CN215418182U

CN215418182U - 一种显示面板及显示装置

Info

Publication number: CN215418182U
Application number: CN202023291572.XU
Authority: CN
Inventors: 何水; 安平; 匡娅祺
Original assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2020-12-30
Filing date: 2020-12-30
Publication date: 2022-01-04
Anticipated expiration: 2030-12-30

Abstract

本实用新型实施例公开一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含氧化物半导体；第二有源层位于所述第一有源层背离衬底基板的一侧；第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，且位于第二栅极与第二有源层之间，第二绝缘层位于第二有源层朝向衬底基板的一侧，第一绝缘层中的氢元素的浓度大于第二绝缘层中的氢元素的浓度。以实现提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好的效果。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板由于同时具备自发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、可用于挠曲性面板等优点，广泛受到人们的喜爱。

OLED显示面板的OLED元件属于电流驱动型元件，需要设置相应的像素电路以及驱动电路，驱动电路为像素电路提供驱动信号，以使像素电路为OLED元件提供驱动电流，驱动OLED元件发光。OLED显示面板的驱动电路和像素电路中设置有晶体管。晶体管常使用氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)作为有源层，来减小晶体管中的漏流。然而现有技术中IGZO晶体管的稳定性较差，进而影响驱动电路和/或像素电路的影响。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种显示面板及显示装置，以实现提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好的效果。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧，其中，

所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度；

所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括第一晶体管或者所述驱动电路包括第一晶体管。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面所述的显示面板。

本实用新型实施例提供的显示面板包括第一晶体和第二晶体管，第一晶体管的第一有源层包含硅，第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，第二绝缘层位于第二有源层靠近衬底基板的一侧，通过设置第一绝缘层的氢元素的浓度大于第二绝缘层的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层中的缺陷；通过第二绝缘层的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层，避免对第二有源层造成影响，提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图7是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图8是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图9是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图10是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图11是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图12是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图13是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图14是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

图1是一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板100包括在衬底基板10上形成的至少两种类型的晶体管。至少两种类型的晶体管包括硅，可选为多晶硅，例如，为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)材料作为有源层的晶体管20以及氧化物半导体材料作为有源层的晶体管30。

低温多晶硅晶体管具有载流子迁移率高、响应快、和功耗小等的优点，氧化物半导体晶体管具有漏流小的优点，所以当显示面板100同时包括LTPS材料作为有源层21的晶体管20以及氧化物半导体材料作为有源层31的晶体管30时，可以保证显示面板100具有较佳的性能。

然而，低温多晶硅材料具有较多的缺陷，所以可通过增加有源层21背离衬底基板10一侧的绝缘层48的氢元素的浓度以降低缺陷。但是，由于氧化物半导体材料对氢元素非常敏感，所以在设置有源层31两侧的绝缘层40和41时，绝缘层40和41选用不含氢元素的材料，例如可以为氧化硅。但是经过实用新型人研究发现，氧化硅成膜后可能存在一些氧原子的键呈悬空状态，从而形成缺陷，对于晶体管30中的载流子产生捕获等影响，进而影响晶体管30的稳定性。

基于上述技术问题，实用新型人进一步研究出本实用新型实施例的技术方案。具体的，本实用新型实施例提供一种显示面板，衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含氧化物半导体；第二有源层位于第一有源层背离衬底基板的一侧；

第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，且位于第二栅极与第二有源层之间，第二绝缘层位于第二有源层朝向衬底基板的一侧，其中，

第一绝缘层中的氢元素的浓度大于第二绝缘层中的氢元素的浓度；

显示面板包括像素电路和为像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，驱动电路包括第二晶体管，且像素电路包括第一晶体管或者驱动电路包括第一晶体管。其中，本申请中所限定的浓度，如无特别要求，则均为原子浓度，即每单位面积内的原子含量。

采用上述技术方案，通过设置第一绝缘层和第二绝缘层均含少量的氢，且第一绝缘层的氢元素的浓度大于第二绝缘层的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层中的缺陷；通过第二绝缘层的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层，造成第二晶体管导电化，提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好。

以上是本实用新型的核心思想，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图2是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图2所示，本实用新型实施例提供的显示面板100包括衬底基板10；第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20与第二晶体管30形成于衬底基板10上，第一晶体管20包括第一有源层21、第一栅极22、第一源极23和第一漏极24，第一有源层21包含硅；第二晶体管30包括第二有源层31、第二栅极32、第二源极33和第二漏极34，第二有源层31包含氧化物半导体；第二有源层31位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧；第一绝缘层40和第二绝缘层41，第一绝缘层40位于第二有源层31背离衬底基板10的一侧，且位于第二栅极32与第二有源层31之间，第二绝缘层41位于第二有源层31朝向衬底基板10的一侧，其中，第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素的浓度；显示面板100包括像素电路(图2中未示出)和为像素电路提供驱动信号的驱动电路50，其中，驱动电路50包括至少一个第二晶体管30，图2以驱动电路50同时包括第一晶体管20和第二晶体管30为例进行说明。

示例性的，如图2所示，显示面板100包括显示区AA和非显示区NAA，非显示区NAA位于显示区AA的至少一侧，图2以非显示区NAA位于显示区AA一侧为例进行说明，其中，驱动电路50位于非显示区NAA中，通过驱动电路50为显示区AA中的像素电路(图2中未示出)提供驱动信号，以使像素电路驱动与其位于同一子像素的发光元件发光，实现显示面板100的显示。需要说明的是，本实施例不对驱动电路50和像素电路的具体结构进行限定。

需要说明的是，本申请中，第一晶体管20和第二晶体管30可以为驱动电路中的晶体管，即驱动电路50包括第一晶体管20或者第二晶体管30；此外，第一晶体管20和第二晶体管30可以为像素电路中的晶体管，即像素电路包括第一晶体管20或者第二晶体管30，如第二晶体管30位于像素电路中，其可以为驱动晶体管，也可以为开关晶体管。

示例性的，如图2所示，驱动电路50包括第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20可以为底栅晶体管，也可以为顶栅晶体管，图2以第一晶体管20为顶栅晶体管为例，即第一栅极22位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧。第二绝缘层41位于第一栅极22背离衬底基板10的一侧，第二有源层31位于第二绝缘层41背离衬底基板10一侧，第一绝缘层40位于第二有源层背离衬底基板10的一侧，第二栅极32位于第一绝缘层40背离衬底基板10的一侧，第一源极23、第一漏极24、第二源极33和第二漏极34均位于第二栅极32背离衬底基板10的一侧，且与第二栅极32绝缘设置，其中，第一源极23、第一漏极24、第二源极33和第二漏极34同层设置，如此可以简化工艺步骤。此外，第一晶体管20中的第一有源层21包含硅，可选为多晶硅，即第一有源层21为多晶硅有源层，例如，为低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)有源层。第二晶体管30中的第二有源层31包括氧化物半导体，即第二有源层31为氧化物半导体有源层，例如，为IGZO有源层。低温多晶硅薄膜晶体管具有载流子迁移率高、响应快、和功耗小等的优点，氧化物半导体薄膜晶体管具有漏流小的优点，如此，当驱动电路50包括第一晶体管20和第二晶体管30时，得驱动电路50兼顾载流子迁移率高、响应快、功耗小和漏流小等优点，保证驱动电路50性能良好，提升显示面板100的显示性能。

进一步的，考虑到第一绝缘层40是位于第二栅极32与第二有源层31之间的绝缘层，其中，第一绝缘层40的材料一般为氧化硅，但是氧化硅成膜后可能存在一些氧原子的键呈悬空状态，从而形成缺陷，对第二晶体管30中的载流子产生捕获等影响，进而影响第二晶体管30的稳定性。本实施例通过设置第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素的浓度，一方面，通过第一绝缘层40的氢元素的浓度适当增加，修复第一绝缘层40中的缺陷，防止第一绝缘层40中的缺陷对第二晶体管30中的载流子产生捕获等影响，且提升第一绝缘层40的耐压性能；另一方面，通过第二绝缘层41的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素过多，进而扩散至第二有源层31，造成第二有源层31导电化，如此提升了第二晶体管30的稳定性，进一步保证驱动电路50性能良好。

需要说明的是，第一绝缘层40位于第二有源层32背离衬底基板10的一侧，且位于第二栅极32与第二有源层31之间，第二绝缘层41位于第二有源层31朝向衬底基板10的一侧中，可以是第一绝缘层40和第二绝缘层41与第二有源层31接触设置，例如参见图1；也可以是第一绝缘层40和/或第二绝缘层41不直接与第二有源层31接触，即在不影响第二晶体管30性能的前提下，在第一绝缘层40和第二有源层31之间设置有其他绝缘层，和/或，在第二绝缘层41和第二有源层31之间设置有其他绝缘层，本实施例对此不进行具体限定。

可选的，第一绝缘层40中的氢元素的浓度为C1，第二绝缘层41中的氢元素的浓度为C2，其中，C1＝n×C2，1＜n＜5。通过设置第一绝缘层40中的氢元素的浓度和第二绝缘层41中的氢元素的浓度满足此关系，保证第二晶体管30的稳定性。

可选的，第一绝缘层40中的氢元素的浓度为C1，则2×10²¹(atom/cm³)≤C1≤1×10²²(atom/cm³)。将第一绝缘层40的氢元素的浓度设置为2×10²¹(atom/cm³)到1×10²²(atom/cm³)之间，即不会因为第一绝缘层40中的氢元素的浓度过小不能对其内部的缺陷进行修复，也不会因为第一绝缘层40中的氢元素的浓度过大扩散至第二有源层31造成第二有源层31导电化，影响第二晶体管30的性能，因此，本实施例较佳的设置第一绝缘层40中的氢元素的浓度C1为2×10²¹(atom/cm³)≤C1≤1×10²²(atom/cm³)，以在对其内部的缺陷进行修复的同时，不会造成第二有源层31导电化，提升第二晶体管30的稳定性。

可选的，继续参见图2，本实用新型实施例提供的显示面板100还包括第三绝缘层42，第三绝缘层42位于第二栅极32背离衬底基板10的一侧；其中，第三绝缘层42中的氢元素的浓度小于第一绝缘层40中的氢元素的浓度。

由于第二晶体管30对氢元素是非常敏感的，上述内容已经提到第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素浓度，但是第一绝缘层40中的氢元素仅用于对第一绝缘层40中的缺陷进行修复，防止缺陷对晶体管中的载流子产生捕获等影响，其浓度是非常少的。本实施例通过设置第二栅极32背离衬底基板10的一侧的第三绝缘层42中的氢元素的浓度小于第一绝缘层40中的氢元素的浓度，即第三绝缘层42中的氢元素的浓度更少，如此，通过第三绝缘层42对第二晶体管30提供保护，避免过多的氢元素进入第二晶体管30内部，影响第二晶体管30的性能。

可选的，第一绝缘层40中的氢元素的浓度为C1，第二绝缘层41中的氢元素的浓度为C2，第三绝缘层42中的氢元素的浓度为C3，其中，C1≤2C2-C3。

沿垂直于衬底基板110的方向，第一绝缘层40和第二绝缘层41分别位于第二晶体管30的第二栅极32的两侧，即第一绝缘层40和第二绝缘层41均为栅极绝缘层，膜后可能存在一些氧原子的键呈悬空状态，从而形成缺陷，对第二晶体管30产生影响。所以本实施例中通过设置C1≤2C2-C3，即C1-C2≤C2-C3，也就是说，虽然第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素的浓度，但是第一绝缘层40中的氢元素的浓度和第二绝缘层41中的氢元素的浓度的差值较小，如此，通过第一绝缘层40的氢元素修复其内部的缺陷，通过第二绝缘层41的氢元素修复其内部的缺陷，提升第二晶体管30的稳定性；同时在第二绝缘层41中的氢元素的浓度小于第一绝缘层40中的氢元素的浓度的基础上，第二绝缘层41中的氢元素的浓度减去第三绝缘层42中的氢元素的浓度仍然大于第一绝缘层40中的氢元素的浓度和第二绝缘层41中的氢元素的浓度的差值，由此表明第三绝缘层42的氢含量更低，如此，通过第三绝缘层42对第二晶体管30提供保护，避免过多的氢元素进入第二晶体管30内部，影响第二晶体管30的性能。

可选的，图3是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图3所示，像素电路60包括第三晶体管70，第三晶体管70包括第三有源层71、第三源极73、第三漏极74以及第四栅极72，第三有源层73包含氧化物半导体；显示面板100还包括第四绝缘层43和第五绝缘层44，第四绝缘层43位于第三有源层71背离衬底基板10的一侧，且位于第三有源层73与第四栅极72之间，第五绝缘层44位于第三有源层71朝向衬底基板10的一侧；其中，第四绝缘层43中的氢元素的浓度大于第五绝缘层44中的氢元素的浓度。

示例性的，如图3所示，显示面板100包括显示区AA和非显示区NAA，驱动电路50位于非显示区NAA中，像素电路60位于显示区AA中。像素电路60包括第三晶体管70，第三晶体管70中的第三有源层71包括氧化物半导体，即第三有源层71为氧化物半导体有源层，例如，为IGZO有源层。氧化物半导体薄膜晶体管漏流很小，可以保证像素电路60工作工程中漏流较小，即本实施例中不仅设置驱动电路50中的第二晶体管30为氧化物半导体晶体管，同时设置像素电路70中的第三晶体管70为氧化物半导体晶体管，如此，同时保证驱动电路50和像素电路30性能良好，进一步提升显示面板100的显示性能。

进一步的，本实施例通过设置第四绝缘层43中的氢元素的浓度大于第五绝缘层44中的氢元素的浓度，一方面，通过第四绝缘层43的氢元素的浓度适当增加，修复第四绝缘层43中的缺陷；另一方面，通过第五绝缘层44的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第三有源层71，造成第三有源层71导电化，提升第三晶体管70的稳定性，保证像素电路60性能良好。

需要说明的是，第四绝缘层43可以与第一绝缘层40同层设置，以及第五绝缘层44与第二绝缘层41同层设置；或者第四绝缘层43不与第一绝缘层40同层设置，以及第五绝缘层44不与第二绝缘层41同层设置，其中，图3以第四绝缘层43与第一绝缘层40同层设置，第五绝缘层44与第二绝缘层41同层设置为例进行的说明。此外，本实施例通过将第三晶体管70中的第三源极73和第三漏极74与第二晶体管30中的第二源极33和第二漏极34以及第一晶体管20中的第一源极23和第一漏极24同层设置，可以简化工艺步骤，提高显示面板的制备效率。

可选的，第三晶体管70为像素电路60的开关晶体管，第一绝缘层41中的氢元素的浓度大于第四绝缘层43中的氢元素的浓度，即驱动电路50中的第二晶体管30的栅极绝缘层的氢元素的浓度大于像素电路70中的第三晶体管70的栅极绝缘层的氢元素的浓度。这是因为氧化物半导体晶体管的栅极绝缘层中的氢元素的浓度会影响氧化物半导体晶体管在开启和关断时的状态，而当氧化物半导体晶体管作为N型晶体管使用时，当栅极绝缘层中的氢元素浓度较大时，当晶体管的栅极接收高电平信号，即晶体管开启时，有益于晶体管的稳定性，而当晶体管的栅极接收低电平信号，即晶体管关断时，不益于晶体管的稳定性；而显示面板100可能会应用于低频刷新的情形中，低频刷新时，像素电路60中的开关晶体管保持关断的时间较长，因此，本实施例设置像素电路60的开关晶体管中的栅极绝缘层中的氢元素浓度小一些，而驱动电路50中的晶体管的开启时间较长，因此，设置驱动电路50中的第二晶体管30的栅极绝缘层中氢元素的浓度大一些。

需要说明的是，当第一绝缘层40和第四绝缘层43位于同一膜层时，例如可以采用离子注入工艺分别为第一绝缘层40和第四绝缘层43注入不同浓度的氢元素，使得第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第四绝缘层43中的氢元素的浓度。

可选的，第三晶体管70为像素电路60的驱动晶体管，第一绝缘层40中的氢元素的浓度小于第四绝缘层43中的氢元素的浓度。即驱动电路50中的第二晶体管30的栅极绝缘层的氢元素的浓度小于像素电路70中的第三晶体管70的栅极绝缘层的氢元素的浓度。同样，由于氧化物半导体晶体管的栅极绝缘层中的氢元素的浓度会影响氧化物半导体晶体管在开启和关断时的状态，而当氧化物半导体晶体管作为N型晶体管使用时，当栅极绝缘层中的氢元素浓度较大时，当晶体管的栅极接收高电平信号，即晶体管开启时，有益于晶体管的稳定性，而当晶体管的栅极接收低电平信号，即晶体管关断时，不益于晶体管的稳定性；而显示面板100可能会应用于低频刷新的情形中，低频刷新时，像素电路60中的驱动晶体管保持开启的时间较长，为了保证好的稳定性，因此，本实施例设置像素电路60的驱动晶体管中的栅极绝缘层中的氢元素浓度大一些。

可选的，图4是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图4所示，像素电路60包括第四晶体管80，第四晶体管80包括第四有源层81、第四源极83、第四漏极84以及第五栅极85，第四有源层81包含氧化物半导体；显示面板100还包括第六绝缘层45和第七绝缘层46，第六绝缘层45位于第四有源层81背离衬底基板10的一侧，且位于第四有源层81与第五栅极85之间，第七绝缘层46位于第四有源层81朝向衬底基板10的一侧；其中，第六绝缘层45中的氢元素的浓度大于第七绝缘层46中的氢元素的浓度。

需要说明的是，本实用新型实施例提供的像素电路60中，可以包括两个晶体管(2T)，或者包括七个晶体管(7T)等，本实用新型实施例对像素电路60的具体结构不进行限定，图4仅示例性地示出了两个晶体管。

具体的，像素电路60还包括第四晶体管80，且第四晶体管80中的第四有源层81也可以为氧化物半导体有源层，例如，为IGZO有源层。即本实施例中的像素电路60中的两个晶体管均为氧化物半导体晶体管。此外，本实施例通过设置第六绝缘层45中的氢元素的浓度大于第七绝缘层46中的氢元素的浓度，一方面，通过第六绝缘层45的氢元素的浓度适当增加，修复其内部的缺陷；另一方面，通过第七绝缘层46的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第四有源层81，造成第四有源层81导电化，提升第四晶体管80的稳定性，进一步保证像素电路60性能良好。

需要说明的是，第六绝缘层45、第四绝缘层43和第一绝缘层40可以位于同一膜层，也可以分别位于不同膜层，还可以任意两个绝缘层位于同一膜层；同样，第七绝缘层46、第五绝缘层44和第二绝缘层41可以位于同一膜层，也可以分别位于不同膜层，还可以任意两个绝缘层位于同一膜层。其中，图4以第六绝缘层45、第四绝缘层43与第一绝缘层40同层设置，第七绝缘层46、第五绝缘层44与第二绝缘层41同层设置为例进行的说明。此外，本实施例通过将第四晶体管80中的第四源极83和第四漏极84、第三晶体管70中的第三源极73和第三漏极74、第二晶体管30中的第二源极33和第二漏极34以及第一晶体管20中的第一源极23和第一漏极24同层设置，可以简化工艺步骤，提高显示面板的制备效率。

可选的，第三晶体管70为像素电路60的驱动晶体管，第四晶体管80为像素电路60的开关晶体管，其中，第四绝缘层43中的氢元素的浓度大于第六绝缘层45中的氢元素的浓度。这是因为显示面板100可能会应用于低频刷新的情形中，低频刷新时，像素电路60中的驱动晶体管保持开启的时间较长，因此，本实施例设置像素电路60的驱动晶体管中的栅极绝缘层中的氢元素浓度大一些，有利于第三晶体管70的稳定性。

需要说明的是，当第六绝缘层45和第四绝缘层43位于同一膜层时，例如可以通采用离子注入工艺分别为第六绝缘层45和第四绝缘层43注入不同浓度的氢元素，使得第四绝缘层43中的氢元素的浓度大于第六绝缘层45中的氢元素的浓度。

当显示面板100中的晶体管的有源层包括氧化物半导体时，还可通过设置该有源层附近的绝缘层中氢元素的浓度是渐变的，使得包括氧化物半导体有源层的晶体管保持良好的稳定性。下面将以第二晶体管30为例，对第二有源层31附近的绝缘层中氢元素浓度的变化进行说明。可以理解的是，虽然以第二晶体管30为例，但是当像素电路60中的第三晶体管70包括氧化物半导体有源层的晶体管，以及第四晶体管80包括氧化物半导体有源层的晶体管时，第三有源层71附近的绝缘层以及第四有源层81附近的绝缘层仍然满足这样的关系，下述实施例不再赘述。

可选的，可继续参见图2，第一绝缘层40中，靠近第二有源层31一侧的氢元素的浓度小于远离第二有源层31一侧的氢元素的浓度；第二绝缘层41中，靠近第二有源层31一侧的氢元素的浓度小于远离第二有源层31一侧的氢元素的浓度。这样设置的好处在于，既可以通过氢元素修复第一绝缘层40和第二绝缘层41内部的缺陷，防止缺陷对第二晶体管30中的载流子产生捕获等影响，同时还可以避免第一绝缘层40和第二绝缘层41中的氢元素扩散至第二有源层31，保证第二有源层31不会受到较多氢元素的影响。

可选的，第三绝缘层42中，靠近第二栅极32一侧的氢元素的浓度小于远离第二栅极32一侧的氢元素的浓度。即通过靠近第二栅极32的第三绝缘层42中更靠近第二栅极32的一侧的氢元素的浓度更低，以保证第二晶体管30具有良好的性能。

可选的，继续参见图2，本实用新型实施例提供的显示面板100还包括第八绝缘层47，第八绝缘层47位于第一栅极22和第二绝缘层41之间，第八绝缘层47中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素的浓度。如此，即可以确保氢元素对第一有源层21中的缺陷进行修复，同时可以防止氢元素扩散到第二有源层31，对第二有源层31产生影响。在此方案的基础上，可选的，图5是本实用新型实施例提供的显示面板100还包括第九绝缘层48，第九绝缘层48位于第二绝缘层41和第八绝缘层47之间，其中，第九绝缘层48的氢元素的浓度小于第八绝缘层47中的氢元素的浓度，本实施例中，通过设置第九绝缘层48作为过渡绝缘层，即第九绝缘层48、第八绝缘层47和第二绝缘层41的氢元素的浓度逐渐降低，即可以确保氢元素对第一有源层21中的缺陷进行修复，同时可以防止氢元素扩散到第二有源层31，对第二有源层31产生影响。可选的，沿第一有源层21指向第二有源层31的方向，第八绝缘层47和第九绝缘层48中的氢元素的浓度均成梯度下降，且第九绝缘层48靠近第八绝缘层47一侧的氢元素的浓度小于第八绝缘层47靠近第九绝缘层48一侧的氢元素的浓度。

以上是通过沿垂直于衬底基板10的方向上，同一绝缘层中氢元素的浓度是渐变的情况进行的说明。在其他可选实施例中，还可以设置为多层绝缘层，每层绝缘层的浓度相同，相邻绝缘层中氢元素的浓度不同，达到渐变的效果。例如，图6是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图6所示，第一绝缘层40包括第一子绝缘层401和第二子绝缘层402，第一子绝缘层401位于第二子绝缘层402靠近第二有源层31的一侧；其中，第一子绝缘层401中的氢元素的浓度相同，第二子绝缘层402中的氢元素的浓度相同，但第一子绝缘层401的氢元素的浓度小于第二子绝缘层402的氢元素的浓度；且第一子绝缘层401的氢元素的浓度大于第二绝缘层41的氢元素的浓度。这样设置的好处在于，既可以通过第二子绝缘层402的氢元素修复第一子绝缘层401和第二子绝缘层402内部的缺陷，防止缺陷对第二晶体管30中的载流子产生捕获等影响，同时由于第一子绝缘层401的氢元素的浓度较低可以避免氢元素扩散至第二有源层31，保证第二有源层31不会受到氢元素的影响。且第一子绝缘层401的氢元素的浓度大于第二绝缘层41的氢元素的浓度，避免第二绝缘层41的氢元素扩散至第二有源层31，进一步保证第二有源层31不会受到氢元素的影响。需要说明的是，其他绝缘层也可这样设置，其他膜层不再具体说明。

下面将具体介绍通过调节绝缘层中氧元素的浓度或氧原子的数量进一步保证驱动电路和/或像素电路中各晶体管性能良好。

可选的，第一绝缘层40包括氧化硅SiO_X，第二绝缘层41包括氧化硅SiO_y，其中，x为第一绝缘层40中的氧原子数量与硅原子数量之比，y为第二绝缘层41中的氧原子数量与硅原子数量之比，且x＜y。

示例性的，第一绝缘层40和第二绝缘层41的材料均包括氧化硅。但是由于第一绝缘层40为第二栅极32的绝缘层，通过适当增加第一绝缘层40中的氢元素的浓度对其内部的确定进行修复，而第二绝缘层41为靠近第二有源层32的绝缘层，通过适当增加氧元素的浓度，以给第二有源层32提供充分的氧元素，以保证第二晶体管30良好的性能。可选的，第一绝缘层40中的氧元素的浓度小于第二绝缘层41中的氧元素的浓度。

本实施例中，第一绝缘层40中的氧元素的浓度适当降低，氢元素的浓度适当增加，如此，即便第一绝缘层40为氧化硅，且氧化硅在成膜时存在氧原子中有悬空键的情况，形成缺陷，由于第一绝缘层40中的氧元素的浓度较低，存在氧原子中有悬空键的情况较少，即便存在，也可以通过第一绝缘层40中的氢元素修复其内部的缺陷；且第二绝缘层41中的氧元素适当增加，通过第二绝缘层41中的氧元素为第二有源层31提供更多的氧元素，进一步提升第二晶体管30的稳定性。

可选的，第一绝缘层40中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，第二绝缘层41中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B，其中，A＜B。

本实施例中，当第一绝缘层40和第二绝缘层41中均包括氧元素和硅元素时，第一绝缘层40中的氧元素的浓度适当降低，减小存在氧原子中有悬空键的情况；第二绝缘层41中的氧元素适当增加，通过第二绝缘层41中的氧元素为第二有源层31提供更多的氧元素，提升第二晶体管30的稳定性。

可选的，第一绝缘层40中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，第二绝缘层41中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B；第一绝缘层40中的氢元素的浓度为C1，第二绝缘层41中的氢元素的浓度为C2，其中，C1×(A-1)≤C2×(B-1)，即(A-1)/(B-1)≤C2/C1，也就是说，第一绝缘层40和第二绝缘层41中的氧硅比的变化更大，而氢元素的浓度的变化会更小一些，如此，第一绝缘层40中的氧元素的浓度较小，减小存在氧原子中有悬空键的情况；第二绝缘层41中的氧元素适当增加，通过第二绝缘层41中的氧元素为第二有源层31提供更多的氧元素；且通过第一绝缘层40中氧元素的浓度较少，第二绝缘层41中适当增加氧浓度的方式，辅助以第一绝缘层40中在合理的范围内适当增加氢浓度的方式，来综合调控，达到提升第二晶体管30的稳定性的目的。

可选的，第三绝缘层42中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为C，其中，A＜C＜B。通过设置第三绝缘层42中的氧元素的浓度比第一绝缘层40中的氧含量的浓度，对第二晶体管30提供保护。

可选的，第三绝缘层42中的氢元素的浓度为C3，其中，C2×(C-1)≥C3×(B-1)，即(C-1)/(B-1)≥C3/C2，也就是说，第三绝缘层42和第二绝缘层41中，相比于氧硅比，氢元素的浓度降低幅度会更大一些，以通过氢浓度很小的第三绝缘层42保护第二晶体管30。

可以理解的是，由于上述示例仅以第二晶体管30附近的第一绝缘层41、第二绝缘层42以及第三绝缘层43中的氧元素的浓度的设置进行说明。但是当显示面板100还包括第三晶体管70和第四晶体管80时，例如继续参见图4，第四绝缘层43、第五绝缘层44以及第四绝缘层43背离第五绝缘层44一侧的绝缘层412也适用于上述规律；以及第六绝缘层45、第七绝缘层46以及第六绝缘层45背离第七绝缘层46一侧的绝缘层411也适用于上述规律。

上述实施例均为当第二晶体管30为顶栅晶体管为例进行的说明。可选的，第二晶体管30还可以为双栅晶体管。当第二晶体管30为双栅晶体管时，除了满足上述实施例中绝缘层中氢元素浓度的规律外，还可以根据双栅晶体管自身的特征进行单独设置。

可选的，图7是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图7所示，第二晶体管30包括第三栅极35，第三栅极35位于第二绝缘层41朝向衬底基板10的一侧，其中，第三绝缘层42中的氢元素的浓度小于或者等于第二绝缘层41中的氢元素的浓度。

具体的，第二晶体管30不仅包括第二栅极32，还包括第三栅极35，即第二晶体管30为双栅晶体管，如此，可以增强第二晶体管30中的载流子的迁移率，增强第二晶体管30的响应能力；基于此可以适当减小第二晶体管30的尺寸，进而减小驱动电路50所在非显示区NAA的面积，实现显示面板100的窄边框化。此外，当第二晶体管30包括第三栅极35时，第二有源层31和第三栅极32之间的第二绝缘层41都会存在一些氧原子的键呈悬空状态，从而形成缺陷，可能对第二晶体管30中的载流子产生捕获等影响，影响第二晶体管30的稳定性。本实施例通过设置第二绝缘层41中的氢元素的浓度大于第三绝缘层42中的氢元素的浓度，一方面，避免第二绝缘层41中的氢元素造成第二有源层31导电化，另一方面，通过适当的氢元素来修复第二绝缘层41内部的缺陷，同时通过第三绝缘层42对第二晶体管30提供保护，进一步提升第二晶体管30的稳定性。

在上述技术方案的基础上，继续参见图7，可选的，第一绝缘层40的厚度H1小于第二绝缘层41的厚度H2。当第二晶体管30为双栅晶体管时，第二栅极32为第二晶体管30的主栅极，第三栅极35为第二晶体管30的辅助栅极，通过设置主栅极对应的第一绝缘层40的厚度小于辅助栅极对应的第二绝缘层41的厚度，以保证主栅极对第二晶体管30的控制能力。

当第二晶体管30为双栅晶体管时，可选的，第一绝缘层40包括氧化硅SiO_X，第二绝缘层41包括氧化硅SiO_y，其中，x为第一绝缘层40中的氧原子数量与硅原子数量之比，y为第二绝缘层41中的氧原子数量与硅原子数量之比，且x＜y。即由于第一绝缘层40为主栅极(第二栅极32)的绝缘层，通过适当增加第一绝缘层40中的氢元素的浓度对其内部的确定进行修复，而第二绝缘层41为辅助栅极(第三栅极35)的绝缘层，通过适当增加氧元素的浓度，以给第二有源层32提供充分的氧元素，以保证第二晶体管30良好的性能。

需要说明的是，图7仅以第二晶体管30为双栅晶体管时，对第一绝缘层40的厚度H1和第二绝缘层41的厚度H2的关系进行了说明以及当第一绝缘层40和第二绝缘层41的材料均为氧化硅时对第一绝缘层40中的氧原子数量与硅原子数量之比以及第二绝缘层41中的氧原子数量与硅原子数量之比进行了限定。可以理解的是，当第三晶体管70为双栅晶体管时，第四绝缘层43和第五绝缘层44也满足上述关系；当第四晶体管80为双栅晶体管时，第六绝缘层45和第七绝缘层46也满足上述关系。

在上述各方案的基础上，可选的，本实用新型实施例中的衬底基板10可以为柔性衬底基板或者刚性衬底基板，本实用新型实施例对此不进行限定。当衬底基板10为柔性衬底时，衬底基板10可以包括聚酰亚胺衬底，保证柔性衬底耐高温性能良好，绝缘性能良好；其中衬底基板10可以包括一层聚酰亚胺衬底或者包括两层聚酰亚胺衬底，本实用新型实施例对此同样不进行限定。当衬底基板10包括一层聚酰亚胺衬底时，衬底基板10膜层结构简单，制备工艺简单，且有利于实现衬底基板10以及整个显示面板轻薄化设计需求。当衬底基板10包括至少两层聚酰亚胺衬底时，聚酰亚胺衬底之间还设置有缓冲层，以增强聚酰亚胺衬底之间的粘附力以及阻挡衬底中的一些杂质对第一有源层21的影响。此外，由于聚酰亚胺衬底一般制备在刚性衬底上，在衬底基板10上制备完成驱动电路50、像素电路以及发光元件等之后，一般采用激光剥离技术剥离去除刚性衬底，在激光剥离去除刚性衬底时可能会损伤聚酰亚胺衬底。因此，当衬底基板10包括至少两个聚酰亚胺衬底时，例如包括第一聚酰亚胺衬底和第二聚酰亚胺衬底，第一聚酰亚胺衬底和第二聚酰亚胺衬底之间设置有第一缓冲层以及第二聚酰亚胺衬底与第一有源层21之间设置有第二缓冲层，第一聚酰亚胺衬底制备在刚性衬底上，驱动电路50和像素电路制备在第二缓冲层上，即使通过激光剥离去除刚性衬底时可能损伤第一聚酰亚胺衬底，但是仍可以保证第二聚酰亚胺衬底的完整性以及第二聚酰亚胺衬底上的第二缓冲层的完整性，保证整个显示面板的完整性。例如参见图8，图8仅以衬底基板10为柔性衬底，衬底基板10包括分别为聚酰亚胺的第一柔性衬底11和第二柔性衬底13以及位于第一柔性衬底11和第二柔性衬底13之间的第一缓冲层12和位于第二柔性衬底13和第一有源层21之间的第二缓冲层14为例。

基于同样的实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示面板。图9是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图9所示，本实用新型实施例提供的显示面板100包括衬底基板10；第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20与第二晶体管30形成于衬底基板10上，第一晶体管20包括第一有源层21、第一栅极22、第一源极23和第一漏极24，第一有源层21包含硅；第二晶体管30包括第二有源层31、第二栅极32、第三栅极35、第二源极33和第二漏极34，第二有源层31包含氧化物半导体；第二有源层31位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧；第一绝缘层40和第二绝缘层41，第一绝缘层40与第二绝缘层41分别位于第二有源层31的两侧，第一绝缘层40位于第二栅极32与第二有源层31之间，第二绝缘层41位于第三栅极35与第二有源层31之间，且第一绝缘层40的厚度小于第二绝缘层41的厚度；其中，第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素的浓度；显示面板100包括像素电路(图9中未示出)和为像素电路提供驱动信号的驱动电路50，其中，驱动电路50包括第二晶体管20，且像素电路包括第一晶体管20或者驱动电路50包括第一晶体管20。其中，图9以驱动电路包括第一晶体管20为例进行说明。

示例性的，继续参见图9，当第二栅极32为第二晶体管30的主栅极，且为第二晶体管30的顶栅时，通过设置主栅极对应的第一绝缘层40的厚度H1小于辅助栅极对应的第二绝缘层41的厚度H2，以保证主栅极对第二晶体管30的控制能力。

示例性的，图10是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图10所示，当第二栅极32为第二晶体管30的主栅极，且为第二晶体管30的底栅时，通过设置主栅极对应的第一绝缘层40的厚度小于辅助栅极对应的第二绝缘层41的厚度，以保证主栅极对第二晶体管30的控制能力。

本实用新型实施例提供的显示面板通过设置第一绝缘层(即主栅极的绝缘层)的氢元素的浓度大于第二绝缘层(辅助栅极的绝缘层)的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层中的缺陷；通过第二绝缘层的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层，造成第二晶体管导电化，提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好；同时通过设置第一绝缘层(即主栅极的绝缘层)的厚度小于第二绝缘层(辅助栅极的绝缘层)的厚度，来保证主栅极对第二晶体管的控制能力。

基于同样的实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示面板。图11是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图11所示，本实用新型实施例提供的显示面板100包括衬底基板10，衬底基板10包括第一区域CC和第二区域DD；第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20与第二晶体管30形成于衬底基板10上，第一晶体管20位于第一区域CC，第二晶体管30位于第二区域DD；第一晶体管20包括第一有源层21、第一栅极22、第一源极23和第一漏极24，第一有源层包含硅，可选为多晶硅，即第一有源层21为多晶硅有源层，例如，为LTPS有源层。第二晶体管30包括第二有源层31、第二栅极32、第二源极33和第二漏极34，第二有源层31包含氧化物半导体，即第二有源层31为氧化物半导体有源层，例如，为IGZO有源层。第二有源层31位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧；第一绝缘层40和第二绝缘层41，第一绝缘层40位于第二有源层31背离衬底基板10的一侧，且位于第二栅极32与第二有源层31之间，第二绝缘层41位于第二有源层31朝向衬底基板10的一侧，其中，第一绝缘层40中的氢元素的浓度大于第二绝缘层41中的氢元素的浓度；显示面板100包括像素电路(图11中未示出)和为像素电路提供驱动信号的驱动电路50，其中，驱动电路50包括至少一个第二晶体管30，图11以驱动电路50同时包括第一晶体管20和第二晶体管30为例进行说明。且第一区域CC中的氢元素的浓度大于第二区域DD中的氢元素的浓度；第二区域DD中的氧元素的浓度大于第一区域CC中的氧元素的浓度。

本实施例中，通过设置第一绝缘层40的氢元素的浓度大于第二绝缘层41的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层40的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层40中的缺陷；通过第二绝缘层41的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层31，造成第二晶体管30导电化，提升第二晶体管30的稳定性，保证驱动电路50性能良好。此外，通过设置包括第一晶体管20的第一区域CC的氢元素的浓度适当增加，以使氢元素对第一有源层21中的缺陷进行修复，使得第一晶体管20的性能良好，同时设置第二区域DD的氢元素的浓度减小，避免过多的氢元素对第二有源层31产生影响，进而影响第二晶体管30的性能；此外通过设置包括第二晶体管30的第二区域DD的氧元素的浓度适当增加，以给第二有源层32提供充分的氧元素，保证第二晶体管30的性能良好。

需要说明的是，图11以第二区域DD中所有的膜层氧元素的浓度均适当增加，以给第二有源层32提供充分的氧元素为例。在其他可选的实施例中还可以仅设置部分膜层，氧元素的浓度均适当增加，以给第二有源层32提供充分的氧元素为例，例如参见图12，仅设置第一绝缘层40和第二绝缘层41的氧元素的浓度均适当增加，以给第二有源层32提供充分的氧元素。也就是说，通过设置第一绝缘层40的氢元素的浓度大于第二绝缘层41的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层40的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层40中的缺陷；通过第二绝缘层41的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层31，造成第二晶体管30导电化，提升第二晶体管30的稳定性，保证驱动电路50性能良好；同时第一绝缘层40和第二绝缘层41的氧元素的浓度均适当增加，以给第二有源层32提供充分的氧元素，进一步保证驱动电路50性能良好。

需要说明的是例如可以采用离子注入工艺即采用离子注入工艺使得不同区域的氢元素浓度不同以及氧元素浓度的不同。

由于可以区域化设置，即包括第二晶体管30的第二区域DD是富氧区，不会因为第一区域CC的氢元素的浓度增加，使氢元素对第二有源层31产生影响，参见图13，所以可以将第二有源层31和第一有源层21设置为同一膜层，第一栅极22和第二栅极32位于同一膜层；如此，可以减小绝缘层的厚度，进而减小显示面板100的厚度。

此外，继续参见图13，第一源极23、第一漏极24、第二源极33以及第二漏极34位于同一膜层，且第一源极23通过第一过孔K1与第一有源层21电连接，第一漏极24通过第二过孔K2与第一有源层21电连接；第二源极33通过第三过孔K3与第二有源层31电连接，第二漏极34通过第四过孔K4与第二有源层31电连接。绝缘层的厚度减小时，所以第一过孔K1、第二过孔K2、第三过孔K3和第四过孔K4的深度减小，如此，避免深打孔，降低打孔难度。

在此方案的基础上，可选的，继续参见图13，第二区域DD还包括第三绝缘层42，第三绝缘层42位于第二栅极32背离衬底基板10的一侧。需要说明的是，在第二区域DD为富氧区的基础上，前述内容中，第一绝缘层40、第二绝缘层41和第三绝缘层42中的氢浓度的关系以及氧浓度的关系均适用于该方案中，在此不再赘述。

基于同样的实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，参照图14，该显示装置1000包括显示面板100。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。

本实用新型实施例提供的显示装置1000可以为图100所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本实用新型实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅有源层；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层为IGZO有源层；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧；其中，

所述第三绝缘层中的氢元素的浓度小于所述第一绝缘层中的氢元素的浓度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第二晶体管包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第二绝缘层朝向所述衬底基板的一侧，其中，

所述第三绝缘层中的氢元素的浓度小于或者等于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中的氢元素的浓度为C1，所述第二绝缘层中的氢元素的浓度为C2，所述第三绝缘层中的氢元素的浓度为C3，其中，

C1≤2C2-C3。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第三绝缘层中，靠近第二栅极一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二栅极一侧的氢元素的浓度。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层包括氧化硅SiO_X，所述第二绝缘层包括氧化硅SiO_y，其中，x为第一绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y为第二绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，且x＜y。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二有源层一侧的氢元素的浓度；

所述第二绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二有源层一侧的氢元素的浓度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素电路包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三源极、第三漏极以及第四栅极，所述第三有源层为IGZO有源层；

所述显示面板还包括第四绝缘层和第五绝缘层，所述第四绝缘层位于所述第三有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第三有源层与所述第四栅极之间，所述第五绝缘层位于所述第三有源层朝向所述衬底基板的一侧；其中，

所述第四绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第五绝缘层中的氢元素的浓度。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

所述第三晶体管为所述像素电路的开关晶体管，且所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第四绝缘层中的氢元素的浓度。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

所述第三晶体管为所述像素电路的驱动晶体管，且所述第一绝缘层中的氢元素的浓度小于所述第四绝缘层中的氢元素的浓度。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，

所述像素电路包括第四晶体管，所述第四晶体管包括第四有源层、第四源极、第四漏极以及第五栅极，所述第四有源层为IGZO有源层；

所述显示面板还包括第六绝缘层和第七绝缘层，所述第六绝缘层位于所述第四有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第四有源层与所述第五栅极之间，所述第七绝缘层位于所述第四有源层朝向所述衬底基板的一侧；其中，

所述第六绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第七绝缘层中的氢元素的浓度。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第三晶体管为所述像素电路的驱动晶体管，所述第四晶体管为所述像素电路的开关晶体管，其中，

所述第四绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第六绝缘层中的氢元素的浓度。

14.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中的氧元素的浓度小于所述第二绝缘层中的氧元素的浓度。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，所述第二绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B，其中，

A＜B。

16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，所述第二绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B；

所述第一绝缘层中的氢元素的浓度为C1，所述第二绝缘层中的氢元素的浓度为C2，其中，

C1×(A-1)≤C2×(B-1)。

17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，

所述第三绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为C，其中，

A＜C＜B。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，

所述第三绝缘层中的氢元素的浓度为C3，其中，

C2×(C-1)≥C3×(B-1)。

19.一种显示面板，其特征在于，包括

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅有源层；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第三栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层为IGZO有源层；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层分别位于所述第二有源层的两侧，所述第一绝缘层位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第三栅极与所述第二有源层之间，且所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度；其中，

所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括所述第一晶体管或者所述驱动电路包括所述第一晶体管。

20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-19任意一项所述的显示面板。