CN215496651U - 一种磷扩散硅舟 - Google Patents

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徐爱民
顾标琴
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Jiangsu Yangjierunao Semiconductor Co ltd
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Jiangsu Yangjierunao Semiconductor Co ltd
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Abstract

本实用新型属于半导体制作设备技术领域,尤其涉及一种磷扩散硅舟。其包括舟本体,沿舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽,卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,槽一和槽二用于放置相背而立的硅片,槽一和槽二间距设置为d,两相邻卡槽间距设置为D,D大于d。本实用新型用于解决磷扩散效率低的问题。由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽中的槽一和槽二的间距设置为小于两相邻卡槽的间距,而槽一和槽二中相背放置了两阳极面相对的硅片,减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力,同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率。

Description

一种磷扩散硅舟
技术领域
本实用新型属于半导体制作设备技术领域,尤其涉及一种磷扩散硅舟。
背景技术
目前大部分的磷扩散采用的是液态的三氯氧磷作为N型的扩散源,由氮气携带从源瓶中进入到高温扩散系统中,为确保进气口与出气口磷扩散浓度的均匀性,通常会用到硅舟承载硅片送入扩散系统中去。
如图1所示,目前的硅舟为帮开槽,其表面均匀间隔开设有放置硅片的凹槽,两相邻凹槽之间的间距在4.8mm左右,以确保扩散效果,采用此种硅舟进行承载硅片扩散时,一炉次产能为100片左右。
由于磷扩散时,硅片阴极面需要扩磷,则此面需要相应的空间,而现有硅舟的设计导致在使用时每次炉产仅为100片左右,效率低下。
实用新型内容
本申请实施例要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种磷扩散硅舟,用于解决磷扩散效率低的问题。
本申请实施例解决上述技术问题的技术方案如下:一种磷扩散硅舟,其包括:
舟本体,沿所述舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽;
所述卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,所述槽一和槽二用于放置相背而立的硅片;
所述槽一和槽二间距设置为d,两相邻所述卡槽间距设置为D,所述D大于所述d。
相较于现有技术,以上技术方案具有如下有益效果:
由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽中的槽一和槽二的间距设置为小于两相邻卡槽的间距,而槽一和槽二中相背放置了两硅片用于磷扩散,相背放置的两片硅片阳极面相对,进而减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力,同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率。
进一步地,所述槽一与槽二的间距不大于所述硅片厚度的两倍。
将槽一和槽二的间距设置为小于硅片厚度的两倍,是为根据不同厚度的硅片,设置槽一和槽二的最大间隔距离,用于控制两相背硅片的间距。
进一步地,所述槽一和槽二的间距不小于所述硅片的厚度。
将槽一和槽二的间距设置为一片硅片厚度,确保减小槽一和槽二中两硅片的间距的同时,使得两硅片保持分离状态,避免槽一槽二靠的过近,导致槽一和槽二中硅片在扩散后出现粘连现象。
进一步地,两相邻所述卡槽间距不小于硅片厚度的四倍。
将卡槽之间间距设置为硅片厚度的四倍以上,确保硅片在扩散时,两组硅片之间距离能够保证硅片的阴极面有足够的空间接触扩散源,使得扩散源均匀附着其上,保证扩散效果。
进一步地,所述舟本体上间隔开设有减重孔。
通过在舟本体上开设减重孔,减轻硅舟整体的重量。
进一步地,所述槽一及槽二的槽口设置有圆倒角。
在槽一和槽二的槽口设置圆倒角,减少硅片放入和取出槽一槽二中时划伤硅片表面。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中硅舟结构示意图。
图2为本实用新型具体实施例的俯视结构示意图。
图3为图2中A-A向剖视结构示意图。
附图标记:
1、舟本体;
2、卡槽;3、槽一;4、槽二;
5、圆倒角;
6、减重孔。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
需要注意的是,除非另有说明,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例
如图2、3所示,本实用新型实施例所提供的一种磷扩散硅舟,其包括:舟本体1,沿所述舟本体1轴向间隔开设有若干组卡槽2,所述卡槽2包括间隔设置的槽一3和槽二4,所述槽一3和槽二4用于放置相背而立的硅片,相背设置的两硅片相对的背面即阳极面不用进行磷扩散,所述槽一3和槽二4间距设置为d,两相邻所述卡槽2间距设置为D,所述D大于所述d。
由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽2中的槽一3和槽二4的间距设置为小于两相邻卡槽2的间距,而槽一3和槽二4中相背放置了两硅片用于磷扩散,相背放置的两片硅片阳极面相对,进而减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率,本实施例中,所述硅舟长度相较于现有技术中硅舟长度可缩减至一半左右,使得每炉次产量提高至200片左右,极大提高了磷扩散效率。
所述槽一3与槽二4的间距不大于所述硅片厚度的两倍,例如放置厚度为1mm厚的硅片时,槽一3和槽二4的宽度同样为与硅片厚度一致的1mm,而槽一3与槽二4的间距最大为2mm。
将槽一3和槽二4的间距设置为小于硅片厚度的两倍,是为根据不同厚度的硅片,设置槽一3和槽二4的最大间隔距离,用于控制两相背硅片的间距。
进一步地,所述槽一3和槽二4的间距不小于所述硅片的厚度。
将槽一3和槽二4的间距设置为一片硅片厚度,确保减小槽一3和槽二4中两硅片的间距的同时,使得两硅片保持分离状态,避免槽一3槽二4靠的过近,导致槽一3和槽二4中硅片在扩散后出现粘连现象。
进一步地,两相邻所述卡槽2间距不小于硅片厚度的四倍,当硅片厚度为1mm时,将卡槽2间距设置为4mm至6mm之间,确保该间距最小设置为硅片厚度四倍的4mm左右,进而能够保证硅片待附着扩散源的表面之间具有合适的空间,将卡槽2之间间距设置为硅片厚度的四倍以上,确保硅片在扩散时,两组硅片之间距离能够保证硅片的阴极面有足够的空间接触扩散源,使得扩散源均匀附着其上,保证扩散效果。
本实施例中,如图2所示,所述舟本体1上间隔开设有减重孔6,通过在舟本体1上开设减重孔6,减轻硅舟整体的重量。
本实施例中,所述槽一3及槽二4的槽口设置有圆倒角5,在槽一3和槽二4的槽口设置圆倒角5,减少硅片放入和取出槽一3槽二4中时划伤硅片表面。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种磷扩散硅舟,其特征在于,包括:
舟本体,沿所述舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽;
所述卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,所述槽一和槽二用于放置相背而立的硅片;
所述槽一和槽二间距设置为d,两相邻所述卡槽间距设置为D,所述D大于所述d。
2.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟,其特征在于,所述槽一与槽二的间距不大于所述硅片厚度的两倍。
3.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟,其特征在于,所述槽一和槽二的间距不小于所述硅片的厚度。
4.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟,其特征在于,两相邻所述卡槽间距不小于硅片厚度的四倍。
5.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟,其特征在于,所述舟本体上间隔开设有减重孔。
6.根据权利要求1所述的磷扩散硅舟,其特征在于,所述槽一及槽二的槽口设置有圆倒角。
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