CN214125267U - 接口电路 - Google Patents

Abstract

公开了一种接口电路，该接口电路在第一接口和第二接口之间设置有传递单元，该传递单元包括连接在第一接口和第二接口之间的第一晶体管、第二晶体管，以及控制单元，第一晶体管和第二晶体管在第一接口和第二接口之间的导通方向相反，控制单元根据第一控制信号控制第一晶体管和第二晶体管的导通和关断，分别控制两个方向的电压通道的导通和关断。本实用新型的接口电路实现了双向的电压传递，提高了接口电路的实用性，提高了采用该接口电路的芯片检测的效率。

Description

接口电路

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种接口电路。

背景技术

在现有的电子设备中，已经广泛地采用存储器来存储程序和数据，例如手机、平板电脑之类的移动终端，存储器的可靠性影响着这些电子设备的可靠性，出厂的存储器芯片需要作可靠性测试，在芯片测试过程中，经常需要测量芯片内部电压，或从外对芯片内施加电压取代芯片的内部电压进行测试，需要打开芯片内部和外部接口之间的通路。

现有技术中的接口电路只能实现单向导通，检测芯片内部电压和对芯片施加外加电压进行检测的同时实行不便，芯片的测试效率低。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种接口电路，从而方便的控制芯片内外的双向通路的开启，为芯片的检测提供便利，提高检测效率。

根据本实用新型的一方面，提供一种接口电路，用于电压传递，包括：

第一接口、第二接口和第一控制信号接口，所述第一接口和所述第二接口分别连接传递源和接收对象；

传递单元，设置在所述第一接口和所述第二接口之间，所述传递单元包括：

正向连接在所述第一接口至所述第二接口之间的第一晶体管；

正向连接在所述第二接口至所述第一接口之间的第二晶体管；

控制单元，包括连接所述第一控制信号接口的输入端、连接至所述第一晶体管的控制端的第一输出端和连接至所述第二晶体管的控制端的第二输出端。

可选地，所述控制单元还包括与所述第一接口和所述第二接口中的至少一个连接的第二控制信号输入端。

可选地，所述传递单元为至少两个，各所述传递单元的第一晶体管正向串联在所述第一接口至所述第二接口之间，各所述传递单元的第二类型晶体正向管串联在所述第二接口至所述第一接口之间。

可选地，相邻所述传递单元中的相邻第一晶体管的中间节点与相邻第二晶体管的中间节点连接。

可选地，所述第一晶体管为高压PMOS管，且衬底与所述第一接口或所述第二接口连接；

所述第二晶体管为高压NMOS管，且衬底接地。

可选地，所述传递单元为两个，包括第一传递单元和第二传递单元，

所述第一传递单元的第一晶体管为高压PMOS管，且衬底与所述第一接口连接；

所述第二传递单元的第一晶体管为高压PMOS管，且衬底与所述第二接口连接。

可选地，所述第一传递单元的控制单元还包括与所述第一接口连接的第二控制信号输入端；

所述第二传递单元的控制单元还包括与所述第二接口连接的第二控制信号输入端。

本实用新型提供的接口电路在第一接口和第二接口之间设置传递单元，传递单元包括连接在第一接口和第二接口之间的第一晶体管、第二晶体管，以及控制单元，第一晶体管和第二晶体管在第一接口和第二接口之间的导通方向相反，控制单元根据第一控制信号控制第一晶体管和第二晶体管的导通和关断，分别控制两个方向的电压通道的导通和关断，实现了双向的电压传递，提高了对芯片的检测效率。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示出了根据本实用新型实施例的接口电路的结构示意图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。

图1示出了根据本实用新型实施例的接口电路的结构示意图。

如图1所示，本实用新型实施例的接口电路100包括第一接口101、第二接口102和第一控制信号接口103，第一接口101和第二接口102分别连接芯片内部和外部测试设备，通过该接口电路100对芯片内部电压进行测试，或者第二接口102连接外部电源，向芯片内部提供标准电压进行测试，第一控制信号接口103接入第一控制信号EN，控制第一传递单元110和第二传递单元120的开启，以控制第一接口101和第二接口102之间的电压通路的导通，实现第一接口101和第二接口102连接的芯片和设备之间的电压传递。

第一传递单元110包括第一PMOS(positive channel Metal OxideSemiconductor，P型金属氧化物半导体)管P1(第一晶体管)、第一NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)管N1(第二晶体管)和第一控制单元111。设置两种类型的晶体管，分别提供高低电平控制其导通和关断，提高控制信号的独立性，提高容错性。

第一控制单元111的输入端与第一控制信号接口103连接，接收第一控制信号EN输入；第一控制单元111的第一输出端12输出第一控制信号EN，连接至第一NMOS管的栅极；第一控制单元111的第二输出端13输出第一控制信号EN的反相信号，连接至第一PMOS管P1的栅极，在第一控制信号EN为高电平时，控制第一NMOS管N1和第一PMOS管P1开启，开启第一传递单元110与第一接口101之间的双向电压通道。

在可选实施例中，第一控制单元111的第一输出端12和第二输出端13的输出信号为同相，在同一时间控制第一PMOS管P1或第一NMOS管N1的导通和关断，控制单向的电压传递，通过提供不同的第一控制信号EN即可方便实现双向的电压传递通道的切换，无需对第一接口101和第二接口102的连接对象进行切换，无需对接口的拔插，提高了切换效率，进而可提高检测效率。

其中，第一控制单元111还包括第二控制信号输入端11，与第一接口101连接，可在连接芯片内部电压接口后由芯片的内部电压提供第一控制单元111的控制，控制第一PMOS管P1和第一NMOS管N1的开启，无需提供第一控制信号EN的高电平输入，降低额外的电源消耗，且可以在第一传递单元110导通后由芯片内部电压维持第一PMOS管P1和第一NMOS管N1的导通，无需第一控制信号EN持续维持高电平输出即可维持第一传递单元110电压通路的导通。

需要关断电压通路时，第一控制信号EN输出低电平，即可控制第一NMOS管N1和第一PMOS管P1的关断，从而关断电压通路，关断电压通路后再断开接口电路100与芯片的连接，可避免直接断开接口连接产生的干扰信号对芯片的损伤。

第一PMOS管P1的衬底与源极连接，在接入芯片内部电压后向接高电平输入，第一NMOS管N1的衬底接地，第一PMOS管P1和第一NMOS管N1均为高压晶体管，提高第一传递单元110的耐压能力，提高电压传递的电压宽度。

第二传递单元120包括第二控制单元121、第二NMOS管N2和第二PMOS管P2。

第二PMOS管P2的源极与第一PMOS管P1的漏极连接，源极和衬底连接第二接口102；第二NMOS管N2的漏极与第一NMOS管的源极连接，源极连接第二接口102，衬底接地；第二控制单元121的输入端连接第一控制信号接口103，第二控制单元121的第二控制信号输入端21连接第二接口102，第一输出端22连接至第二NMOS管N2的栅极，第二控制单元121的第二输出端23连接至第二PMOS管P2的栅极。

第一控制单元111的第二控制信号输入端11和第二控制单元的第二控制信号输入端21在第一接口101和第二接口102之间的电压通路导通且有电压传输时，可以从中获得高电平电压输入，可提供第一控制单元111和第二控制单元121输出信号的使能维持电源。

第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的中间节点与第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的中间节点互连，每一个传递单元中的PMOS管和NMOS管为并联关系，提供双向电压通道。第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2均为高压管，以提高耐压，提高该接口电路100的电压传递的电压范围。

在本实施例中，设置两个传递单元，在可选实施例中可以设置更多的传递单元，依次连接在第一接口101和第二接口102之间，对应的控制单元的第二控制信号输入端与第一接口101和第二接口102中的至少一个连接。

其中，第一控制单元111和第二控制单元121可由触发器实现，可方便地提供互为反相的两个输出信号。

本实用新型的接口电路在第一接口和第二接口之间设置第一晶体管和第二晶体管电压，分别对应第一接口至第二接口和第二接口至第一接口之间的正向电压通道的导通和关断，可同时提供双向的电压传递功能，且通过第一控制信号即可调控两个电压通道的导通和关断，控制方便，有效地提高了接口电路的实用性，提高了采用该接口电路对芯片进行检测的效率。

第一控制单元的第二控制信号输入端连接第一接口，第二控制单元的第二控制信号输入端连接第二接口，在第一接口和第二接口之间形成电压通路后，可根据通路中的电压维持第一晶体管和第二晶体管的开启，释放第一控制信号的持续使能需求，节约第一控制信号的持续使能能耗。

依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (7)

1.一种接口电路，用于电压传递，其特征在于，包括：

第一接口、第二接口和第一控制信号接口，所述第一接口和所述第二接口分别连接传递源和接收对象；

传递单元，设置在所述第一接口和所述第二接口之间，所述传递单元包括：

正向连接在所述第一接口至所述第二接口之间的第一晶体管；

正向连接在所述第二接口至所述第一接口之间的第二晶体管；

控制单元，包括连接所述第一控制信号接口的输入端、连接至所述第一晶体管的控制端的第一输出端和连接至所述第二晶体管的控制端的第二输出端。

2.根据权利要求1所述的接口电路，其特征在于，

所述控制单元还包括与所述第一接口和所述第二接口中的至少一个连接的第二控制信号输入端。

3.根据权利要求1所述的接口电路，其特征在于，

所述传递单元为至少两个，各所述传递单元的第一晶体管正向串联在所述第一接口至所述第二接口之间，各所述传递单元的第二类型晶体正向管串联在所述第二接口至所述第一接口之间。

4.根据权利要求3所述的接口电路，其特征在于，

相邻所述传递单元中的相邻第一晶体管的中间节点与相邻第二晶体管的中间节点连接。

5.根据权利要求1所述的接口电路，其特征在于，

所述第一晶体管为高压PMOS管，且衬底与所述第一接口或所述第二接口连接；

所述第二晶体管为高压NMOS管，且衬底接地。

6.根据权利要求3所述的接口电路，其特征在于，所述传递单元为两个，包括第一传递单元和第二传递单元，

所述第一传递单元的第一晶体管为高压PMOS管，且衬底与所述第一接口连接；

所述第二传递单元的第一晶体管为高压PMOS管，且衬底与所述第二接口连接。

7.根据权利要求6所述的接口电路，其特征在于，

所述第一传递单元的控制单元还包括与所述第一接口连接的第二控制信号输入端；

所述第二传递单元的控制单元还包括与所述第二接口连接的第二控制信号输入端。

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