CN214428630U - 一种小功率可控硅模组 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种小功率可控硅模组,包括至少2个可控硅,可控硅通过SOP或D I P封装工艺封装为一体;通过将可控硅用SOP或D I P封装工艺封装在一起,能够让可控硅模组通过贴片机贴片的方式焊接在电路板上,大大提高了电路板的焊接效率,也能够减小可控硅在电路板上占用的空间大小和连接引脚数量,降低了布线难度,实现了系统的集成,起到了降低成本,提高效率的效果,具有很好的实用性。
Description
技术领域
本实用新型涉及可控硅领域,特别涉及一种小功率可控硅模组。
背景技术
对于小功率的可控硅(2A以下),主要的应用领域主要集中在b0W及b0W以下的调功和调速系统中,如电风扇,空气清新机等,单台机器的使用数量在2-6个;小功率可控硅的封装形式目前主要有TO-92,SOT-23,SOT-223等,但上述封装形式在终端使用上,为了达到安规等一些技术要求,必须对可控硅或线路板进行处理,如整形等,这样不仅操作复杂,而且占用的电路板空间、线路较多,增加了生产成本。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种小功率可控硅模组。
本实用新型的一种实施例解决其技术问题所采用的技术方案是:一种小功率可控硅模组,包括至少2个可控硅芯片,可控硅芯片通过SOP或DIP封装工艺封装为一体。
可控硅芯片设置为最大可通过的电流小于2A的可控硅芯片。
可控硅芯片设置为单向可控硅芯片或双向可控硅芯片。
该模组包括的可控硅芯片的数量设置为2-4个。
该模组包括第一可控硅芯片和第二可控硅芯片,可被封装成SOP-6、DIP-6、SOP-7、DIP-7、SOP-8或DIP-8。
该模组包括第一可控硅芯片、第二可控硅芯片和第三可控硅芯片,可被封装成DIP-8、SOP-a、DIP-a、SOP-12或DIP-12。
该模组第一可控硅芯片、第二可控硅芯片、第三可控硅芯片和第四可控硅芯片,可被封装成DIP-9、DIP-a,、SOP-12、DIP-12、SOP-14或DIP-14。
模组中的可控硅芯片的输入端与触发端均位于模组一侧,模组中的可控硅芯片的输入端为共阴连接,模组中的可控硅芯片的输出端均位于模组的另外一侧。
该模组为SOP封装时,相邻两个可控硅的输出端之间的距离不小于2.54mm。
本实用新型的有益效果:一种小功率可控硅模组,包括至少2个可控硅,可控硅通过SOP或DIP封装工艺封装为一体;通过将可控硅用SOP或DIP封装工艺封装在一起,能够让可控硅模组通过贴片机贴片的方式焊接在电路板上,大大提高了电路板的焊接效率,也能够减小可控硅在电路板上占用的空间大小和连接引脚数量,降低了布线难度,实现了系统的集成,起到了降低成本,提高效率的效果,具有很好的实用性。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为一种小功率可控硅模组的SOP-5/6或DIP-5/6封装形式示意图(5脚悬空或无);
图2为一种小功率可控硅模组的SOP-7或DIP-7封装形式示意图;
图3为一种小功率可控硅模组的SOP-8或DIP-8封装形式示意图(6脚和7脚悬空或无);
图4为一种小功率可控硅模组的SOP-a或DIP-a封装形式示意图(7脚和9脚悬空或无);
图5为一种小功率可控硅模组的SOP-14或DIP-14封装形式示意图(9脚、11脚和13脚悬空或无)。
具体实施方式
本部分将详细描述本实用新型的具体实施例,本实用新型之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本实用新型的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
在本实用新型的描述中,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型中,除非另有明确的限定,“设置”、“安装”、“连接”等词语应做广义理解,例如,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连;可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,还可以是一体成型;可以是机械连接;可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
参照图1至图5,一种小功率可控硅模组,包括至少2个可控硅芯片,可控硅芯片通过SOP或DIP封装工艺封装为一体。
可控硅芯片设置为最大可通过的电流小于2A的可控硅芯片。
可控硅芯片设置为单向可控硅芯片或双向可控硅芯片。
该模组包括的可控硅芯片的数量设置为2-4个。
该模组包括第一可控硅芯片a和第二可控硅芯片b,可被封装成SOP-6、DIP-6、SOP-7、DIP-7、SOP-8或DIP-8。
该模组包括第一可控硅芯片a、第二可控硅芯片b和第三可控硅芯片c,可被封装成DIP-8、SOP-a、DIP-a、SOP-12或DIP-12。
该模组第一可控硅芯片a、第二可控硅芯片b、第三可控硅芯片c和第四可控硅芯片d,可被封装成DIP-9、DIP-a,、SOP-12、DIP-12、SOP-14或DIP-14。
模组中的可控硅芯片的输入端与触发端均位于模组一侧,模组中的可控硅芯片的输入端为共阴连接,模组中的可控硅芯片的输出端均位于模组的另外一侧;该模组为SOP封装时,相邻两个可控硅的输出端之间的距离不小于2.54mm;该设置能够让模组符合安规要求。
在本实用新型中,参照图1,当模组包含两个可控硅芯片,并且为SOP-6或DIP-6封装时,其中一种功能引脚布置形式如下:
脚位1为第一可控硅芯片a和第二可控硅芯片b的公共输入端,脚位2为第一可控硅芯片a的触发端,脚位3为第二可控硅芯片b的触发端,脚位4为第二可控硅芯片b的输出端,脚位6为第一可控硅芯片a的输出端,脚位5悬空或无。
参照图2,当模组包含两个可控硅芯片,并且为SOP-7或DIP-7封装时,其中一种功能引脚布置形式如下:
脚位1-2(脚位1和脚位2任选一脚,其余脚位悬空或无)为第一可控硅芯片a和第二可控硅芯片b的公共输入端,脚位3为第一可控硅芯片a的触发端,脚位4为第二可控硅芯片b的触发端,脚位5-6(或任选其中一脚,剩余脚位悬空或无)为第二可控硅芯片b的输出端,脚位7为第一可控硅芯片a的输出端。
参照图3,当模组包含两个可控硅芯片,并且为SOP-8或DIP-8封装时,其中一种功能引脚布置形式如下:
脚位1-2(脚位1和脚位2任选一脚,其余脚位悬空或无)为第一可控硅芯片a和第二可控硅芯片b的公共输入端,脚位3为第一可控硅芯片a的触发端,脚位4为第二可控硅芯片b的触发端,脚位5为第二可控硅芯片b的输出端,脚位8为第一可控硅芯片a的输出端,其余脚位悬空或无。
参照图4,当模组包含三个可控硅芯片,并且为SOP-a封装时,其中一种功能引脚布置形式如下:
脚位1-2(脚位1和脚位2任选一脚,其余脚位悬空或无)为第一可控硅芯片a、第二可控硅芯片b和第三可控硅芯片c的公共输入端,脚位3为第一可控硅芯片a的触发端,脚位4为第二可控硅芯片b的触发端,脚位5为第三可控硅芯片c的触发端,脚位6为第三可控硅芯片c的输出端,脚位8为第二可控硅芯片b的输出端,脚位a为第一可控硅芯片a的输出端,其余脚位悬空或无。
参照图5,当模组包含四个可控硅芯片,并且为SOP-14封装时,其中一种功能引脚布置形式如下:
脚位1-3(脚位1-3中任选其中两脚或任选一脚,其余脚位悬空或无)为第一可控硅芯片a、第二可控硅芯片b、第三可控硅芯片c和第四可控硅芯片d的公共输入端,脚位4为第一可控硅芯片a的触发端,脚位5为第二可控硅芯片b的触发端,脚位6为第三可控硅芯片c的触发端,脚位7位第四可控硅d的触发脚,脚位8为第四可控硅芯片d的输出端,脚位a为第三可控硅芯片c的输出端,脚位12为第二可控硅芯片b的输出端,脚位14为第一可控硅芯片a的输出端,其余脚位悬空或无。
具体的引脚与可控硅芯片之间的连接关系可根据实际需求进行更改,本申请只是给出了其中一种连接方式,在此不做赘述和限制。
当然,本实用新型并不局限于上述实施方式,熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出等同变形或替换,这些等同的变形和替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (8)
1.一种小功率可控硅模组,其特征在于:包括至少2个可控硅芯片,所述可控硅芯片通过SOP或DIP封装工艺封装为一体,所述可控硅芯片设置为最大可通过的电流小于2A的可控硅芯片。
2.根据权利要求1所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:所述可控硅芯片设置为单向可控硅芯片或双向可控硅芯片。
3.根据权利要求1所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:该模组包括的可控硅芯片的数量设置为2-4个。
4.根据权利要求1所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:该模组包括第一可控硅芯片(a)和第二可控硅芯片(b),可被封装成SOP-6、DIP-6、SOP-7、DIP-7、SOP-8或DIP-8。
5.根据权利要求1所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:该模组包括第一可控硅芯片(a)、第二可控硅芯片(b)和第三可控硅芯片(c),可被封装成DIP-8、SOP-a、DIP-a、SOP-12或DIP-12。
6.根据权利要求1所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:该模组第一可控硅芯片(a)、第二可控硅芯片(b)、第三可控硅芯片(c)和第四可控硅芯片(d),可被封装成DIP-9、DIP-a、SOP-12、DIP-12、SOP-14或DIP-14。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:模组中的可控硅芯片的输入端与触发端均位于模组一侧,模组中的可控硅芯片的输入端为共阴连接,模组中的可控硅芯片的输出端均位于模组的另外一侧。
8.根据权利要求1-6任一项所述的一种小功率可控硅模组,其特征在于:该模组为SOP封装时,相邻两个可控硅的输出端之间的距离不小于2.54mm。
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