CN213878049U - 一种硅片退火用碳化硅舟 - Google Patents

一种硅片退火用碳化硅舟 Download PDF

Info

Publication number
CN213878049U
CN213878049U CN202023258026.6U CN202023258026U CN213878049U CN 213878049 U CN213878049 U CN 213878049U CN 202023258026 U CN202023258026 U CN 202023258026U CN 213878049 U CN213878049 U CN 213878049U
Authority
CN
China
Prior art keywords
bottom plate
cylinder
silicon carbide
silicon
annealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202023258026.6U
Other languages
English (en)
Inventor
高洪涛
叶绍凤
徐新华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Original Assignee
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd filed Critical Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Priority to CN202023258026.6U priority Critical patent/CN213878049U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN213878049U publication Critical patent/CN213878049U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种硅片退火用碳化硅舟,所属硅片退火加工设备技术领域,包括底板,所述的底板上端设有若干呈等间距环形分布且与底板相贯穿式插嵌固定的柱体,所述的柱体上端设有与底板相平行设置的顶板,所述的顶板与柱体相螺纹式插嵌连接固定,所述的底板下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体相管路连通的进气管,所述的柱体内设有与进气管相连通的主气道,所述的主气道侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽。具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。

Description

一种硅片退火用碳化硅舟
技术领域
本实用新型涉及硅片退火加工设备技术领域,具体涉及一种硅片退火用碳化硅舟。
背景技术
退火技术在半导体材料加工工艺过程中被广泛使用,其工艺目的在于通过退火工艺,将硅片近表面区域的晶体原生缺陷消除,并得到的一定宽度的洁净区,从而提高以硅片为基底制造的芯片的电学性能。退火工艺使用的是高温立式炉,其工作原理为通过电能转换为热能的方式,使炉内产生一个恒温区域,当达到了工艺要求的温度后,将装好硅片的碳化硅舟通过炉内的升降台运送至炉内的恒温区。并升入石英管内的恒温区域,随后进行退火以达到工艺目的。
现有的放置硅片的碳化硅舟,由于碳化硅舟纯度有限,在经过高温热处理后,碳化硅舟中的金属污染会扩散至硅片体内,从而影响最终由硅片制得的芯片的电学性能。
发明内容
本实用新型主要解决现有技术中存在运行稳定性差和使用寿命短的不足,提供了一种硅片退火用碳化硅舟,其具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种硅片退火用碳化硅舟,包括底板,所述的底板上端设有若干呈等间距环形分布且与底板相贯穿式插嵌固定的柱体,所述的柱体上端设有与底板相平行设置的顶板,所述的顶板与柱体相螺纹式插嵌连接固定,所述的底板下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体相管路连通的进气管,所述的柱体内设有与进气管相连通的主气道,所述的主气道侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽。
作为优选,上下两相邻的卡槽间均设有与柱体呈一体化的隔板。
作为优选,所述的隔板内设有与进气管相连通且贯穿隔板上端面的悬浮通气孔道。
作为优选,所述的悬浮通气孔道呈“L”状结构。
作为优选,所述的进气管与柱体相螺纹式插嵌连接固定。
本实用新型能够达到如下效果:
本实用新型提供了一种硅片退火用碳化硅舟,与现有技术相比较,具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型中的柱体的结构剖视图。
图中:顶板1,柱体2,底板3,进气管4,主气道5,悬浮通气孔道6,卡槽7,隔板8。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例:如图1和图2所示,一种硅片退火用碳化硅舟,包括底板3,底板3上端设有4根呈等间距环形分布且与底板3相贯穿式插嵌固定的柱体2,柱体2上端设有与底板3相平行设置的顶板1,顶板1与柱体2相螺纹式插嵌连接固定,底板3下端设有4根呈等间距环形分布且与柱体2相管路连通的进气管4,进气管4与柱体2相螺纹式插嵌连接固定。柱体2内设有与进气管4相连通的主气道5,主气道5侧边设有24个呈等间距垂直分布的卡槽7。上下两相邻的卡槽7间均设有与柱体2呈一体化的隔板8。隔板8内设有与进气管4相连通且贯穿隔板8上端面的悬浮通气孔道6。悬浮通气孔道6呈“L”状结构。
综上所述,该硅片退火用碳化硅舟,具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范实施例的细节,而且在不背离实用新型的基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
总之,以上所述仅为本实用新型的具体实施例,但本实用新型的结构特征并不局限于此,任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内,所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围之中。

Claims (5)

1.一种硅片退火用碳化硅舟,其特征在于:包括底板(3),所述的底板(3)上端设有若干呈等间距环形分布且与底板(3)相贯穿式插嵌固定的柱体(2),所述的柱体(2)上端设有与底板(3)相平行设置的顶板(1),所述的顶板(1)与柱体(2)相螺纹式插嵌连接固定,所述的底板(3)下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体(2)相管路连通的进气管(4),所述的柱体(2)内设有与进气管(4)相连通的主气道(5),所述的主气道(5)侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽(7)。
2.根据权利要求1所述的一种硅片退火用碳化硅舟,其特征在于:上下两相邻的卡槽(7)间均设有与柱体(2)呈一体化的隔板(8)。
3.根据权利要求2所述的一种硅片退火用碳化硅舟,其特征在于:所述的隔板(8)内设有与进气管(4)相连通且贯穿隔板(8)上端面的悬浮通气孔道(6)。
4.根据权利要求3所述的一种硅片退火用碳化硅舟,其特征在于:所述的悬浮通气孔道(6)呈“L”状结构。
5.根据权利要求1所述的一种硅片退火用碳化硅舟,其特征在于:所述的进气管(4)与柱体(2)相螺纹式插嵌连接固定。
CN202023258026.6U 2020-12-29 2020-12-29 一种硅片退火用碳化硅舟 Active CN213878049U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202023258026.6U CN213878049U (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种硅片退火用碳化硅舟

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202023258026.6U CN213878049U (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种硅片退火用碳化硅舟

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN213878049U true CN213878049U (zh) 2021-08-03

Family

ID=77044469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202023258026.6U Active CN213878049U (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种硅片退火用碳化硅舟

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN213878049U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105261670B (zh) 晶体硅电池的低压扩散工艺
CN102820383B (zh) 多晶硅太阳能电池扩散方法
CN104393107B (zh) 一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺
CN103866393B (zh) 一种减压扩散炉反应管的密封装置
CN105140347B (zh) 快速改善p型晶硅电池光致衰减的量产装置及其使用方法
CN103184514B (zh) 晶体生长炉
CN102315310A (zh) 一种太阳能电池片制备中的扩散工艺
CN213878049U (zh) 一种硅片退火用碳化硅舟
CN204668282U (zh) 一种高温低压扩散装置
CN213519887U (zh) 一种提高低压扩散方阻均匀性的装置
CN105551948A (zh) 一种提高太阳电池扩散均匀性的装置及其方法
CN203871351U (zh) 一种均匀扩散硼扩散炉反应气的结构
CN101872799A (zh) 一种提升太阳电池扩散均匀性的方法
CN205635862U (zh) 一种晶圆氧化用高温扩散炉管
CN216338074U (zh) 一种扩散炉
CN203866406U (zh) 一种硼扩散炉均匀扩散反应气的挡板结构
CN203976978U (zh) 一种新型扩散炉
CN203683725U (zh) 一种多晶硅铸锭炉用带排气装置的碳纤维保温顶板
CN205152399U (zh) 一种扩散炉用石英管
CN212412016U (zh) 半导体二极管生产用扩散炉匀气板
CN211734532U (zh) 一种高产能晶硅太阳能电池扩散炉
CN219793198U (zh) 一种扩散炉及扩散装置
CN108649248B (zh) 一种冷轧处理线退火炉氢气回收系统
CN217757759U (zh) 进气炉及扩散设备
CN220324427U (zh) 一种硅片扩散用载具

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant