CN215557237U - 一种吸嘴结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种吸嘴结构,属于半导体治具技术领域。其所述吸嘴本体(10)的前端设置吸嘴围墙(12)和吸嘴隔断墙(14),形成吸嘴主凹槽(50)和吸嘴副凹槽Ⅰ(52)、吸嘴副凹槽Ⅱ(54),所述吸嘴主凹槽(50)的底部槽阴角处设置防干涉阳角(51);所述吸嘴本体(10)的中央设置真空气流通道(40),其后端设置安装凹腔(30),所述真空气流通道(40)前后贯穿吸嘴本体(10),并连通吸嘴主凹槽(50)和安装凹腔(30)。本实用新型有效提升了吸嘴与元器件之间吸附效果,防止了与芯片干涉,提升过程作业稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种吸嘴结构,属于半导体治具技术领域。
背景技术
在半导体集成电路制程中,常用真空吸嘴来移送倒装芯片。吸嘴会通过真空与芯片背面进行吸合,由于吸嘴和芯片直接而紧密接触,所以对吸嘴的设计以及材质具有较高要求。异形芯片或者特殊设计的芯片结构,采取常规吸嘴无法满足吸附效果,导致吸嘴内壁与损伤芯片有源区域;特殊尺寸或者非接触区域要求,采取常规吸嘴不具备足够的接触面积,导致无法吸附,稳定性差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种吸嘴结构,以解决异形芯片或者特殊设计的芯片结构的吸嘴移送目的。
本实用新型的技术方案:
本实用新型一种吸嘴结构,其包括吸嘴本体,所述吸嘴本体的横截面呈矩形,
所述吸嘴本体的前端设置吸嘴围墙和吸嘴隔断墙,所述吸嘴围墙和吸嘴隔断墙将吸嘴本体的前端划分为吸嘴主凹槽和吸嘴副凹槽Ⅰ、吸嘴副凹槽Ⅱ,所述吸嘴主凹槽设置于吸嘴本体的前端的中央,所述吸嘴副凹槽Ⅰ、吸嘴副凹槽Ⅱ设置于吸嘴主凹槽的四周,所述吸嘴主凹槽的底部槽阴角处设置防干涉阳角;
所述吸嘴本体的中央设置真空气流通道,其后端设置安装凹腔,所述真空气流通道前后贯穿吸嘴本体,并连通吸嘴主凹槽和安装凹腔。
可选地,所述吸嘴本体的前端外侧设置倒角。
可选地,所述防干涉阳角呈阶梯状。
可选地,所述防干涉阳角不连续。
可选地,所述吸嘴主凹槽的尺寸不小于芯片或元器件的尺寸,所述吸嘴副凹槽Ⅰ、吸嘴副凹槽Ⅱ用于容纳芯片或元器件上的附属器件。
可选地,所述芯片或元器件上的附属器件包括电容、电阻、电感。
可选地,所述吸嘴副凹槽Ⅰ、吸嘴副凹槽Ⅱ的纵截面呈矩形或梯形。
可选地,还包括若干个吸嘴围墙导流孔,所述吸嘴围墙导流孔横向设置在吸嘴隔断墙内,分别连通吸嘴主凹槽与吸嘴副凹槽Ⅰ、吸嘴副凹槽Ⅱ。
有益效果
本实用新型提供了一种吸嘴结构,其防干涉阳角可以在确保整体吸附空间的基础上,确保最大化的空间,有效避让非规则芯片或元器件不可接触区域,有效降低吸嘴与元器件之间的有效区域的干涉冲突,提升贴片工艺能力,提高作业质量,从而实现工艺突破和成本下降;其吸嘴围墙导流孔可以保证吸嘴围墙强度基础的情况下,增加吸嘴与芯片或元器件之间的吸附强度,从而提升吸嘴与芯片或元器件表面的吸附效果;
本实用新型有效提升了吸嘴与元器件之间吸附效果,防止了与芯片干涉,提升过程作业稳定性,从而提高作业效率MTBA,降低产品成本。
附图说明
图1为本实用新型的一种吸嘴结构的实施例一的剖面结构图;
图2为图1的仰视图;
图3为图1的使用状态图;
图4为本实用新型的一种吸嘴结构的实施例二的剖面结构图;
图5为图4的仰视图;
图6为图4的使用状态图;
图中:
吸嘴本体10
倒角11
吸嘴围墙12
吸嘴隔断墙14
安装凹腔30
真空气流通道40
吸嘴主凹槽50
防干涉阳角51
吸嘴副凹槽Ⅰ52
吸嘴副凹槽Ⅱ54
吸嘴围墙导流孔56。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。为了易于说明,可以使用空间相对术语(诸如“在…下方”、“之下”、“下部”、“在…上方”、“上部”等)以描述图中所示一个元件或部件与另一个元件或部件的关系。除图中所示的定向之外,空间相对术语还包括使用或操作中设备的不同定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向),本文所使用的空间相对描述可因此进行类似的解释。
实施例一
本实用新型一种吸嘴结构,其吸嘴本体10的横截面呈矩形,与芯片的形状一致。吸嘴本体10的前端外侧设置倒角11,以增强吸嘴应力强度,如图1所示。整个吸嘴使用硅胶材质,能有效较小与产品接触时的挤压压力。
所述吸嘴本体10的前端设置吸嘴围墙12和吸嘴隔断墙14,所述吸嘴围墙12和吸嘴隔断墙14将吸嘴本体10的前端划分为吸嘴主凹槽50和吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54,所述吸嘴主凹槽50设置于吸嘴本体10的前端的中央,所述吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54设置于吸嘴主凹槽50的四周,吸嘴隔断墙14设置于吸嘴主凹槽50和吸嘴副凹槽Ⅰ52之间、吸嘴主凹槽50和吸嘴副凹槽Ⅱ54之间。
所述吸嘴主凹槽50的尺寸不小于芯片或元器件90上的异形结构91尺寸,所述吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54的纵截面呈矩形或梯形,用于容纳芯片或元器件90上的附属器件92,如图2所示。所述芯片或元器件90上的附属器件92包括电容、电阻、电感等。
所述吸嘴主凹槽50的底部槽阴角处设置防干涉阳角51;防干涉阳角51呈阶梯状,可以连续也可以不连续,图2中以连续示意。防干涉阳角51可以有效地避免吸嘴主凹槽50内部与芯片或元器件90异形结构91的干涉。
所述吸嘴本体10的中央设置真空气流通道40,其后端设置安装凹腔30,所述真空气流通道40前后贯穿吸嘴本体10,并连通吸嘴主凹槽50和安装凹腔30。
使用时,真空吸杆通过安装凹腔30插入吸嘴本体10,紧实的安装在真空吸杆的头部,吸嘴主凹槽50通过真空气流通道40输送的真空气流吸放芯片或元器件90,做到‘即用即取’,快捷,高效的工作效率。
本实用新型一种吸嘴结构,其使用过程如下:
1、调整吸嘴本体10在Z方向位置接触高度,确保与芯片或元器件90的上表面有效接触;
2、调整吸嘴本体10在X/Y方向位置,避免吸嘴本体10的内壁与芯片或元器件90上的异形结构91接触,同时通过防干涉阳角51避免吸嘴主凹槽50内结构与芯片或元器件90上的异形结构91接触,吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54用于容纳芯片或元器件90的附属器件92。
3、设备真空通过真空气流通道40进行吸附,当气流通过真空气流通道40向外部抽气时,吸嘴主凹槽50吸附芯片或元器件90,如图3所示;
4、当芯片或元器件90放置到待安装区域后,设备通过真空气流通道40启动弱吹气功能,将吸嘴本体10和芯片或元器件90有效脱离。
实施例二
本实用新型一种吸嘴结构,其吸嘴本体10的横截面呈矩形,与芯片的形状一致。吸嘴本体10的前端外侧设置倒角11,以增强吸嘴应力强度,如图4所示。整个吸嘴使用硅胶材质,能有效较小与产品接触时的挤压压力。
所述吸嘴本体10的前端设置吸嘴围墙12和吸嘴隔断墙14,所述吸嘴围墙12和吸嘴隔断墙14将吸嘴本体10的前端划分为吸嘴主凹槽50和吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54,所述吸嘴主凹槽50设置于吸嘴本体10的前端的中央,所述吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54设置于吸嘴主凹槽50的四周,吸嘴隔断墙14设置于吸嘴主凹槽50和吸嘴副凹槽Ⅰ52之间、吸嘴主凹槽50和吸嘴副凹槽Ⅱ54之间。
所述吸嘴主凹槽50的尺寸不小于芯片或元器件90上的异形结构91尺寸,所述吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54的纵截面呈矩形或梯形,用于容纳芯片或元器件90上的附属器件92。所述芯片或元器件90上的附属器件92包括电容、电阻、电感等。在吸嘴隔断墙14内横向设置吸嘴围墙导流孔56,分别连通吸嘴主凹槽50与吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54,进一步增加了真空吸附区域,提升了边缘吸附效果,提高了芯片吸附的强度,如图5所示。
所述吸嘴主凹槽50的底部槽阴角处设置防干涉阳角51;防干涉阳角51呈阶梯状,可以连续也可以不连续,图5中以连续示意。防干涉阳角51可以有效地避免吸嘴主凹槽50内部与芯片或元器件90异形结构91的干涉。所述吸嘴本体10的中央设置真空气流通道40,其后端设置安装凹腔30,所述真空气流通道40前后贯穿吸嘴本体10,并连通吸嘴主凹槽50和安装凹腔30。
使用时,真空吸杆通过安装凹腔30插入吸嘴本体10,紧实的安装在真空吸杆的头部,吸嘴主凹槽50通过真空气流通道40输送的真空气流吸放芯片或元器件90,吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54再借助吸嘴围墙导流孔56输送的真空气流协助吸放芯片或元器件90的附属器件92,做到‘即用即取’,快捷,高效的工作效率。
本实用新型一种吸嘴结构,其使用过程如下:
1、调整吸嘴本体10在Z方向位置接触高度,确保与芯片或元器件90的上表面有效接触;
2、调整吸嘴本体10在X/Y方向位置,避免吸嘴本体10的内壁与芯片或元器件90上的异形结构91接触,同时通过防干涉阳角51避免吸嘴主凹槽50内结构与芯片或元器件90上的异形结构91接触,吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54用于容纳芯片或元器件90的附属器件92。
3、设备真空通过真空气流通道40进行吸附,当气流通过真空气流通道40向外部抽气时,吸嘴主凹槽50及吸嘴副凹槽Ⅰ52、吸嘴副凹槽Ⅱ54区域,均受到吸附效果,增强了吸嘴本体10与芯片或元器件90的吸附强度,如图6所示;
4、当芯片或元器件90放置到待安装区域后,设备通过真空气流通道40启动弱吹气功能,将吸嘴本体10和芯片或元器件90有效脱离。
以上所述的具体实施方式,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步地详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已,并不用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种吸嘴结构,其特征在于,其包括吸嘴本体(10),所述吸嘴本体(10)的横截面呈矩形,
所述吸嘴本体(10)的前端设置吸嘴围墙(12)和吸嘴隔断墙(14),所述吸嘴围墙(12)和吸嘴隔断墙(14)将吸嘴本体(10)的前端划分为吸嘴主凹槽(50)和吸嘴副凹槽Ⅰ(52)、吸嘴副凹槽Ⅱ(54),所述吸嘴主凹槽(50)设置于吸嘴本体(10)的前端的中央,所述吸嘴副凹槽Ⅰ(52)、吸嘴副凹槽Ⅱ(54)设置于吸嘴主凹槽(50)的四周,所述吸嘴主凹槽(50)的底部槽阴角处设置防干涉阳角(51);
所述吸嘴本体(10)的中央设置真空气流通道(40),其后端设置安装凹腔(30),所述真空气流通道(40)前后贯穿吸嘴本体(10),并连通吸嘴主凹槽(50)和安装凹腔(30)。
2.根据权利要求1所述的吸嘴结构,其特征在于,所述吸嘴本体(10)的前端外侧设置倒角。
3.根据权利要求1所述的吸嘴结构,其特征在于,所述防干涉阳角(51)呈阶梯状。
4.根据权利要求1所述的吸嘴结构,其特征在于,所述防干涉阳角(51)不连续。
5.根据权利要求1所述的吸嘴结构,其特征在于,所述吸嘴主凹槽(50)的尺寸不小于芯片或元器件的尺寸,所述吸嘴副凹槽Ⅰ(52)、吸嘴副凹槽Ⅱ(54)用于容纳芯片或元器件上的附属器件。
6.根据权利要求5所述的吸嘴结构,其特征在于,所述芯片或元器件上的附属器件包括电容、电阻、电感。
7.根据权利要求1所述的吸嘴结构,其特征在于,所述吸嘴副凹槽Ⅰ(52)、吸嘴副凹槽Ⅱ(54)的纵截面呈矩形或梯形。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的吸嘴结构,其特征在于,还包括若干个吸嘴围墙导流孔(56),所述吸嘴围墙导流孔(56)横向设置在吸嘴隔断墙(14)内,分别连通吸嘴主凹槽(50)与吸嘴副凹槽Ⅰ(52)、吸嘴副凹槽Ⅱ(54)。
Priority Applications (1)
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CN202120927417.8U CN215557237U (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种吸嘴结构 |
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Cited By (1)
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CN115849011A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-03-28 | 西安策士测试技术有限公司 | 一种ic芯片吸取机构及吸取方法 |
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2021
- 2021-04-30 CN CN202120927417.8U patent/CN215557237U/zh active Active
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