CN213936127U - 半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体处理设备。半导体处理设备包括壳体、处理装置及固定件。壳体承载在承载面上并设有收容腔，壳体包括相邻的第一侧及第二侧，第一侧为朝向承载面的一侧。处理装置用于处理半导体元件，处理装置收容在收容腔内并承载在承载面，处理装置的外侧壁的任意位置与壳体的内侧壁的任意位置具有间隔。固定件用于连接壳体与处理装置，并限定壳体与处理装置之间的间距。本申请通过将处理装置与壳体间隔设置，并用固定件连接处理装置及壳体，并限定二者之间的间距。如此能保证壳体与处理装置之间始终保持间隔，当壳体受到撞击或轻微晃动时，能避免壳体和处理装置之间的距离改变，也能免壳体和处理装置之间发生碰撞，影响处理装置正常运作。

Description

半导体处理设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，更具体而言，涉及一种半导体处理设备。

背景技术

半导体处理设备可以对工件进行处理，例如对半导体元件进行检测，为了避免工件在处理过程中受到外界影响，通常在处理装置的外侧会设有外壳。然而，当外壳受到外界撞击或外壳晃动时，会带动内部的处理装置跟着一起晃动，影响对工件处理的准确性。

实用新型内容

本申请实施方式提供一种半导体处理设备。

本申请实施方式的半导体处理设备包括壳体、处理装置及固定件。所述壳体承载在承载面上并设有收容腔，所述壳体包括相邻的第一侧及第二侧，所述第一侧为朝向所述承载面的一侧。处理装置用于处理工件，所述处理装置收容在所述收容腔内并承载在所述承载面，所述处理装置的外侧壁的任意位置与所述壳体的内侧壁的任意位置具有间隔。所述固定件用于连接所述壳体与所述处理装置，并限定所述壳体与所述处理装置之间的间距。

在某些实施方式中，所述收容腔包括第一开口，所述第一开口位于所述壳体的所述第一侧，所述处理装置通过所述第一开口承载在所述承载面上，所述固定件位于所述第一侧。

在某些实施方式中，所述固定件包括本体，所述本体的一端安装在所述壳体，所述本体的另一端安装在所述处理装置。

在某些实施方式中，所述固定件包括定位凸起。所述定位凸起设置在所述固定件的本体的朝向所述收容腔内部的一侧，所述定位凸起用于在所述处理装置被放置进所述收容腔内时，限定所述处理装置相对所述壳体的位置。

在某些实施方式中，所述固定件还包括握持部。所述握持部设置在所述固定件的本体的背离所述收容腔内部的一侧，所述握持部用于供用户握持。

在某些实施方式中，所述壳体设置有第一安装件，所述处理装置设置有第二安装件，所述固定件的本体设置有相互间隔的多个连接件，任意两个所述连接件分别与所述第一安装件及所述第二安装件配合以连接所述壳体与所述处理装置，不同的所述连接件与所述第一安装件配合和/或不同的所述连接件与所述第二安装件配合，以使所述壳体与所述处理装置之间具有不同的间距。

在某些实施方式中，所述收容腔还包括所述第二开口，所述第二开口位于所述壳体的第二侧，所述壳体包括盖板，所述盖板设置在所述收容腔的第二开口，所述盖板的至少部分能够打开或关闭以开放或遮挡所述第二开口。

在某些实施方式中，所述收容腔包括第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述壳体的所述第一侧，所述第二开口位于所述壳体的第二侧，所述处理装置通过所述第一开口和所述第二开口收容在所述收容腔。

在某些实施方式中，所述固定件的数量为多个，多个所述固定件均匀分布在所述壳体的所述第一侧；或多个所述固定件对称设置在所述壳体的所述第一侧相对两端。

在某些实施方式中，所述壳体的第一侧设置有可拆卸的多个第一支撑件，多个所述第一支撑件用于与所述承载面静摩擦接触以支撑所述壳体于所述承载面。

在某些实施方式中，所述处理装置的第一侧设置有能够拆卸的多个第二支撑件，多个所述第二支撑件用于与所述承载面静摩擦接触以支撑所述处理装置于所述承载面。

在某些实施方式中，所述半导体处理设备还包括多个第一滑动部，所述第一滑动部可拆卸地设置在所述壳体的外侧壁靠近所述第一侧的一端，多个所述第一滑动部用于与所述承载面滑动摩擦接触以带动所述壳体相对所述承载面移动。

在某些实施方式中，所述半导体设备包括多个第二滑动部，所述第二滑动部可拆卸地设置在所述处理装置的外侧壁靠近所述第一侧的一端，多个所述第二滑动部用于与所述承载面滑动摩擦接触以带动所述处理装置相对所述承载面移动。

在某些实施方式中，所述壳体还包括与所述第一侧相背的第三侧，所述半导体处理设备还包括净化单元，所述净化单元安装在所述第三侧，用于朝所述处理装置送风。

在某些实施方式中，所述半导体处理设备还包括回风系统，所述回风系统用于抽取所述壳体内部的气体。

本申请实施例中的半导体处理设备，通过将处理装置与壳体均承载在承载面上且间隔设置，并用固定件连接处理装置及壳体，并限定二者之间的间距。如此能够保证壳体与处理装置之间始终保持间隔，当壳体受到撞击或轻微晃动时，能够有效防止外壳受到的外力传递至内部的处理装置，造成处理装置的晃动，也能够避免壳体和处理装置之间的距离改变，也能避免壳体和处理装置之间发生碰撞，影响处理装置的正常运作。

本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实施方式的实践了解到。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本申请实施方式的一种半导体处理设备的立体结构示意图；

图2是本申请实施方式的又一种半导体处理设备的立体结构示意图；

图3是本申请实施方式的又一种半导体处理设备的立体结构示意图；

图4是本申请实施方式的一种半导体处理设备中处理装置的立体结构示意图；

图5是图1的半导体处理设备V处的放大示意图；

图6是图1的半导体处理设备VI处的放大示意图；

图7是图3的半导体处理设备VII处的放大示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本申请的实施方式作进一步说明。附图中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

另外，下面结合附图描述的本申请的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请的实施方式，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参阅图1，本申请提供一种半导体处理设备100。半导体处理设备100包括壳体10、处理装置20及固定件30。壳体10承载在承载面上并设有收容腔14，壳体10包括相邻的第一侧101及第二侧102，第一侧101为朝向承载面的一侧。处理装置20用于处理工件，处理装置20收容在收容腔11内并承载在承载面，处理装置20的外侧壁204的任意位置与壳体10的内侧壁104的任意位置具有间隔。固定件30用于连接壳体10与处理装置20，并限定壳体10与处理装置20之间的间距。

本申请实施例中的半导体处理设备100，将处理装置20与壳体10均承载在承载面上且两者间隔设置，并用固定件30连接处理装置20及壳体10，并限定二者之间的间距。如此能够保证壳体10与处理装置20之间始终保持间隔，当壳体10受到撞击或轻微晃动时，能够有效防止外壳10受到的外力传递至内部的处理装置20，造成处理装置20的晃动，也能够避免壳体10和处理装置20之间的距离改变，也能避免壳体10和处理装置20之间发生碰撞，影响处理装置20的正常运作。

下面结合附图作进一步说明。

请参阅图1及图2，半导体设备100包括壳体10、处理装置20及固定件30。处理装置20收容在壳体10的收容腔11内，并且固定件30用于连接壳体10及处理装置20。

具体地，壳体10承载在承载面上并设有收容腔11，壳体10包括相邻的第一侧101及第二侧102，第一侧101为朝向承载面的一侧。壳体10还包括与第一侧101相背的第三侧103。需要说明的是，承载面可以是地面或是任意一个用于承载半导体设备100的平面，如图2所示，在半导体设备100承载在地面上时，第一侧101为壳体10的底面所在的一侧，第二侧102为壳体10与第一侧101相邻的一侧，第三侧103为壳体10与第一侧101相对的一侧。工件可以是半导体元件，半导体元件包括但不限于晶圆、芯片、显示屏等，工件还可是非半导体元件，例如为凸透镜、凹透镜或反射镜等光学元件，下文中提及的承载面及半导体元件也是如此，不再赘述。

请参阅图2，在一些实施例中，收容腔11包括第一开口111及第二开口112，第一开口111位于壳体10的第一侧101，第二开口112位于壳体10的第二侧102，处理装置20通过第一开口111承载在承载面上。由于收容腔11开设有第一开口111及第二开口112，处理装置20可以通过第一开口111和/或第二开口112放进收容腔11内。如此，处理装置20可以在壳体10外组装好再整体移动至壳体10内，从而能够降低半导体处理设备100的组装难度。

在一些实施例中，壳体10还可包括盖板12，盖板12设置在第二开口112，盖板12的至少部分能够打开或关闭以开放或遮挡第二开口112。如此，一方面由于盖板12能够关闭以遮盖第二开口112，有利于使处理装置20处于密闭空间内对承载在其上的半导体元件进行处理；另一方面由于盖板12能够至少部分能够打开以开放第二开口112，有利于放置需要处理的半导体元件至处理装置20上，还有利于对收容在收容腔11内的处理装置20进行维修。

请结合图4，处理装置20用于处理半导体元件，例如处理装置20可以对半导体元件的表面进行检测、切割、蚀刻等处理。处理装置20收容在收容腔11内并承载在承载面上，处理装置20的外侧壁204的任意位置与壳体10的内侧壁104的任意位置间隔。如此当壳体10受到撞击或轻微晃动时，能够避免撞击或晃动传递至处理装置20，从而避免影响处理装置20对半导体元件处理的准确性。需要指出的是，处理装置20可以是直接承载在承载面上，如图2所示，处理装置20直接承载在地面上。

请参阅图1及图3，固定件30用于连接壳体10与处理装置20，并限定壳体10与处理装置20之间的间距。具体地，请结合图5，固定件30包括本体31，本体31的一端安装在壳体10上，本体31的另一端安装在处理装置20上。固定件30的本体31包括相背的第一面311及第二面312，第一面311相较于第二面312更靠近收容腔11的内部。

由于固定件30限定了壳体10与处理装置20之间的间距，如此能够保证壳体10与处理装置20之间始终保持间隔，当壳体10受到撞击或轻微晃动时，能够避免壳体10和处理装置20之间的距离改变，也能避免壳体10和处理装置20之间发生碰撞，影响处理装置20的正常运作。

请参阅图1、图4及图5，在一些实施例中，固定件30还可包括握持部32，握持部32用于供用户握持。具体地，握持部32设置在固定件30的本体31的背离收容腔11内部的一侧，即握持部32设置在本体31的第二面312。也即是说，握持部32自固定件30的本体31朝背离收容腔11的方向凸起。用户在安装固定件30时能够握持住握持部32进行安装，有利于提升用户在安装固定件30时的便利性。

请参阅图1及图4，在一些实施例中，固定件30还可包括定位凸起33。具体地，定位凸起33设置在固定件30的本体31的朝向收容腔11内部的一侧，即定位凸起33设置在本体31的第一面311。在处理装置20被放置收容腔11内时，定位凸起33用于限定处理装置20相对壳体10的位置。例如，先将固定件30的一端固定连接在壳体10上，再将处理装置20移动至收容腔11内时，只需要将处理装置20移动至其外侧壁204与固定件30的定位凸起33抵触，即可实现限定处理装置20与壳体10之间存在间隙，此时可以将固定件30直接与处理装置20固定连接，无需调节处理装置20与壳体10之间的间距，从而降低了半导体处理设备100的装配复杂度。同样地，在一些实施例中，也可以先将固定件30的一端安装在处理装置20上，再将带有固定件30的处理装置20移动至收容腔11内，只需要将处理装置20移动至设置在其上的固定件30的定位凸起33与壳体10抵触，即可实现限定处理装置20与壳体10之间存在间隙。当然，也可以是壳体10移动，以使处理装置20收容在收容腔11内，在此不作限制。

请参阅图5，壳体10设置有第一安装件13，处理装置20对应位置设置有第二安装件21，固定件30的本体31设置有两个相互间隔的连接件34，两个连接件34分别与第一安装件13及第二安装件21配合，以连接壳体10及处理装置20。例如，如图5所示，本体31包括第一连接件341及第二连接件342，其中第一连接件341与壳体10上的第一安装件13配合、及第二连接件342与处理装置20上的第二安装件21配合，以连接壳体10及处理装置20。

在一些实施例中，请参阅图6，本体31可设置有多个间隔的连接件34，任意两个连接件34分别与第一安装件13及第二安装件21配合以连接壳体10及处理装置20，不同的连接件34与第一安装件21配合和/或不同的连接件34与第二安装件21配合，以使壳体10与处理装置20之间具有不同的间距。例如，如图6所示，本体31包括第一连接件341、第二连接件342及第三连接件343，其中第三连接件343设置在第一连接件341及第二连接件342之间。当壳体10上的第一安装件13与第一连接件341配合，处理装置20上的第二安装件21与第二连接件342配合，以连接壳体10及处理装置20时，壳体10与处理装置20之间具有第一间距；当壳体10上的第一安装件13与第三连接件343配合，处理装置20上的第二安装件21与第二连接件342配合，以连接壳体10及处理装置20且壳体10与处理装置20之间具有第二间距，第二间距小于第一间距。也即是说，用户可以根据需要，通过第一安装件13与固定件20上不同的连接件34配合，就能够改变壳体10及处理装置20之间的间距。当然，不同连接件34与第二安装件21配合也能够改变壳体10及处理装置20之间的间距，在此不作赘述。

请参阅图1，在一些实施例中，固定件30位于壳体10及处理装置20的第一侧101，即固定件30设置在壳体10及处理装置20靠近承载面的一侧。具体地，固定件30包括本体31，本体31的一端安装在壳体10的第一侧101，本体31的另一端安装在处理装置20的第一侧201。需要说明的是，处理装置20的第一侧201与壳体10的第一侧101为同一侧，及处理装置20的第二侧与壳体10的第二侧102为同一侧。由于壳体10越靠近承载面的一侧越稳定，即壳体10越靠近第一侧101的部分越不容易晃动，固定件30设置在壳体10的第一侧101的位置相较于固定件30设置在壳体10的其他位置时与处置装置20连接，更能够减小壳体10晃动时对处理装置20的影响。请参阅图3，在一些实施例中，固定件30可以位于壳体10的第二侧102，固定件30的一端安装在壳体10，另一端安装在处理装置20，以连接壳体10及处理装置20。示例的，请结合图7，位于第二侧102的固定件30的一端安装在壳体10的内侧壁104，另一端安装在处理装置20的外侧壁204的对应位置，以连接壳体10及处理装置20。在一些实施例中，固定件30还可以位于壳体10的任意位置与处理装置20连接，在此不作限制。为了方便说明，以下实施例均以固定件30位于壳体10及处理装置20的第一侧101为例进行说明。

请参阅图1，固定件30的数量可以是多个，例如固定件30的数量可以是两个、三个、四个、五个等。例如，在一些实施例中，多个固定件30均匀分布在壳体10的第一侧101，如此当半导体设备100整体被推动以更换位置时处理装置20受力均匀，能够避免处理装置20的外侧壁204与壳体10的内侧壁101碰触。再例如，在一些实施例中，多个固定件30对称设置在壳体10的第一侧101相对的两端，即设置在第一侧101相对两端的多个固定件30对称。如图1所示，第一侧101包括相对的第一端1011及第二端1012，第一端1011上设置多个固定件30的位置，与第二端1012上设置多个固定件30的位置对称。如此当半导体设备100整体被推动以更换位置时处理装置20受力均匀，能够避免处理装置20的外侧壁204与壳体10的内侧壁104碰触。

需要说明的是，半导体处理设备100可以采用同一种固定件30，即半导体处理设备100中的所有固定件30的结构均相同。例如，半导体处理设备100中所有的固定件30可以是图5所示的固定件30；或者，半导体处理设备100中所有的固定件30也可以是图6所示的固定件30。当然，半导体处理设备100也可以采用多种固定件30，即半导体处理设备100中的多个固定件30可以采用不同的结构。例如，如图1所示，半导体处理设备100中的部分固定件30是图5所示的固定件30，另外部分固定件30是图6所示的固定件30。此外，半导体处理设备100中所有固定件30也可以采用如图7所示的固定件30；或者，半导体处理设备100中部分固定件30采用如图7所示的固定件30，其他固定件30采用如图5和/或图6所示的固定件30，在此不作限制。

请继续参阅图1，在一些实施例中，壳体10的第一侧101设置有可拆卸的多个第一支撑件41，多个第一支撑件41用于与承载面静摩擦接触以支撑壳体10于承载面上。如此能够减少壳体10与承载面之间的接触面积同时垫高壳体10，避免进水或积灰尘。第一支撑件41的数量可以为多个，且多个第一支撑件41均匀分布在壳体10的第一侧101，如此有利于壳体10更加稳定的支撑在承载面上。图1所示的实施方式中，壳体10的第一侧101设置有4个第一支撑件41，4个第一支撑件41均匀分布在壳体10的第一侧101。更进一步地，每个第一支撑件41的高度可以调整，从而可以调节壳体10的第一侧101与承载面之间的距离。

请参阅图1及图2，在一些实施例中，半导体处理设备100还可包括多个第一滑动部51，多个第一滑动部51可拆卸地设置在壳体10的外侧壁105靠近第一侧101的一端，多个第一滑动部51用于与承载面滑动摩擦接触以带动壳体10相对承载面移动，如此能够降低壳体10的搬运难度。第一滑动部51的数量可以为多个，且多个第一滑动部51可均匀分布在壳体10的外侧壁105靠近第一侧101的一端，也可关于对称分布在壳体10的外侧壁105靠近第一侧101的一端，如此有利于在搬运过程中壳体10更加轻松的向各个方向移动。图1所示的实施方式中，壳体10的第一侧101设置有4个第一滑动部51，其中2个第一滑动部51位于第一侧101的第一端1011，另外2个第一滑动部51位于第一侧101的第二端1012。具体地，第一滑动部51可以为轮子。

需要说明的是，用户可以根据需求选择性的在壳体10上安装第一支撑件41和/或第一滑动部51。例如，当需要移动壳体10时，为了方便壳体10搬运，用户可以将壳体10上的第一支撑件41拆卸下来并在壳体10上安装第一滑动部51；当壳体10已经移动至目标位置后，即需要壳体10能够稳定承载在承载面上时，为了壳体10能够稳定的承载在承载面上，用户可以将壳体10上的第一滑动部51拆卸下来并在壳体10上安装第一支撑件41。在一些实施例中，第一支撑件41的高度可以调节，如此用户可以无需反复拆装第一支撑件41或第一滑动部51，仅通过调节第一支撑件41的高度即可选择是第一支撑件41与承载面接触还是第一滑动部51与承载面接触。例如，在需要搬运壳体10时，为了方便壳体10搬运，用户可以调节第一支撑件41到承载面的距离小于第一滑动部41到承载面的距离，以使第一支撑件41不能与承载面接触，并且第一滑动部51能够与承载面滑动摩擦接触，从而在推动壳体10时，第一滑动部51能够带动壳体10相对承载面移动；当壳体10已经移动至目标位置后，壳体10需要稳定地承载在承载面上时，为了壳体10能够稳定地载在承载面上，用户可以调节第一支撑件41到承载面的距离大于第一滑动部41到承载面的距离，以使第一滑动部51不能与承载面接触，并且第一支撑部41能与承载面静摩擦接触，从而支撑壳体10于承载面上。

同样地，请参阅图4，在一些实施例中，处理装置20的第一侧201设置有可拆卸的多个第二支撑件42，多个第二支撑件42用于与承载面静摩擦接触以支撑处理装置20于承载面上。如此能够减少处理装置20与承载面之间的接触面积同时垫高处理装置20，避免进水或积灰尘。第二支撑件42的数量可以为多个，且多个第二支撑件42均匀分布在处理装置20的第一侧201，如此有利于处理装置20更加稳定的支撑在承载面上。图1所示的实施方式中，处理装置20的第一侧201设置有4个第二支撑件42，4个第二支撑件42均匀分布在处理装置20的第一侧201。更进一步地，每个第二支撑件42的高度可以调整，从而可以调节处理装置20的第一侧201与承载面之间的距离。

请继续参阅图4，在一些实施例中，半导体处理设备100还可包括多个第二滑动部52，第二滑动部52可拆卸地设置在处理装置20的外侧壁201靠近第一侧201的一端，多个第二滑动部52用于与承载面滑动摩擦接触以带动处理装置20相对承载面移动，如此能够降低处理装置20的搬运难度。第二滑动部52的数量可以为多个，且多个第二滑动部52均匀分布在处理装置20的外侧壁201靠近第一侧201的一端，也可关于对称分布在处理装置20的外侧壁204靠近第一侧201的一端，如此有利于在搬运过程中处理装置20更加轻松的向各个方向移动。图4所示的实施方式中，处理装置20的第一侧201设置有4个第二滑动部52，其中2个第二滑动部52位于第一侧201的第一端2011，另外2个第二滑动部52位于第一侧201的第二端2012。具体地，第二滑动部52可以为轮子。

需要说明的是，用户可以根据需求选择性的在处理装置20上安装第二支撑件42和/或第二滑动部52。例如，当需要移动处理装置20时，为了方便处理装置20搬运，用户可以将处理装置20上的第二支撑件42拆卸下来并在处理装置20上安装第二滑动部52；当处理装置20已经移动至目标位置后，即需要处理装置20能够稳定承载在承载面上时，为了处理装置20能够稳定的承载在承载面上，用户可以将处理装置20上的第二滑动部52拆卸下来并在处理装置20上安装第二支撑件42。在一些实施例中，第二支撑件42的高度可以调节，如此用户可以无需反复拆装第二支撑件42或第二滑动部52，仅通过调节第二支撑件42的高度即可选择是第二支撑件42与承载面接触还是第二滑动部52与承载面接触。例如，在需要搬运处理装置20时，为了方便处理装置20搬运，用户可以调节第二支撑件42到承载面的距离小于第二滑动部52到承载面的距离，以使第二支撑件42不能与承载面接触，并且第二滑动部52能够与承载面滑动摩擦接触，从而在推动处理装置20时，第二滑动部52能够带动处理装置20相对承载面移动；当处理装置20已经移动至目标位置后，处理装置20需要稳定地承载在承载面上时，为了处理装置20能够稳定地承载在承载面上，用户可以调节第二支撑件42到承载面的距离大于第二滑动部52到承载面的距离，以使第二滑动部52不能与承载面接触，并且第二支撑部52能与承载面静摩擦接触，从而支撑处理装置20于承载面上。

请参阅图2，在一些实施例中，半导体处理设备100还可包括净化单元60，净化单元60安装在壳体10的第三侧103，用于朝处理装置20送风。具体地，净化单元60朝处理装置20内的静电消除模块(图未示)送风，能够将静电消除模块放电产生的正负离子扩散到壳体10的各处，以扩大静电消除模块能够消除静电的范围。净化单元60还能够朝处理装置20的传输模块(图未示，例如区放工件的机械臂)送风，以清洁传输模块，防止尘埃干扰传输模块的运动，以及防止尘埃污染在处理装置20内处理的半导体元件。

请参阅图2，在一些实施例中，半导体处理设备100还可包括回风系统70，回风系统70设置在壳体10上，回风系统70同于抽取壳体10内部的气体。具体地，回风系统70用于抽取壳体10内部的气体，使壳体10内的气压平衡。回风系统70抽取气体还能够帮助静电消除模块放电产生的正负离子进一步扩散，通过抽风的方式将正负离子扩散到送风时正负离子无法扩散到的位置，以进一步扩大静电消除模块能够消除静电的范围。回风系统70还能够配合净化单元60使用，以排出壳体10内的污浊气体，并通入洁净的气体，保持壳体10内的洁净。

在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个，除非另有明确具体的限定。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (14)

1.半导体处理设备，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体承载在承载面上并设有收容腔，所述壳体包括相邻的第一侧及第二侧，所述第一侧为朝向所述承载面的一侧；

用于处理工件的处理装置，所述处理装置收容在所述收容腔内并承载在所述承载面，所述处理装置的外侧壁的任意位置与所述壳体的内侧壁的任意位置具有间隔；及

固定件，所述固定件用于连接所述壳体与所述处理装置，并限定所述壳体与所述处理装置之间的间距。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述收容腔包括第一开口，所述第一开口位于所述壳体的所述第一侧，所述处理装置通过所述第一开口承载在所述承载面上，所述固定件位于所述第一侧。

3.根据权利要求1或2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定件包括本体，所述本体的一端安装在所述壳体，所述本体的另一端安装在所述处理装置。

4.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定件包括：

定位凸起，所述定位凸起设置在所述固定件的本体的朝向所述收容腔内部的一侧，所述定位凸起用于在所述处理装置被放置进所述收容腔内时，限定所述处理装置相对所述壳体的位置。

5.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定件还包括：

握持部，所述握持部设置在所述固定件的本体的背离所述收容腔内部的一侧，所述握持部用于供用户握持。

6.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述壳体设置有第一安装件，所述处理装置设置有第二安装件，所述固定件的本体设置有相互间隔的多个连接件，任意两个所述连接件分别与所述第一安装件及所述第二安装件配合以连接所述壳体与所述处理装置，不同的所述连接件与所述第一安装件配合和/或不同的所述连接件与所述第二安装件配合，以使所述壳体与所述处理装置之间具有不同的间距。

7.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述收容腔还包括第二开口，所述第二开口位于所述壳体的第二侧，所述壳体包括盖板，所述盖板设置在所述收容腔的第二开口，所述盖板的至少部分能够打开或关闭以开放或遮挡所述第二开口。

8.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述收容腔包括第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述壳体的所述第一侧，所述第二开口位于所述壳体的第二侧，所述处理装置通过所述第一开口和所述第二开口收容在所述收容腔。

9.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定件的数量为多个，多个所述固定件均匀分布在所述壳体的所述第一侧；或

多个所述固定件对称设置在所述壳体的所述第一侧的相对两端。

10.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述壳体的第一侧设置有可拆卸的多个第一支撑件，多个所述第一支撑件用于与所述承载面静摩擦接触以支撑所述壳体于所述承载面；和/或

所述处理装置的第一侧设置有能够拆卸的多个第二支撑件，多个所述第二支撑件用于与所述承载面静摩擦接触以支撑所述处理装置于所述承载面。

11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一支撑件的数量为多个，多个所述第一支撑件均匀分布在所述壳体的所述第一侧；和/或

所述第二支撑件的数量为多个，多个所述第二支撑件均匀分布在所述处理装置的所述第一侧。

12.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：

多个第一滑动部，所述第一滑动部可拆卸地设置在所述壳体的外侧壁靠近所述第一侧的一端，多个所述第一滑动部用于与所述承载面滑动摩擦接触以带动所述壳体相对所述承载面移动；和/或

多个第二滑动部，所述第二滑动部可拆卸地设置在所述处理装置的外侧壁靠近所述第一侧的一端，多个所述第二滑动部用于与所述承载面滑动摩擦接触以带动所述处理装置相对所述承载面移动。

13.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述壳体还包括与所述第一侧相背的第三侧，所述半导体处理设备还包括净化单元，所述净化单元安装在所述第三侧，用于朝所述处理装置送风。

14.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括回风系统，所述回风系统用于抽取所述壳体内部的气体。

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