계;
    (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열 전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시키는 단계; 및
    (c) 상기 전자파 차폐 및 전자파 흡수 복합층 상에 상기 방열(열전도)층을 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 방열, 전자파 차폐, 및 전자파와 충격 흡수 특성이 향상된 3층 구조의 롤 타입(roll type) 복합 시트의 제조 방법으로서,
    (a) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 은, 동, 니켈, 주석, 알루미늄이 코팅된 동, 은이 코팅된 동, 은이 코팅된 니켈, 은이 코팅된 알루미늄, 은이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 주석, 은이 코팅된 글래스 비드, 니켈이 코팅된 흑연, 은이 코팅된 세라믹, 카본 블랙, 흑연 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형, 덴드리트형, 미립자형 또는 무정형의 전자파 차폐용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생 성물[실리콘겔 및 전자파 차폐용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 차폐층을 형성시키는 단계;
    (b) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서 (planetary mixer)에서 교반한 후, Fe-Si, Fe-Cr, Fe-Ni, Fe-Al, Fe-Ni-Mo, Fe-Al-Si, Fe-Cr-Si 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 플레이크형의 전자파 흡수용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 전자파 흡수용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 전자파 흡수층을 형성시키는 단계;
    (c) 25℃에서의 점도가 2000 cSt (mm2/s) 이하인 저점도의 실리콘 겔과 25℃에서의 점도가 2000 cSt(mm2/s) 초과인 고점도의 실리콘 겔이 2:8 내지 8:2의 중량 비로 혼합된 실리콘 겔 10∼28 중량%를 플래너터리 믹서(planetary mixer)에서 교반한 후, 알루미나, 실리카 , 마그네시아, 질화규소, 그래파이트, 카본 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 덴드리트형 또는 미립자형의 방열(열전도)용 분말 50∼82 중량%를 소량씩 메쉬를 통과시켜 첨가하면서 5∼20분 동안 교반하고, 연이어 톨루엔, 메틸실록산, 솔벤트 나프타 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용제 1∼10 중량%를 첨가하여 반응 생성물 [실리콘겔 및 방열(열전도)용 분말의 혼합물]의 점도를 조절하여 페이스트상으로 만들고, 탈포기를 이용하여 기포를 제거하고, 80∼140℃에서 콤마 코터 (comma coater)를 이용하여 이형지에 탈포된 페이스트상의 반응 생성물을 코팅하고 경화 및 건조시켜 방열(열전도)층을 형성시키는 단계; 및
    (d) 상기 전자파 차폐층, 상기 전자파 흡수층 및 상기 방열(열전도)층을 임의의 순서대로 순차적으로 합지(적층)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 저점도 실리콘겔은 25℃에서의 점도가 10∼700 cSt(mm/s)이고, 상기 고점도 실리콘겔은 25℃에서의 점도가 3000∼10000 cSt(mm/s)인 것을 특징으로 하는 방법.
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