CN112331804A - 一种柔性oled显示器件及其制备方法 - Google Patents
一种柔性oled显示器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112331804A CN112331804A CN202011215660.3A CN202011215660A CN112331804A CN 112331804 A CN112331804 A CN 112331804A CN 202011215660 A CN202011215660 A CN 202011215660A CN 112331804 A CN112331804 A CN 112331804A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- film layer
- thin film
- display device
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 83
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 69
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 26
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 218
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- -1 silicon nitride compound Chemical class 0.000 description 7
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及OLED显示器件技术领域，特别涉及一种柔性OLED显示器件及其制备方法，包括玻璃基板，玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触，这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时，由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重，影响上层的TFT器件层和OLED器件层，从而保护了OLED显示器件的稳定性，延长显示器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示器件技术领域，特别涉及一种柔性OLED显示器件及其制备方法。
背景技术
在有机发光二极管(英文全称为Organic Light Emitting Diode，缩写为OLED)显示器具备低功耗，宽视角，清晰度与对比度高，响应速度快，使用温度范围宽，抗震性好等特点，作为自主发光的器件越来越多被运用到高性能的显示区域，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置；
目前柔性OLED器件剥离技术采用激光分离技术(英文全称为Laser Lift-off，缩写为LLO)，激光分离技术为聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板分离技术，其原理是激光从玻璃基板背面照向聚酰亚胺薄膜层，由于聚酰亚胺薄膜层对特定激光波长的强吸收，被照射的聚酰亚胺薄膜层被碳化，使聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板之间的粘附力降低，从而实现聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板的分离；
采用激光分离技术，当激光能量过低时，聚酰亚胺薄膜层的碳化程度不彻底，直接导致聚酰亚胺薄膜层与玻璃基本难分离，出现聚酰亚胺薄膜层与玻璃基板粘连拉扯的异常现象；并且当激光照射在聚酰亚胺薄膜层上时，部分激光会透过P聚酰亚胺薄膜层直接进入器件端，存在OLED器件失效的风险，影响OLED器件的寿命和产品的良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种柔性OLED显示器件及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种柔性OLED显示器件，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，所述反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，所述氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种柔性OLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有发热层；
步骤S2、形成聚酰亚胺薄膜层，且覆盖于所述发热层表面；
步骤S3、形成反射层，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层表面；
步骤S4、形成TFT器件层，且覆盖于所述反射层表面；
步骤S5、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT器件层表面；
步骤S6、形成TFE封装层，且覆盖于所述OLED器件层表面。
本发明的有益效果在于：
通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时，由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重，影响上层的TFT器件层和OLED器件层，从而保护了OLED显示器件的稳定性，延长显示器件的寿命。
附图说明
图1为根据本发明的一种柔性OLED显示器件的结构示意图；
图2为根据本发明的一种柔性OLED显示器件的制备方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃基板；2、发热层；3、聚酰亚胺薄膜层；4、反射层；401、氧硅薄膜层；402、氮硅薄膜层；5、TFT器件层；6、OLED器件层；7、TFE封装层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种柔性OLED显示器件，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，所述反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，所述氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时，由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重，影响上层的TFT器件层和OLED器件层，从而保护了OLED显示器件的稳定性，延长显示器件的寿命。
进一步的，所述发热层的材质为石墨烯，所述发热层的厚度范围为0.3μm-0.6μm。
由上述描述可知，石墨烯发热膜是一种通电后能发热的半透明聚脂薄膜，石墨烯发热膜在电场的作用下，会释放大量8μm-15μm的远红外线，受体聚酰亚胺薄膜层接受到远红外后，能量被吸收转换为热能，使受体聚酰亚胺薄膜层温度升高，所以在器件剥离时，对发热层通入一定量的电流，当温度达到聚酰亚胺薄膜层的碳化温度时，与石墨烯接触一侧的聚酰亚胺薄膜层开始碳化并剥离，形成需要的显示器件。
进一步的，所述氧硅薄膜层的材质为二氧化硅，所述氧硅薄膜层的厚度范围为0.1μm-0.3μm。
由上述描述可知，通过设置上述的结构，能够进一步提高显示器件的稳定性。
进一步的，所述氮硅薄膜层的材质为氮硅化合物，所述氮硅薄膜层的厚度范围为0.2μm-0.4μm。
由上述描述可知，通过设置上述的结构，能够进一步提高显示器件的稳定性。
进一步的，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度范围为2μm-4μm。
由上述描述可知，将聚酰亚胺薄膜层的厚度范围设为2μm-4μm，能够进一步提高聚酰亚胺薄膜层剥离的效率和良率，并提高了器件稳定性和延长器件的寿命。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种柔性OLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有发热层；
步骤S2、形成聚酰亚胺薄膜层，且覆盖于所述发热层表面；
步骤S3、形成反射层，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层表面；
步骤S4、形成TFT器件层，且覆盖于所述反射层表面；
步骤S5、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT器件层表面；
步骤S6、形成TFE封装层，且覆盖于所述OLED器件层表面。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
本方案设计的柔性OLED显示器件的制备方法不仅提高了柔性玻璃基板剥离的效率和产品剥离的良率，而且也避免了激光剥离带来的风险，和避免了激光进入OLED器件层引起OLED器件层的失效问题。
进一步的，所述发热层的材质为石墨烯，所述发热层的厚度范围为0.3μm-0.6μm。
从上述描述可知，石墨烯发热膜是一种通电后能发热的半透明聚脂薄膜，石墨烯发热膜在电场的作用下，会释放大量8μm-15μm的远红外线，受体聚酰亚胺薄膜层接受到远红外后，能量被吸收转换为热能，使受体聚酰亚胺薄膜层温度升高，所以在器件剥离时，对发热层通入一定量的电流，当温度达到聚酰亚胺薄膜层的碳化温度时，与石墨烯接触一侧的聚酰亚胺薄膜层开始碳化并剥离，形成需要的显示器件。
进一步的，所述氧硅薄膜层的材质为二氧化硅，所述氧硅薄膜层的厚度范围为0.1μm-0.3μm。
从上述描述可知，通过设置上述的结构，能够进一步提高显示器件的稳定性。
进一步的，所述氮硅薄膜层的材质为氮硅化合物，所述氮硅薄膜层的厚度范围为0.2μm-0.4μm。
从上述描述可知，通过设置上述的结构，能够进一步提高显示器件的稳定性。
进一步的，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度范围为2μm-4μm。
从上述描述可知，将聚酰亚胺薄膜层的厚度范围设为2μm-4μm，能够进一步提高聚酰亚胺薄膜层剥离的效率和良率，并提高了器件稳定性和延长器件的寿命。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种柔性OLED显示器件，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的一侧面上依次层叠覆盖有发热层2、聚酰亚胺薄膜层3、反射层4、TFT器件层5、OLED器件层6和TFE封装层7，所述反射层4包括氧硅薄膜层401和氮硅薄膜层402，所述氧硅薄膜层401位于氮硅薄膜层402和聚酰亚胺薄膜层3之间且分别与氮硅薄膜层402和聚酰亚胺薄膜层3接触。
所述发热层2的材质为石墨烯，所述发热层2的厚度范围为0.3μm-0.6μm，优选为0.5μm。
所述发热层2选用一种可通电发热的薄膜，其材料不限于石墨烯发热膜，石墨烯发热膜是一种通电后能发热的半透明聚脂薄膜，石墨烯发热膜在电场的作用下，会释放大量8μm-15μm的远红外线，受体聚酰亚胺薄膜层3接受到远红外后，能量被吸收转换为热能，使受体聚酰亚胺薄膜层3温度升高，所以在器件剥离时，对发热层2通入一定量的电流，当温度达到聚酰亚胺薄膜层3的碳化温度时，与石墨烯接触一侧的聚酰亚胺薄膜层3开始碳化并剥离，形成需要的显示器件；
所述氧硅薄膜层401的材质为二氧化硅，所述氧硅薄膜层401的厚度范围为0.1μm-0.3μm，优选为0.2μm。
所述氮硅薄膜层402的材质为氮硅化合物，所述氮硅薄膜层402的厚度范围为0.2μm-0.4μm，优选为0.3μm。
所述氧硅薄膜层401和氮硅薄膜层402的叠层结构组成一组光的反射层4，阻挡外界强光对器件内部的光敏材料的影响，并且这种叠层结构组成的反射层4不限于两层或三层或不限于多层氮硅薄膜层402和氧硅薄膜层401的堆叠而成；
所述聚酰亚胺薄膜层3的厚度范围为2μm-4μm，优选为3μm。
所述TFT器件层5所选为蚀刻阻挡型金属氧化物薄膜晶体管，所述OLED器件层6包含包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；OLED器件层6的发光机理是通过电子和空穴这两种载流子注入有机发光层并在有机发光层内复合发光；所述TFE封装层7包含有机层和无机层，起到隔离水氧，保护OLED器件层和TFT器件层的作用。
请参照图2，本发明的实施例二为：
一种柔性OLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板1，在所述玻璃基板1表面覆盖有发热层2；
步骤S2、形成聚酰亚胺薄膜层3，且覆盖于所述发热层2表面；
步骤S3、形成反射层4，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层3表面；
步骤S4、形成TFT器件层5，且覆盖于所述反射层4表面；
步骤S5、形成OLED器件层6，且覆盖于所述TFT器件层5表面；
步骤S6、形成TFE封装层7，且覆盖于所述OLED器件层6表面。
所述氧硅薄膜层401的材质为二氧化硅，所述氧硅薄膜层401的厚度范围为0.1μm-0.3μm，优选为0.2μm。
所述氮硅薄膜层402的材质为氮硅化合物，所述氮硅薄膜层402的厚度范围为0.2μm-0.4μm，优选为0.3μm。
所述聚酰亚胺薄膜层3的厚度范围为2μm-4μm，优选为3μm。
所述聚酰亚胺薄膜层3的厚度范围为2μm-4μm。
上述的柔性OLED显示器件的制备方法具体实施例为：
步骤一：通过PECVD(化学气相沉积)在玻璃基板1上沉积一层发热层2，发热层2采用新型石墨烯薄膜，然后再在发热层2上涂布聚酰亚胺薄膜层3，形成剥离结构；
步骤二：在步骤一的基础上通过PECVD(化学气相沉积)沉积氧硅薄膜层401和氮硅薄膜层402，形成器件保护层和光的反射层4，避免在聚酰亚胺薄膜层3剥离时，由于剥离温度过高导致玻璃基板1被破坏严重，影响上层的TFT器件层5和OLED器件层6，并且氧硅薄膜层401和氮硅薄膜层402的叠层结构组成一组光的发射层，阻挡外界强光对器件内部的光敏材料的影响；
步骤三：在步骤二的基础上依次制备TFT器件层5、OLED器件层6和TFE薄膜封装层，所述TFT器件层5所选器件类型为具备高迁移率，高稳定性的金属氧化物TFT器件。
当显示器件制备完成之后，进行聚酰亚胺薄膜层3剥离工艺时，对底层的发热层2即新型石墨烯发热层2通入电流，石墨烯发热膜在电场的作用下，会释放大量8μm-15μm的远红外线，受体聚酰亚胺薄膜层3接受到远红外后，能量被吸收转换为热能，使受体聚酰亚胺薄膜层3的温度升高，使与石墨烯薄膜接触的聚酰亚胺薄膜层3碳化，到达玻璃基板1的整面性剥离，减少了聚酰亚胺薄膜层3与玻璃基板1粘连的可能，提高剥离的效率。
综上所述，本发明提供的一种柔性OLED显示器件及其制备方法，通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，这样能够避免在聚酰亚胺薄膜层剥离时，由于剥离温度过高导致玻璃基板被破坏严重，影响上层的TFT器件层和OLED器件层，从而保护了OLED显示器件的稳定性，延长显示器件的寿命。本方案设计的柔性OLED显示器件的制备方法不仅提高了柔性玻璃基板剥离的效率和产品剥离的良率，而且也避免了激光剥离带来的风险，和避免了激光进入OLED器件层引起OLED器件层的失效问题。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种柔性OLED显示器件，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有发热层、聚酰亚胺薄膜层、反射层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，所述反射层包括氧硅薄膜层和氮硅薄膜层，所述氧硅薄膜层位于氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层之间且分别与氮硅薄膜层和聚酰亚胺薄膜层接触。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述发热层的材质为石墨烯，所述发热层的厚度范围为0.3μm-0.6μm。
3.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述氧硅薄膜层的材质为二氧化硅，所述氧硅薄膜层的厚度范围为0.1μm-0.3μm。
4.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述氮硅薄膜层的材质为氮硅化合物，所述氮硅薄膜层的厚度范围为0.2μm-0.4μm。
5.根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度范围为2μm-4μm。
6.一种根据权利要求1所述的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有发热层；
步骤S2、形成聚酰亚胺薄膜层，且覆盖于所述发热层表面；
步骤S3、形成反射层，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层表面；
步骤S4、形成TFT器件层，且覆盖于所述反射层表面；
步骤S5、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT器件层表面；
步骤S6、形成TFE封装层，且覆盖于所述OLED器件层表面。
7.根据权利要求6所述的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述发热层的材质为石墨烯，所述发热层的厚度范围为0.3μm-0.6μm。
8.根据权利要求6所述的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述氧硅薄膜层的材质为二氧化硅，所述氧硅薄膜层的厚度范围为0.1μm-0.3μm。
9.根据权利要求6所述的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述氮硅薄膜层的材质为氮硅化合物，所述氮硅薄膜层的厚度范围为0.2μm-0.4μm。
10.根据权利要求6所述的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度范围为2μm-4μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011215660.3A CN112331804A (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 一种柔性oled显示器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011215660.3A CN112331804A (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 一种柔性oled显示器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112331804A true CN112331804A (zh) | 2021-02-05 |
Family
ID=74323540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011215660.3A Pending CN112331804A (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 一种柔性oled显示器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112331804A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105226201A (zh) * | 2015-09-02 | 2016-01-06 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性oled显示器及其制造方法 |
| CN106654041A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性oled显示器及其制作方法 |
| CN107516666A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性oled显示器件剥离方法及柔性oled显示器件 |
| WO2019114072A1 (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法 |
| CN110048019A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示装置及制备方法 |
| CN210668424U (zh) * | 2019-09-12 | 2020-06-02 | 北京小米移动软件有限公司 | Oled显示屏和电子设备 |
| CN213816199U (zh) * | 2020-11-04 | 2021-07-27 | 福建华佳彩有限公司 | 一种柔性oled显示器件 |
-
2020
- 2020-11-04 CN CN202011215660.3A patent/CN112331804A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105226201A (zh) * | 2015-09-02 | 2016-01-06 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性oled显示器及其制造方法 |
| CN106654041A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性oled显示器及其制作方法 |
| CN107516666A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性oled显示器件剥离方法及柔性oled显示器件 |
| US20190386215A1 (en) * | 2017-08-18 | 2019-12-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Stripping method of flexible oled display device |
| WO2019114072A1 (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法 |
| CN110048019A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示装置及制备方法 |
| CN210668424U (zh) * | 2019-09-12 | 2020-06-02 | 北京小米移动软件有限公司 | Oled显示屏和电子设备 |
| CN213816199U (zh) * | 2020-11-04 | 2021-07-27 | 福建华佳彩有限公司 | 一种柔性oled显示器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6835950B2 (en) | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer | |
| WO2016101395A1 (zh) | 柔性oled显示器件及其制造方法 | |
| US8710739B2 (en) | Flexible organic light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US9172057B2 (en) | Encapsulation structure for an opto-electronic component | |
| WO2018113006A1 (zh) | 柔性oled显示面板的制作方法 | |
| EP2704227B1 (en) | Oled encapsulating structure and manufacturing method thereof, and light-emitting device | |
| JP5532557B2 (ja) | ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び有機ｅｌディスプレイ | |
| JPH09161967A (ja) | 有機デバイスのパッシベーション | |
| TW200941788A (en) | Method for manufacturing electronic components and electronic components | |
| US20110070456A1 (en) | Method for Producing an Organic Electronic Component, and Organic Electronic Component | |
| US9412971B2 (en) | Encapsulation structure for an optoelectronic component and method for encapsulating an optoelectronic component | |
| JP6342487B2 (ja) | 有機電子装置の製造方法 | |
| JP2007273094A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| TW201220570A (en) | OLED with flexible cover layer | |
| JPH09204981A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US11094911B2 (en) | Organic light emitting diode display panel and packaging method thereof | |
| TW200531588A (en) | Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same | |
| JP5079967B2 (ja) | Ｏｌｅｄのような電子構造素子およびマイクロエレクトロニクス構造素子のためのプラズマ封入 | |
| TWI227653B (en) | Electroluminescence display device | |
| KR20160024395A (ko) | 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법 및 전자 컴포넌트 어레인지먼트 | |
| JP2015111505A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス | |
| CN213816199U (zh) | 一种柔性oled显示器件 | |
| JP4254154B2 (ja) | 有機電界発光素子の封止方法 | |
| CN108922982A (zh) | 显示面板、设有其的显示装置及显示面板形成方法 | |
| TWI360862B (en) | Methods of forming gas barriers on electronic devi |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |