CN216338074U - 一种扩散炉 - Google Patents

一种扩散炉 Download PDF

Info

Publication number
CN216338074U
CN216338074U CN202122517791.3U CN202122517791U CN216338074U CN 216338074 U CN216338074 U CN 216338074U CN 202122517791 U CN202122517791 U CN 202122517791U CN 216338074 U CN216338074 U CN 216338074U
Authority
CN
China
Prior art keywords
furnace body
furnace
pipe
gas
inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202122517791.3U
Other languages
English (en)
Inventor
赵赞良
樊建江
韩晓辉
王武林
陈宇晖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningxia Longi Solar Technology Co Ltd
Original Assignee
Ningxia Longi Solar Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningxia Longi Solar Technology Co Ltd filed Critical Ningxia Longi Solar Technology Co Ltd
Priority to CN202122517791.3U priority Critical patent/CN216338074U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN216338074U publication Critical patent/CN216338074U/zh
Priority to PCT/CN2022/094517 priority patent/WO2023065661A1/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种扩散炉，包括：炉体、炉门、进气管和排气管，所述炉体上设有进料口，所述炉门用于密封所述进料口，所述排气管相对所述进料口穿设在所述炉体上；其中，所述进气管包括直管部和弯管部，所述弯管部设于所述炉体内，且靠近所述进料口设置，所述直管部包括第一进气口和第一排气口，所述弯管部包括第二进气口和第二排气口；所述第一进气口设于所述炉体外，所述第一排气口与所述第二进气口连通，所述第二排气口的中心线垂直于所述进料口的中心线。可以避免工艺气体直接冲刷所述炉门，减少所述炉门内侧附着的杂质，提高扩散过程的稳定性和均匀性，减少停机更换炉门的操作，提高生产效率和产能。

Description

一种扩散炉
技术领域
本实用新型涉及扩散炉技术领域，特别是涉及一种扩散炉。
背景技术
目前，扩散炉可以在低压、高温的条件下对半导体晶圆进行掺杂，从而改变和控制半导体内杂质的类型和内部及表面的浓度分布，从而建立特性不同的电特性区域。例如：在晶体硅太阳能电池行业中，通常使用扩散炉制备太阳能电池的PN结。
现有的扩散炉通常包括：炉门、炉管、进气管和排气管，进气管通常为直管结构，从炉管尾部直接伸入至炉门位置，使得工艺气体可以从炉门位置处输入炉管内，排气管设置在炉管尾部，可以将炉体内的废气排出炉管外。以制备太阳能电池的PN结为例，可以先打开炉门，然后将硅片从炉门送入到炉管内的恒温区，关闭炉门，再进行加热处理，从进气管向炉管内通入工艺气体开始扩散，使用排气管将产生的废气排出炉管外部。
然而，在使用进气管通入工艺气体的过程中，工艺气体容易冲刷炉门，导致炉门处形成较大的旋流区，炉门内侧容易附着工艺气体中的杂质，降低了扩散过程的稳定性和均匀性。而且停机更换炉门，又容易降低生产效率和产能。
实用新型内容
鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种扩散炉。
为了解决上述问题，本实用新型公开了一种扩散炉，包括：炉体、炉门、进气管和排气管，所述炉体上设有进料口，所述炉门用于密封所述进料口，所述排气管相对所述进料口穿设在所述炉体上；其中，
所述进气管包括直管部和弯管部，所述弯管部设于所述炉体内，且靠近所述进料口设置，所述直管部包括第一进气口和第一排气口，所述弯管部包括第二进气口和第二排气口；
所述第一进气口设于所述炉体外，所述第一排气口与所述第二进气口连通，所述第二排气口的中心线垂直于所述进料口的中心线。
可选地，所述弯管部的下表面外壁为沿所述直管部的下表面外壁向上弯曲的弧形结构；
所述第二排气口的边缘高度低于所述直管部的上表面外壁。
可选地，所述弯管部的口径等于所述直管部的口径。
可选地，所述直管部设于所述炉体的底部，所述第二排气口朝向所述炉体的顶部设置。
可选地，所述炉体远离所述进料口的一端设有第一穿设孔，所述直管部穿设于所述第一穿设孔。
可选地，所述炉体靠近所述进料口的一端设有第二穿设孔，所述直管部穿设于所述第二穿设孔。
可选地，所述直管部的中心线垂直于所述第二排气口的中心线。
可选地，所述炉体远离所述进料口的一端还设有第三穿设孔，所述排气管穿设于所述第三穿设孔；
所述排气管包括第三进气口和第三排气口，所述第三进气口设于所述炉体内，所述第三排气口设于所述炉体外。
可选地，所述第三进气口的数量为多个，所述多个第三进气口设置在所述排气管的侧壁上。
可选地，所述多个第三进气口分别沿所述排气管的周向和轴向均匀设置。
本实用新型包括以下优点：
在本实用新型实施例中，在进行扩散工艺的过程中，可以使用所述炉门密封所述进料口之后，通过所述进气管向所述炉体内输入工艺气体，工艺气体可以依次经过所述第一进气口、所述第一排气口、所述第二进气口和所述第二排气口之后进入所述炉体内，由于所述第二排气口的中心线垂直于所述进料口的中心线，可以避免工艺气体直接冲刷所述炉门，减小在所述炉门处形成的旋流区，减少所述炉门内侧附着的杂质，提高扩散过程的稳定性和均匀性，进而可以减少停机更换炉门的操作，提高生产效率和产能。
附图说明
图1是本实用新型的一种扩散炉的结构示意图；
图2是本实用新型的一种进气管的结构示意图；
图3是本实用新型的一种进气管的局部放大示意图；
图4是本实用新型的另一种进气管的局部放大示意图；
图5是本实用新型的一种排气管的结构示意图。
附图标记：
1-炉体，11-进料口，2-炉门，3-进气管，31-直管部，311-第一进气口，312-第一排气口，32-弯管部，321-第二进气口，322-第二排气口，4-排气管，41-第三进气口，42-第三排气口，5-硅片，6-石英舟。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本实用新型的核心构思之一在于提供一种扩散炉。
参照图1，示出了本实用新型的一种扩散炉的结构示意图，参照图2，示出了本实用新型的一种进气管的结构示意图，参照图3，示出了本实用新型的一种进气管的局部放大图。如图1所示，所述扩散炉具体可以包括：炉体1、炉门2、进气管3和排气管4，炉体1上设有进料口11，炉门2用于密封进料口11，排气管4相对进料口11穿设在炉体1上；其中，如图2所示，进气管3包括直管部31和弯管部32，弯管部32设于炉体1内，且靠近进料口11设置，如图3和4所示，直管部31包括第一进气口311和第一排气口312，弯管部32包括第二进气口321和第二排气口322；第一进气口311设于炉体1外，第一排气口312与第二进气口321连通，第二排气口322的中心线垂直于进料口11的中心线。
在本实用新型实施例中，在进行扩散工艺的过程中，可以使用炉门2密封进料口11之后，通过进气管3向炉体1内输入工艺气体，工艺气体可以依次经过第一进气口311、第一排气口312、第二进气口321和第二排气口322之后进入炉体1内，由于第二排气口322的中心线垂直于进料口11的中心线，可以避免工艺气体直接冲刷炉门2，减小在炉门2处形成的旋流区，减少炉门2内侧附着的杂质，提高扩散过程的稳定性和均匀性，进而可以减少停机更换炉门2的操作，提高生产效率和产能。
需要说明的是，本实用新型实施例中的扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。在本实用新型实施例中，仅以使用所述扩散炉制备太阳能电池的PN结为例进行说明解释，其他情况可参考设置。
具体地，炉体1上可以设有进料口11，在实际应用中，炉门2可以用于密封进料口11，以保证炉体1在扩散工艺过程中的密封性。
本实用新型实施例中的排气管4用于将炉体1内的气体排出炉体1外，排气管4可以为长条形的圆形管、方形管或者不规则形状管，为了降低排气管4的设计难度和设计成本，可以选择将排气管4设计为圆形管。
进一步地，排气管4的壁厚、口径、长度等尺寸大小可根据实际需求进行设置，本实用新型实施例对此不作具体限定。
在实际应用中，排气管4可以与泵连接，以通过泵将炉体1内产生的废气泵出炉体1外。
具体地，在制作排气管4时，可以进行退火去应力，减少排气管4上的划痕，以提高排气管4的结构稳定性。
本实用新型实施例中的进气管3可以由直管部31和弯管部32组成，直管部31和弯管部32可以为一体成型结构，或者直管部31和弯管部32也可以为两个独立的结构，通过焊接、粘接等方式连接成一体式结构，本申请实施例对此不作具体限定，具体可根据实际需求进行设置。
具体地，在制作进气管3时，可以进行退火去应力，减少进气管3上的划痕，以提高进气管3的结构稳定性。
如图1所示，太阳能电池的PN结的制备过程具体可以包括：打开炉门2，碳化硅桨可以将插满硅片5的石英舟6送入炉体1内的恒温区；然后将碳化浆下降至下限位处，并退出碳化硅浆，关闭炉门2；使用真空泵对炉体1内进行抽真空处理；使用加热器进行加热升温，并通过进气管3向炉体1内输入工艺气体，在低压、热环境下，可以将磷、硼等元素扩散至硅片5表面及内部，制备形成太阳能电池的PN结。
在上述扩散过程中，工艺气体可以依次经过第一进气口311、第一排气口312、第二进气口321和第二排气口322之后进入炉体1内，由于第二排气口322的可以朝向炉体1的顶部，可以避免工艺气体直接吹向硅片5，还可以改善进料口11处的扩散方阻均匀性，提高PN结的均匀性以及太阳能电池的效率。
可选地，弯管部32的下表面外壁可以为沿直管部31的下表面外壁向上弯曲的弧形结构；第二排气口322的边缘高度可以低于直管部31的上表面外壁。在本实用新型实施例中，弯管部32的下表面外壁为弧形结构，具体的，如图3所示，弯管部32的下表面外壁是沿直管部31的下表面外壁向上弯曲的弧形结构，在此消除弯管部32处的棱角，并且弯管部32的上部开孔(也就是第二排气口322)，其孔径外边缘不凸出直管部31的上表面外壁，可以保证进气管3的顺利安装。
具体地，如图3所示，直管部31的上表面外壁和直管部31的下表面外壁相对设置，直管部31的下表面至直管部31的上表面的方向可以为图3中所示的箭头方向。
具体地，直管部31可以为长条形的圆形管、方形管或者不规则形状管，为了降低进气管3的设计成本，可以选择将直管部31设计为圆形管。
进一步地，弯管部32可以在直管部31的基础上进行折弯处理得到的，弯管部32的具体结构可根据直管部31的结构进行适应性调整，本实用新型实施例对此不作具体限定。
可选地，弯管部32的口径可以等于直管部31的口径。在本实用新型实施例中，弯管部32的口径等于直管部31的口径，可以降低进气管3的设计难度。
具体地，第一进气口311、第一排气口312、第二进气口321和第二排气口322的尺寸一致。
具体地，弯管部32的口径等于直管部31的口径，使得进气管3各个位置处的口径较为统一，以进气管3为圆形管为例，进气管3的内径可以为10-20毫米，壁厚可以为2-4毫米，具体可根据实际需求进行设置。
可选地，直管部31可以设于炉体1的底部，第二排气口322可以朝向炉体1的顶部设置。
在本实用新型实施例中，第二排气口322可以朝向炉体1的顶部，由于直管部31设置在炉体1的底部，可以增大第二排气口322与炉体1顶壁之间的间距，这样，可以避免工艺气体直接冲刷炉体1的顶壁，提高炉体1的使用寿命。
可选地，炉体1远离进料口11的一端可以设有第一穿设孔，直管部31可以穿设于第一穿设孔。
在本实用新型实施例中，直管部31穿设于第一穿设孔，由于第一穿设孔远离进料口11设置，使得直管部31的第一进气口311可以从远离进料口11的一端伸出炉体1外，便于直管部31通过第一进气口311输入工艺气体。
具体地，第一进气口311可以分别与多个进气通道连接，每个进气通道内对应设有独立的进气阀，可以通过不同的进气通道输入不同的工艺气体。
可选地，炉体1靠近进料口11的一端可以设有第二穿设孔，直管部31可以穿设于第二穿设孔。
在本实用新型实施例中，直管部31穿设于第二穿设孔，由于第二穿设孔靠近进料口11设置，使得直管部31可以从靠近进料口11的一端伸入炉体1内与弯管部32连通，可以减小直管部31的设计尺寸，降低所述扩散炉的设计成本。
可选地，直管部31的中心线可以垂直于第二排气口322的中心线。
在本实用新型实施例中，直管部31的中心线垂直于第二排气口322的中心线，使得弯管部32可以沿直管部31弯折90°，可以降低进气管3的设计难度，而且便于进气管3和炉体1的安装配合。
可选地，炉体1远离进料口11的一端还可以设有第三穿设孔，排气管4可以穿设于第三穿设孔；排气管4可以包括第三进气口41和第三排气口42，第三进气口41设于炉体1内，第三排气口42设于炉体1外。
在本实用新型实施例中，炉体1内的气体可以从第三进气口41进入排气管4，然后从第三排气口42排出排气管4，并排至炉体1外，可以及时处理炉体1内的废气，提高扩散过程的稳定性。
具体地，通过第二进气口321向炉体1内通气，通过排气管4对将炉体1内的气体排出，由于第二进气口321靠近进料口11设置，排气管4远离进料口11设置，可以避免通气操作和排气操作彼此造成干扰，减少炉体1内的气流扰动。
可选地，第三进气口41的数量可以为多个，多个第三进气口41可以设置在排气管4的侧壁上。
在本实用新型实施例中，多个第三进气口41设置在排气管4的侧壁上，使得气体可以从炉体1内的多个位置处进入排气管4，然后再从第三排气口42排出排气管4，排至炉体1外，可以减少炉体1内的气流扰动，避免气流紊乱，改善炉体1尾部的扩散方阻均匀性。
具体地，排气管4可以设置在炉体1的尾部。
具体地，排气管4还可以包括相对的顶壁和底壁，在将排气管4的顶壁设于炉体1内的情况下，可以将顶壁封堵，在底壁上开设第三排气口42；在将排气管4的底壁设于炉体1内的情况下，可以将底壁封堵，在顶壁上开设第三排气口42。
可选地，多个第三进气口41可以分别沿排气管4的周向和轴向均匀设置。
在本使用新型实施例中，将多个第三进气口41分别沿排气管4的周向和轴向均匀设置，可以进一步降低气流扰动，改善炉体1尾部的扩散方阻均匀性。
如图5所示，沿排气管4的周向，每圈可以设置16个第三进气口41，相邻两个第三进气口41之间的角度可以为22.5°，在实际应用中，一圈可以设置10个第三进气口41，相邻两个第三进气口41之间的角度可以为36°，或者一圈可以设置20个第三进气口41，相邻的两个第三进气口41之间的角度可以为18°，具体可根据实际需求进行设置，本实用新型实施例对此不作具体限定。
具体地，沿排气管4的周向，每相邻的两个第三进气口41之间的间距可以相同，具体尺寸可根据实际需求进行设置，本实用新型实施例对此不作具体限定。
具体地，第三进气口41的口径可以为2毫米、2.8毫米或者3毫米等，具体可根据实际需求进行设置，第三进气口41的具体数量也可以根据实际需求进行设置，本实用新型实施例对此不作具体限定。
可选地，炉体1、炉门2、进气管3和排气管4均可以为石英结构件。在实际应用中，将炉体1、炉门2、进气管3和排气管4均设置为石英结构件，可以避免在扩散过程中引入杂质，提高太阳能电池的PN结的质量。
本实用新型实施例所述的扩散炉至少包括以下优点：
在本实用新型实施例中，在进行扩散工艺的过程中，可以使用所述炉门密封所述进料口之后，通过所述进气管向所述炉体内输入工艺气体，工艺气体可以依次经过所述第一进气口、所述第一排气口、所述第二进气口和所述第二排气口之后进入所述炉体内，由于所述第二排气口的中心线垂直于所述进料口的中心线，可以避免工艺气体直接冲刷所述炉门，减小在所述炉门处形成的旋流区，减少所述炉门内侧附着的杂质，提高扩散过程的稳定性和均匀性，进而可以减少停机更换炉门的操作，提高生产效率和产能。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本实用新型所提供的一种扩散炉，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种扩散炉，其特征在于，包括：炉体、炉门、进气管和排气管，所述炉体上设有进料口，所述炉门用于密封所述进料口，所述排气管相对所述进料口穿设在所述炉体上；其中，
所述进气管包括直管部和弯管部，所述弯管部设于所述炉体内，且靠近所述进料口设置，所述直管部包括第一进气口和第一排气口，所述弯管部包括第二进气口和第二排气口；
所述第一进气口设于所述炉体外，所述第一排气口与所述第二进气口连通，所述第二排气口的中心线垂直于所述进料口的中心线。
2.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述弯管部的下表面外壁为沿所述直管部的下表面外壁向上弯曲的弧形结构；
所述第二排气口的边缘高度低于所述直管部的上表面外壁。
3.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述弯管部的口径等于所述直管部的口径。
4.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述直管部设于所述炉体的底部，所述第二排气口朝向所述炉体的顶部设置。
5.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述炉体远离所述进料口的一端设有第一穿设孔，所述直管部穿设于所述第一穿设孔。
6.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述炉体靠近所述进料口的一端设有第二穿设孔，所述直管部穿设于所述第二穿设孔。
7.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述直管部的中心线垂直于所述第二排气口的中心线。
8.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述炉体远离所述进料口的一端还设有第三穿设孔，所述排气管穿设于所述第三穿设孔；
所述排气管包括第三进气口和第三排气口，所述第三进气口设于所述炉体内，所述第三排气口设于所述炉体外。
9.根据权利要求8所述的扩散炉，其特征在于，所述第三进气口的数量为多个，所述多个第三进气口设置在所述排气管的侧壁上。
10.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述多个第三进气口分别沿所述排气管的周向和轴向均匀设置。
CN202122517791.3U 2021-10-19 2021-10-19 一种扩散炉 Active CN216338074U (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202122517791.3U CN216338074U (zh) 2021-10-19 2021-10-19 一种扩散炉
PCT/CN2022/094517 WO2023065661A1 (zh) 2021-10-19 2022-05-23 一种扩散炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202122517791.3U CN216338074U (zh) 2021-10-19 2021-10-19 一种扩散炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN216338074U true CN216338074U (zh) 2022-04-19

Family

ID=81178143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202122517791.3U Active CN216338074U (zh) 2021-10-19 2021-10-19 一种扩散炉

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN216338074U (zh)
WO (1) WO2023065661A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023065661A1 (zh) * 2021-10-19 2023-04-27 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种扩散炉

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118407138B (zh) * 2024-07-03 2024-09-06 博海新能源(合肥)有限公司 一种太阳电池制造用硼扩散炉
CN118422351B (zh) * 2024-07-04 2024-09-24 博海新能源(合肥)有限公司 一种太阳电池制造用扩散炉喷淋进气管

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3784596B2 (ja) * 1999-12-22 2006-06-14 三菱電機株式会社 半導体素子の製造プロセス用横型拡散炉
CN105070783B (zh) * 2015-07-16 2018-08-24 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种用于高温扩散炉的喷淋管及其应用
CN207016893U (zh) * 2017-04-25 2018-02-16 苏州同冠微电子有限公司 一种炉管组件及其扩散炉
CN212800603U (zh) * 2020-08-21 2021-03-26 通威太阳能（合肥）有限公司 一种进气管及扩散炉
CN216338074U (zh) * 2021-10-19 2022-04-19 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种扩散炉

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023065661A1 (zh) * 2021-10-19 2023-04-27 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种扩散炉

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023065661A1 (zh) 2023-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN216338074U (zh) 一种扩散炉
CN209199965U (zh) 一种晶硅太阳能电池生产用负压湿氧扩散装置
CN112593208B (zh) 半导体工艺设备
WO2023134456A1 (zh) 工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法
CN110736345B (zh) 用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉
WO2020146047A1 (en) Pumping apparatus and method for substrate processing chambers
CN105940481A (zh) 高速epi系统和腔室构思
CN111725108A (zh) 半导体加工设备
CN111270219A (zh) Ald加热炉
CN117790631A (zh) 基于TOPCon电池的二次硼扩常压退火工艺及系统
CN116007367B (zh) 一种高温气氛钟罩炉
WO2023227089A1 (zh) 控温装置及半导体工艺设备
CN203976978U (zh) 一种新型扩散炉
CN106929923A (zh) 一种石英炉管
CN212560513U (zh) 一种铸锭炉
CN213232487U (zh) Ald加热炉
CN211088218U (zh) 管式扩散炉的反应管装载结构
CN209636370U (zh) 一种扩散炉
CN220202036U (zh) 硅片沉积炉
CN213878049U (zh) 一种硅片退火用碳化硅舟
CN117966128B (zh) 衬体组件、工艺腔室及半导体工艺设备
CN218146928U (zh) 低压化学气相沉积的进气结构及气相沉积设备
CN218730823U (zh) 半导体热处理设备
CN214529235U (zh) 一种低压化学气相沉积炉进气装置
CN113327884B (zh) 晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant