CN215529011U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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CN215529011U CN202121167357.0U CN202121167357U CN215529011U CN 215529011 U CN215529011 U CN 215529011U CN 202121167357 U CN202121167357 U CN 202121167357U CN 215529011 U CN215529011 U CN 215529011U
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Abstract

提供一种高频模块和通信装置，该高频模块包括具有良好的噪声系数的接收放大电路。高频模块(1)具备：天线连接端子(100)和接收输出端子(110)；低噪声放大器(42)，其能够对从天线连接端子(100)输入的高频接收信号进行放大；以及滤波器(29)，其连接于低噪声放大器(42)的输出端子(120)与接收输出端子(110)之间，具有包含高频接收信号的频率的通带。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中搭载有对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。在专利文献1中，公开了一种前端电路(RF模块)，该前端电路具备传输发送信号的PA电路(发送放大电路)以及传输接收信号的LNA电路(接收放大电路)。在接收放大电路中配置有连接于低噪声放大器的输入端子侧的滤波器以及对低噪声放大器的放大特性进行控制的LNA控制部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-137522号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在专利文献1的接收放大电路中，在低噪声放大器的前级配置有用于确保通带附近的衰减的滤波器，以降低低噪声放大器中的信号失真。
然而，虽然通过配置于低噪声放大器的前级的滤波器能够抑制信号失真，但是有可能无法满足噪声系数的要求性能。
本实用新型是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种包括具有良好的噪声系数的接收放大电路的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：信号输入端子和信号输出端子；低噪声放大器，其能够对从所述信号输入端子输入的高频接收信号进行放大；以及第一滤波器，其连接于所述低噪声放大器的输出端子与所述信号输出端子之间，具有包含所述高频接收信号的频率的通带。
优选地，所述低噪声放大器由进行级联连接的多个放大元件构成，所述第一滤波器连接于所述多个放大元件中的配置于最后级的放大元件的输出端子与所述信号输出端子之间。
优选地，所述高频模块还具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；以及多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述第二主面，所述低噪声放大器配置于所述第二主面。
优选地，所述第一滤波器配置于所述第二主面。
优选地，所述第一滤波器是包括电感器和电容器中的至少一方的LC滤波器，所述第一滤波器和所述低噪声放大器包含于1个半导体集成电路。
优选地，所述第一滤波器配置在所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上以及所述模块基板的内部。
优选地，所述第一滤波器具有：弹性波谐振器，其配置在所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上；以及形成于所述模块基板的内部的电感器和电容器中的至少一方。
优选地，所述信号输出端子是所述多个外部连接端子中的1个，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一滤波器配置于所述低噪声放大器与所述信号输出端子之间。
优选地，所述高频模块还具备第二滤波器，该第二滤波器连接于所述信号输入端子与所述低噪声放大器的输入端子之间，具有包含所述高频接收信号的频率的通带。
优选地，所述第二滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的与配置有所述第一滤波器的主面不同的主面。
优选地，所述高频模块还具备匹配电路，该匹配电路连接于所述第二滤波器与所述低噪声放大器的输入端子之间，取得所述第二滤波器与所述低噪声放大器的阻抗匹配。
优选地，所述匹配电路配置于所述第一主面和所述第二主面中的与配置有所述第一滤波器的主面不同的主面。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：天线；射频信号处理电路，其对利用所述天线接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提供一种包括具有良好的噪声系数的接收放大电路的高频模块和通信装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2A是实施例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图2B是实施例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图3A是实施例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图3B是实施例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
附图标记说明
1、1A、1B：高频模块；2：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：通信装置；10、16、18：开关；21、23、25、27、29：滤波器；31、33、36：匹配电路；41a、43a、46a：前级放大元件；42、46：低噪声放大器；42b、46b：后级放大元件；50、51：半导体IC；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；100：天线连接端子；110：接收输出端子；120、160：输出端子；121、122、161：输入端子；150：外部连接端子。
具体实施方式
下面，详细地说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。关于下面的实施例及变形例中的结构要素中的、独立权利要求中未记载的结构要素，设为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或大小之比未必严格。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
另外，在下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形状等表示要素的形状的用语、以及数值范围表示还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的误差，而不是仅表示严格的含义。
另外，在下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或者基板的主面)时，C配置于A与B之间”表示在俯视基板时将A内的任意的点与B内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过C的区域。另外，俯视基板表示将基板以及安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。
另外，在下面，“发送路径”是指由供高频发送信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”是指由供高频接收信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“发送接收路径”是指由供高频发送信号和高频接收信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1.高频模块1和通信装置4的电路结构]
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置4的电路结构图。如该图所示，通信装置4具备高频模块1、天线2以及RF信号处理电路(RFIC)3。
RFIC 3是对由天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到基带信号处理电路(未图示)。另外，RFIC 3还能够对从基带信号处理电路输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径(未图示)。
另外，RFIC 3还具有基于要使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关10、16及18的连接的作为控制部的功能。另外，RFIC 3还具有控制高频模块1所具有的低噪声放大器42及46的增益、向低噪声放大器42及46提供的电源电压Vcc和偏置电压Vbias的作为控制部的功能。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
接着，说明高频模块1的详细的结构。
如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、接收输出端子110、低噪声放大器42及46、滤波器21、23、25、27及29、匹配电路31、33及36、以及开关10、16及18。
天线连接端子100是向高频模块1输入高频接收信号的信号输入端子的一例，与天线2连接。接收输出端子110是从高频模块1输出高频接收信号的信号输出端子的一例，与RFIC 3连接。
低噪声放大器42具有输入端子121及122、输出端子120、前级放大元件41a及43a、以及后级放大元件42b。前级放大元件41a的输入端与输入端子121连接，前级放大元件41a的输出端与后级放大元件42b的第一输入端连接。前级放大元件43a的输入端与输入端子122连接，前级放大元件43a的输出端与后级放大元件42b的第二输入端连接。后级放大元件42b的输出端与输出端子120连接。
通过上述连接结构，前级放大元件41a与后级放大元件42b的级联连接电路能够以低噪声对通信频段A的高频信号进行放大。另外，前级放大元件43a与后级放大元件42b的级联连接电路能够以低噪声对通信频段B的高频信号进行放大。
低噪声放大器46具有输入端子161、输出端子160、前级放大元件46a以及后级放大元件46b。前级放大元件46a的输入端与输入端子161连接，前级放大元件46a的输出端与后级放大元件46b的输入端连接。后级放大元件46b的输出端与输出端子160连接。
通过上述连接结构，前级放大元件46a与后级放大元件46b的级联连接电路能够以低噪声对通信频段C及通信频段D的高频信号进行放大。
低噪声放大器42及46中的各低噪声放大器也可以形成为半导体IC。半导体IC例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。具体地说，通过SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上的硅)工艺形成。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一种构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
滤波器21是第二滤波器的一例，连接于天线连接端子100与输入端子121之间，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段A的接收带的接收信号通过。也就是说，滤波器21以通信频段A的接收带为通带。
滤波器23是第二滤波器的一例，连接于天线连接端子100与输入端子122之间，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段B的接收带的接收信号通过。也就是说，滤波器23以通信频段B的接收带为通带。
通过配置滤波器21及23，能够抑制在低噪声放大器42中产生的信号失真。
滤波器25是第二滤波器的一例，连接于天线连接端子100与输入端子161之间，使从天线连接端子100输入的接收信号中的、通信频段C的接收带的接收信号通过。也就是说，滤波器25以通信频段C的接收带为通带。
滤波器27是第二滤波器的一例，连接于天线连接端子100与输入端子161之间，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段D的接收带的接收信号通过。也就是说，滤波器27以通信频段D的接收带为通带。
通过配置滤波器25及27，能够抑制在低噪声放大器46中产生的信号失真。
滤波器29是第一滤波器的一例，连接于低噪声放大器42的输出端子120及低噪声放大器46的输出端子160与接收输出端子110之间。更详细地说，滤波器29连接于构成低噪声放大器42的前级放大元件41a、43a和后级放大元件42b中的配置于最后级的后级放大元件42b的输出端与接收输出端子110之间。另外，滤波器29连接于构成低噪声放大器46的前级放大元件46a和后级放大元件46b中的配置于最后级的后级放大元件46b的输出端与接收输出端子110之间。滤波器29以包含通信频段A、B、C及D的频带为通带。
此外，在高频模块1包括发送电路的情况下，滤波器21、23、25及27中的各滤波器也可以与发送滤波器一起构成双工器。
此外，滤波器21、23、25、27及29中的各滤波器例如也可以是使用了SAW(SurfaceAcoustic Wave：声表面波)的弹性波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一种，并且不限定于它们。
匹配电路31连接于滤波器21与低噪声放大器42的输入端子121之间，取得滤波器21与低噪声放大器42的阻抗匹配。
匹配电路33连接于滤波器23与低噪声放大器42的输入端子122之间，取得滤波器23与低噪声放大器42的阻抗匹配。
匹配电路36连接于滤波器25及27与低噪声放大器46的输入端子161之间，取得滤波器25及27与低噪声放大器46的阻抗匹配。
匹配电路31、33及36中的各匹配电路由电感器和电容器中的至少一者构成。
开关10是天线开关的一例，与天线连接端子100连接，(1)对天线连接端子100与滤波器21的连接和非连接进行切换，(2)对天线连接端子100与滤波器23的连接和非连接进行切换，(3)对天线连接端子100与滤波器25的连接和非连接进行切换，(4)对天线连接端子100与滤波器27的连接和非连接进行切换。此外，开关10也可以由能够同时进行上述(1)～(4)中的至少2个连接的多连接型的开关电路构成。
开关16具有公共端子和2个选择端子。公共端子与匹配电路36连接，一个选择端子与滤波器25连接，另一个选择端子与滤波器27连接。在该连接结构中，开关16在将低噪声放大器46与滤波器25连接以及将低噪声放大器46与滤波器27连接之间进行切换。开关16例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。
开关18具有公共端子和2个选择端子。公共端子与滤波器29连接，一个选择端子与低噪声放大器42连接，另一个选择端子与低噪声放大器46连接。在该连接结构中，开关18在将低噪声放大器42与滤波器29连接以及将低噪声放大器46与滤波器29连接之间进行切换。开关18例如由SPDT型的开关电路构成。
在高频模块1的结构中，开关10、滤波器21、匹配电路31、低噪声放大器42、开关18以及滤波器29构成从天线2经由天线连接端子100来传输通信频段A的接收信号的第一接收电路。
另外，开关10、滤波器23、匹配电路33、低噪声放大器42、开关18以及滤波器29构成从天线2经由天线连接端子100来传输通信频段B的接收信号的第二接收电路。
另外，开关10、滤波器25、开关16、匹配电路36、低噪声放大器46、开关18以及滤波器29构成从天线2经由天线连接端子100来传输通信频段C的接收信号的第三接收电路。
另外，开关10、滤波器27、开关16、匹配电路36、低噪声放大器46、开关18以及滤波器29构成从天线2经由天线连接端子100来传输通信频段D的接收信号的第四接收电路。
根据上述电路结构，高频模块1能够同时接收通信频段A和通信频段B中的任一个通信频段的高频信号、以及通信频段C和通信频段D中的任一个通信频段的高频信号。
此外，在本实用新型所涉及的高频模块中，上述4个接收电路也可以不经由开关10来与天线连接端子100连接，上述4个接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。
另外，本实用新型所涉及的高频模块只要具备上述4个接收电路中的至少1个即可。
另外，本实用新型所涉及的高频模块也可以在具备上述接收电路的同时具备发送电路。发送电路是传输发送信号的电路，例如具有功率放大器和发送滤波器。
另外，本实用新型所涉及的高频模块只要具有低噪声放大器42及46中的至少1个低噪声放大器以及滤波器29即可。
另外，也可以是，低噪声放大器42及46中的至少1个低噪声放大器、以及开关10、16及18中的至少1个开关形成于1个半导体IC。半导体IC例如由CMOS构成。具体地说，通过SOI工艺形成。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一种构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
本实施方式所涉及的高频模块1具备低噪声放大器42及46、以及连接于低噪声放大器42的输出端子120及低噪声放大器46的输出端子160与接收输出端子110之间的滤波器29。
在以往的接收放大电路的情况下，在低噪声放大器的前级配置有用于确保通带附近的衰减的滤波器，以尽可能地抑制低噪声放大器中的信号失真。然而，在该情况下，虽然通过配置于低噪声放大器的前级的滤波器能够抑制信号失真，但是有可能无法满足噪声系数的要求性能。
一般地说，在将配置于低噪声放大器的前级的电路元件的噪声系数设为NF1、将配置于低噪声放大器的后级的电路元件的噪声系数设为NF2、将低噪声放大器的增益设为G的情况下，接收放大电路整体的噪声系数NFall用以下的式1来表示。
NFall＝NF1+(NF2-1)/G (式1)
根据式1，在低噪声放大器的增益G大于1的情况下，配置于低噪声放大器的后级的电路元件的噪声系数NF2由于要除以增益G，因此对噪声系数NFall的贡献度变小。
例如，在将具有噪声系数NF1的电路元件和具有噪声系数NF2的电路元件双方配置于低噪声放大器的前级的情况下，由它们规定的噪声系数NFall为(NF1+NF2)。与此相对地，在将具有噪声系数NF1的电路元件配置于低噪声放大器的前级、将具有噪声系数NF2的电路元件配置于低噪声放大器的后级的情况下，由它们规定的噪声系数NFall为式1示出的那样。也就是说，以降低噪声系数这一观点来说，在使配置于后级的电路元件也具有接收放大电路所需的性能的一部分来满足该性能的前提下，将电路元件配置于低噪声放大器的后级是好办法。
从以上的观点出发，根据本实施方式所涉及的高频模块1，在低噪声放大器42及46的后级配置有滤波器29，因此与将所有滤波器功能集中于低噪声放大器的前级的以往的接收放大电路相比，能够降低噪声系数。
下面，说明实现噪声系数的降低的高频模块1的配置结构。
[2.实施例1所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]
图2A是实施例1所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图2B是实施例1所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图2A的IIB-IIB线处的截面图。此外，在图2A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，在图2A的(b)中示出了从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的透视电路元件的配置所得到的图。
实施例1所涉及的高频模块1A用于具体地示出构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
如图2A和图2B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93、以及外部连接端子150。
模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是用于安装上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(HighTemperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或印刷电路板等。此外，在模块基板91上也可以形成有天线连接端子100和接收输出端子110。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述接收电路的一部分和模块基板91的主面91a，具有确保构成上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖上述接收电路的一部分和模块基板91的主面91b，具有确保构成上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
如图2A和图2B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，滤波器21、23、25及27、以及匹配电路31、33及36配置于主面91a。另一方面，低噪声放大器42及46、滤波器29、开关10、16及18配置于主面91b。
此外，在图2A中虽未图示，但是图1中示出的将各电路元件连接的布线形成于模块基板91的内部、主面91a及91b。另外，上述布线也可以是两端与主面91a、91b以及构成高频模块1A的电路元件中的任一个电路元件接合的接合线，另外，也可以是形成于构成高频模块1A的电路元件的表面的端子、电极或布线。
另外，多个外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1A经由多个外部连接端子150来与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。如图2A的(b)所示，多个外部连接端子中包括天线连接端子100和接收输出端子110。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b不配置难以降低高度的匹配电路31、33及36，而是配置容易降低高度的低噪声放大器42及46，因此能够使高频模块1A整体的高度降低。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，滤波器29配置于主面91b，低噪声放大器42及46、开关10、16及18、以及滤波器29包含于1个半导体IC 50。据此，能够将容易降低高度的开关10、16及18以及滤波器29与低噪声放大器42及46一起在主面91b上一体化，因此能够促进高频模块1A的小型化。
此外，在滤波器29包含于半导体IC 50的情况下，优选的是，滤波器29不是弹性波滤波器，而是LC滤波器。LC滤波器由芯片状的电感器和电容器中的至少一方、或形成于电介质构件的平面电极图案或线圈图案所形成的电感器和电容器中的至少一方构成。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，如图2A的(b)所示，在俯视模块基板91的情况下，滤波器29配置于低噪声放大器42及46与接收输出端子110之间。
据此，低噪声放大器42及46、滤波器29、以及接收输出端子110这样的配置顺序即为接收信号的流动顺序。因此，能够使将它们连接的布线长度短，因此能够降低接收信号的传输损耗。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，滤波器29配置于主面91b，滤波器21、23、25及27配置于主面91a。
也就是说，配置于低噪声放大器42及46的前级的滤波器21、23、25及27与配置于低噪声放大器42及46的后级的滤波器29分开配置于模块基板91的两个面。据此，能够抑制以下情况：滤波器21、23、25及27与滤波器29发生电磁场耦合，由此在低噪声放大器42及46的前后形成不需要的反馈回路，从而低噪声放大器42及46的输出信号发生振荡。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，滤波器29配置于主面91b，匹配电路31、33及36配置于主面91a。
也就是说，配置于低噪声放大器42及46的前级的匹配电路31、33及36与配置于低噪声放大器42及46的后级的滤波器29分开配置于模块基板91的两个面。据此，能够抑制以下情况：匹配电路31、33及36与滤波器29发生电磁场耦合，由此在低噪声放大器42及46的前后形成不需要的反馈回路，从而低噪声放大器42及46的输出信号发生振荡。
此外，期望的是，模块基板91具有多个电介质层层叠而成的多层构造，在该多个电介质层中的至少1个电介质层形成有地电极图案。由此，模块基板91的电磁场屏蔽功能提高。
[3.实施例2所涉及的高频模块1B的电路元件配置结构]
图3A是实施例2所涉及的高频模块1B的平面结构概要图。另外，图3B是实施例2所涉及的高频模块1B的截面结构概要图，具体地说，是图3A的IIIB-IIIB线处的截面图。此外，在图3A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，在图3A的(b)中示出了从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的透视电路元件的配置所得到的图。
实施例2所涉及的高频模块1B用于具体地示出构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
本实施例所涉及的高频模块1B与实施例1所涉及的高频模块1A相比，构成高频模块1B的电路元件的配置结构不同。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1B，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A的相同的方面的说明，以不同的方面为中心进行说明。
如图3A和图3B所示，在本实施例所涉及的高频模块1B中，滤波器21、23、25及27、以及匹配电路31、33及36配置于主面91a。另一方面，低噪声放大器42及46、以及开关10、16及18配置于主面91b。并且，滤波器29配置在主面91a和主面91b中的至少一个主面上以及模块基板91的内部。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，低噪声放大器42及46、以及开关10、16及18包含于1个半导体IC 51。据此，能够将容易降低高度的开关10、16及18与低噪声放大器42及46一起在主面91b上一体化，因此能够促进高频模块1B的小型化。
另外，滤波器29具有配置于主面91a和主面91b中的至少一个主面上的弹性波谐振器、以及由模块基板91内部的平面电极图案或线圈图案形成的电感器和电容器中的至少一方。
据此，能够将滤波器29配置于模块基板91的表面上及内部这双方，因此能够使高频模块1B小型化。另外，能够使用弹性波谐振器、电感器以及电容器来构成滤波器29，因此例如能够通过弹性波谐振器来使通带附近的衰减坡陡峭，并且通过电感器和电容器来在宽频带上使远离通带的频带衰减。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，如图3A的(b)所示，在俯视模块基板91的情况下，滤波器29配置于低噪声放大器42及46与接收输出端子110之间。
据此，低噪声放大器42及46、滤波器29、以及接收输出端子110这样的配置顺序即为接收信号的流动顺序。因此，能够使将它们连接的布线长度短，因此能够降低接收信号的传输损耗。
[4.效果等]
以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：天线连接端子100和接收输出端子110；低噪声放大器42，其能够对从天线连接端子100输入的高频接收信号进行放大；以及滤波器29，其连接于低噪声放大器42的输出端子120与接收输出端子110之间，具有包含高频接收信号的频率的通带。
据此，在低噪声放大器42的后级配置有滤波器29，因此与将所有滤波器功能集中于低噪声放大器42的前级的以往的接收放大电路相比，能够降低噪声系数。
另外，在高频模块1中，也可以是，低噪声放大器42由进行级联连接的多个放大元件构成，滤波器29连接于多个放大元件中的配置于最后级的放大元件的输出端子与接收输出端子110之间。
另外，也可以是，高频模块1还具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a和主面91b；以及多个外部连接端子150，该多个外部连接端子150配置于主面91b，低噪声放大器42配置于主面91b。
另外，在高频模块1A中，也可以是，滤波器29配置于主面91b。
另外，在高频模块1A中，也可以是，滤波器29是包括电感器和电容器中的至少一方的LC滤波器，滤波器29和低噪声放大器42包含于1个半导体IC 50。
另外，在高频模块1B中，也可以是，滤波器29配置在主面91a和主面91b中的至少一个主面上以及模块基板91的内部。
另外，在高频模块1B中，也可以是，滤波器29具有配置在主面91a和主面91b中的至少一个主面上的弹性波谐振器、以及形成于模块基板91的内部的电感器和电容器中的至少一方。
据此，能够将滤波器29配置于模块基板91的表面上和内部这双方，因此能够使高频模块1B小型化。另外，能够使用弹性波谐振器、电感器以及电容器来构成滤波器29，因此例如能够通过弹性波谐振器来使通带附近的衰减坡陡峭，并且通过电感器和电容器来在宽频带上使远离通带的频带衰减。
另外，在高频模块1中，也可以是，接收输出端子110是多个外部连接端子150中的1个，在俯视模块基板91的情况下，滤波器29配置于低噪声放大器42与接收输出端子之间。
据此，低噪声放大器42、滤波器29、以及接收输出端子110这样的配置顺序即为接收信号的流动顺序。因此，能够使将它们连接的布线长度短，因此能够降低接收信号的传输损耗。
另外，也可以是，高频模块1还具备滤波器21，该滤波器21连接于天线连接端子100与低噪声放大器42的输入端子121之间，具有包含高频接收信号的频率的通带。
据此，能够抑制在低噪声放大器42中产生的信号失真。
另外，在高频模块1中，也可以是，滤波器21配置于主面91a和主面91b中的与配置有滤波器29的主面不同的主面。
据此，能够抑制以下情况：滤波器21与滤波器29发生电磁场耦合，由此在低噪声放大器42的前后形成不需要的反馈回路，从而低噪声放大器42的输出信号发生振荡。
另外，也可以是，高频模块1还具备匹配电路31，该匹配电路31连接于滤波器21与低噪声放大器42的输入端子121之间，取得滤波器21与低噪声放大器42的阻抗匹配。
另外，在高频模块1中，也可以是，匹配电路31配置于主面91a和主面91b中的与配置有滤波器29的主面不同的主面。
据此，能够抑制以下情况：匹配电路31与滤波器29发生电磁场耦合，由此在低噪声放大器42的前后形成不需要的反馈回路，从而低噪声放大器42的输出信号发生振荡。
另外，通信装置4具备：天线2；RFIC 3，其对利用天线2接收的高频信号进行处理；以及高频模块1，其在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。
由此，能够提供一种包括具有良好的噪声系数的接收放大电路的通信装置4。
(其它实施方式等)
以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举了实施方式及实施例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式及实施例。将上述实施方式及实施例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及实施例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述实施方式及实施例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图所公开的将各电路元件和信号路径连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本实用新型作为包括被要求低的噪声系数的接收放大电路的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (13)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
信号输入端子和信号输出端子；
低噪声放大器，其能够对从所述信号输入端子输入的高频接收信号进行放大；以及
第一滤波器，其连接于所述低噪声放大器的输出端子与所述信号输出端子之间，具有包含所述高频接收信号的频率的通带。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述低噪声放大器由进行级联连接的多个放大元件构成，
所述第一滤波器连接于所述多个放大元件中的配置于最后级的放大元件的输出端子与所述信号输出端子之间。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，还具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；以及
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述第二主面，
所述低噪声放大器配置于所述第二主面。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述第一滤波器配置于所述第二主面。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
所述第一滤波器是包括电感器和电容器中的至少一方的LC滤波器，
所述第一滤波器和所述低噪声放大器包含于1个半导体集成电路。
6.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述第一滤波器配置在所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上以及所述模块基板的内部。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
所述第一滤波器具有：
弹性波谐振器，其配置在所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上；以及
形成于所述模块基板的内部的电感器和电容器中的至少一方。
8.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述信号输出端子是所述多个外部连接端子中的1个，
在俯视所述模块基板的情况下，所述第一滤波器配置于所述低噪声放大器与所述信号输出端子之间。
9.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备第二滤波器，该第二滤波器连接于所述信号输入端子与所述低噪声放大器的输入端子之间，具有包含所述高频接收信号的频率的通带。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的与配置有所述第一滤波器的主面不同的主面。
11.根据权利要求9或10所述的高频模块，其特征在于，
还具备匹配电路，该匹配电路连接于所述第二滤波器与所述低噪声放大器的输入端子之间，取得所述第二滤波器与所述低噪声放大器的阻抗匹配。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配电路配置于所述第一主面和所述第二主面中的与配置有所述第一滤波器的主面不同的主面。
13.一种通信装置，其特征在于，具备：
天线；
射频信号处理电路，其对利用所述天线接收的高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
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