CN213816199U - 一种柔性oled显示器件 - Google Patents

一种柔性oled显示器件 Download PDF

Info

Publication number
CN213816199U
CN213816199U CN202022523023.4U CN202022523023U CN213816199U CN 213816199 U CN213816199 U CN 213816199U CN 202022523023 U CN202022523023 U CN 202022523023U CN 213816199 U CN213816199 U CN 213816199U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film layer
thin film
display device
polyimide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202022523023.4U
Other languages
English (en)
Inventor
温质康
林佳龙
乔小平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Huajiacai Co Ltd
Original Assignee
Fujian Huajiacai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Huajiacai Co Ltd filed Critical Fujian Huajiacai Co Ltd
Priority to CN202022523023.4U priority Critical patent/CN213816199U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN213816199U publication Critical patent/CN213816199U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本实用新型涉及OLED显示器件技术领域,特别涉及一种柔性OLED显示器件,包括玻璃基板,玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触,这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时,由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重,影响上层的TFT器件层和OLED器件层,从而保护了OLED显示器件的稳定性,延长显示器件的寿命。

Description

一种柔性OLED显示器件
技术领域
本实用新型涉及OLED显示器件技术领域,特别涉及一种柔性OLED显示器件。
背景技术
在有机发光二极管(英文全称为Organic Light Emitting Diode,缩写为OLED)显示器具备低功耗,宽视角,清晰度与对比度高,响应速度快,使用温度范围宽,抗震性好等特点,作为自主发光的器件越来越多被运用到高性能的显示区域,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置;
目前柔性OLED器件剥离技术采用激光分离技术(英文全称为Laser Lift-off,缩写为LLO),激光分离技术为聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板分离技术,其原理是激光从玻璃基板背面照向聚酰亚胺薄膜层,由于聚酰亚胺薄膜层对特定激光波长的强吸收,被照射的聚酰亚胺薄膜层被碳化,使聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板之间的粘附力降低,从而实现聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板的分离;
采用激光分离技术,当激光能量过低时,聚酰亚胺薄膜层的碳化程度不彻底,直接导致聚酰亚胺薄膜层与玻璃基本难分离,出现聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板粘连拉扯的异常现象;并且当激光照射在聚酰亚胺薄膜层上时,部分激光会透过P聚酰亚胺薄膜层直接进入器件端,存在OLED器件失效的风险,影响OLED器件的寿命和产品的良率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种柔性OLED显示器件。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种柔性OLED显示器件,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,所述反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,所述氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触。
本实用新型的有益效果在于:
通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时,由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重,影响上层的TFT器件层和OLED器件层,从而保护了OLED显示器件的稳定性,延长显示器件的寿命。
附图说明
图1为根据本实用新型的一种柔性OLED显示器件的结构示意图;
标号说明:
1、玻璃基板;2、发热层;3、聚酰亚胺薄膜层;4、反射层;401、氧硅薄膜层;402、氮硅薄膜层;5、TFT器件层;6、OLED器件层;7、TFE封装层。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1,本实用新型提供的技术方案:
一种柔性OLED显示器件,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,所述反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,所述氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触。
从上述描述可知,本实用新型的有益效果在于:
通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时,由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重,影响上层的TFT器件层和OLED器件层,从而保护了OLED显示器件的稳定性,延长显示器件的寿命。
进一步的,所述发热层的材质为石墨烯,所述发热层的厚度范围为0.3μm-0.6μm。
由上述描述可知,石墨烯发热膜是一种通电后能发热的半透明聚脂薄膜,石墨烯发热膜在电场的作用下,会释放大量8μm-15μm的远红外线,受体聚酰亚胺薄膜层接受到远红外后,能量被吸收转换为热能,使受体聚酰亚胺薄膜层温度升高,所以在器件剥离时,对发热层通入一定量的电流,当温度达到聚酰亚胺薄膜层的碳化温度时,与石墨烯接触一侧的聚酰亚胺薄膜层开始碳化并剥离,形成需要的显示器件。
进一步的,所述氧硅薄膜层的材质为二氧化硅,所述氧硅薄膜层的厚度范围为0.1μm-0.3μm。
由上述描述可知,通过设置上述的结构,能够进一步提高显示器件的稳定性。
进一步的,所述氮硅薄膜层的材质为氮硅化合物,所述氮硅薄膜层的厚度范围为0.2μm-0.4μm。
由上述描述可知,通过设置上述的结构,能够进一步提高显示器件的稳定性。
进一步的,所述聚酰亚胺薄膜层的厚度范围为2μm-4μm。
由上述描述可知,将聚酰亚胺薄膜层的厚度范围设为2μm-4μm,能够进一步提高聚酰亚胺薄膜层剥离的效率和良率,并提高了器件稳定性和延长器件的寿命。
请参照图1,本实用新型的实施例一为:
一种柔性OLED显示器件,包括玻璃基板1,所述玻璃基板1的一侧面上依次层叠覆盖有发热层2、聚酰亚胺薄膜层3、反射层4、TFT器件层5、OLED器件层6和TFE封装层7,所述反射层4包括氧硅薄膜层401和氮硅薄膜层402,所述氧硅薄膜层401位于氮硅薄膜层402和聚酰亚胺薄膜层3之间且分别与氮硅薄膜层402和聚酰亚胺薄膜层3接触。
所述发热层2的材质为石墨烯,所述发热层2的厚度范围为0.3μm-0.6μm,优选为0.5μm。
所述发热层2选用一种可通电发热的薄膜,其材料不限于石墨烯发热膜,石墨烯发热膜是一种通电后能发热的半透明聚脂薄膜,石墨烯发热膜在电场的作用下,会释放大量8μm-15μm的远红外线,受体聚酰亚胺薄膜层3接受到远红外后,能量被吸收转换为热能,使受体聚酰亚胺薄膜层3温度升高,所以在器件剥离时,对发热层2通入一定量的电流,当温度达到聚酰亚胺薄膜层3的碳化温度时,与石墨烯接触一侧的聚酰亚胺薄膜层3开始碳化并剥离,形成需要的显示器件;
所述氧硅薄膜层401的材质为二氧化硅,所述氧硅薄膜层401的厚度范围为0.1μm-0.3μm,优选为0.2μm。
所述氮硅薄膜层402的材质为氮硅化合物,所述氮硅薄膜层402的厚度范围为0.2μm-0.4μm,优选为0.3μm。
所述氧硅薄膜层401和氮硅薄膜层402的叠层结构组成一组光的反射层4,阻挡外界强光对器件内部的光敏材料的影响,并且这种叠层结构组成的反射层4不限于两层或三层或不限于多层氮硅薄膜层402和氧硅薄膜层401的堆叠而成;
所述聚酰亚胺薄膜层3的厚度范围为2μm-4μm,优选为3μm。
所述TFT器件层5所选为蚀刻阻挡型金属氧化物薄膜晶体管,所述OLED器件层6包含包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;OLED器件层6的发光机理是通过电子和空穴这两种载流子注入有机发光层并在有机发光层内复合发光;所述TFE封装层7包含有机层和无机层,起到隔离水氧,保护OLED器件层和TFT器件层的作用。
综上所述,本实用新型提供的一种柔性OLED显示器件,通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时,由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重,影响上层的TFT器件层和OLED器件层,从而保护了OLED显示器件的稳定性,延长显示器件的寿命。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种柔性OLED显示器件,其特征在于,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层,所述反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层,所述氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件,其特征在于,所述发热层的材质为石墨烯,所述发热层的厚度范围为0.3μm-0.6μm。
3.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件,其特征在于,所述氧硅薄膜层的材质为二氧化硅,所述氧硅薄膜层的厚度范围为0.1μm-0.3μm。
4.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件,其特征在于,所述氮硅薄膜层的材质为氮硅化合物,所述氮硅薄膜层的厚度范围为0.2μm-0.4μm。
5.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜层的厚度范围为2μm-4μm。
CN202022523023.4U 2020-11-04 2020-11-04 一种柔性oled显示器件 Active CN213816199U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202022523023.4U CN213816199U (zh) 2020-11-04 2020-11-04 一种柔性oled显示器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202022523023.4U CN213816199U (zh) 2020-11-04 2020-11-04 一种柔性oled显示器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN213816199U true CN213816199U (zh) 2021-07-27

Family

ID=76964577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202022523023.4U Active CN213816199U (zh) 2020-11-04 2020-11-04 一种柔性oled显示器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN213816199U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331804A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 福建华佳彩有限公司 一种柔性oled显示器件及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331804A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 福建华佳彩有限公司 一种柔性oled显示器件及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102111022B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2020161498A (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
KR101987000B1 (ko) 발광 장치, 플렉시블 발광 장치, 전자 기기, 및 발광 장치 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법
US9172057B2 (en) Encapsulation structure for an opto-electronic component
CN102544056A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
TW201526329A (zh) 有機發光裝置及其製備方法
TWI236862B (en) Package for OLED device
KR102234462B1 (ko) 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법 및 전자 컴포넌트 어레인지먼트
JP2011526409A (ja) 有機電子構成部材を製造する方法および電子構成部材
JP2009117178A (ja) 有機el表示装置とその製造方法
JP2015111505A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
CN213816199U (zh) 一种柔性oled显示器件
TWI227653B (en) Electroluminescence display device
US11094911B2 (en) Organic light emitting diode display panel and packaging method thereof
JP2004047381A (ja) フレキシブル有機エレクトロ・ルミネッセンス素子、その製造方法及び情報表示装置及び照明装置
JP4254154B2 (ja) 有機電界発光素子の封止方法
KR101838756B1 (ko) 유기전계발광 표시장치의 봉지방법
KR102239286B1 (ko) 유기 발광 표시 장치용 봉지 필름 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
JP3775048B2 (ja) 有機発光素子
TW200527955A (en) Light emitting device and method for producing the device
CN213816198U (zh) 一种柔性oled器件结构
CN112331804A (zh) 一种柔性oled显示器件及其制备方法
KR20170050843A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200079389A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110459678B (zh) 柔性有机发光显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant